扫描电迁移率粒径谱仪原理

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扫描电迁移率粒径谱仪原理相关的仪器

  • 扫描电迁移率粒径谱仪SMPS+C和SMPS+E双系统GRIMM SMPS+C系统采用传统的差分电迁移率粒径分级器(DMA)和凝聚核粒子计数器(CPC)技术结合,两种不同型号的DMA可以同时检测5—350纳米或10—1100纳米的气溶胶的粒径分布。根据应用不同,可以选配移动式:CPC 5403,实验室固定式:CPC 5416 或 19英寸标准机柜式:CPC 5421。 系统每次开机时,自动自检以确保系统准确性,自检内容包括泄露测试、DMA 型号确认、 DMA 电压测试、CPC 状态检查等。 自检通过后,软件自动控制采样、测量和数据记录。测量参数 SMPS+C1. 检测粒径范围: 5-350 纳米(M-DMA); 10-1100 纳米(L-DMA)2. 检测浓度范围: 0--108 /cm33. 粒径通道:最多255通道4. CPC D50粒径: 4 纳米5. CPC 响应时间: 4 秒 GRIMM SMPS+E系统采用差分电迁移率粒径分级器(DMA)和法拉第静电计(FCE)技术结合,配合3种不同的DMA,粒径检测下限可以低至1纳米,检测数量浓度高达109个/cm3。
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  • SMPS+C扫描电迁移率粒径谱仪&bull 仪器简介 扫描电迁移率粒径谱仪(Scanning Mobility Particle Sizer)是一个纳米颗粒粒径谱分析系统,固定式由DMA+CPC5.414组成检测系统,移动式由DMA+CPC5.403组成检测系统,用于5nm ~ 1100nm的纳米颗粒分析。对小颗粒物有最高分辨率和最低分散损失,根据实验需求不同,有两种长度的电极。DMA(Differential Mobility Analyzer)差分粒子电迁移器对颗粒物进行分类,切割头将粗的颗粒去除,减少大颗粒的干扰;同时建议前置个静电中和器,消除对电荷对气溶胶颗粒的影响。顶端入口U型设计,可减少颗粒损失;顶端层流器,使气流呈层流状态流动。洁净干燥的保护鞘气与气溶胶气流一起自上而下流动。DMA的外套筒接地,中心极杆接正压高压发生器。环境颗粒中带负电荷的颗粒将在外套筒与中心极杆之间的电场中发生迁移。在某一电压下(对应一定的电场强度),具有一定荷质比的负电颗粒将迁移至DMA下端狭缝而逸出,其余荷质比及其电中性、正电荷颗粒将随过剩气流被过滤排出。经由狭缝逸出的颗粒为单分散气溶胶颗粒,进入CPC凝聚核粒子计数器(Condensation Particle Counters)对颗粒物进行计数.&bull 仪器应用&bull 基础气溶胶研究&bull 吸入和暴露研究&bull 环境和气候研究&bull NP增长&bull 凝结及迁移率研究&bull 过滤检测&bull 发动机排放研究&bull 工作场所检测&bull 类型类型型号总高度mm电极长度mm3.0L/min鞘气时粒径范围 nm20L/min鞘气时粒径范围L-DMA55-90049235011-11104.2-247M-DMA55-340230885.4-3582.1-103&bull 性能参数&bull 粒径范围5.4 ~ 358 nm (M-DMA);11 ~ 1110 nm (L-DMA)&bull 粒径分辨率标准44通道,可优化为255通道,对数间隔&bull 气体流速样品气:0.3 L/min;鞘气体:3.0 L/min&bull 工作流体:1-丁醇,超级纯 液体除去:微泵连续&bull 通讯方式RS-232、ASCII存储卡&bull 环境温度10~35℃&bull 环境湿度0~95%&bull 压力环境压力±50mbar&bull 电源85-264VAC/47-440Hz
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  • 产品简介室内宽范围气溶胶光谱仪组合两种粒子计数和分类技术:扫描迁移率粒度仪(SMPS+C用于纳米颗粒的丁醇缩合粒子计数器便携式光学气溶胶光谱仪(11-D)为尘埃颗粒。该系统可用于精确和高分辨率测量整个粒度范围从5 nm到35 μm的31个尺寸通道,用于11-D和用户可选择SMPS+C的通道数。该系统操作简单,适用于各种场合气溶胶的研究。测量原理DMA(Differential Mobility Analyzer)差分粒子电迁移器对颗粒物进行分类,喷嘴将粗的颗粒去除,减少大颗粒的干扰;同时建议前置个静电中和器,消除对电荷对气溶胶颗粒的影响。顶端入口U型设计,可减少颗粒损失;顶端层流器,使气流呈层流状态流动。洁净干燥的鞘气与样气气流一起自上而下流动。DMA的外套筒接地,中心极杆接正压高压发生器。环境颗粒中带负电荷的颗粒将在外套筒与中心极杆之间的电场中发生迁移。在某一电压下(对应一定的电场强度),具有一定荷质比的负电颗粒将迁移至DMA下端狭缝而逸出,其余荷质比及其电中性、正电荷颗粒将随过剩气流被过滤排出。经由狭缝逸出的颗粒为单分散气溶胶颗粒,进入CPC凝聚核粒子计数器(Condensation Particle Counters)对颗粒物进行计数。仪器特征实时监测整个粒径范围在低浓度和高浓度下,CPC和OPC具有高精度极好的计数统计和再现性低扩散损耗自检所有光学和气动元件为高质量标准仪器参数安全,防止数据丢失应用监测超细颗粒和粉尘N气溶胶科学N工作场所监控
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扫描电迁移率粒径谱仪原理相关的方案

