紫外曝光光刻系统

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  • 欧菲尔紫外盛像仪器仪表（上海）有限公司
    以色列Ofil紫外成像仪是光学和数字紫外线检测和成像技术的世JIE领XIAN制造商。成立于1993年，总部在以色利。Ofil紫外成像仪开发和销售创新解决方案，这些解决方案正在全球范围内用于监测电气装置和环境危害。我们的数字检测系统对于电气故障的诊断、预防和预测是不可或缺的。我们的紫外线偏振系统有助于绘制海上溢油扩散图并控制其清洁效果。Ofil紫外成像仪利用其紫外线光学专有技术，不断开发紫外线增强成像解决方案，以应对全球电网不断变化的需求。多年来，Ofil以其创新、高质量和快速响应的方法赢得了全球的认可。DayCor?系列产品提供以下解决方案：电力设施的维修操作电动列车的预测性维修操作以色列Ofil紫外成像仪介绍石油化工电网部件制造商高压实验室和研究所用于国土安全的紫外线信号检测环境组织的漏油监测
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  • 355nm紫外激光_皮秒/飞秒激光器_武汉华日激光
    华日激光坚持以市场需求引领新产品的研发，为客户提供纳秒、皮秒、飞秒等多种脉冲宽度，红外、绿光、紫外、深紫外等多种波长的激光器产品，所有产品均具备自主产权，同时产品通过欧盟CE质量安全认证，完全满足严苛条件下的工业加工要求，是超精细加工领域的理想光源。同时通过与全球高端激光设备制造商在电子电路、硬脆材料、半导体、新能源、生命科学等领域开展紧密合作，为用户提供全面的激光技术解决方案。
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  • 陕西思的信息资讯有限公司 铜牌6年
    400-860-5168转2230
    陕西思的公司汇集了一些高技术、高品质、良好信誉的微/纳米科学研究检测设备及耗材，在纳米科研技术领域拥有多家高水平的用户，愿为积极推动我国微/纳米科学技术的研究，提供尽心尽力的售前技术咨询，及时的售后服务。 目前陕西思的公司代理了美国Futurrex光刻胶、德国MRT光刻胶、瑞士Gersteltec公司的SU-8及功能性SU-8系列光刻胶、德国PA高浓度粒度及Zeta电位仪、美国Euclid辊胶机、韩国MIDAS光罩对准曝光机和甩胶机、比利时OCCHIO图像颗粒分析仪、德国Nanotools原子力显微镜探针、美国Transene公司各种金属电镀液和非电镀镀液、金属蚀刻液、封装硅胶、环氧树脂等等一系列产品，详细介绍如下。 美国Futurrex公司主要生产具有独特品质的光刻胶及其相关产品，包括粘性增强负性光刻胶、高级加工负性光刻胶（增强温度阻抗）、剥离处理用负性光刻胶；粘性增强正性光刻胶；平坦化、保护性、粘性涂层、旋涂玻璃（SOG）、旋涂掺杂（SOD）以及辅助产品边胶清洗剂、光刻胶显影剂、光刻胶去除剂等，是世界五大光刻胶生产厂之一，迄今已有二十多年历史。 德国MRT公司生产的高性能各种用于微纳制作的光刻胶，除了生产用于i、g和h线的光刻胶以外，还有电子束刻蚀胶和纳米压印胶以及专门用于光学波导制作的光胶可供选择。 瑞士Gersteltec公司成立于2004年，主要提供SU-8系列光刻胶，可用x射线、紫外及电子束曝光，广泛用于MEMS、MOMES、BioMEMS、LIGA、生物药学、光学通信、生物芯片、微流道等领域 。另外GES公司也提供一些特制的光刻胶如导电光刻胶、彩色光刻胶、碳纳米管光刻胶、喷墨打印光刻胶等等。 德国PA公司生产的高浓度粒度及表面电位仪可以不必稀释样品、真实测量原始样品（体积浓度0.5-60%）的粒度分布和表面电位，可以得到高浓度胶体溶液的实际数据，测量的粒径范围从5 nm到100 um。不仅如此，德国PA公司还提供用于在线测量的高浓度粒度及表面电位仪，有机和无机分散相均可测量，使您在实验室获得的数据可以直接辅助指导生产过程，从而让科研与生产之间完全自然过渡。 美国Euclid辊胶机包括小型辊胶机、辊胶测试机器、凹版辊胶机以及特制的辊胶机等广泛地应用于在纸、纸板、泡沫板、薄膜、铝和不锈钢箔片、玻璃板、硅片以及其他多种多样的基片上得到均匀、可重现的从0.1微米到0.125毫米的胶层厚度。 Euclid辊胶机可以轻松地将硅胶、胶黏剂、热熔涂层、紫外涂层、纸张涂料、墨水、聚合物等涂在任意从实验室的小尺寸基片到工业化大尺寸基片上。 韩国MIDAS公司开发并生产用于半导体、MEMS、LED及纳米技术相关的实验室和工业领域的光罩对准曝光机和甩胶机，是韩国第一家研发并商业化光罩对准曝光机的企业，始终致力于不断完善、增强技术型企业的核心竞争力。 比利时OCCHIO公司成立于2001年，总部位于比利时，并在法国设立研发机构，开发、生产了一系列范围广泛的用于湿法和干法测量颗粒粒径及颗粒形状的仪器。颗粒可以是气相中干燥材料，也可以是液相中分散的颗粒，测量粒径范围从400纳米到数厘米。 德国Nanotools公司生产高品质的原子力显微镜探针，可满足高分辨率、高深宽比精细成像的需要。 美国Transene公司各种金属电镀液和化学镀液、金属蚀刻液、封装硅胶、环氧树脂等等一系列产品，广泛用于微电子电路、半导体领域。 陕西思的公司一如既往地秉承诚信服务的企业文化，为广大用户提供先进的仪器、设备，周到的技术、服务和完美的整体解决方案。我们愿意化为一座桥梁，使中国科技水平更快地提升，与中国科技共同飞速成长。通过提供各种仪器、设备、服务与合作，让我们携手实现我们共同的目标。共创美好未来是我们不变的追求。 详情请登录公司官方网站：www.cssid.com.cn 或通过以下方式联系我们：029-88246406，sx_cssid@163.com
