数字集成电路测试实验箱

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数字集成电路测试实验箱相关的厂商

  • 东集技术股份有限公司成立于2002年。秉承自主创新的发展理念,公司持续投入研发并掌握了条码、视觉等识别技术,结合多年积累的无线射频、坚固性结构、安全性系统等核心设计能力,针对各行业复杂的应用场景,打造多种形态的工业级物联网现场耐用终端,为企业全流程数字化运营和大数据分析提供了有力支撑,促进企业实现更高效管理,提高生产力。当前东集产品线包括工业级手持终端、超高频UHF RFID和视觉识别产品,已成功推向市场200+款形态多样的产品及智能采集融合技术方案,成功应用于物流快递、零售电商、生产制造、医疗卫生、公共事业等行业领域的头部客户,持续为逾10万+国内外用户提供价值服务和解决方案。东集拥有百余项专利和自主知识产权成果,先后被认定为国家“高新技术企业”、“软件企业”、“国家火炬计划重点高新技术企业”等企业资质,荣获国家科学技术进步二等奖等荣誉,设立CNAS国家标准实验室,并通过ISO9001质量管理体系认证、ISO14001环境管理体系等国际认证。以“打造现场采集耐用工具,助力用户更高效管理”为使命,东集不断为各行业提供更先进的耐用工具,帮助用户提高生产力,推动社会更高效发展。公司官网:www.chinaautoid.com 联系电话:400-677-0876 公司地址:江苏省南京市江北新区星火路15号
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  • 400-860-5168转4929
    广州赛恩科学仪器有限公司(原中大科仪)始创于2001年,是全球范围内技术领先的一家专业从事微弱信号检测技术、研发微弱信号检测仪器仪表及配套设备的高科技企业。赛恩科仪专注微弱信号检测近二十年,拥有国际一流水平的先进技术,以及自主核心的知识产权,已获得数十项专利,发表近百篇学术论文及期刊,填补了国家在微弱信号检测领域的技术空白。 赛恩科仪推出了多种类型的锁相放大器,涵盖低频到高频的各个频段,产品全面覆盖国际同行,同时还推出了光学斩波器、前置放大器、微弱信号检测教学实验箱等一系列产品,为国内众多高校及企业解决各类问题,同时产品远销海外(多伦多大学、斯坦福大学、麻省大学等),深受国内外客户的一致好评。我们致力为用户提供全面的技术支持和解决方案,满足用户特殊定制需求。未来几年,我们将推出可定制通道数的锁相放大器,阻抗分析仪,太阳能IV测试仪等一系列产品。 每一款产品从定义、设计阶段起即进行严格规范,每个环节均进行全面测试;产品原料在采购、存运、SMT等环节均按国际标准进行严格把控,每台出厂的仪器均有独立的校准及老化测试,以保障产品质量。 赛恩科仪的研发团队源于中山大学的广东省集成电路工程技术研究中心,与中山大学电力电子及控制技术研究所、中山大学太阳能系统研究所、中山大学光电材料与技术国家重点实验室等众多单位联合研发,与国内外众多高校、高新企业有着紧密的合作关系。公司拥有多位在集成电路设计、电磁兼容性分析、数字信号处理等领域具有丰富经验的归国留学人员,同时具有微电子、物理、光学等综合应用背景及十多年的积累。 赛恩科仪的企业口号是“做高性能的科学仪器,提供专业可靠的技术服务!”。我们目标是打破国外企业对微弱信号检测等高新技术的垄断,超越国外同行,成为微弱信号检测领域的领军企业!
