激光无掩膜光刻机

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    南通宏腾微电子技术有限公司(NTHT Semiconductor Technologies Limited)是一家专业的微纳材料、半导体和微电子材料及器件研发仪器及设备的供应商。南通宏腾微电子技术有限公司所销售的仪器设备广泛用于高校、研究所、以及半导体和微电子领域的高科技企业。南通宏腾微电子目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪; - 快速退火炉; - 回流焊炉,共晶炉,钎焊炉,真空烧结炉; - 电子束蒸发镀膜机,热蒸发镀膜机 - 探针台,低温探针台,微探针台; - 金刚石划片机; - 球焊机,锲焊机; - 磁控溅射镀膜机; - 原子层沉积系统,等离子增强原子层沉积设备; - 电化学C-V剖面浓度分析仪(ECV Profiler); - 扫描开尔文探针系统; - 光学膜厚仪;-PECVD\CVD;-脉冲激光沉积系统-PLD-纳米压印;-等离子清洗机、去胶机;-反应离子刻蚀RIE - 光刻机、无掩膜光刻机; - 匀胶机; - 热板,烤胶板; -少子寿命、太阳能模拟器;-NMR-瞬态能谱仪-外延沉积-等离子清洗机光刻胶光刻机(针尖/电子束光刻机EBL,紫外光刻机,激光直写光刻机),镀膜机(磁控溅射机,电子束蒸发机,化学沉积机,微波等离子沉积机,原子层沉积机 等等…
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  • 深圳市火焱激光科技有限公司是一家专业致力于精密激光加工设备的研发、生产与销售的高科技企业。公司除向广大客户提供优质高效且性价比高的精密激光加工设备外,还可以根据客户的实际需求,提供高精度激光加工应用的定制化解决方案。 火焱激光一直致力于精密激光加工系统的研发与应用。在研发上,累计投放已超过5000万元,通过不断努力的耕耘,公司自主研发的SMT激光模板切割机、FPC/PCB等系列UV紫外激光切割机、精密金属零件激光切割机、精密陶瓷激光切割机、触摸屏银浆激光划线机等,以其精度高、速度快、性能稳定、切割品质精良的特点,已经占有国内大量市场,赢得了客户的充分肯定 公司仍在研发方面持续投入,新的系列产品将不断推向市场。 火焱激光始终坚持人才战略,通过不断引进和长期的培养,公司在光学技术、机械结构、电气工程、软件开发、激光加工工艺等领域拥有大量高级专业技术人才,占到公司总人数的50%%以上。正是基于强大的技术研发能力,公司一直走在行业前沿且高速发展。 公司一贯秉承勇于创新、卓于技术、精于质量、诚于服务的企业宗旨,努力拼搏,不断奋进,愿与广大客户携手,共创辉煌。
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  • 北方光科激光技术(北京)有限公司成立于2009年,是一家集专业研发、生产、销售激光设备于一体的智能激光技术企业。公司生产的自主品牌“昂泰科”激光设备,涵盖激光熔覆、激光焊接、激光切割、激光打孔、激光打标和激光清洗等激光加工领域。公司设备受到国内外客户一致好评,远销俄罗斯、印度、奥地利等国家。 北方光科专注为客户提供工程机械、煤矿、化工、石油、能源科技等各行业的工艺配套解决方案。高速激光熔覆技术主要用于提高零件表面的耐磨、耐腐蚀、耐高温、及抗氧化等性能,从而达到表面改性或修复的目标,满足了对材料表面特定性能的要求。可实现对平板类、圆柱类及异形类工件的激光修复,为企业降低成本、节约材料、优化加工系统。公司激光设备产品系列从20w至8000w均可为广大企业专机定制,解决企业由复杂的工序转换成自动化生产加工提高工作效率。公司拥有一支优秀的管理团队,从企业创新到发展,核心团队始终保持凝聚力,积极进取。作为国内最早从事矿山行业智能化,信息化的一个群体,积累了丰富的技术及管理经验。
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激光无掩膜光刻机相关的仪器