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  • 虹科ALE紫外光刻光源/曝光光源 400-860-5168转4784
    虹科ALE紫外光刻光源/曝光光源ALE/1C UV-LED 曝光系统提供与 1 kW 和 2 kW 汞弧灯的照明功率相匹配的最高输出水平一、主要特色：虹科 ALE/1C 是一种用于多用途工业应用的高强度非相干点光源。 它基于 UV-LED 技术，与传统的高压汞放电灯相比具有多种优势，例如降低功耗和发热、延长使用寿命以及减少整体设置维护。ALE/1C – UV-LED 曝光系统建立在平台概念之上，在其光路中最多可组合三个 UV-LED 发射器。 这些光源通常用于光刻工艺（半导体制造）和工业光固化应用。内置实现最高效率和性能闭环控制输出LED工艺稳定性和TOC优势无汞设计，未来可持续高达50W的宽带曝光（UV-LED 350-450nm） 二、实现最佳OEM集成的分段设计配置：ALE/1C 光源遵循分布式设计方法，通常由一个控制子系统 (CSS) 和一个或多个独立的曝光子系统 (ESS) 组成，非常紧凑，但功能极其强大：我们的 UV-LED 曝光头的这种设计原理实现轻松直接集成到您的设备中。 此曝光子系统发出的光可以与各种可用的光管、光导和其它（定制的）光学器件结合使用。2.1 控制子系统（CSS）有两个版本的 CSS 可用：独立单元和 4U 19″ 机架安装单元。 两个 ALE/1C CSS 版本都具有相同的控制接口、冷却系统连接器和系统状态指示灯。 此外，机架安装版本在前面提供了一个曝光测试钥匙开关，无需外部控制信号即可激活光输出。2.2 曝光子系统（ESS）ALE/1C 光引擎是光管耦合点光源。 该系统具有紧凑的曝光子系统 (ESS)，可以轻松集成到您现有的设备（改装）或新设计中。 这个 UV-LED 光引擎连接到一个单独的控制子系统 (CSS)，提供控制和驱动固态发射器以及所有必需的光学组件所需的所有硬件和软件。三、出光选择与光学元件：我们提供一系列可与 ALE/1C ESS 结合使用的柔性液态光导、光管、匀化器和聚光光学器件。 如果您需要远距离传输高功率辐射、提高均匀性或想要调整输出辐射的准直角，这些组件特别有用。 四、标准光刻配置：365 nm, 405 nm, 435nm我们的标准 ALE/1C 设置将 UV-LED 发射器与汞光谱的 i、h 和 g 线 (365 / 405 / 435 nm) 附近的峰值波长相结合。 无论您是想在不更换滤光片的情况下切换波长、自定义输出光谱的组成，还是想利用非常强烈的宽带曝光，我们的 ALE/1C 都能为您提供 350 至 450 光谱范围内的最高 UV-LED 辐射输出我们的 ALE/1C 的总输出功率高达 40 W 或在冷却回路中添加外部冷却器时高达 50 W。ALE/1C 系统的光谱组成有多种选择。 最多可组合 3 个 LED 模块：近紫外（365、385、405、435 nm）、可见光（470、520、620、660、690 nm）NIR-LED （730、770、810、850、970 nm）五、系统参数与规格：
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    厂商： 广州虹科电子科技有限公司
    品牌： 虹科/HongKe
    型号： 光刻UV-LED曝光系统
    价格： 面议
  • 光刻机/紫外曝光机 400-860-5168转3281
    仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；
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    厂商： 科睿设备有限公司
    品牌： Midas
    型号： MDA-400M
    价格： 面议
  • IDONUS,紫外LED光刻曝光系统 400-860-5168转4567
    Idonus基于高功率LED和高档微透镜阵列的基础上提出了一个 GE MING性的紫外光照系统。这个产品应用于光刻胶曝光工艺，适用多种基材。光照质量保证了高的同质性的临界尺寸和整个面上的侧壁角。实际上，由于使用了一种完全远心的光学，我们的设计提供了完美的稳定光照条件，即整个表面的高同质性的强度和低的发散角。 可以根据用户需求进行产品开发定制，可以极大缩短您的想法变成产品的时间。 LED BENEFITS优点目前随着LED技术的发展，紫外LED表现出了比汞光源更大的优势。● 长寿命LED，测试不需要耗材● 不需要每天校准，即刻稳定光照● 有限的发热，这降低了空气冷却费用● 低功率消耗● 光源仅仅在曝光时开启（不需要快门）● 用户可以根据需求进行照射系统定制。也可以按照用户旧机器的尺寸设计照射系统，以替代旧的机器上的汞灯照射系统。TYPICAL PERFORMANCES 典型参数分辨率 ：0.5 μm光学功率 ：20 to 200 mW/cm2曝光区域 ：50x50 to 300x300 mm2光学辐照不均匀性 ： ±2%ZUI大发散角(FWHM) ：±1.5°to 3°波长 ：365 / 385 / 405 nm光谱半宽幅 ：12 nm设备尺寸 ： 65x30x30 cm3总功率 ：20 to 1200 WEXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS 系统规格举例可能的曝光系统的不同配置如下表所示，系统可以根据您的需要设计。