半导体测试仪电流测量原理

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半导体测试仪电流测量原理相关的仪器

  • 半导体参数测试仪 400-628-5299
    SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： SPM300系列
    价格： 50万 - 100万元
  • 半导体参数分析仪 400-628-5299
    SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： SPM600系列
    价格： 100万 - 100万元
  • 半导体电阻率测试仪 400-860-5168转4704
    半导体电阻率测试仪一、概述 BD-86A型半导体电阻率测试仪是根据四探针测试原理研制成功的新型半导体电阻率测试器，适合半导体器件厂、材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率、方块电阻（薄层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻、导电薄层电阻，具有测量精度高、范围广、稳定性好、结构紧凑、使用方便、价格低廉等特点。 仪器分为电气箱和测试架两大部分，电气箱由高灵敏度直流数字电压表，高稳定、高精度的恒流源和高性能的电源变换装置组成，测量结果由LED数字显示，零位稳定，输入阻抗极高。在片状材料测试时，具有系数修正功能，使用方便。测试架分为固定式和手持式两种，探头的探针具有宝石导向，测量精度高、游移率小、耐磨和使用寿命长等特点，而且探针压力可调，特别适合薄片材料的测量。二、主要技术指标1.测量范围：电阻率：10-3--103Ω㎝（可扩展到105Ω㎝），分别率10-4Ω㎝。方块电阻：10-2--104Ω/□（可扩展到106Ω/□），分辨率10-3Ω/□。薄层金属电阻：10-4--105Ω，分辨率10-4Ω。2.数字电压表：电压表量程为3档，分别是20mV档（分辨率10μV)；200mV档(分辨率100μV)；2V档（分辨率1mV)。电压表测量误差±0.3%读数±1字，输入阻抗大于109Ω。3.恒流源：恒流源由交流供电，输出直流电流0---100mA连续可调。恒流源量程为5档，分别是10μA、100μA、1mA、10mA、100mA；分辨率对应是10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA。电流误差±0.3%读数±2字。4.测试架：（可选件）测试架分为固定和手持两种，可测半导体材料尺寸为直径Φ15--Φ600㎜。测试探头探针间距S=1㎜，探针机械游移率±0.3%，探针压力可调。5.显示：3?位LED数字显示0-1999，能自动显示单位、小数点、极性、过载。6.电性能：电性能模拟考核误差﹤±0.3%，符合ASTM规定指标。7.电源：220V±10%，50Hz或60Hz,功耗﹤30W。8.电气箱外形尺寸：440×320×120㎜。 三、工作原理直流四探针法测试原理简介如下：（1）体电阻率测量： 如图：当1、2、3、4根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体试样上，在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电压差V。材料的电阻率ρ=（V/I）×C （Ω㎝） .......3-1式3-1中：C为探针系数，由探针几何位置决定，当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时，C=2π÷{1/S1+1/S3-1/(S1+S2)-1/(S2+S3）}=2πFSP......3-2式3-2中：S1、S2、S3分别为探针1与2、2与3、3与4之间的距离。当S1=S2=S3=1mm时，则FSP=1，C=2π。若电流取I=C时，电阻率ρ=V,可由数字电压表直接读出。①、块状和棒状晶体电阻率测量：由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由公式3-1、3-2式求出。②、薄片电阻率测量：由于薄片样品厚度和探针的间距相比，不能忽略。测量时要提供样品的厚度、形状和测量位置的修正系数。电阻率值可由下面公式得出：ρ=V/I×2πS×FSP×G(W/S)×D(d/s)= ρ0×G(W/S)×D(d/s)...3-3式中：ρ0 为块形体电阻率，W为试片厚度，S为探针间距，G（W/S）为样品厚度修正函数，D(d/s)为样品形状和测量位置修正函数。③、方块电阻、薄层电阻测量：当半导体薄层尺寸满足半无限大平面条件时：R□=π/ln2×(V/I)=4.532(V/I) ........3-4若取I1=4.532I,则R□值可由电压表直接读出。注意：以上的测量都在标准温度(230 C)下进行，若在其他温度环境中测量，应乘以该材料的温度修正系数FT。FT=1-CT（T230） ..........3-5式中：CT为材料的温度系数。（请根据不同材料自行查找）（2）金属电阻测试：本仪器也可用作金属电阻的测量，采用四端子电流-电压降法，能方便的测量金属电阻R,测量范围从100μΩ---200K 四、仪器结构 本仪器为台式结构，分为电气箱和测试架两大部分。【1】电气箱为仪器主要电器部分，电气箱前面板如图4-1所示： 图中：1-电源开关 2-显示屏 3-电流量程开 4-电压量程开关 5-工作方式开关 6-测量选择开关 7-信号输入端口 8-调零电位器 9-电流调节电位器 10-电流开关 11-极性转换开关电气箱后面板如图4-2所示： 前面板功能说明：1-(POWER)-电源220V控制开关。2-LED显示屏：3 ?位LED数字显示（0-1999），自动显示小数点、单位和过载，测试方块电阻时，单位mΩcm当作mΩ/□，测量金属电阻时，单位mΩ㎝当作mΩ。3-(I RANGE)-电流量程开关5档（10μA/100μA/1mA/10mA/100mA)；4-(V RANGE)-电压量程开关3档（20mV/200mA/2V)；5-(FUNCTION)-工作方式开关5档，从左到右分别是“4.53”档为输入电压值×4.532，测量方块电阻用；“6.28”档为输入电压值×0.628，测量电阻率用；“I”档为输入电压×1，测量金属电阻用；“I ADJ”电流调节档，和电流调节电位器配合使用，用于调节输出电流；“CAL”自校档，自校值“199X”。6-(MEAS.SEL)-测量选择开关为两档开关，“SHORT”短路档、“MEAS”测量档。7-(INPOT)-信号输入端口为5芯端口，是电压降信号输入和恒流电流输出的端口。8-（ZERO ADJ)-调零电位器，当我们在测试时，如果样品接触良好，在不加电的情况下，数字电压表读数应归零，如有偏差时，可通过调零电位器调节归零。9-(I ADJ)-电流调节电位器，可连续调节电流输出值0---1000（满刻度），与工作方式开关“I ADJ”配合使用，也可作为修正系数输入用。10-（CURRENT)-电流开关为电流加电开关，按入时，电流输出；退出时，电流断开。