  • DALI是由Aresis、CENN Nano center 和 LPKF 联合研发的高精度无掩膜纳米光刻机,是一款性能稳定,操作简单,对环境要求低,界面友好,零维护的桌面型高精度激光直写设备。其采用的是AOD声光调制器来控制激光进行高精度光刻,可以实现优于80nm平滑的边缘结构,100-150nm最小结构间距,最高400nm套刻精度,是实验室级微纳加工与器件制作不二选择。DALI凭借优异的性能,目前已广泛应用到微电子、微器件、纳米光学、材料科学、自旋电子学等研究领域。先进的AOD技术,定位分辨率优于0.1nmA. 可以获得任意平滑、锐利的结构边缘B. 可高分辨调整特征结构间的距离C. 可以实现亚微米级精细结构的构建主要特点:# 最小特征结构小于1μm# 针对I-line光刻胶进行优化(SU-8,AZ,……)# 超快与超高精度定位,光斑定位分辨率<1nm# 可构建高深宽比结构(可达10:1)# 12nm-1μm光斑间距调节以获得超高平滑度# 100-150nm最小结构间距# 最高400nm套刻精度# 适用于从CAD设计到各种结构的快捷构建# 具备非平表面直写能力产品优势1. 超稳定,长寿命375nm激光器相对于其它各种光源,在精密光学仪器应用中,激光光源在光束质量,稳定性,耐用性等方面具有无与伦比的优越性。DaLI无掩膜纳米光刻机采用最优的激光光源,以保证超一流的性能和用户体验。2. 广泛的适应性DaLI无掩膜纳米光刻机广泛适用于各种I-line光刻胶,AZ系列正胶,SU-8系列负胶等,在各种厚胶与薄胶应用中有着出色的表现。3. 非平表面直写功能4. 整机恒温系统,保证最佳的性能DaLI无掩膜纳米光刻机采用了超越光刻技术极限的亚纳米级AOD激光操控技术,光斑定位精度可达0.1nm。为充分发挥AOD技术的优势,我们建立了整机恒温系统,控温精度可达±0.1℃,将设备所有部件和温差形变和热漂移降到最低,从而实现真正的高精度光刻。5. 准确的图形结构6. 工作范围与曝光拼接大光斑直写工具单个工作区域 为 900μm X 900μm;小光斑直写工具单个工作区域为 300μm X 300μm工作区域100mm X 100mm 工作区域间的平滑过渡机制(软拼接与硬拼接);DaLI的软拼接可以将曝光扫描线延伸到临近区域,并梯度降低激光强度(红线)。在临近区域,激光强度梯度增加(蓝线),从而获得干净均一的拼接图案7. 用户友好的操作软件DaLI控制软件通过USB接口与设备快速通讯,可以对设计图中的区块和每一个微结构的曝光参数进行设置,对图形设计的预览和快速栅格化,对样品的观察、准直、调平等。该软件具备图形设计和展示功能,可选用多种绘图工具,支持对 dxf, gerber, bm 等格式文件的导入与修改。8. 更好的深宽比
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  • μMLA桌面式无掩膜激光直写机 / 光刻机The Table-Top Maskless Aligner适合科研领域的实验室与学术研究所μMLA是新一代桌面式激光直写仪的技术,在科研微结构的应用领域中是一台入门级的工具。μMLA具有灵活性和可定制性,可支持毫米大小范围的样品。主要产业应用有:半导体芯片、微机电、微流体、微光学、传感器、掩膜版以及其它有微纳米结构需求的科研领域。关于我们Stella InternationalStella International携手光刻技术领航者-海德堡仪器公司,共同为客户带来综合应用效能,同时建立紧密的合作伙伴关系。为了服务客户更广泛多元的应用领域,Stella International于2016年在苏州成立海德堡仪器演示中心,以海德堡原厂伙伴技术支援,提供客户技术交流平台以及各式前段打样的基础研究,这些年来已服务许多的国内知名大学,研究院所与企业前期研发单位。总代理 品牌介绍德国海德堡 高精密无掩膜激光直写设备 / 光刻机HEIDELBERG MASKLESS AND LASER LITHOGRAPHY SYSTEM德国海德堡设备(Heidelberg Instruments),创始于1984年,在激光直写设备的发展和设计上持续地改良、在各种应用上客制化。应用范围包括:微电脑和纳米科技, MEMS, 平面屏幕, BGA, ASICS, TFT, Plasma Displays, Micro Optics, 和其他相关领域。销售横跨欧洲、美国、亚洲等超过700个以上销售据点,用于研发、快速原型制作和工业生产系统,是企业研究和发展的伙伴。
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  • 小型台式无掩膜光刻机- MA1200小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3是英国公司专为实验室设计开发,为微流控、SAW、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供,但是在研发环境中,掩膜板的设计通常需要经常改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法,克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同,激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关,在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。