System Type 系统型号ABCResolution [um] 分辨率211Optical power [mW/cm2] 光学功率42152165Exposition area [mm2] 曝光面积80x80100x100300x300Optical irradiance inhomogeneity [%] 光照幅度不均匀性±2±2±2Max divergence angle [°] (Full Width Half Maximum)最大发散角（半宽幅）±2.5°±1.5°±1.5°Wavelength [nm] 波长405365385Spectrum half width [nm] 光谱半宽幅121212System size [cm] 系统尺寸65x30x3065x30x301100x60x60Power consumption [W] 功耗201801200
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    厂商： 皕赫科学仪器（上海）有限公司
    品牌： IDONUS
    型号： UV-EXP150R
    价格： 10万 - 30万元
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  • 长春光机所承担的国家科技重大专项项目“极紫外光刻关键技术研究”通过验收
    p　　6月21日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项(02专项)实施管理办公室组织专家在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所召开了“极紫外光刻关键技术研究”项目验收会。评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步。/pp　　极紫外(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术，是传统光刻技术向更短波长的合理延伸。作为下一代光刻技术，被行业赋予拯救摩尔定律的使命。极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平，作为前瞻性EUV光刻关键技术研究，项目指标要求高，技术难度大、瓶颈多，创新性高，同时国外技术封锁严重。/pp　　长春光机所自上世纪九十年代起专注于EUV/X射线成像技术研究，着重开展了EUV光源、超光滑抛光技术、EUV多层膜及相关EUV成像技术研究，形成了极紫外光学的应用技术基础。2002年，研制国内第一套EUV光刻原理装置，实现了EUV光刻的原理性贯通。2008年国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。长春光机所作为牵头单位承担起了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作，成员包括中科院光电技术研究所、中科院上海光学精密机械研究所、中科院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学。/pp　　项目研究团队历经八年的潜心钻研，突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术，成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台，圆满完成国家重大专项部署的研究内容与任务目标，实现EUV 光学成像技术跨越，显著提升了我国极紫外光刻核心光学技术水平。同时，项目的实施形成了一支稳定的研究团队，为我国能够在下一代光刻技术领域实现可持续发展奠定坚实的技术与人才基础。/pp　　验收会上，长春光机所所长贾平诚挚地感谢了与会专家及各合作单位对项目的大力支持。贾平指出从时机及技术难度方面考虑，EUV项目的布局正处于窗口期，希望国家给予持续稳定的支持。鼓励项目参研单位进一步发挥EUV学科优势，鼓足勇气并肩奋斗，在后续支持下取得更好的成果。/pp　　02专项总体组技术总师、中科院微电子所所长叶甜春做总结发言。叶甜春强调，在国际上EUV光刻大生产基地已经建立的形势下，我国EUV光刻研究要继续坚持下去，面向未来产业工程化需求，着力点要放在必须掌握的核心技术和有可能取得创新的突破点。此外，叶甜春评价光刻机队伍是承担最核心、最高端、最艰巨任务的队伍，也是专项团队中最有战斗力、最能抗压、最值得信任的主力部队。鼓励项目团队肩负重大任务的责任与使命感，继续坚持勇攀高峰。/pp　　02专项光刻机工程指挥部总指挥、前科技部副部长曹健林到会并致辞。作为国内最熟悉EUV光刻的领域专家，曹健林对我国EUV光刻技术能力的提升感到欣喜，他认为中国已初步具备光刻技术的研发能力，并向着产业化目标前进，30年前的“中国光刻梦”正在逐步变为现实，通过我国光刻技术研发能力的建设初步树立了坚持“中国光刻梦”的信心。/p
    时间： 2017-07-06
    作者： Yanan
  • 王麒：支持数千瓦极紫外自由电子激光光源及光刻验证装置布局成都科学城并纳入“十四五”规划