  • 400-860-5168转2332
    复享光学是深度光谱技术创新者,是国家级专精特新“小巨人”企业,历时十余年,深耕微纳光电子领域,发展智能化全光谱技术,着力于光子学与人工智能的融合,形成了国际领先的深度光谱技术平台,向市场提供从技术到产品,从模块到系统的全面解决方案。通过成立对接产业需求的“上海微纳制程智能检测工程技术研究中心”,并与复旦大学共建致力于研究微纳制造前沿共性关键技术的“复旦大学光检测与光集成校企联合研究中心”,复享光学形成了多层次的研发平台,以深度响应市场需求,持续推出突破性的产品。复享光学已拥有国内外超3000家优质客户,并与超170家半导体、高端材料、生物医药企业形成交流与合作,与客户一起,致力于实现科学技术创新,推动光子集成进步,赋能半导体制造。产品与服务复享光学在光谱分析行业深耕数10年,在微型光谱仪、角分辨光谱和共焦光谱方面,拥有独到且具有新颖性的技术,具有强大的市场竞争力。2020年,复享光学获批成立“上海微纳制程智能检测工程中心(SERCOM)”,专业定位于在包括集成电路芯片、光芯片、生物芯片、AR/VR和先进显示等微纳制造领域,为产业提供检测技术服务。更多详情,请访问公司主页:www.ideaoptics.com
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数字集成电路测试实验箱相关的仪器

  • 集成电路 IC卡高低温测试集成电路 IC 卡高低温测试原因:集成电路 IC 卡在出厂前必须经过环境测试,用来模拟集成电路在不同工作环境中的性能,inTEST-Temptronic 高低温测试机凭借封装级和晶片级集成电路专用高低温测试机协助厂商完成例如高低温循环测试 Thermal cycle、冷热冲击测试 Thermal stock、老化测试等试验。inTEST-Temptronic 高低温测试机每秒可快速升温/降温 18 度、测试温度精度高达±1℃,特别适合大规模集成电路的高低温电性能检测。集成电路 IC 卡高低温测试客户案例一:上海伯东客户是一家利用 300mm 晶圆进行芯片生产的半导体厂商,经过技术选型,采购 inTEST-Temptronic ATS-505用于集成电路 IC 卡高低温测试。Temptronic ATS-505 台式设计,体积轻巧,测试温度范围:-20°C 至+225°C,采用旋钮式控制面板,操作直观。Temptronic 集成电路高低温测试方法:客户采用 Air Mode 模式直接测试:Temptronic ATS-505利用空压机将干燥洁净的空气通入制冷机进行低温处理,然后空气经由外部管路到达加热头进行升温;将被测电路IC卡放置在热流罩位置,根据操作员设定,喷出和设定温度相差±1℃的气流,从而进行电路板的高低温测试。inTEST ATS-505 高低温测试机自带过热温度保护系统,出厂设置温度+230°C,操作员可根据实际需要设置高低温限制点,当温度达到设置温度时,测试机将自动停机。集成电路 IC 卡温度测试客户案例二:上海伯东客户是一家 IC 卡生产企业,经过技术选型,采购 Temptronic ThermoStream ATS-535 高低温测试机,ATS-535 内置空压机,温度测试范围:-60°C 至 +225°C,适用于实验室内无空压系统的客户,方便移动。集成电路 IC 卡温度测试方法:客户采用 DUT Mode 模式测试:1、将待测 IC卡和温度传感器放置在测试腔中2、操作员设置需要测试的温度范围3、启动 ThermoStream ATS-535 ,利用空压机将干燥洁净的空气通入制冷机进行低温处理,然后空气经由外部管路到达加热头进行升温;气流通过热流罩进入测试腔4、测试腔中的温度传感器可实时监测当前腔体内温度,inTEST ATS-535 高低温测试机自带过热温度保护系统,出厂设置温度 +230°C,操作员可根据实际需要设置高低温限制点,当温度达到设置温度时,测试机将自动停机。 鉴于信息保密,更详细的 Temptronic 集成电路IC 卡高低温测试方法 欢迎拨打电话:inTEST ThermoStream 已全面取代 Temptronic 和ThermonicsTemptronic 创立于 1970 年,在 2000 年被 inTEST 收购,成为在美国设立的超高速温度环境测试机的首家制造商。而 Thermonics 创立于1976年,在 2012 年被 inTEST 收购,使 inTEST 更强化高低温循环测试以及温度冲击测试领域的实力。在 2013 年 inTEST Thermal Solutions 用崭新的研发技术发展出独创的温度环境测试机,将 Temptronic TPO 系列以及 Thermonics PTFS 系列整合进化成 inTEST ThermoStream ATS 超高速温度环境测试系列产品。上海伯东作为 inTEST 中国总代理,全权负责 inTEST 新品销售和售后维修服务。若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王女士T: T: F: F: M: M: 伯东版权所有, 翻拷必究!