MA1200 是一款多功能激光直写光刻系统,具有结构小巧紧凑(70cm x 70cm x 70cm),无掩膜直写系统的灵活性,还拥有高直写速度,高分辨率的特点。采用集成化设计,全自动控制,可靠性高,操作简便。适用于各种实验室桌面。 产品特点 Focus Lock自动对焦功能Focus Lock技术是利用自动对焦功能对样品表面高度进行探测,并通过Z向调整和补偿,以保证曝光分辨率。光学轮廓仪MicroWriter ML3 配备光学轮廓探测工具,用于匀胶后沉积层,蚀刻层,MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向高精度100 nm,方便快捷。标记物自动识别点击“Bulls-Eye”按钮,系统自动在显微镜图像中识别光刻标记。标记物被识别后,将自动将其移动到显微镜中心位置。直写前预检查软件可以实时显微观测基体表面,并显示预直写图形位置。通过实时调整位置、角度,直到设计图形按要求与已有结构重合,保证直写准确。简单的直写软件MicroWriter 由一个简单直观的Windows界面软件控制。工具栏会引导使用者进行简单的布局设计、基片对准和曝光的基本操作。该软件在Windows10系统下运行。Clewin 掩膜图形设计软件● 可以读取多种图形设计文件(DXF, CIF, GDSII, 等)● 可以直接读取TIFF, BMP 等图片格式● 书写范围只由基片尺寸决定
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激光无掩膜光刻机相关的资讯

  • 新型激光直写无掩模光刻机在孚光精仪发布问世
    孚光精仪在上海,天津同时发布一款新型激光直写式雾无掩模光刻系统。这款无掩模光刻机是一款高精度的激光直写光刻机。这套无掩模光刻机具有无掩模技术的便利,大大提高影印和新产品研发的效率,节省时间,是全球领先的无掩模光刻系统。这款激光直写无掩模光刻机直接用375nm或405nm紫外激光把图形写到光胶衬底上。 激光直写无掩模光刻系统特色尺寸:925x925x1600mm内置计算机控制接口激光光源:375nm或405nm视频辅助定位系统自动聚焦设置 详情浏览:http://www.f-opt.cn/guangkeji.html 激光直写无掩模光刻机参数线性写取速度:500mm/s位移台分辨率:100nm重复精度: 100nm晶圆写取面积:1—6英寸衬底厚度:250微米-10毫米激光点大小:1-100微米准直精度:500nm Email: info@felles.cn 或 felleschina@outlook.com Web: www.felles.cn (激光光学精密仪器官网) www.felles.cc (综合性尖端测试仪器官网) www.f-lab.cn (综合性实验室仪器官网) Tel: 021-51300728, 4006-118-227
  • 激光外差干涉技术在光刻机中的应用
    激光外差干涉技术在光刻机中的应用 张志平*,杨晓峰 复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心,上海 201203摘要 超精密位移测量系统是光刻机不可或缺的关键分系统之一,而基于激光外差干涉技术的超精密位移测量系统同时具备亚纳米级分辨率、纳米级精度、米级量程和数米每秒的测量速度等优点,是目前唯一能满足光刻机要求的位移测量系统。目前应用于光刻机的超精密位移测量系统主要有双频激光干涉仪和平面光栅测量系统两种,二者均以激光外差干涉技术为基础。本文将分别对这两种测量系统的原理、优缺点以及在光刻机中的典型应用进行阐述。关键词 光刻机;外差干涉;双频激光干涉仪;平面光栅1 引言集成电路产业是国家经济发展的战略性、基础性产业之一,而光刻机则被誉为集成电路产业皇冠上的明珠[1]。作为光刻机三大指标之一的套刻精度,是指芯片当中上下相邻两层电路图形的位置偏差。套刻精度必须小于特征图形的1/3,比如14 nm节点光刻机的套刻精度要求小于5.7 nm。影响套刻精度的重要因素是工件台的定位精度,而工件台定位精度确定的前提则是超精密位移测量反馈,因此超精密位移测量系统是光刻机不可或缺的关键分系统之一[2-4]。