  • 人高迁移率族蛋白1(HMG1)ELISA试剂盒
    人高迁移率族蛋白1(HMG1)ELISA试剂盒人高迁移率族蛋白1(HMG1)ELISA试剂盒使用说明书本试剂盒仅供研究使用。检测范围: 规格:96T/48T使用目的:本试剂盒用于测定人血清,血浆及相关液体样本中人高迁移率族蛋白1(HMG1)含量。实 验 原 理 本试剂盒应用双抗体夹心酶标免疫分析法测定标本中人高迁移率族蛋白1(HMG1)水平。用纯化的抗体包被微孔板,制成固相抗体,往包被单抗的微孔中依次加入人高迁移率族蛋白1(HMG1)抗原、生物素化的人高迁移率族蛋白1(HMG1)抗体、HRP标记的亲和素,经过彻底洗涤后用底物TMB显色。TMB在过氧化物酶的催化下转化成蓝色,并在酸的作用下转化成最终的黄色。颜色的深浅和样品中的人高迁移率族蛋白1(HMG1)呈正相关。 使用酶标仪在450nm波长下测定吸光度(OD值),计算样品浓度
  • 北京豫维:高效液相色谱法测定粽子中的黄酮类化合物及其迁移规律
    建立天然包装材料箬叶及粽米中荭草苷、异荭草苷、牡荆苷、异牡荆苷、对香豆酸5种黄酮类化合物的高效液相色谱的分析方法。通过测定一次蒸煮、二次蒸煮、不同保存条件等因素对箬叶及粽米中黄酮类化合物含量变化的影响,阐明了不同条件下箬叶中黄酮类化合物在粽子中的迁移规律。结果表明:一次蒸煮后,荭草苷、异荭草苷、牡荆苷、异牡荆苷、对香豆酸5种黄酮化合物从箬叶迁移到粽米的迁移率为7.41%~45.18% 二次蒸煮时,在120 min内箬叶中5种黄酮类化合物的迁移率为18.07%~65.94%,特别是在前30 min中,箬叶中黄酮类化合物降低明显,分别占120 min总减少量的51.61%~72.48%,并且二次蒸煮的迁移率大于一次蒸煮。在30 d的保存时间内,箬叶中黄酮类化合物在前15 d减少明显,占总减少量的68.60%~85.50%(除异牡荆苷为0外) 第15天后迁出缓慢 30 d内总迁移率分别为25.90%~64.84%(除异牡荆苷为0外)。随着二次蒸煮时间与保存时间的变化,荭草苷与异荭草苷较迁移缓慢。新鲜保存的方式最有利于异牡荆苷在粽子中迁移,速冻保存最有利于荭草苷、异荭草苷、牡荆苷、对香豆酸的迁移。异牡荆苷在真空保存和速冻保存时短时间内不发生迁移。
  • 黄铁矿利用过程中铊的迁移特征
    本文采用瑞士万通伏安极谱仪,以静态浸泡、动态模拟淋滤和逐级提取作基础,结合工艺过程,研究了黄铁矿利用过程中铊的迁移特征。结果表明,铊在焙烧时主要随飞灰和炉渣迁移,少量以TIF 的气态形式迁移;铊从飞灰、炉渣和沉灰渣中的释放率与浸泡时间成正比,与PH 值和粒径成反比(沉灰渣新样除外), ,且新样铊的释放率大于陈样,浸泡样品铊的释放率大于淋滤样品。