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  • 上海伯东代理美国 inTEST-Temptronic 高低温测试机用于集成电路IC卡高低温测试集成电路 IC 卡高低温测试原因:集成电路 IC 卡在出厂前必须经过环境测试,用来模拟集成电路在不同工作环境中的性能,inTEST-Temptronic 高低温测试机凭借封装级和晶片级集成电路专用高低温测试机协助厂商完成例如高低温循环测试、冷热冲击测试、老化测试等试验。inTEST-Temptronic 高低温测试机每秒可快速升温/降温 18 度、测试温度精度高达±1℃,特别适合大规模集成电路的高低温电性能检测。集成电路 IC 卡高低温测试客户案例:上海伯东客户是一家利用 300mm 晶圆进行芯片生产的半导体厂商,经过技术选型,采购 inTEST-Temptronic ATS-505用于集成电路 IC 卡高低温测试。Temptronic ATS-505 台式设计,体积轻巧,测试温度范围:-20°C 至+225°C,采用旋钮式控制面板,操作直观。Temptronic 集成电路高低温测试方法:客户采用 Air Mode 模式直接测试:Temptronic ATS-505利用空压机将干燥洁净的空气通入制冷机进行低温处理,然后空气经由外部管路到达加热头进行升温;将被测电路IC卡放置在热流罩位置,根据操作员设定,喷出和设定温度相差±1℃的气流,从而进行电路板的高低温测试。inTEST ATS-505 高低温测试机自带过热温度保护系统,出厂设置温度+230°C,操作员可根据实际需要设置高低温限制点,当温度达到设置温度时,测试机将自动停机。鉴于信息保密,更详细的 Temptronic 集成电路IC 卡高低温测试方法 欢迎拨打电话:021-5046-3511inTEST ThermoStream 已全面取代 Temptronic 和ThermonicsTemptronic 创立于 1970 年,在 2000 年被 inTEST 收购,成为在美国设立的超高速温度环境测试机的首家制造商。而 Thermonics 创立于1976年,在 2012 年被 inTEST 收购,使 inTEST 更强化高低温循环测试以及温度冲击测试领域的实力。在 2013 年 inTEST Thermal Solutions 用崭新的研发技术发展出独创的温度环境测试机,将 Temptronic TPO 系列以及 Thermonics PTFS 系列整合进化成 inTEST ThermoStream ATS 超高速温度环境测试系列产品。上海伯东作为 inTEST 中国总代理,全权负责 inTEST 新品销售和售后维修服务。上海伯东版权所有,翻拷必究!上海伯东主营真空品牌:德国 Pfeiffer 真空设备 美国 Polycold 深冷泵 美国 KRI 考夫曼离子源 美国 HVA 真空闸阀:美国 inTEST-Temptronic高速温度循环试验机 日本 NS 离子蚀刻机等。
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  • 电源管理芯片充电ic集成电路芯片电源适配器IC在所有的电子设备和产品中,都不乏电源IC的“身影”。随着数字高速IC技术和芯片制造工艺技术的共同高速发展,高性能电源IC“助阵”的作用显得愈加重要。而日新月异的电子产品应用、环保绿色节能需求的兴起也对电源IC提出了更高的要求,催生新一代高集成度、高性能和高能效电源管理IC的需求,亦成为电源管理IC厂商永恒的使命。电源管理半导体从所包含的器件来说,明确强调电源管理集成电路(电源管理IC,简称电源管理芯片)的位置和作用。电源管理半导体包括两部分,即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器件。电源管理集成电路包括很多种类别,大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压凋整器包含线性低压降稳压器(即LOD),以及正、负输出系列电路,此外 不有脉宽调制(PWM)型的开关型电路等。因技术进步,集成电路芯片内数字电路的物理尺寸越来越小,因而工作电源向低电压发展,一系列新型电压调整器应运 而生。