11-（POLARITY)-极性转换开关，可改变电流输出的正负极性。【2】测试架：测试架分为固定和手持式两种，根据使用环境的不同可自行选择，固定式测试架适合高精度的测量，探头固定在专用的测试架上，在实验室条件下，进一步提高了测量精度（见图4-4）。手持式Z大的优点是携带方便、测量方便，可直接在生产现场使用（见图4-3）。手持式测试探头简图4-3所示： 图中：1-测试导线 2-手柄 3-压力调节环 4-测试支架 5-探头和探针固定式测试架简图（4-4）所示： 图(4-4)固定式测试架图中：1-支杆 2-支架块 3-滑块 4-滑块调节（上下） 5-探头支架 6-探头和探针 7-可移动平台（前后） 8-滑槽 9-底板 10-支架块固定杆 11-探头导线 五、使用和操作（一）、测试准备：1.将仪器和试样放置在温度230C±20C，湿度﹤65%的工作环境中。2. 测试架和电气箱用输入输出连线连接好，仪器接通电源，工作方式开关置于短路位置，电流开关退出，接通220V电源，仪器预热半小时。3.测试架调好位置，放上试样，使探头与试样良好接触。(二)、测试：1.将工作方式开关置于“I调节”，按入电流开关，并调节电流电位器，使数字显示为你需要的电流值。注意：测试块状、棒状晶体和薄层方块电阻试样时，请调节电流电位器到“1000”，当测量薄片电阻率时，请根据试样厚度，查表得到修正系数值（厚度修正系数表见说明书末页），调节电位器到修正值。例如硅片厚度0.23㎜，查表得到0.1659，调节电流电位器，使显示值为166。2.根据被测材料，选择电压和电流量程，使显示值达到我们需要的精度。3.测量选择开关置于“测量”位置，根据不同的试样，工作方式开关置于不同位置，①块状、棒状样品和薄片样品电阻率测试请把开关放到“6.28”档；②薄层电阻测试请放到“4.53”档；③金属电阻测试请放到“I”档。4.检查显示屏显示是否为000，可以通过调零电位器，调整零位，使显示值为“000”。5.现在按入电流开关，应有显示，可配合电压和电流量程开关再一次调整，使显示值为我们需要的精度值。然后极性开关反转，把两次显示值平均后的值，即是我们要测量的值。（三）、注意事项：1.以上电阻率测试是在环境温度23℃下的值，如测试时环境温度有变，请考虑温度修正（温度修正系数Ft请用户根据不同材料自行查找，见公式3-5），输入K值时，K=Ft×K(修正到23℃）。实际测量，在输入电流值时，请乘以Ft值为电流实际输入值。例如：块状样品测试，“I ADJ”输入值为1000，此时我们应输入1000×Ft,测得的电阻率值是23℃时的修正值。2.当工作方式开关置于“6.28”进行测量，测量显示值为电阻率；当开关置于“4.53”时，显示值应读为R/□；在“I”档测量金属电阻，显示值应读为电阻R。3.测试架上的探头为易损件，测量时请小心加压，测试完毕，请及时升起探头。 六、复校和维修1.本仪器有自校功能，仪器内部设有精密电阻，当工作在自校档，按入电流开关后，显示自校值199X±6个字。自校档可作为检查仪器精度使用，为保证仪器测试精度，请定期对仪器进行复校，尤其是仪器进过剧烈震动和环境温度突变后，发现超差请及时送修。2.测试探头为易损件，请定期按照国标JJG508-87中规定，对探头进行复校。如超差，应更换新的探头。3.本仪器也可按照国标或ASTM84-73规定的指标和实验方法进行复校。七、仪器包装及附件1.电气箱一台2.测试架一台（固定、手持可选）3.四探针探头一个（已安装在测试架上）4.使用说明书一份5.电源线一根6.合格证一张7.四端子测试线一根
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    厂商： 北京纵横金鼎仪器设备有限公司
    品牌： 纵横金鼎仪器/zonghengjindingyiqi
    型号： BD-86A 电阻率
    价格： 2.2万元
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  • 【原创大赛】关于电线电缆导体电阻智能测试仪及应用剖析

    【原创大赛】关于电线电缆导体电阻智能测试仪及应用剖析

    [align=center][b]关于电线电缆导体电阻智能测试仪及应用剖析[/b][/align][align=center]西安国联质量检测技术股份有限公司[/align][align=center]材料室：畅团民[/align] 一 、引言 随着电子技术的飞跃发展，数字式测量技术在电线电缆检测领域得到越来越广的应用，现有国标已明确规定了可采用导体直流电阻智能测试仪作为导体直流测试的专门设备。导体电阻智能测试仪具有高效率，高准确度，高分辩性等优势将处于该行业的佼校者。 二、导体电阻在电线电缆测试中的重要性 导体电阻测量是电线电缆检测项目的重中之重，导体电阻的大小直接影响电能的消耗，系统的电压降，电路的漏电及发热，甚至短路，因此导体电阻测试仪器的选用就尤为重要。下面就将河南瑞奇质检设备研究所生产的型号为ZZJ-E半导体电阻测试仪作一介绍： 1.首先ZZJ-E半导体电阻测试仪满足GB/T3048.4-2007电线电缆电性能试验方法标准要求。且自带系统换算和自动较正，具有正反向测量。2.主要结构： [align=center]A：导线架及夹具图[/align][align=center] [img=,690,511]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/08/201708151130_01_2904018_3.png[/img][/align][align=center]B：测试系统主机和显示屏[/align][align=center][img=,690,510]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/08/201708151131_01_2904018_3.png[/img] [/align]3.仪器主要技术参数； A 测试最大面积 300mm2 B 测试导线长度 1000mm C 电流电压端间距 60mm D 夹具接触宽度 42mm E： 直流电阻测量范围1uΩ～2.5MΩ(有效数据为六位) F： 温度测量误差范围 ±0.1℃三、试样前处理1.从被电线电缆上切取长度不小于1m的试样，（或盘卷作为试样）除掉导电缆外护套绝缘外表皮及其它覆盖物，也可以只取试样两端覆盖物露出导体，处覆盖物时避免损伤导体，以防影响测量数据，2.试样需要较直,不许截面扭曲或者导体拉长。3.金属表面洁净，不应有附着物，油污等，氧化层尽可能除去。4.对于铝导体如截面再95mm2以上，建议选3m,电流引入端可采用铝压接头。四、测试操作1.测试前试样在环境温度为（15℃～25℃）湿度不大于85％的环境中处置至少24小时，2.将处置过的试样固定在仪器夹具上，使导体和夹具充分接触。3.打开计算机测试系统，输入试样编号，型号规格，电压等级，材料状态及日期。4.查看环境室温湿度及系统热电偶问度和环境室温度差异，确认相差不超过0.1℃5.测量，对于小于0.1Ω的，读取一个正相读书和反向测量数，取算术平均值，对于较大电阻取俩个测量的平均值。