随着集成电路特征尺寸的不断减小,对位置测量精度的需求也不断提高;同时,为了满足光刻机产率不断提升的需要,掩模台扫描速度也在不断提高,甚至达到 3 m/s 以上;此外,为了满足大尺寸平板显示领域的需求,光刻机工件台的尺寸和行程越 来越大,最大已达到 1. 8 m×1. 5 m;最后,为了获得工件台和掩模台良好的同步性能,光刻机还要求位置测量系统具备多轴同步测量的功能,采样同步不确定性优于纳秒级别[5-8]。 综上,光刻机要求位置测量系统同时具备亚纳米级分辨率、纳米级精度、米级量程、数米每秒测量速度、闭环反馈以及多轴同步等特性。目前,在精密测量领域能同时满足上述测量要求的,只有外差干涉测量技术。 本文分别介绍外差干涉测量技术原理及其两 种具体结构——双频激光干涉仪和平面光栅测量系统,以及外差干涉技术在光刻机中的典型应用。 2 外差干涉原理 2. 1 拍频现象 外差干涉又称为双频干涉或者交流干涉,是利用“拍频”现象,在单频干涉的基础上发展而来的一 种干涉测量技术。 假设两列波的方程为 x1 = A cos ω1 t , (1) x2 = A cos ω2 t 。 (2) 叠加后可表示为(3)拍频定义为单位时间内合振动振幅强弱变化 的次数,即 v =| (ω2 - ω1)/2π |=| v 2 - v 1 | 。 (4) 波 x1、x2 以及合成后的波 x 如图 1 所示,其中包 络线的频率即为拍频,也称为外差频率。如果其中一个正弦波的相位发生变化,拍频信号的相位会发生完全相同的变化,即外差拍频信号将完整保留原始信号的相位信息。 图 1. 拍频示意图Fig. 1. Beat frequency diagram对于激光而言,因为频率很高(通常为 1014 Hz 量级),目前的光电探测器无法响应,但可以探测到两束频率相近的激光产生的拍频(几兆到几十兆赫兹)。因此拍频被应用到激光领域,发展成激光外差干涉技术。2. 2 外差干涉技术 由拍频原理可知 ,所谓外差就是将要接收的信号调制在一个已知频率信号上,在接收端再将该调制信号进行解调。由于高频率的激光信号相位变化难以精确测量,但利用外差干涉技术可以用低频拍频信号把高频信号的 相位变化解调出来,将大大降低后续精确鉴相的难度。因此,外差技术最显著的特点就是信号以交流的方式进行传输和处理。 与单频干涉技术相比,外差干涉技术的突出优点是:1)由于被测对象的相位信息是加载在稳定的差频(通常几兆到几十兆赫兹)上,因此光电探测时避过了低频噪声区,提高了光电信号的信噪比。例如在外界干扰下,测量光束光强衰减 50% 时,单频干涉仪很难正常工作,而外差干涉仪在光强衰减 90% 时仍能正常工作 ,因此更适用于工业现场 。 2)外差干涉可以根据差频信号的增减直接判别运动方向,而单频干涉技术则需要复杂的鉴相系统来 判别运动方向。单频干涉技术与外差干涉技术对比如表 1 所示。表 1. 单频干涉技术与外差干涉技术对比Table 1. Comparison between homodyne interferometry and heterodyne interferometry3双频激光干涉仪 3. 1 双频激光干涉仪原理 双频激光干涉仪是在单频激光干涉仪的基础上结合外差干涉技术发展起来的,其原理如图 2 所 示。双频激光器发出两列偏振态正交的具有不同频率的线偏振光,经过偏振分光器后光束被分离。 图 2. 双频激光干涉仪原理图Fig. 2. Schematic diagram of dual frequency laser interferometer设两束激光的波动方程为 E1 = E R1 cos ( 2πf1 t ) E2 = E R2 cos ( 2πf2 t ) , (5) 式中:ER1和 ER2为振幅;f1和 f2为频率。 偏振态平行于纸面的频率为 f1 的光束透过干涉仪后,被目标镜反射回干涉仪。当被测目标镜移动时,产生多普勒效应,返回光束的频率变为 f1 ± Δf, Δf 为多普勒偏移量,它包含被测目标镜的位移信息。经过干涉镜后,与频率为 f2 的参考光束会合,会合后光束发生拍频,其光强 IM函数为 (6) 式(6)包含一个直流量和一个交流量,经光电探测器转换为电信号,再进行放大整形后,去除直流量,将交 流量转换为一组频率为 f1 ± Δf- f2的脉冲信号。从双频激光器中输出频率为 f1 - f2 的脉冲信 号,作为后续电路处理的基准信号。测试板卡采用减法器通过对两列信号的相减,得到由于被测目标 镜的位移引起的多普勒频移 Δf。被测目标镜的位移 L 与 Δf的关系可表示为 (7) 式中:λ 为激光的波长;N 为干涉的条纹数。因此, 只要测得条纹数,就可以计算出被测物体的位移。 3. 2 系统误差分析 双频激光干涉仪的系统误差大致由三部分组成:仪器误差、几何误差以及环境误差,如表 2 所示。 