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管(MOSFET)驱动器以及高电压/大电流的显示驱动器等等。电源管理分立式半导体器件则包括一些传统的功率半导体器件,可将它分为两大类,一类包含整流器和晶闸管;另一类是三极管型,包含功率双极性晶体管,含有MOS结构的功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。在某种程度上来说,正是因为电源管理IC的大量发展,功率半导体才改称为电源管理半导体。也正是因为这么多的集成电路(IC)进入电源领域,人们才更多地以电源管理来称呼现阶段的电源技术。深圳市骊微电子科技有限公司从事家电电源,充电器,电源适配器,LED电源等电源产品芯片IC设计,测试,销售。产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品,公司同时提供电源产品应用与电源设计服务。
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数字集成电路测试实验箱相关的资讯

  • 北京市启动集成电路测试技术联合实验室
    集中本市和中科院系统“优势兵力”的集成电路测试资源、能承接国家重大科技专项的“北京集成电路测试服务产业联合实验室”昨天正式启用了。  早在今年初,北京自动测试技术研究所与中国科学院微电子研究所便签订了战略合作协议,决定通过联合实验室研发汽车电子、太阳能、风能功率器件及模块测试技术,获得自主知识产权,建立高效的研发型测试服务平台,为北京地区集成电路产业提供专业化、深层次、一站式测试服务。  当前,本市已初步形成从集成电路设计、制造、封装、测试、制造设备到材料研制较为完善的微电子产业链,年产值超过200亿元。本市现有集成电路设计公司100余家,占国内设计公司的五分之一,集成电路产业在本市经济建设中发挥着越来越重要的作用。
  • “陕西光电子集成电路先导技术中试平台”通过验收
    2021年9月10日,由中国科学院西安光机所承担的“国家双创示范基地双创支撑平台建设项目——陕西光电子集成电路先导技术中试平台”顺利通过总体验收。验收专家组由陕西省政府参事、省政协常委、原知识产权局局长巨拴科等11位专家组成。中科院科发局知识产权处副处长陈浩全程参会指导工作 中科院西安分院副院长杨青春、陕西省工信厅二级巡视员梁桂莲、西安市高新区硬科技局副局长蒋仁国受邀参加会议 西安光机所副所长胡炳樑,财资处、条保处、综合档案室、所级中心、产业处,西光产业、西科控股、先导院公司相关负责人参加会议,会议由产业处副处长(主持工作)李燕主持。西安光机所于2017年获批国家 “第二批大众创业万众创新示范基地”,并于2019年5月获得“国家双创示范基地双创支撑平台建设项目——陕西光电子集成电路先导技术中试平台”批复。通过项目支持建设,平台现已建成了一条可支持以VCSEL芯片为主的化合物半导体芯片研发、小试工艺线,具备了快测和全流程工艺流片能力,目前VCSEL4&6英寸快测及全流程工艺已通线。验收会开始之前,梁桂莲讲话,她表示,地方政府长期以来一直在关注和支持西安光机所创新创业工作,“西光所创新发展模式”在地方形成了良好的模范带头作用,希望西安光机所通过本次项目验收总结阶段经验,不断提高平台建设能力,在“秦创原”这个平台上,引领光子产业链不断提升和完善。接下来,陈浩介绍了国家发改委关于双创示范基地双创支撑平台建设项目的背景和总体要求,验收会正式开始。专家组听取了建设单位项目负责人周祚峰的专题汇报,随后到检测大厅了解研究所整体科研基础情况、到硬科技社区了解创新创业生态体系建设情况、到先导院检查双创项目建设情况。经过实地考察、专家质询、工艺验收、财务验收和档案验收,专家组对西安光机所组织实施双创示范基地双创支撑平台建设项目整体工作给予了充分认可,并对其支撑和引领地方光子产业发展起到的积极作用表示肯定,一致同意通过总体验收。验收会后,杨青春代表西安分院对中科院和地方政府一直以来对西安光机所的关怀和支持表示感谢,并要求研究所进一步落实专家组和政府相关领导提的宝贵建议和意见,立足地方、辐射全国,成为全国光子领域技术创新高地和产业集聚地。陈浩充分肯定了项目建设成果,对验收会取得圆满成功表示祝贺,他希望西安光机所进一步按照我院“四个国家”要求,为国家国防建设和产业链安全,以及地方经济高质量发展作出更大贡献。最后,胡炳樑代表研究所对中科院、西安分院、各级政府、专家组对西安光机所的鼓励和支持表示感谢,并表示研究所将按照“不仅让国家和中科院满意,还要让地方和人民满意”的标准,聚焦光子领域主责主业,坚持高起点规划、高标准建设、高水平管理,努力成为光子科技国内创新和创业高地。