6. 关闭系统卸掉试样，记录下数具。五、影响结果的几点感悟 1.由于系统测量时会对结果产生一定的误差，所以当平均值于俩测试值之差与平均值之比大于0.1%时，就应减掉误差值。 2.测试人在测试过程中，可能操作错误对测试结果产生影响，如 （是样未拉直，绞合结构试样测试端松动，测试样品表面样化未处理干净，剥离绝缘层损伤截面静置时间过短等） 都需要重新测试确认。3.温度变化较大，系统热电偶测温前后俩次变化超过0.2℃，或者与实验操作台相差较大时，确定好实际温度重新测试确认。4.数字的修约也是影响结果的一环，截面比较大的导体阻值一般较小，所以数字的修约就显得尤为重要，一般以此截面标准对应的效数字位数为准，且不要以小数点位数确定。5.为了使测试值更加接近于真实值，应把测试值和仪器检定对应范围的读书值作对比，或者采购标准电阻，与标准电阻对应范围的测试值对比，取掉相差部分。6.智能测试测试虽然省掉了计算环节，但是我们检测人要懂得测试原理。并要清楚演算公式并会验证智能测试数据和温度系数。测试值修正到20℃时的计算公式为 R[sub]20[/sub]=R[sub]t[/sub].k[sub]t[/sub].1000/L其中R20-20℃时每公里长度电阻值，Rt-t℃时L长电缆的实测电阻值，L-被测量的电缆长度，Kt-温度为t℃时的温度校正系数。铜导体为 Kt,cu=254.5/234.5+t=1/1+0.00393(t-20）铝导体为 Kt,AL=248/228+t=1/1+0.00403(t-20） 附温度系数表（0℃～23)℃[table][tr][td]测量时导体温度/t℃[/td][td]温度系数K[/td][td]测量时导体温度/t℃[/td][td]温度系数K[/td][/tr][tr][td][align=center]0[/align][/td][td][align=center]1.087[/align][/td][td][align=center]12[/align][/td][td][align=center]1.033[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]1[/align][/td][td][align=center]1.082[/align][/td][td][align=center]13[/align][/td][td][align=center]1.029[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]2[/align][/td][td][align=center]1.078[/align][/td][td][align=center]14[/align][/td][td][align=center]1.025[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]3[/align][/td][td][align=center]1.073[/align][/td][td][align=center]15[/align][/td][td][align=center]1.020[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]4[/align][/td][td][align=center]1.068[/align][/td][td][align=center]16[/align][/td][td][align=center]1.016[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]5[/align][/td][td][align=center]1.064[/align][/td][td][align=center]17[/align][/td][td][align=center]1.012[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]6[/align][/td][td][align=center]1.059[/align][/td][td][align=center]18[/align][/td][td][align=center]1.008[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]7[/align][/td][td][align=center]1.055[/align][/td][td][align=center]19[/align][/td][td][align=center]1.004[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]8[/align][/td][td][align=center]1.050[/align][/td][td][align=center]20[/align][/td][td][align=center]1.000[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]9[/align][/td][td][align=center]1.046[/align][/td][td][align=center]21[/align][/td][td][align=center]0.996[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]10[/align][/td][td][align=center]1.042[/align][/td][td][align=center]22[/align][/td][td][align=center]0.992[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]11[/align][/td][td][align=center]1.037[/align][/td][td][align=center]23[/align][/td][td] 0.988[/td][/tr][/table]六、举例说明几种因素对测试电阻的影响[align=center]测试导体电阻185mm2完整试样图片如下[/align] [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/08/201708151132_01_2904018_3.png[/img]对于绞合导体端头松动，试样静置时间太短，以及温度偏差测的数据如下 [table][tr][td] 不同情况测试[/td][td] 20℃时试样的导体电阻（Ω/Km）[/td][/tr][tr][td] 导体静置时间较短情况下[/td][td] 0.0994[/td][/tr][tr][td] 导体端头松动情况下[/td][td] 0.0899[/td][/tr][tr][td] 温度偏差情况下[/td][td] 0.0992[/td][/tr][tr][td] 符合标准要求情况下[/td][td] 0.0897[/td][/tr][/table][align=center]示例中的测试图片[/align][align=center][img=,431,253]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/08/201708151134_01_2904018_3.png[/img] [/align] 由上测试结果看出：同一导体按要求测试时的测试值和真正测试值有一定差距，因此大家在测试时要一定按标准及有关影响的因素测试得出正确的数具。 最后，为了保证仪器的正常使用，要按时检定，定期对仪器进行保养，保持系统更新，测试夹具和整体仪器的清洁，特别是注意夹具不能氧化。总之，试验是仪器的结合，只有充分了解仪器，并规范操作，剔除影响的因素，就能得除正确的结果，以上是我本人测试对仪器及测试情况的了解，请个位导师多提宝贵意见。谢谢！

