等离子双束扫描电镜

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

日立紫外清洗设备是利用紫外光和臭氧对样品表面污染物进行清理的前处理设备，主要针对样品表面的有机污染物，相比等离子清洗更加温和，对样品损伤小。清洗系统:2种清洗模式真空清洗和真空储存清洗时间范围为1min-24h（步幅1min）真空系统:无油真空系统（隔膜泵9L/min）3min内达到所需真空度真空范围为100-500torr(100步) 清洗仓:样品尺寸: 100mm (直径) x 36mm (高)适合于各型号扫描电镜有效清理区域达100 mm

Helios 5 DualBeam【产品描述】新一代的赛默飞世尔科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 产品系列业界领先的高性能成像和分析性能。它经过精心设计，可满足材料科学研究人员和工程师最广泛的 FIB-SEM 使用需求。Helios 5 DualBeam 重新定义了高分辨率成像的标准：最高的材料衬度，最快、最简单、最精确的高质量样品制备，用于 S/TEM 成像和原子探针断层扫描（APT）以及最高质量的表面下和三维表征。在 Helios DualBeam 系列久经考验的性能基础上，新一代的 Helios 5 DualBeam 进行了改进优化，所有这些都旨在确保系统处于手动或自动工作流程的最佳运行状态。【技术参数】半导体行业技术参数：Helios 5 CXHelios 5 HPHelios 5 UXHelios 5 HXHelios 5 FX样品制备与 XHR 扫描电镜成像最终样品制备 (TEM薄片，APT)STEM 亚纳米成像与样品制备SEM着陆电压20 eV~30 keV20 eV~30 keV分辨率0.6 nm@15 keV1.0 nm@1 keV0.6 nm@2 keV0.7 nm@1 keV1.0 nm@500 eVSTEM分辨率@30 keV0.7 nm0.6 nm0.3 nmFIB制备过程最大材料去除束流65 nA100 nA65 nA最终最优抛光电压2 kV500 VTEM样品制备样品厚度50 nm15 nm7 nm自动化否是是样品处理行程110×110×65 mm110×110×65 mm150×150×10 mm100×100×20 mm100×100×20 mm+5轴（S）TEM Compustage快速进样器手动自动手动自动自动+自动插入/提取STEM 样品杆 材料科学行业技术参数：Helios 5 CXHelios 5 UX离子光学具有卓越的大束流性能的Tomahawk HT 离子镜筒具有卓越的大束流和低电压性能的Phoenix 离子镜筒离子束电流范围1 pA – 100 nA1 pA – 65 nA加速电圧500 V – 30 kV500 V – 30 kV最大水平视场宽度在束重合点处为0.9 mm 在束重合处点为0.7 mm 离子源寿命1,000 小时1,000 小时两级差分抽吸两级差分抽吸飞行时间校准飞行时间校准15孔光阑15孔光阑电子光学Elstar超高分辨率场发射镜筒Elstar超高分辨率场发射镜筒磁浸没物镜磁浸没物镜高稳定性肖特基场发射枪提供稳定的高分辨率分析电流高稳定性肖特基场发射枪提供稳定的高分辨率分析电流电子束分辨率最佳工作距离下0.6 nm @ 30 kV STEM0.6 nm @ 30 kV STEM0.6 nm @ 15 kV0.7 nm @ 1 kV1.0 nm @ 1 kV1.0 nm @ 500 V (ICD)0.9 nm @ 1 kV 减速模式*在束流重合点0.6 nm @ 15 kV0.6 nm @ 15 kV1.5 nm @ 1 kV 减速模式* 及 DBS*1.2 nm @ 1 kV电子束参数电子束流范围0.8 pA ~ 176 nA0.8 pA ~ 100 nA加速电压范围200 V ~ 30 kV350 V ~ 30 kV着陆电压20 eV ~ 30 keV20 eV ~ 30 keV最大水平视场宽度2.3 mm @ 4 mm WD2.3 mm @ 4 mm WD探测器Elstar 镜筒内 SE/BSE 探测器 (TLD-SE, TLD-BSE)Elstar 镜筒内 SE/BSE 探测器 (ICD)*Elstar 镜筒内 BSE 探测器 (MD)*样品室内 Everhart-Thornley SE 探测器 (ETD)红外相机高性能离子转换和电子探测器 (SE)*样品室内 Nav-Cam 导航相机*可伸缩式低电压、高衬度、分割式固态背散射探测器 (DBS)*可伸缩STEM 3+ 探测器*电子束流测量样品台和样品样品台高度灵活的五轴电动样品台压电陶瓷驱动 XYR 轴的高精度五轴电动工作台XY110 mm150 mmZ65 mm10 mmR360° (连续)360° (连续)倾斜-15° ~ +90°-10° ~ +60°最大样品高度与优中心点间隔 85 mm与优中心点间隔 55 mm最大样品质量样品台任意位置 500 g 样品台任意位置 500 g 0° 倾斜时最大 5 kg最大样品尺寸直径 110 mm可沿样品台旋转时直径 150 mm可沿样品台旋转时优中心旋转和倾斜优中心旋转和倾斜【特点与应用】?更易于使用：Helios 5 对所有经验水平用户而言都是最容易使用的 DualBeam 系统。操作人员培训可以从几个月缩短到几天，其系统设计可帮助所有操作人员在各种高级应用程序上实现一致、可重复的结果。 ?提高了生产率：Helios 5 和 AutoTEM 5 软件的先进自动化功能，增强的可靠性和稳定性允许无人值守甚至夜间操作，显著提高样品制备通量。 ?改善时间和结果：Helios 5 DualBeam 引入全新精细图像调节功能 FLASH （闪调）技术。借助 FLASH 技术，您只需在用户界面中进行简单的鼠标操作，系统即可“实时”进行消像散、透镜居中和图像聚焦。自动调整可以显著提高通量、数据质量并简化高质量图像的采集。平均而言，FLASH 技术可以使获得优化图像所需的时间最多缩短 10 倍。