  • 全国首家省级集成电路产业计量测试中心通过验收
    完善计量支撑体系 服务制造强国建设近日,由中国船舶集团第七〇九研究所筹建的“湖北省集成电路产业计量测试中心”(以下简称“省中心”)通过了国家集成电路领域相关专家组考核验收,获批成立,成为全国第一家省级集成电路产业计量测试中心,标志着湖北省在集成电路领域计量基础能力建设走在全国前列,服务经济社会发展的能力水平有了新的突破。集成电路产业是支撑经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业,是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量,也是突破卡脖子技术的关键领域。加快构建集成电路全产业链计量测试服务体系既是助力实现“中国式现代化”,攻克集成电路领域卡脖子工程不可或缺的关键环节,也是破解集成电路产业发展测量难题的重要抓手。七〇九所是集成电路领域国之重器信息化平台建设的国家队、高性能芯片国产化替代的设计单位,构建了较为完善集成电路测试服务体系,具有齐全集成电路测试验证配套能力,服务客户已覆盖全部十大军工集团及全国民用企业。通过省中心建设,七〇九所先后完成了8个重点项目,13项测量仪器设备配置,建成20项校准技术能力和关键参数测量技术能力,服务产业44家军工单位、34家民营企业,解决16项产业计量测试难题,新建3项核心芯片计量保障方案。省中心的验收进一步奠定了七〇九所在微电子计量、检测领域的优势地位。未来,七〇九所将以省中心验收为契机,持续提升计量测试技术能力,推动武汉“创建具有全国影响力科技创新中心”,充分发挥对湖北省周边省市辐射带动效应,为湖北省乃至全国集成电路产业高质量发展提供高水平计量测试服务。

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  • 集成电路的特点

    集成电路一般是在一块厚0.2~0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片(称为集成电路的基片)上可以做出包含为十个(或更多)二极管、电阻、电容和连接导线的电路。一、集成电路中元器件的特点与分立元器件相比,集成电路元器件有以下特点:1. 单个元器件的精度不高,受温度影响也较大,但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致,对称性好,相邻元器件的温度差别小,因而同一类元器件温度特性也基本一致;2. 集成电阻及电容的数值范围窄,数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω~几十 kΩ范围内,电容一般为几十pF。电感目前不能集成;3. 元器件性能参数的绝对误差比较大,而同类元器件性能参数之比值比较精确;4. 纵向NPN管β值较大,占用硅片面积小,容易制造。而横向PNP管的β值很小,但其PN结的耐压高。二、集成电路的设计特点由于制造工艺及元器件的特点,模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。1. 在所用元器件方面,尽可能地多用晶体管,少用电阻、电容;2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路,级间耦合采用直接耦合方式;3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求;尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路

  • 集成电路的特点