    据红星新闻报道，全国人大代表、四川省工商联副主席，四川启阳汽车集团有限公司董事长王麒提交了《关于支持成都科学城加快布局建设天府（国家）实验室的建议》，建言聚焦空天科技、生命科学、先进核能、电子信息等关键领域推动国家实验室集中布局成都科学城，突破一批‘卡脖子’技术问题。王麒 （图源 红星新闻）其中，王麒建议国家发改委、科技部优先在成都科学城布局建设大科学装置、国家级大科学工程。“支持数千瓦极紫外自由电子激光光源及光刻验证装置、电磁驱动聚变大科学装置、超高速低真空磁浮交通及动模研究平台、超高通量多功能堆研究设施、跨尺度矢量光场时空调控验证装置布局成都科学城并纳入国家‘十四五’重大科技基础设施建设规划，打造更多抢占制高点的川版‘国之重器’，建设国际一流重大科技基础设施集群。”据了解，成都科学城科技创新项目重点项目“数千瓦极紫外自由电子激光光源及光刻验证装置”由中国工程物理研究院第十研究所承担，总投资约41亿元，拟通过“数千瓦极紫外自由电子激光光源及光刻验证装置”，建立大功率极紫外光源，通过光刻光源预处理系统及光刻验证系统，验证自由电子激光用于光刻的各种关键物理及工程问题，完成10nm节点光刻演示验证，建立首台千瓦极紫外光刻工程测试样机，为我国掌握大规模极紫外光刻（EUV）生产能力、突破芯片制造“卡脖子”问题提供条件。项目拟于2021年启动建设，2026年底完成验收。目前，极紫外光源是制约我国EUV光刻机的关键部分。而国内各种EUV光源的研究也在逐步进行中。而目前我国EUV光源受制于功率限制，无法应用于工业量产，而工业生产至少需要达到250W功率，ASML实验室已经达到了1kW的EUV光源功率。
    时间： 2021-03-08
    作者： KPC
  • 我国成功研制出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备
    p style="text-align: center "strong我国成功研制出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备/strong/pp style="text-align: center "strong可加工22纳米芯片/strong/pp style="text-align: center "strongimg width="500" height="332" title="超分辨光刻装备核心部件纳米定位干涉仪以及精密间隙测量系统.jpg" style="width: 500px height: 332px " alt="超分辨光刻装备核心部件纳米定位干涉仪以及精密间隙测量系统.jpg" src="https://img1.17img.cn/17img/images/201811/uepic/630030e2-5fa9-438d-b88b-dcedfe27b36a.jpg" border="0" vspace="0"//strong/pp style="text-align: center "strong▲超分辨光刻装备核心部件纳米定位干涉仪以及精密间隙测量系统。/strong/pp　　军报记者成都11月29日电(吕珍慧、记者邹维荣)国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收，这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，span style="color: rgb(255, 0, 0) "光刻分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10纳米级别的芯片。/span/pp style="text-align: center "img width="500" height="331" title="超分辨光刻设备核心部件超分辨光刻镜头.jpg" style="width: 500px height: 331px " alt="超分辨光刻设备核心部件超分辨光刻镜头.jpg" src="https://img1.17img.cn/17img/images/201811/uepic/1db46f1b-ecd9-405c-b92b-55165c103455.jpg" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "strong▲超分辨光刻设备核心部件超分辨光刻镜头。/strong/pp　　中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示，该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过了国外相关知识产权壁垒。/pp style="text-align: center "img width="500" height="331" title="超分辨光刻设备加工的4英寸光刻样品.jpg" style="width: 500px height: 331px " alt="超分辨光刻设备加工的4英寸光刻样品.jpg" src="https://img1.17img.cn/17img/images/201811/uepic/a67133f0-7251-46a3-ba62-6cc159084915.jpg" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "strong▲超分辨光刻设备加工的4英寸光刻样品。