三种误差中,仪器误差可控制在 2 nm 以内;几何误 差可以通过测校进行动态补偿,残差可控制在几纳米以内;环境误差的影响最大,通常可达几十纳米到几微米量级,与测量区域的环境参数(温度、压 力、湿度等)有关,与量程几乎成正比,因此大量程测量时,需要对环境参数进行控制。 表 2. 双频激光干涉仪系统误差分解Table 2. System error of dual frequency laser interferometer4 平面光栅测量系统 双频激光干涉仪在大量程测量时,精度容易受 温度、压力、湿度等环境因素影响,研究者们同样基于外差干涉原理研发了平面光栅测量系统,可克服双频激光干涉仪的这一缺点。 4. 1 基于外差干涉的光栅测量原理 众所周知 ,常规的光栅测量是基于叠栅条纹的,具有信号对比度差、精度不高的缺点。基于外差干涉的光栅测量原理如图 3 所示,双频激光器发出频率 f1 和 f2 的线偏振光,垂直入射到被测光栅表面,分别进行+1 级和−1 级衍射,衍射光经过角锥反射镜后再次入射至被测光栅表面进行二次衍射, 然后会合并沿垂直于光栅表面的方向返回。由于被测光栅与光栅干涉仪发生了相对运动,因此,返回的激光频率变成了 f1 ± Δf和 f2 ∓ Δf,其中 Δf为多 普勒频移量,它包含被测目标镜的位移信息。 图 3. 基于外差干涉的光栅测量原理Fig. 3. Principle of grating measurement based on heterodyne interference会合后的光束 f1 ± Δf 和 f2 ∓ Δf 发生拍频,其频率为 ( f1 ± Δf ) - ( f2 ∓ Δf ) = ( f1 - f2 ) ± 2Δf。(8) 式(8)的信号与双频激光器中输出频率为 f1 - f2 的 参考信号相减,得到多普勒频移 Δf。被测目标镜的位移 L 与 Δf的关系可表示为(9) 式中 :p 为光栅的栅距 ;N 为干涉的条纹数 。 因此,只要测得条纹数 ,就可以计算出被测物体的位移。 上述原理推导是基于一维光栅刻线的,只能测量一维运动。为了获得二维测量,只需将光栅的刻线由一维变成二维(即平面)即可。 4. 2 两种测量系统优缺点对比 由此可知,基于外差干涉的光栅测量原理与双频激光干涉仪几乎完全相同,主要的差别是被测对象由反射镜换成了衍射光栅。两种测量系统的优缺点如表 3 所示。表 3. 双频激光干涉仪与光栅测量系统对比Table 3. Dual frequency laser interferometer versus gratingmeasurement system5外差干涉测量在光刻机中的应用 发展至今,面向 28 nm 及以下技术节点的步进扫描投影式光刻机已成为集成电路制造的主流光刻机。作为光刻机的核心子系统之一的超精密工件台和掩模台,直接影响着光刻机的关键尺寸、套刻精度、产率等指标。而工件台和掩模台要求具有高速、高加速度、大行程、超精密、六自由度(x、y 大 行程平动,z 微小平动,θx、θy、θz微小转动)等运动特点,而实现这些运动特点的前提是超精密位移测量反馈。因此,基于外差干涉技术的超精密位移测量子系统已经成为光刻机不可或缺的组成部分。 4. 光刻机中的多轴双频激光干涉仪[10]Fig. 4. Multi-axis dual frequency laser interferometer in lithography machine[10]图 4 为典型的基于多轴双频激光干涉仪的光刻机工件台系统测量方案[10],在掩模台和硅片台的侧面布置多个多轴激光干涉仪,对应地在掩模台和硅 片台上安装长反射镜;通过多个激光干涉仪的读数解算出掩模台和硅片台的六自由度位移。 然而,随着测量精度、测量行程、测量速度等运动指标的不断提高,双频激光干涉仪由于测量精度易受环境影响、长反射镜增加运动台质量致使动态性能差等问题难以满足日益提升的测量需求。因 此,同样基于外差干涉技术的平面光栅测量系统成为了另一种选择[8]。 光刻机工件台平面光栅测量技术首先由世界光刻机制造巨头 ASML 公司取得突破。该公司于 2008 年 推 出 的 Twinscan NXT:1950i 浸 没 式 光 刻机,采用了平面光栅测量技术对 2 个工件台的六自 由度位置进行精密测量。如图 5 所示,该方案在主基板的下方布置 8 块大面积高精度平面光 栅(约 400 mm×400 mm),在两个工件台上分别布置 4 个 平面光栅读数头(光栅干涉仪),当工件台相对于平 面光栅运动时,平面光栅读数头即可测出工件台的 运动位移[2,5,9]。