    集成电路一般是在一块厚0.2~0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片(称为集成电路的基片)上可以做出包含为十个(或更多)二极管、电阻、电容和连接导线的电路。一、集成电路中元器件的特点与分立元器件相比,集成电路元器件有以下特点:1. 单个元器件的精度不高,受温度影响也较大,但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致,对称性好,相邻元器件的温度差别小,因而同一类元器件温度特性也基本一致;2. 集成电阻及电容的数值范围窄,数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω~几十 kΩ范围内,电容一般为几十pF。电感目前不能集成;3. 元器件性能参数的绝对误差比较大,而同类元器件性能参数之比值比较精确;4. 纵向NPN管β值较大,占用硅片面积小,容易制造。而横向PNP管的β值很小,但其PN结的耐压高。二、集成电路的设计特点由于制造工艺及元器件的特点,模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。1. 在所用元器件方面,尽可能地多用晶体管,少用电阻、电容;2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路,级间耦合采用直接耦合方式;3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求;尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路

  • 仪器维修中集成电路的维修经验(大家交流)

    仪器维修中集成电路的维修经验(大家交流) (一)常用的检测方法 集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。1.非在线测量 非在线测量潮在集成电路未焊入电路时,通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比,以确定其是否正常。2.在线测量 在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等,通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常,来判断该集成电路是否损坏。3.代换法 代换法是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路,可以判断出该集成电路是否损坏。 (二)常用集成电路的检测 1.微处理器集成电路的检测 微处理器集成电路的关键测试引脚是VDD电源端、RESET复位端、XIN晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。在路测量这些关键脚对地的电阻值和电压值,看是否与正常值(可从产品电路图或有关维修资料中查出)相同。不同型号微处理器的RESET 复位电压也不相同,有的是低电平复位,即在开机瞬间为低电平,复位后维持高电平;有的是高电平复位,即在开关瞬间为高电平,复位后维持低电平。2.开关电源集成电路的检测 开关电源集成电路的关键脚电压是电源端(VCC)、激励脉冲输出端、电压检测输入端、电流检测输入端。测量各引脚对地的电压值和电阻值,若与正常值相差较大,在其外围元器件正常的情况下,可以确定是该集成电路已损坏。 内置大功率开关管的厚膜集成电路,还可通过测量开关管C、B、E极之间的正、反向电阻值,来判断开关管是否正常。3.音频功放集成电路的检测 检查音频功放集成电路时,应先检测其电源端(正电源端和负电源端)、音频输入端、音频输出端及反馈端对地的电压值和电阻值。若测得各引脚的数据值与正常值相差较大,其外围元件与正常,则是该集成电路内部损坏。对引起无声故障的音频功放集成电路,测量其电源电压正常时,可用信号干扰法来检查。测量时,万用表应置于R×1档,将红表笔接地,用黑表笔点触音频输入端,正常时扬声器中应有较强的“喀喀”声。4.运算放大器集成电路的检测 用万用表直流电压档,测量运算放大器输出端与负电源端之间的电压值(在静态时电压值较高)。用手持金属镊子依次点触运算放大器的两个输入端(加入干扰信号),若万用表表针有较大幅度的摆动,则说明该运算放大器完好;若万用表表针不动,则说明运算放大器已损坏。5.时基集成电路的检测 时基集成电路内含数字电路和模拟电路,用万用表很难直接测出其好坏。