/strong/pp style="text-align: center "img width="500" height="332" title="采用超分辨光刻设备加工的超导纳米线单光子探测器.jpg" style="width: 500px height: 332px " alt="采用超分辨光刻设备加工的超导纳米线单光子探测器.jpg" src="https://img1.17img.cn/17img/images/201811/uepic/bfbf977d-f735-4c4a-ada2-968e62a904ea.jpg" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "strong▲采用超分辨光刻设备加工的超导纳米线单光子探测器。/strong/pp　　光刻机是制造芯片的核心装备，我国在这一领域长期落后。它采用类似照片冲印的技术，把一张巨大的电路设计图缩印到小小的芯片上，光刻精度越高，芯片体积可以越小，性能也可以越高。但由于光波的衍射效应，光刻精度终将面临极限。/pp style="text-align: center "img width="500" height="332" title="中科院光电所科研人员展示利用超分辨光刻设备加工的超导纳米线单光子探测器.jpg" style="width: 500px height: 332px " alt="中科院光电所科研人员展示利用超分辨光刻设备加工的超导纳米线单光子探测器.jpg" src="https://img1.17img.cn/17img/images/201811/uepic/2b4c7150-dcc7-4844-9278-610ae7a5c3a4.jpg" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "strong▲中科院光电所科研人员展示利用超分辨光刻设备加工的超导纳米线单光子探测器。/strong/pp　　为突破极限、取得更高的精度，国际上目前采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机，但也遇到装备成本高、效率低等阻碍。/pp　　项目副总师胡松介绍，中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成了一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。/pp style="text-align: center "img width="500" height="331" title="项目副总设计师胡松研究员介绍超分辨光刻装备研制项目攻关情况.jpg" style="width: 500px height: 331px " alt="项目副总设计师胡松研究员介绍超分辨光刻装备研制项目攻关情况.jpg" src="https://img1.17img.cn/17img/images/201811/uepic/8f9b7048-0983-4614-ad32-83bac74326ce.jpg" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "strong▲项目副总设计师胡松研究员介绍超分辨光刻装备研制项目攻关情况。/strong/pp style="text-align: center "strongimg width="500" height="331" title="中科院光电所科研人员操作超分辨光刻设备.jpg" style="width: 500px height: 331px " alt="中科院光电所科研人员操作超分辨光刻设备.jpg" src="https://img1.17img.cn/17img/images/201811/uepic/ae8c0ca4-deed-4fe3-8449-59092f2b080b.jpg" border="0" vspace="0"//strong/pp style="text-align: center "strong▲中科院光电所科研人员操作超分辨光刻设备。/strong/pp　　据了解，该光刻机制造的相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科技大学太赫兹科学技术研究中心、四川大学华西医院、中科院微系统所信息功能材料国家重点实验室等多家科研院所和高校的重大研究任务中取得应用。/pp style="text-align: center "img width="500" height="330" title="中科院光电所科研人员操作超分辨光刻设备2.jpg" style="width: 500px height: 330px " alt="中科院光电所科研人员操作超分辨光刻设备2.jpg" src="https://img1.17img.cn/17img/images/201811/uepic/0064094a-2a60-4744-9875-2b41b0f467e2.jpg" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "strong▲中科院光电所科研人员操作超分辨光刻设备。/strong/pp /p
    时间： 2018-11-30
    作者： 段寒冰
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  • 【原创大赛】横向赛曼石墨炉原子吸收光谱法在紫外正型光刻胶中的应用