图 5. ASML 光刻机的平面光栅测量方案[2,5,9]Fig. 5. Plane grating measurement scheme of ASML lithography machine[2,5,9]相比多轴双频激光干涉仪测量方案,平面光栅测量方案具有以下优点:1)测量光路短(通常小于 20 mm),因此测量重复精度和稳定性对环境变化不 敏感;2)工件台上无需长反射镜,因此质量更轻、动态性能更好。 然而,平面光栅测量方案也有其缺点:1)大面积高精度光栅制造难度太大;2)由式(9)可知,位移 测量结果以栅距 p 为基准,然而受栅距均匀性限制, 测量绝对精度不高。为了获得较好的精度和线性度,往往需要利用双频激光干涉仪进行标定。 面临极端测量需求的挑战 ,Nikon 公 司 在 NSR620D 光刻机中采用了平面光栅和双频激光干涉仪混合测量的技术方案[9],如图 6 所示。该方案 将平面光栅安装在工件台上表面,而将光栅读数头安装在主基板下表面,同时增加了双频激光干涉仪,结合了平面光栅测量系统和双频激光干涉仪的 优点。在读头与读头切换时采用双频激光干涉仪进行在线校准。 图 6. Nikon光刻机混合测量方案[9]Fig. 6. Hybrid measurement scheme of Nikon lithography machine [9]6激光外差干涉系统的发展趋势 无论是双频激光干涉仪还是平面光栅测量系统,要想获得纳米级测量精度,既需要提高测量系统本身的精度,更需要从使用的角度努力,即“三分 靠做,七分靠用”。 就激光外差干涉测量系统本身而言,误差源主要来自于光学非线性误差。在外差干涉测量系统 中,由于光源及光路传输过程各光学器件性能不理想或装调有偏差,会带来两个频率的光混叠现象, 即原本作为测量信号频率 f1(或 f2)的光中混杂了频 率 f2(或 f1)的光,或原本作为参考信号频率 f2(或 f1) 的光中混杂了频率 f1(或 f2)的光。在信号处理中该混叠的频率信号会产生周期性的光学非线性误差。尽管目前主流的双频激光干涉仪厂家已经将非线性误差控制在 2 nm 以内[10- 12],但应用于 28 nm 以下光刻机时仍然需要进一步控制该误差。国内外众多学者从非线性误差来源、检测和补偿等角度出发,进行了大量研究并取得了丰硕成果[13- 17]。这些成果有望对非线性误差的动态补偿提供理论支持。 从应用角度,研究热点主要集中在应用拓展、 安装误差及其测校算法、环境参数控制及其补偿方法研究等方面。在应用拓展方面,激光外差干涉技术除了应用于测长之外,还在小角度测量、直线度、平面度、反馈测量等方面取得了应用[18- 20]。在安装误差和环境误差补偿算法方面,主要聚焦于多自由度解耦算法、大气扰动补偿等研究方向[4,21- 27]。 7 总结 阐述了光刻机对位移测量系统大量程、亚纳米 分辨率、纳米精度、高测速及多轴同步的苛刻要求。 概述了激光外差干涉技术原理,指出目前为止,激光外差干涉技术是唯一能满足光刻机上述要求的超精密位移测量技术。并综述了两种基于激光外差干涉技术的测量系统:双频激光干涉仪和平面光栅测量系统。总结了这两种位移测量系统在光刻机中的典型应用,以及激光外差干涉技术的当前研究热点和发展趋势。全文详见:激光外差干涉技术在光刻机中的应用.pdf
  • 大族激光:光刻机已实现小批量销售
    2022年4月18日,大族激光科技产业集团股份有限公司召开业绩说明会,参会人员为通过线上交流平台参与公司 2021 年度业绩网上说明会的投资者。说明会上,大族激光针对目前公司光刻机研发进度和分辨率问题进行回复并表示,公司光刻机项目分辨率 3-5μm,主要聚焦在分立器件、LED 等领域的应用,已实现小批量销售。针对大族激光在半导体领域目前的规划,光刻机新的进展,以及下一步在半导体领域是否和华为展开合作等问题,大族激光表示,得益于 Mini-Led 对行业设备需求的带动和公司市场占有率的持续提升,公司半导体及泛半导体行业晶圆加工设备快速增长,实现营业收入 6.69 亿元,同比增长 140.62%。其中,LED 行业晶圆加工设备实现营业收入 4.78 亿元,同比增长 115.46%,保持市场领导地位,Mini-Led 切割、裂片、剥离、修复等设备实现大批量销售,Micro-LED巨量转移设备正在验证过程中;半导体行业晶圆加工设备实现营业收入 1.91 亿元,同比增长 239.96%,半导体激光开槽、半导体激光解键合、化合物半导体激光切割等产品实现批量销售。公司封测设备业务主体大族封测保持良好发展趋势,营业收入同比增长约 128%。公司光刻机产品主要用于分立器件领域,最新产品接近式光刻机样机已经开发完成。目前,公司在半导体领域暂未和华为展开合作。

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  • 光刻机工作原理和组成