扫描电迁移率粒径谱仪原理相关的论坛

  • 薄膜综合物性分析仪(导热,赛贝克,电阻率,霍尔,迁移率

    薄膜综合物性分析仪(导热,赛贝克,电阻率,霍尔,迁移率

    薄膜综合物性分析仪(导热系数,电导率,电阻率,赛贝克系数,霍尔系数,迁移率 载流子浓度 发射率)同步测量苏需要的热物性参数,消除样品的几何尺寸,样品物质组分和热分布不均的影响,结果非常具有可靠性。可测量30nm-30μm的涂层与薄膜样品,样品面积约25mm²采用芯片式设计,样品于传感器紧密接触,构成一个缩小的热带发导热测量模型,可配置锁相放大器,以适应3ω法对样品的in-plance和cross-plance导热进行测量。可以适应不同材质样品。无论是金属,陶瓷,半导体等无机薄膜还是有机薄膜,都可以用TFA测量模块化设计, 根据需求,添加测量模块。1:瞬态导热测量磨坏:锁相放大器 配置3ω测量单元,可测平面,交叉面导热系数,比热等2: 霍尔效应测量模块: 配置磁场单元,可测霍尔电压,迁移率,载流子浓度。3 低温附件模块:-150°-400°C 样品两侧均安装LN2管道, 有利于样品两侧温度控制。导热系数:稳态热带法,3ω法。电阻于霍尔系数:范德堡法赛贝克:静态直流法http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/01/201601151255_581948_3060548_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/01/201601151255_581949_3060548_3.pnghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/01/201601151255_581950_3060548_3.png

  • 【求助】离子迁移谱仪用户调查

    离子迁移谱技术是20 世纪 60 年代发展起来的一种痕量探测技术,国外 20 世纪 80 年代将 IMS 技术应用于现场分析检测。 IMS 技术的原理是通过气态离子的迁移率来表征各种不同的化学物质,达到对各种物质分析检测的目的,具有极高的探测灵敏度。 离子迁移率谱仪方法(IMS)是一种高效的毒品、爆炸品、生化武器等的检测方法,可以在秒级别时间内对邮件、包裹等物品内是否有爆炸物品、毒品等做出判别,同时能对人体是否隐匿爆炸物品直接进行检测,有效提高打击恐怖活动力度,确保人民生命和财产安全。因此IMS技术为各级安全机构的检测,提供了很好的检测手段。可广泛应用于机场、海关、边防、车站、码头及体育场馆等反恐缉私场所 本人对离子迁移谱仪在国内的使用情况非常感兴趣,希望使用离子迁移谱仪的坛友能支持我的问卷调研,并将填好后的问卷反馈给我,email:luomeina2003@163.com,欢迎大家的参与和讨论。[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=61734]离子迁移谱仪用户调查[/url]