    横向赛曼石墨炉原子吸收光谱法在紫外正型光刻胶中的应用摘 要：随着电子技术的飞速发展，对紫外正型光刻胶的质量提出了极高的要求。因为紫外正型光刻胶中钙、铬、铜、铁、钾、镁、钠、镍、铅、锌的存在将严重影响器件的成品率、可靠性和电化学性。因此建立准确、快速的分析方法有一定的意义。对于光刻胶中金属的检测方法，有电感耦合等离子体-质谱法（ICP-MS）、电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES），但是这两种方法光刻胶都需要经过湿法消解或者干法灰化后才可以进样。湿法消解或者干法灰化容易引起易挥发元素的损失，同时存在容器污染，酸基体或者其他试剂的污染，本底较高等问题。本文提出了用石墨炉原子吸收法（GFAA）直接测定紫外正型光刻胶中十种金属元素的方法，本方法不经任何化学处理和富集，减少了中间过程，避免了样品被污染。详细描述了仪器最佳条件选择、控制空白，建立标准曲线、加标回收、测定检出限的方法。钙、铬、铜、铁、钾、镁、钠、镍、铅、锌的检出限分别为0.07ng/ml、0.03ng/ml、0.15ng/ml、0.15ng/ml、0.01ng/ml、0.03ng/ml、0.05ng/ml、0.36ng/ml、0.14ng/ml、0.02ng/ml。石墨炉原子吸收法（GFAA）需要选择合适的溶剂稀释光刻胶，考虑到试剂对光刻胶的溶解性，试剂本身空白值的大小等因素，我们最终选择丙二醇甲醚醋酸脂（PGMEA）做稀释剂，稀释样品后直接进样。关键字：紫外正型光刻胶、金属、石墨炉原子吸收绪 论：光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工，同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，将光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。因此光刻胶是微细加工技术中的关键性化工材料。随着集成电路（IC）存储容量的逐渐增大，存储器电池的蓄电量需要尽能的增大，因此氧化膜变得更薄，而紫外正型光刻胶中的碱金属杂质(Na、[/size

  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上；(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求：a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件，再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头，在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵，国内一般科研单位需通过外协解决，延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求，近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模，用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后，用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上，此透明薄膜可作为光刻用的掩模，基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来，使用湿法刻蚀微细加工的报道较多，适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用，使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层，即可在基片上得到所需构型的微通道；(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔，作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后，在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时，只有含氢氟酸的蚀刻剂可用，如HF/HNO3，HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上，因此，通道刻的越深，通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺，刻蚀气体分子在高频电场作用下，产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼，利用它和被刻蚀材料之间的化学反应，达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶)，低温烘干后，放置好掩模，用紫外光照射后显影，在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来，也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

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