    光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段,将光束透射过画着线路图的掩模,经物镜补偿各种光学误差,将线路图成比例缩小后映射到硅片上,不同光刻机的成像比例不同,有5:1,也有4:1。然后使用化学方法显影,得到刻在硅片上的电路图(即芯片)。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片,线路图的层数越多,也需要更精密的曝光控制过程。现在最先进的芯片有30多层。http://www.whchip.com/upload/201608/1471850877761920.png 上图是一张光刻机的简易工作原理图。下面,简单介绍一下图中各设备的作用。测量台、曝光台:承载硅片的工作台,也就是本次所说的双工作台。光束矫正器:矫正光束入射方向,让激光束尽量平行。能量控制器:控制最终照射到硅片上的能量,曝光不足或过足都会严重影响成像质量。光束形状设置:设置光束为圆型、环型等不同形状,不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器:在不需要曝光的时候,阻止光束照射到硅片。能量探测器:检测光束最终入射能量是否符合曝光要求,并反馈给能量控制器进行调整。掩模版:一块在内部刻着线路设计图的玻璃板,贵的要数十万美元。掩膜台:承载掩模版运动的设备,运动控制精度是nm级的。物镜:物镜由20多块镜片组成,主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小,再被激光映射的硅片上,并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大,精度的要求高。硅片:用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸,尺寸越大,产率越高。题外话,由于硅片是圆的,所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系,根据缺口的形状不同分为两种,分别叫flat、notch。内部封闭框架、减振器:将工作台与外部环境隔离,保持水平,减少外界振动干扰,并维持稳定的温度、压力。

  • 微流控芯片光刻机优势及特色

    [b]微流控芯片光刻机[/b]专业为[b]微流控芯片制作[/b]而设计,用于[b]刻画制作微结构[/b]表面,全自动化和可编程操作,适合几乎所有常用材料。[b]微流控芯片光刻机[/b]采用多功能一体化设计理念,一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能,而且不需要无尘环境,用户安装使用不再需要单独建设超净间,从而大大提高用户的使用经济性和方便性。[b][url=http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html]微流控芯片光刻机[/url]特色[/b]可以根据用户的芯片衬底基片尺寸,形状和厚度进行调节。是一种无掩模光刻系统,具有两个易操作的软件,用户可以创建个人微结构图案,从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。具有技术突破性设计和灵活性优势,非常适合加工微纳结构用于MEMS,BioMEMS,微流控系统,传感器,光学元件,MicroPatterning微图案化,实验室单芯片,CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/photolithography-MS10.JPG[/img]无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构,从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管(波长405纳米- 50毫瓦),光学扫描器和F-θ透镜(405纳米)。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用,较好的再现性和较高的质量,焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用,修改或其他用户使用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/microcontact-printing.JPG[/img]微流控芯片光刻机:[url]http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html[/url]