扫描电迁移率粒径谱仪原理相关的耗材

  • 悬浮在横向电磁场网格上的单层石墨烯薄膜
    由化学蒸气沉淀形成,转移到多碳孔支持膜横向电磁场的网格上,石墨烯悬浮没有底层,比碳孔高2微米。石墨烯薄膜生长方法:CVD合成、转移方法:干净转移,质量控制:光学显微镜、拉曼光谱、扫描电镜和透射电镜批签,大小:3毫米,外观(颜色):透明,透明度:97%,外观(形状):薄,覆盖率:95%,石墨烯层数:1,厚度(原理上):0.345毫微米,场效应管电子AI203迁移率:2,800cm2/Vs,场效应管SIO2/SI的电子迁移率:3,500cm2/Vs,表面电阻:170欧姆平方米,晶粒尺寸:约10μm,横向电磁场网格:类型:多孔碳支持膜?R2/4,孔大小:2微米,孔间距:4微米,孔直径:3毫米,涂层:镀金。
  • 石墨烯薄膜25X25mm正电子发射断层显像板
    增长方法:CVD合成、转移方法:清洁迁移取样法、质量控制:光学显微镜、拉曼光谱、扫描电镜和投射电镜批签,外观(颜色):透明,透明度:97%,外观(形状):薄,覆盖率:95%,石墨烯层数:1,厚度(原理上):0.345毫微米,场效应管电子AI203迁移率:2,000cm2/Vs,场效应管SIO2/SI的电子迁移率:4,000cm2/Vs,表面电阻:170欧姆平方米,晶粒尺寸:约10μm,正电子发射断层显像板厚度:175μm,应用:有机太阳能电池、有机发光二极管、正电子发射断层显像板、氧化铟锡更换、石墨烯研究柔性显示器。
  • TYDEX太赫兹扫描法布里 - 珀罗干涉仪
    太赫兹扫描法布里 - 珀罗干涉仪太赫兹扫描法布里 - 珀罗干涉仪(TSFPI)设计用于测量窄带THz辐射的波长和强度。 TSFPI可以与脉冲以及连续的窄带THz辐射源一起使用。TSFPI由两个半透明的平行硅镜组成,其中一个安装在电机驱动的线性驱动器上。THz辐射参数的测量是通过移动反射镜的平移(扫描)来完成的,如图2所示。1。图1. TSFPI的原理图。TSFPI可与以下来源一起使用:?回旋管 ?光泵浦亚毫米波激光器 ?返波振荡器 ?自由电子激光器 ?差频THz发生器 ?混频太赫兹发生器 量子级联激光器 ?p-Ge激光器 ?新型太赫兹源。太赫兹扫描法布里-珀罗干涉仪还能够测量宽带太赫兹源的波长和强度,以及根据法布里-珀罗干涉仪透射光谱(图2)过滤太赫兹辐射。TSFPI支持许多镜像转换模式,例如将镜像移动到给定位置,将镜像转换为给定的距离、连续的和循环的转换。镜像转换速度,转换的间隔,开始和结束位置也可以调整。图2.TFP光谱仪测量的镜面间距为500μm的TSFPI透射光谱Menlo Systems TERA K8。图3示出了由TSFPI执行的光泵浦超声波波长激光器的振荡波长的测量结果。 从图中可以看出,相邻TSFPI透射zui大值之间的距离约为216μm(433μm-216μm=217μm 647μm-433μm=214μm 865μm-647μm=218μm),其对应于 一半的激光波长。 此结果与理论TSFPI透射zui大值一致:λ= 2 * d / m,其中d是TSFPI反射镜之间的间距,单位为μm,m是干涉级数,λ是以μm为单位测量的波长。图3.光声探测器Tydex GP-1P与TSFPI反射镜间距的信号幅度。 太赫兹辐射是由光泵浦的亚毫米波激光器产生的,λlas=432μm。规格规格Value工作频率范围THz0,1-15自由光谱范围,太赫兹0,01-1,8毫米镜之间的间距0-9,5间距设置精度,μm± 1.25光轴高度,毫米110自由孔径,毫米52尺寸(长x宽x高),毫米232х151х120质量,公斤5,0主要特征:?TSFPI广泛操作范围,0.1 - 15 THz ?高击穿阈值 ?大光圈,52毫米 ?镜面定位精度高,±1.25μm?易于使用。TSFPI包包括以下内容:?TSFPI干涉仪装置 ?电源和控制装置 ?镜像转换控制软件 ?电缆 ?用户指南。TSFPI以下配件可以单独提供:?光声Golay探测器GC-1P / T / D ?0.1-15 THz范围内指定波长的BPF(带通滤波器) ?低通滤光片(LPF)过滤IR辐射,其截止频率分别为:23.4 THz,23.3 THz,23.1 THz,14.3 THz,10.9 THz,8.8 THz,5.5 THz,4.3 THz,4 THz,3.2 THz ?一组透射率为1%,3%,10%和30%的衰减器 ?TPX和HRFZ-Si镜片。