  • 基于半导体制冷片的高精度温度控制系统-生命科学测试仪器温控-成果推广

    基于半导体制冷片的高精度温度控制系统-生命科学测试仪器温控-成果推广

    基于半导体制冷片的高精度温度控制系统成果简介半导体制冷片是利用特殊半导体材料构成的PN结产生Peltier效应制成，具有无噪声、体积小、结构简单、加热制冷切换方便、冷热转换具有可逆性等优点。化工安全组对基于半导体制冷片温控系统的影响因素进行了全面、系统分析和实验研究，设计完成了大功率、高可靠性的半导体制冷片驱动电路，并积累了半导体制冷片加热制冷切换双向温控算法的丰富经验，形成了半导体制冷片整套的研究方法和应用手段。目前，半导体制冷片的高精度温度控制系统已应用在产品中。系统组成http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302259_595308_3112929_3.png 图1 基于半导体制冷片的温度控制单元结构http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302259_595309_3112929_3.jpg图2 高精度温度控制系统硬件组成技术指标（1）温度范围：0~120℃；（2）控温精度：±0.05℃；（3）半导体制冷片驱动电路能够最大支持20V 15A输出。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302314_595310_3112929_3.jpg 图3 0℃和120℃温度控制曲线图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302314_595311_3112929_3.jpg 图4 37.8℃温度控制过程曲线图 http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302315_595312_3112929_3.jpg 图5 37.8℃稳态控制精度曲线图技术特点（1）高精度温度采集电路：创新性采用比率法和激励换向技术，系统温度分辨力达到0.001℃，检测精度达到±0.01℃。（2）大功率高可靠性的半导体制冷驱动：采用H桥电路形式实现半导体制冷片加热制冷方式的切换，解决了该类驱动电路无死区防护、功率小等问题；设计引入滤波和保护电路，大大增强了半导体制冷片的寿命及驱动电路的可靠性。（3）双向多模式温控：温控策略充分考虑半导体制冷片加热制冷输出功率差异、功率随温度变化以及系统加热制冷方式切换的随机性等因素，综合采用了单点与扫描结合、高低温分段处理、随环境温度变化动态调节等多重温控调节方式。获得研发资助情况浙江省公益项目前期应用示范情况已用于微量蒸气压测定仪产品中的温度控制，温度范围为0~120℃，控温精度为±0.05℃，驱动电路输出12V/10A。相关产品已通过批量试产，温控系统运行稳定可靠，可复制性强，实现成本低，适合于批量生产。转化应用前景半导体制冷片因加热制冷切换方便、结构简单、系统噪音小、控温精确度高以及成本低等优点，有望在科学仪器温度控制、温度发生和电气设备散热等领域获得广泛应用。特别是随着仪器仪表尤其是生命科学仪器、化学分析仪器等逐渐向高精度、小型化方向快速发展，高精度的小型温度控制系统需求越来越旺盛，因此半导体制冷片具有良好的应用前景。合作方式（1）技术转让；（2）委托开发；（3）双方联合开发。应用领域分析仪器、医疗仪器、生命科学测试仪器、家用电器等领域中高精度的恒温、匀速升降温等多模式的温度控制，以及电气装置散热等。联系人：杨遂军；联系电话：0571- 86872415、0571-87676266；Email: yangsuijun1@sina.com。微信公众号：中国计量大学工贸所工贸所网站：itmt.cjlu.edu.cn中国计量大学工业与商贸计量技术研究所中国计量大学是以“计量、测试、标准”为特色的院校，主要培养测试技术、仪器开发方向的专属人才。中国计量大学工业与商贸计量技术研究所是学校为进一步推动高水平研究团队的建设而在2014年设立的两个学科特区之一，主要针对工业生产与贸易往来中关乎国计民生的计量测试问题，以新方法、技术、设备及评价为研究对象，主要研究方向为化工产品及工艺安全测试技术与仪器、零部件无损检测技术与设备、光栅信号处理与齿轮精密测量，涉及的单元技术有高精度温度检测技术、快速热电传感技术、高稳态温度场发生技术、低热惰性高压容器制备工艺、激光和电磁加热、非稳态传热反演、基于幅值分割原理的光栅信号数字细分、光栅信号短周期误差补偿、机器视觉高精度尺寸测量。研究所同时是化工产品安全测试技术及仪器浙江省工程实验室，先后承担国家重大科学仪器设备开发专项、国家公益性行业科研专项、国家自然基金、973等国家级项目，科研经费超千万。现有专职科研人员9人、工程技术人员2人、在读研究生30余人、行政与科研管理人员3人。“应用驱动、产研融合”是研究所的标签，以应用驱动为前提，通过方法技术化、技术产品化、产品市场化，将科研成果落脚于实际应用，为经济与社会发展提供推动力，同时为研究所提供持续发展所需资金、影响力、信息等各类资源的支撑，目前研究所已拥有2家产业化公司。

  • 【分享】泄漏电流测试仪的特征及应用

    泄漏电流测试仪是用于测量电器的工作电源通过绝缘阻抗或分布参数阻抗产生的与工作无关的泄漏电流的仪器，其输入阻抗模拟人体阻抗，泄漏电流测量包括接触电流和保护导体电流的测量，具有适应测试范围广、测试精度高的优点。具有操作简单、读数方便、精度高、体积小，是各级计量部门首选的泄漏电流测试仪器。 泄漏电流测试仪能够将测试的直流和各种频率正弦波、三角波、方波等波形的交流电流， 以及各种复合波交流电流转换为有效值；除了测试地线漏电流外，还可测试可接触件之间的漏电流，以及其他部位的漏电流。泄漏电流测试仪具有测试电压、泄漏电流、测试时间同时显示的功能，测试报警值可连续任意设定，相位可自动转换，具有合格、不合格声光报警，击穿保护等功能。 泄漏电流测试仪适用于家用电器和电机、电脑、电子电气设备、电子仪器等其他电器产品的安全测试需求，也是实验室、技术监督部门不可缺少的检测设备，泄漏电流测试仪广泛应用于石油天然气管道、煤气管道、油库、电气化铁路、地铁以及相关维护工程等。