可以用所示的测试电路来检测时基集成电路的好坏。测试电路由阻容元件、发光二极管LED、6V 直流电源、电源开关S 和8脚IC插座组成。将时基集成电路(例如NE555)插信IC插座后,按下电源开关S,若被测时基集成电路正常,则发光二极管LED将闪烁发光;若LED不亮或一直亮,则说明被测时基集成电路性能不良。 集成电路代换技巧 一、直接代换直接代换是指用其他IC不经任何改动而直接取代原来的IC,代换后不影响机器的主要性能与指标。其代换原则是:代换IC的功能、性能指标、封装形式、引脚用途、引脚序号和间隔等几方面均相同。其中IC的功能相同不仅指功能相同;还应注意逻辑极性相同,即输出输入电平极性、电压、电流幅度必须相同。例如:图像中放IC,TA7607 与TA7611,前者为反向高放AGC,后者为正向高放AGC,故不能直接代换。除此之外还有输出不同极性AFT电压,输出不同极性的同步脉冲等[font=Calibr

数字集成电路测试实验箱相关的耗材

  • 单片微波集成电路MMIC放大器
    单片微波集成电路放大器是中国制造的GaN MMIC放大器产品的翘楚,具有可与美国同类产品媲美的产品性能,却具有全球竞争力的GaN MMIC Amplifiers价格和单片微波集成电路放大器价格。单片微波集成电路MMIC放大器广泛用于高功率微波放大器系统, 支持非常高的工作电压(比GaAs高三到五倍),并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。 这些特性对PA设计人员有重要意义,意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗,从而获得更大带宽。单片微波集成电路MMIC放大器具有极高的可靠性,适用于高可靠性空间应用,结果表明单个器件的平均失效前时间(MTTF)超过一百万小时。 如此高的可靠性主要是因为GaN具有很高的带隙值(GaN为3.4,GaAs为1.4), 这使得它特别适合高可靠性应用。GaN MMIC amplifiers made by China provide high performance with lower price on market, MMIC output power over the 0.03 to 4.0GHz band. This MMIC is matched to 50 Ohms at the input but un-matched at the output above 0.5GHz.
  • 单片微波集成电路MMIC放大器 GaN MMIC Amplifiers
    单片微波集成电路放大器是中国制造的GaN MMIC放大器产品的翘楚,具有可与美国同类产品媲美的产品性能,却具有全球竞争力的GaN MMIC Amplifiers价格和单片微波集成电路放大器价格。单片微波集成电路MMIC放大器广泛用于高功率微波放大器系统, 支持非常高的工作电压(比GaAs高三到五倍),并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。 这些特性对PA设计人员有重要意义,意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗,从而获得更大带宽。单片微波集成电路MMIC放大器具有极高的可靠性,适用于高可靠性空间应用,结果表明单个器件的平均失效前时间(MTTF)超过一百万小时。 如此高的可靠性主要是因为GaN具有很高的带隙值(GaN为3.4,GaAs为1.4), 这使得它特别适合高可靠性应用。单片微波集成电路MMIC放大器参数
  • 带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4B