扫描电迁移率粒径谱仪原理相关的资料

扫描电迁移率粒径谱仪原理相关的资讯

  • TSI推出新一代Scanning Mobility Particle Sizer(SMPS)扫描电迁移率粒径谱仪,可测量粒径范围低至1nm
    精确测量仪器领域的全球领导者TSI公司宣布推出该款新型1nm Scanning Mobility Particle Sizer(SMPS)扫描电迁移率粒径谱仪。 TSI的SMPS扫描电迁移率粒径谱仪被广泛应用于测量1微米以下的气溶胶粒径分布的标准。和3777型纳米增强仪和3086型差分静电迁移率分析仪配套使用,SMPS粒径谱仪能够测量纳米的粒径范围扩展至1nm。 当整合到SMPS扫描电迁移率粒径谱仪中后,3777型1nm纳米增强仪让研究者能够以高分辨率并且快速地测量纳米级气溶胶的数量浓度和粒径。3777型纳米增强仪,和TSI的3086型 1nm-DMA差分静电迁移率分析仪已经被最优化,能够将散逸损失降至最低,且能够和SMPS粒径谱仪整合,测量1nm到50nm的粒径,并且能够与3081A型长差分静电迁移率分析仪配套使用测量1nm到1 μm的粒径。 “该款1nm 凝聚粒子计数器让研究者能够在气体到颗粒转换过程边界进行测量,”TSI颗粒物测量仪器的高级全球产品经理Jürgen Spielvogel如是说。应用包括材料科学研究、大气和气候研究、基础气溶胶研究、颗粒物成核与生长研究以及其他各类研究。关于TSI公司TSI公司研究、确定和解决各种测量问题,为全球市场服务。作为精密仪器设计和生产的行业领导者,TSI与世界各地的科研机构和客户合作,确立与气溶胶科学、气流、健康和安全、室内空气质量、流体力学及生物危害检测有关的测量标准。TSI总部位于美国,在欧洲和亚洲设有代表处,在其服务的全球各个市场建立了机构。每天,我们专业的员工都在把科研成果转化成现实。
  • 高载流子迁移率胶体量子点红外探测器
    短波红外和中波红外波段是两个重要的大气窗口。在该波段范围内,碲化汞胶体量子点表现出良好的光响应。此外,胶体量子点具有易于液相加工制备以及与硅基工艺兼容等优势,因此有望显著降低红外光电探测器的成本。然而,目前胶体量子点红外光电探测器在比探测率、响应度等核心性能方面与传统块体半导体红外探测器相比仍存在一定差距。有效地调控掺杂和迁移率等输运性质是提升量子点红外光电探测器性能的关键。据麦姆斯咨询报道,近期,北京理工大学光电学院和北京理工大学长三角研究院的科研团队在《光学学报》期刊上发表了以“高载流子迁移率胶体量子点红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为薛晓梦,通讯作者为陈梦璐和郝群。在本项工作中,采用混相配体交换的方法将载流子迁移率提升,并且实现了N型、本征型、P型等多种掺杂类型的调控。在此基础之上,进一步研究了输运性质对探测器性能的影响。与光导型探测器相比,光伏型探测器不需要额外施加偏置电压,没有散粒噪声,拥有更高的理论灵敏度,因此是本项工作的研究重点。同时,使用高载流子迁移率的本征型碲化汞量子点薄膜制备了短波及中波红外光伏型光电探测器。实验过程材料的合成:Te前驱体的制备在氮气环境下,称量1.276 g(1 mmol)碲颗粒置于玻璃瓶中,并加入10 ml的三正辛基膦(TOP)中,均匀搅拌至溶解,得到透明浅黄色的溶液,即为TOP Te溶液。