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半导体测试仪电流测量原理相关的耗材

  • 少子寿命测试仪
    少子寿命测试仪性能参数？ 测量原理 QSSPC（准稳态光电导） 少子寿命测量范围 100 ns-10 ms 测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析 电阻率测量范围 3&ndash 600 (undoped) Ohms/sq. 注入范围：1013-1016cm-3 感测器范围 直径40-mm 测量样品规格 标准直径: 40&ndash 210 mm （或更小尺寸） 硅片厚度范围 10&ndash 2000 &mu m 外界环境温度 20° C&ndash 25° C 功率要求 测试仪: 40 W 电脑控制器：200W 光源：60W 通用电源电压 100&ndash 240 VAC 50/60 Hz -------------------------------------------------------------------------------- 少子寿命测试仪成功使用用户？ 江苏，上海，北京，浙江，西安，四川，河北，河南等地的硅料生产企业及半导体光伏拉晶企业等等。 一、采购项目名称：硅片少子寿命测试系统、溶剂净化系统等 二、采购代理机构 ：杭州求是招标代理有限公司 三、确定成交日期：2010年11月16日 四、本项目公告日期： 2010年11月4日、11月5日 五、项目成交单位： 硅片少子寿命测试系统(z9264)：上海瞬渺光电技术有限公司 -------------------------------------------------------------------------------- 相关资料下载 少子寿命测试仪一款功能强大的少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。少子测试量程从1&mu s到6000&mu s，硅料电阻率下限达0.1&Omega .cm(可扩展至0.01&Omega .cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 　　半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 　　多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响.分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC) 少子寿命是描述半导体 材料特征方程的基本参数之一,对器件特性的精确描述起着重要作用,特别是对以PN结为基本结构的器件,额外载流子的产生与复合在PN结的状态转换过程中起着决定性的作用,因而少子寿命是决定PN结型器件工作特性的关键材料参数之一。 　　太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命.少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结,受PN结电场分离后对外产生光电流,同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压,所以大部分生产商都在生产前检验原始材料的一些关键性参数,光伏工业生产中最常见的测试就是少子寿命的测试,通过对原始材料的寿命测量预测成品太阳电池的效率。 　　少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法（ASTM国际标准-1535）的测试原理，提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试，主要是通过904nm波长的激光激发出硅片,硅棒或硅锭体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而判断该硅片,硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。该设备主要应用于硅棒，硅片的出厂、进厂检查，生产工艺过程的沾污检测等。特别是在太阳能领域，少子寿命将直接关系到成品电池的效率，是必备的检测手段。 　　少子寿命测量仪可测量半导体的少子寿命。少子寿命值反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度，即反映了光生载流子的利用程度。少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性参数，它对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有重要的影响，可以说硅电池的转化效率和少子寿命成正向相关对应关系。 　　少子寿命测量仪采用微波光电导衰减法（SEMI国际标准-1535）的测试原理，即通过激光激发出硅体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而计算出少子寿命值，为半导体提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试。该仪器测量少子寿命的精度达到ns级，分辨率达1％，测试结果准确性好、重复性高，完全能满足太阳能级硅电池的少子寿命测试。目前该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法 主要特点: 　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm 　　全自动操作及数据处理 　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理 　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭 　　可以选择测试样品上任意位置 　　能提供专利的表面化学钝化处理方法 　　对各道工序的样品均可进行质量监控： 　　硅棒、切片的出厂、进厂检查 　　扩散后的硅片 　　表面镀膜后的硅片以及成品电池常见问题： WT-2000与WCT-120测少子寿命的差异？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）而WT2000是微波光电导。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导） 准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。
    供应商： 瞬渺科技（香港）有限公司
    品牌： TTI
    价格： 面议
  • 半导体致冷器