    电气规格 参数条件最小值典型值最大值单位电源电压456V电源电流正常工作(kHz)90150mATTL/COMS触发输入逻辑电平3.35V监控器输出逻辑电平3.3VSPI和GPIO逻辑高电平3.3V模拟输入满量程容量默认范围(范围设置7)350pC 最小范围(范围设置1)50pC内在触发延迟无附加延迟设置(默认)100360ns增加触发延迟通过延迟设置,分辨率为1 s0100s通道间串扰范围7,连接4个光电二极管,通过一个通道上的5µs的 LED脉冲进行刺激,信号高度500 000计数,积分时间25µs,导线延迟2 µs,所有其他通道上无信号7 1410 20计数ppm先前脉冲记忆效应参数同上,硅光电二极管3×3mm,刺激信号500 000计数,随后是3个暗结果,用于测量记忆效应(结果小于信号噪声)15计数 噪声性能所有测量均采用USB供电操作,内部触发模式,无光电二极管连接。满量程(即满量程的10-6)的噪声值(ppm)。 触发速率选通时间50µs选通时间500µs 单位范围7范围1范围7范围11000Hz13.015.0ppm FS500Hz4.67.018.020.5ppm FS200Hz3.46.03.49.6ppm FS125Hz3.56.03.69.5ppm FS83Hz3.55.83.79.3ppm FS20Hz10.211.23.79.2ppm FS 机械规格 基板尺寸54 x 40mm2带水平接线板的设备重量(约) 48g仅基板重量TBDg 推荐的光电二极管WL-IPD4B可与任何硅、InGaAs或类似光电二极管配合使用。唯一的要求是,它需要在光伏模式下产生光电流,所有常规光电二极管也是如此。因此,它不适用于CdTe探测器或PMT管。 以下是IPD4B首选的标准和经验证的光电二极管列表。 类型制造商有效面积大小mm波长范围nm备注(PD=光电二极管)S2386-44KHamamatsu3.6 x 3.6320 – 1100通用硅光电二极管S1336-5BQHamamatsu2.4 x 2.4190 – 1100紫外延展S1336-44BQHamamatsu3.6 x 3.6190 – 1100紫外延展S1336-8BKHamamatsu5.8 x 5.8320 – 1100大面积S1336-8BQHamamatsu5.8 x 5.8190 – 1100大面积和紫外延展G10899-02KHamamatsu2.0500 – 1700InGaAs 光电二极管(也有1mm和3mm)G12183-010KHamamatsu1.0900 – 2600特殊的InGaAs光电二极管,高达2.6 µm ($$$) 总览WL-IPD4B是一款高度集成的矩形波串积分器,最多可直接连接4个光电二极管。触发脉冲后,所有4个输入同时积分,时间可调,介于6µs和1秒之间(boxcar积分器)。测量采用集成20位模数转换器进行数字化,具有超低噪声和卓越的动态范围。集成结果通过USB链路传输到计算机(或者:3.3V UART、SPI、I2C)。在触发模式下,IPD4B光电二极管可以连续采集4个信号测量值,并以高达1.2 kHz的触发速率通过USB链路传输。这允许在具有1kHz重复率的系统中进行逐步测量。内部触发还允许矩形波串积分测量,控制时间为500 µs至1s,例如用于监控。除了4个模拟输入,还同时捕获和报告一个外部数字输入。这允许“标记”某些测量或同步多个积分器。通用串行总线接口为虚拟串行端口(VCP),以便直接轻松地集成到实验室控制软件(如LabView)中。通信使用基于文本的协议。技术参数特征最多可同时集成4个输入高达1.2kHz的转换速率控制时间6µs到1秒,内置定时器无间隙连续集成,控制时间为500 s至1 s触发测量包括信号和背景采集20位分辨率超低噪声:低于散粒噪声,适用于许多应用极限动态范围:高达1: 250000高精度、低漂移可调全格感测范围50 pC至350 pC易于使用的接口(USB、UART)外部触发上升沿或下降沿,TTL或LVDS辅助ADC、DAC和GPIO引脚小尺寸:60 x 40 x 22 mm3价格实惠应用高达1kHz的激光脉冲监测和信号测量系统2或4段光电二极管逐级脉冲噪声测量连续无隙信号监控可与硅探测器、InGaAs探测器、GaAs探测器使用 结构 本数据表中提供的信息是准确可靠的。但是,Wieserlabs GmbH对其可能导致的任何侵犯第三方专利或其他权利的行为不承担任何责任。价格和规格如有变更,恕不另行通知。商标和注册商标属于各自所有者的财产。 照片IPD4B的照片。可以安装不同的光电二极管;图片中的只是例子。 水平分接板:这种变体允许通过分接板轻松连接多达4个光电二极管。请注意,如果直接连接二极管,噪声性能最佳;电缆越长,噪音越大。
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