碲化汞胶体量子点的合成在氮气环境下,称量0.1088 g(0.4 mmol,氮气环境下储存)氯化汞粉末置于玻璃瓶中,并加入16 ml油胺(OAM),均匀搅拌并加热至氯化汞粉末全部溶解。本工作中合成短波红外和中波红外碲化汞胶体量子点的反应温度分别为65℃和95℃。使用移液枪取0.4 mL的TOP Te溶液,快速注入到溶于油胺的氯化汞溶液中,反应时间分别为4 min和6 min。反应结束后加入20 ml无水四氯乙烯(TCE)作为淬火溶液。碲化银纳米晶体颗粒的合成在氮气环境下,称量0.068 g(0.4 mmol)硝酸,并加入1 mL油酸(OA)和10 mL油胺(OAM)中,均匀搅拌30 min。溶解后,注入1 mL TOP,快速加热至160℃并持续30-45 min。然后向反应溶液中注入0.2 mL TOP Te(0.2 mmol),反应时间为10 min。碲化汞胶体量子点的混相配体交换混相配体交换过程包括液相配体交换和固相配体交换。选择溴化双十二烷基二甲基铵(DDAB)作为催化剂,将碲化汞胶体量子点溶在正己烷中,取4 ml混合溶液与160 μL β-巯基乙醇(β-ME)和8 mg DDAB在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中混合。之后向溶液中加入异丙醇(IPA)进行离心,倒掉上清液,将沉淀物重新溶解在60μL DMF中。固相配体交换是在制备量子点薄膜后,用1,2-乙二硫醇(EDT)、盐酸(HCL)和IPA(体积比为1:1:20)溶液对已成膜的碲化汞胶体量子点表面进行处理。碲化汞胶体量子点的掺杂调控在调控碲化汞胶体量子点的掺杂方面,Hg²⁺可以通过表面偶极子稳定量子点中的电子,所以选择汞盐(HgCl₂)来调控量子点的掺杂状态。在液相配体交换结束后,向溶于DMF的碲化汞胶体量子点溶液中加入10 mg HgCl₂得到本征型碲化汞胶体量子点,加入20 mg HgCl₂得到N型碲化汞胶体量子点。材料表征采用混相配体交换的方法不仅可以提高载流子迁移率还可以通过表面偶极子调控碲化汞胶体量子点的掺杂密度。液相配体交换前后中波红外碲化汞胶体量子点的TEM图像如图1(a)所示,可以看到,进行液相配体交换后的碲化汞胶体量子点之间的间距明显减小,排列更加紧密。致密的排列可以提高碲化汞胶体量子点对光的吸收率。混相配体交换后的短波红外和中波红外碲化汞胶体量子点的吸收光谱如图1(b)所示,从图1(b)可以看出,短波红外和中波红外碲化汞胶体量子点的吸收峰分别为5250 cm⁻¹和2700 cm⁻¹。利用场效应晶体管(FET)对碲化汞胶体量子点的迁移率和薄膜的掺杂状态进行测量,把碲化汞胶体量子点沉积在表面有一层薄的SiO₂作为绝缘层的Si基底上,基底两侧的金电极分别作为漏极和源极,Si作为栅极,器件结构如图1(c)所示。通过控制栅极的极性和电压大小,可以使场效应晶体管分别处于截止或导通状态。图1(d)是N型、本征型和P型中波红外碲化汞胶体量子点的场效应晶体管转移曲线。利用FET传输曲线的斜率计算了载流子的迁移率μFET。图1 (a)混相配体交换前后碲化汞胶体量子点的透射电镜图;(b)短波红外和中波红外碲化汞胶体量子点的吸收光谱;(c)碲化汞胶体量子点薄膜场效应晶体管测量原理图;(d)在300K时N型、本征型和P型中波红外碲化汞胶体量子点的场效应晶体管转移曲线测试结果。