    半导体致冷器(TE)也叫热电致冷器,是一种热泵，它的优点是没有滑动部件,应用在一些空间受到限制,可靠性要求高,无致冷剂污染的场合。半导体致冷器的工作运转是用直流电流，它既可致冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一致冷器上实现致冷或加热,这个效果的产生就是通过热电的原理。 半导体致冷器是利用半导体材料的珀尔帖效应制成的。所谓珀尔帖效应，是指当直流电流通过两种半导体材料组成的电偶时，其一端吸热，一端放热的现象。重掺杂的Ｎ型和Ｐ型的碲化铋主要用作ＴＥＣ的半导体材料，碲化铋元件采用电串联，并且是并行发热。ＴＥＣ包括一些Ｐ型和Ｎ型对（组），它们通过电极连在一起，并且夹在两个陶瓷电极之间；ＴＥＣ组件每一侧的陶瓷电极的作用是防止由ＴＥＣ电路引起的激光器管芯的短路；ＴＥＣ的控制温度可达３０℃－４０℃，当有电流从ＴＥＣ流过时，电流产生的热量会从ＴＥＣ的一侧传到另一侧，在ＴＥＣ上产生&Prime 热&Prime 侧和&Prime 冷&Prime 侧，这就是ＴＥＣ的加热与致冷原理。是致冷还是加热，以及致冷、加热的速率，由通过它的电流方向和大小来决定。在实际应用中，ＴＥＣ通常安装在热沉和组件外壳之间。其冷侧与激光器芯接触，起到致冷作用，它的热侧与散热片接触，把热量散到外部去，这也只是一种最普遍的情况。在对激光器工作温度的稳定性要求较高的场所，一般都采用双向温控，即在常温和高温时对激光器制冷，在低温环境中则制热；半导体致冷器在电流方向逆转时，原来的冷端和热端的位置就互换；则贴近激光器芯的一则就变成了热端，对激光器芯加热。
    供应商： 天津市瑞普电子仪器公司
    品牌： 瑞普
    价格： 面议
  • 半导体激光器电源
    ?这款高功率半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源是专业为高功率激光二极管或DPSSL而设计的激光二极管电源。半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源可提供高达10A的电流，并具有Peltier半导体制冷的控制功能，紧凑设计，具有广阔的通用性。半导体激光器电源并提供LD保护功能，使得电流缓慢上升 （软启动功能），具有限制电流，限制温度以及过热保护的功能。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源电源参数Laser diode current source current range0.4 to 10 ALaser diode current increment/decrement step0.004 ALaser diode voltage limit range1.5 to 3 VLaser diode voltage limit increment/decrement step0.001 VNTC (termoresistor) value @25degC10 kOhmTEC driver current (each channel)up to 4 AExternal power supply voltage100-240 V AC to +5 V DCInternal pulse generator frequencies (effective only on ALTx10A-2TEC-LCD-Modulation (OEM version))single shot - 1kHz - 2kHz - 5kHz - 10kHz, other upon requestDimensions126.7mm x 51mm x 18.5mm*******************************************************************LD current modulationAs optional accessoryModulation frequencyfrom Single Shot to 500kHzCurrent Rise/Fall timeExternal TTL trigger signal0-5 V
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
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  • TTE系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪研制
    table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0"tbodytrtd width="83" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="538" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="text-align: center line-height: 1.75em "strongTTE/strongstrong系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪 /strong/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="538" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "北京工业大学新型半导体器件可靠性物理实验室/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="167"p style="line-height: 1.75em "冯士维/p/tdtd width="161"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="187"p style="line-height: 1.75em "shwfeng@bjut.edu.cn/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="535" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "□正在研发 □已有样机 □通过小试 □通过中试 √可以量产/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="535" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "□技术转让 √技术入股 √合作开发 √其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all " align="center" valign="top"p style="line-height: 1.75em "strong成果简介： /strong/pp style="text-align:center"strongimg