激光无掩膜光刻机相关的耗材

  • 无掩膜光刻机配件
    无掩模光刻机配件具有无掩模技术的便利,大大提高影印和新产品研发的效率,节省时间,是全球领先的无掩模光刻系统。无掩模光刻机配件特色尺寸:925x925x1600mm直接用375nm或405nm紫外激光把图形写到光胶衬底上内置计算机控制接口激光光源:375nm或405nm视频辅助定位系统自动聚焦设置无掩模光刻机配件参数线性写取速度:500mm/s重复精度: 100nm晶圆写取面积:1—6英寸衬底厚度:250微米-10毫米激光点大小:1-100微米准直精度:500nm
  • 微流控芯片光刻机系统配件
    微流控芯片光刻机系统配件专业为微流控芯片制作而设计,用于刻画制作微结构表面。微流控芯片光刻机采用多功能一体化设计理念,一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能,而且不需要无尘环境,用户安装使用不再需要单独建设超净间,从而大大提高用户的使用经济性和方便性。微流控芯片光刻机全自动化和可编程操作,适合几乎所有常用材料,可以根据用户的芯片衬底基片尺寸,形状和厚度进行调节。微流控芯片光刻机是一种无掩模光刻系统,具有两个易操作的软件,用户可以创建个人微结构图案,从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。微流控芯片光刻机具有技术突破性设计和灵活性优势,非常适合加工微纳结构用于MEMS,BioMEMS,微流控系统,传感器,光学元件,MicroPatterning微图案化,实验室单芯片,CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。这款无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构,从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管(波长405纳米- 50毫瓦),光学扫描器和F-θ透镜(405纳米)。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用,较好的再现性和较高的质量,焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用,修改或其他用户使用。编号名称MSUP基于无掩模光刻系统和湿法刻蚀技术的微结构化表面的单位生产。
  • 飞秒激光直写光刻系统配件
    秒激光直写光刻系统配件是专业为微纳结构的激光蚀刻而设计的激光直写光刻机,基于多光子聚合技术,适合市场上的各种光刻胶,能够以纳米精度和分辨率微纳加工各种三维结构。秒激光直写光刻系统配件特点激光光刻机3D模型制备直写光刻机直接激光刻划 激光光刻机整套系统到货即可使用激光光刻机提供100nm-10um的分辨率直写光刻机超小尺寸 激光光刻机3D模型的制备 这套三维光刻机由激光微加工系统软件控制,简单的3D模型通过这种软件即可生成,对于比较复杂的3D模型,用户可以通过Autodesk, AutoCAD等软件制作,然后导入到三维光刻机的软件中,这个软件支持.stl, dxf等格式的文件用于3D结构的制造。 激光光刻机激光直接读写 这套激光光刻机由飞秒激光光源,精密的3轴定位台和扫描镜组成。首先,待刻录的图形通过激光光刻机精密的激光聚焦系统直接从CAD设计中导入到光刻胶上。聚合物的双光子或多光子吸收用于形成高质量表面的3D结构。,这套激光蚀刻机提供纳米尺度分辨率和对聚合物的广泛选择,从而可以适合微纳光学,微流体,MEMS,功能表面制作等各种应用. 与CAD设计等同的3D结构形成后,未固化的光刻胶剩余物由有机溶剂洗掉,这样只留下蚀刻的微纳结构呈现在基板上。 激光光刻机后续工序: 在所需的微纳结构形成后,它被浸入到几种不同的溶剂中,以除去蚀刻过程中留下的液态聚合物。激光光刻机全部过程都是自动化的,重要参数可以根据要求而设定:浸入时间,温度等.对于特殊的样品或加工对象,可以使用紫外光或干燥机处理。秒激光直写光刻系统配件应用 ?激光光刻机用于纳米光子器件(三维光子晶体) ? 三维光刻机用于微流控芯片 ? 三维光刻机用于微光学(光学端面微结构制作) ? 激光光刻机制作机微机械 ?激光蚀刻机制作微型光机电系统 ? 激光光刻机,三维光刻机用于生物医学
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