分析与讨论碲化汞胶体量子点光电探测器的制备光伏型探测器不需要施加额外的偏置电压,没有散粒噪声,理论上会具有更好的性能,借鉴之前文献中的报告,器件结构设计为Al₂O₃/ITO/HgTe/Ag₂Te/Au,制备方法如下:第一步,在蓝宝石基底上磁控溅射沉积50 nm ITO,ITO的功函数在4.5~4.7 eV之间。第二步,制备约470 nm的本征型碲化汞胶体量子点薄膜。第三步,取50 μL碲化银纳米晶体溶液以3000 r/min转速旋转30 s,然后用HgCl₂/MEOH(10 mmol/L)溶液静置10 s后以3000 r/min转速旋转30 s,重复上述步骤两次。在这里,Ag⁺作为P型掺杂层,与本征型碲化汞胶体量子点层形成P-I异质结。最后,将器件移至蒸发镀膜机中,在真空环境(5×10⁻⁴ Pa)下蒸镀50 nm Au作为顶层的电极。高迁移率光伏型探测器的结构图和横截面扫描电镜图如图2(a)所示。能级图如图2(b)所示。制备好的探测器的面积为0.2 mm × 0.2 mm。图2 (a)高迁移率碲化汞胶体量子点P-I异质结结构示意图及扫描电镜截面图 (b)碲化汞胶体量子点P-I异质结能带图。器件性能表征为了探究高载流子迁移率短波红外和中波红外光伏型探测器的光电特性,我们测试了器件的I-V曲线以及响应光谱。图3(a)和(b)分别是高迁移率短波红外和中波红外器件的I-V特性曲线,可以看到短波红外和中波红外探测器的开路电压分别为140 mV和80 mV,这表明PI结中形成了较强的内建电场。此外,在零偏置下,高迁移率短波红外和中波红外器件的光电流分别为0.27 μA和5.5 μA。图3(d)和(e)分别为1.9 μm(300 K) ~ 2.03 μm(80 K)的短波红外器件的响应光谱和3.5 μm(300 K) ~ 4.2 μm(80 K)的中波红外器件的响应光谱。比探测率D*和响应度R是表征光电探测器性能的重要参数。R是探测器的响应度,用来描述器件光电转换能力的物理量,即输出信号光电流与输入光信号功率之比。图3 (a)300 K时短波红外I-V曲线;(b)80 K时中波红外I-V曲线;(c)短波红外及中波红外器件的比探测率随温度的变化;(d)短波红外器件在80 K和300 K时的光谱响应;(e)中波红外器件在80 K和300 K时的光谱响应;(f)短波红外和中波红外器件的响应度随温度的变化。图3(e)和(f)给出了探测器的比探测率D*和响应度R随温度的变化。可以看到,短波红外器件在所有被测温度下,D*都可以达到1×10¹¹ Jones以上,中波红外器件在110 K下的D*达到了1.2×10¹¹ Jones。应用此外,本工作验证高载流子迁移率的短波红外和中波红外量子点光电探测器在实际应用,如光谱仪和红外相机。光谱仪实验装置示意图如图4(a)所示,其内部主要是一个迈克尔逊干涉仪。图4(b)和(c)为使用短波红外和中波红外量子点器件探测时有样品和没有样品的光谱响应结果。图4(e)和图4(f)为样品在短波红外和中波红外波段的透过率曲线。对于短波红外波段,选择了CBZ、DDT、BA和TCE这四种样品,它们在可见光下都是透明的,肉眼无法进行区分,但在短波红外的光谱响应和透过率不同。对于中波红外波段,选择了PP和PVC这两个样品。在可见光下它们都是白色的塑料,但在中波红外光谱响应和透过率不同。图4(d)为自制短波红外和中波红外单点相机的扫描成像。