src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/017b0e04-691a-4c5a-826e-5879aa1d7a7a.jpg" title="1.jpg.png"//strong/pp style="line-height: 1.75em "TTE-400 LED灯具模组热阻测试仪 br//pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201607/insimg/1a6e4129-15a9-479d-84c9-cb11df28231c.jpg" title="54c453eb-3470-4a19-9f93-e8a1b5170517.jpg" width="400" height="203" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 203px "//pp TTE-500 多通道瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/06a37914-c0ba-48cf-9bb6-d25fdea82661.jpg" title="3.png" width="400" height="146" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 146px "//pp TTE-LD100 激光器用瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/887237ea-942e-46c5-8591-1dea99e6c712.jpg" title="4.png" width="400" height="143" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 143px "//ppTTE-M100 功率器件用瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/aded4b1e-7f39-41c2-9e79-8177484f76d7.jpg" title="5.png" width="400" height="185" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 185px "//pp TTE-H100 HEMT用瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/d45a2e5c-776e-4e71-9412-67d87c17f875.jpg" title="6.png"//ppTTE-S200 LED热特性快速筛选仪/pp style="line-height: 1.75em text-indent: 0em " TTE系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪是用于半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热器、热管等）的先进热特性分析仪，依据国际JEDEC51的瞬态热测试方法，能够实时采集器件瞬态温度响应曲线（包括升温曲线与降温曲线），采样间隔高达1微秒，结温分辨率高达0.01℃。利用结构函数算法能方便快捷地测得器件热传导路径上每层结构的热学性能，构建等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性研究和测试的强大支持工具，具有精确、无损伤、测试便捷、测试成本低等优点。该成果已在公司和科研院所等20多家单位应用，并可定制化生产。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "strong应用前景： /strongbr/ 本产品已投入市场应用五年时间，产品型号在不断丰富以适应庞大的市场需求，技术指标国内领先地位，可替代国外同类产品，拥有独立的自主知识产权。 br/ 应用范围：功率半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热系统、热管等）结温热阻无损测量和流水线快速筛选。 br/ 应用情况：国内已有20多家客户的生产线或实验室使用本产品，包括军工单位、芯片厂商、封装厂商、高等院校、高科技制造企业。成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。 br/ 预计国内市场年需求量在500台，市场规模约5亿元。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "strong知识产权及项目获奖情况： /strongbr/ 拥有核心技术，国家发明专利24项，获中国发明博览会金奖1项。 br/ （1）专利名称：一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置（申请号：201410266126.3）； br/ （2）专利名称：一种LED灯具热阻构成测试装置和方法（申请号：201310000861.5）； br/ （3）专利名称：功率半导体LED热阻快速批量筛选装置（申请号：201120249012.X）。/p/td/tr/tbody/tablepbr//p
    时间： 2016-04-15
    作者： 产研-星羽
  • 十五种分析仪器助力半导体工艺检测
    p style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。/span/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体工艺检测的项目繁多，内容广泛，方法多种多样，可粗分为两类。第一类是半导体晶片在经历每步工艺加工前后或加工过程中进行的检测，也就是半导体器件和集成电路的半成品或成品的检测。第二类是对半导体单晶片以外的原材料、辅助材料、生产环境、工艺设备、工具、掩模版和其他工艺条件所进行的检测。第一类工艺检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "工艺检测的目的不只是搜集数据，更重要的是要把不断产生的大量检测数据及时整理分析，不断揭示生产过程中存在的问题，向工艺控制反馈，使之不致偏离正常的控制条件。因而对大量检测数据的科学管理，保证其能够得到准确和及时的处理，是半导体工艺检测中的一项重要关键。同时半导体检测也涉及大量的科学仪器，针对于此，对一些半导体检测的仪器进行介绍。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/537.html" target="_self"椭偏仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "目前，椭偏仪是测量透明、半透明薄膜厚度的主流方法，它采用偏振光源发射激光，当光在样本中发生反射时，会产生椭圆的偏振。