,短波相机成像可以给出材质信息。中波红外相机成像则是反应热信息。以烙铁的中波红外成像为例,我们可以清楚地了解烙铁内部的温度分布。在可见光下,硅片呈现不透明的状态使用自制的短波红外相机成像后硅片呈现半透明的状态。图4 (a)利用高载流子迁移率探测器进行响应光谱测量的原理示意图;(b)和(c)分别是在有样品和没有样品两种模式下用自制探测器所探测到的光谱响应;(d)自制短波红外和中波红外光电探测器的单像素扫描成像结果图;(e)TCE、BA、DDT和CBZ在短波红外模式下的透光率,插图为四种样品的可见光图像;(f)PVC和PP在中波红外模式下的透光率,插图为两种样品的可见光图像。结论综上所述,采用混相配体交换的方法,将量子点薄膜中的载流子迁移率提升到了1 cm²/Vs,相较于之前的研究提升了2个量级。并且通过加入汞盐实现了对量子点薄膜的掺杂调控,分别实现了P型、本征型以及N型多种类型的量子点薄膜。同时,基于本征型高迁移率量子点制备了短波红外和中波红外波段的光伏型光电探测器。测试结果表明,提升量子点的输运性质,有效的提升了探测器的响应率、比探测率等核心性能,并且实现了光谱仪和红外相机等应用。本项工作促进了低成本、高性能量子点红外光电探测器的发展。这项研究获得国家自然科学基金(NSFC No.U22A2081、No.62105022)、中国科学技术协会青年托举工程(No.YESS20210142)和北京市科技新星计划(No.Z211100002121069)的资助和支持。论文链接:https://link.cnki.net/urlid/31. 1 252.o4.20230925.0923.016
  • TSI公司发布新一代MacroIMS高分子离子迁移率谱仪
    世界精密测量仪器的生产商TSI公司宣布了其新一代MacroIMS高分子离子迁移率谱仪的上市。 MacroIMS高分子离子迁移率谱仪3982是一款全新的可快速测量高分子的分子量和粒径的仪器,并具有非常高的分辨率。MacroIMS高分子离子迁移率谱仪系统是由来自TSI公司的纳米颗粒分析核心技术中发展而来,经过验证,该系统可用于各种生化分析,包括抗体聚合、脂蛋白、病毒、疫苗、类病毒颗粒、聚合物以及纳米颗粒胶体等。 这款新一代的产品具有许多上一代产品所不具有的独特优势,例如通过直接与LC泵和自动取样器相连,新产品能够实现自动分析;并采用了软X射线电离技术,摆脱了为实现电荷中和需要使用放射源的缺陷;而且该设备可自动发现组分;它具有更快的扫描速度,并配备了基于色谱分析的具有扩展分析工具的软件。 TSI公司高级全球产品经理Erik Willis先生说,“这款MacroIMS高分子离子迁移率谱仪的优势就在于它能够分析那些对质谱仪来说粒径过大的高分子和纳米粒子,而且具有光散监测仪所无法达到的高测量精度和分辨率。这款MacroIMS高分子离子迁移率谱仪是对液态色谱分析、场流分析、AUC分离以及质谱分析的有力补充。” 如果您想了解更多信息或寄送样品至本公司进行分析,请点击http://www.tsi.com/Products/Macromolecule-Analyzers/Other/MacroIMS-Macroion-Mobility-Spectrometer-3982.aspx。

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