椭偏仪通过测量反射得到的椭圆偏振，并结合已知的输入值精确计算出薄膜的厚度，是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术。在晶圆加工中的注入、刻蚀和平坦化等一些需要实时测试的加工步骤内，椭偏仪可以直接被集成到工艺设备上，以此确定工艺中膜厚的加工终点。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1677.html" target="_self"span style="text-indent: 2em "四探针测试仪/span/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能很高。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现良好接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻很高，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "薄膜应力测试仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单高效，适合常规Fab制程中进行快速QC，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "热波系统/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "热播系统主要用来测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片上同一点的两束激光在硅片表面反射率的变化量来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统内，一束激光通过氩气激光器产生加热的波使硅片表面温度升高，热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化，这一变化量正比于硅片中由杂质粒子注入而产生的晶体缺陷点的数目。由此，测量杂质粒子浓度的热波信号探测器可以将晶格缺陷的数目与掺杂浓度等注入条件联系起来，描述离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ECV设备/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "少子寿命测试仪/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。少子寿命测试仪可以直接获得长硅的质量参数。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/34.html" target="_self"拉曼光谱/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息并应用于分子结构研究的一种分析方法。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。半导体材料研究中，拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布，可测出半磁半导体的组分，外延层的质量，外延层混品的组分载流子浓度。span style="text-indent: 2em " /span/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/31.html" target="_self"红外光谱仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源，单色器，探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同，分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言，当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱法操作简单，不破坏样品，使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况，直接反映了半导体的许多性质，如确定红外透过率和结晶缺陷，监控外延工艺气体组分分布，测载流子浓度，测半导体薄层厚度和衬底表面质量。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "二次粒子质谱/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能，将样品表面原子溅出，由质谱仪测定二次粒子质量，根据质谱峰位的质量数，可以确定二次离子所属的元素和化合物，从而可精确测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "利用二次离子质谱对掺杂元素的极高灵敏度的特点，对样品的注入条件进行分析，在生产中可以进行离子注入机台的校验，并确定新机台的可以投入生产。同时，二次离子质谱对于CVD沉积工艺的质量监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有不可替代的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助CVD工程师进行生长条件的调节，确定最佳沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解，保证芯片的有源区的洁净生长，对器件的电性质量及可靠性起到至关重要的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的深度分布，来保证器件的电学性能达到设计要求。可以帮助LTD进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪以X射线为激发源。辐射固体表面或气体分子，将原子内壳层电子激发电离成光电子，通过分析样品发射出来的具有特征能量的光电子，进而分析样品的表面元素种类、化学状态和电荷分布等信息，是一种无损表面分析技术。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "这种技术分析范围较宽，原则上可以分析除氢以外的所有元素，但分析深度较浅，大约在25~100 Å 范围，不过其绝对灵敏度高，测量精度可达10 nm左右，主要用于分析表面元素组成和化学状态，原子周围的电子密度，特别是原子价态及表面原子电子云和能级结构。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线衍射/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有X射线衍射分析相同数量级，故由不同原子散射的X射线相互干涉，在某些特殊方向上产生强X射线衍射，衍射线在空间分布的方位和强度，与晶体结构密切相关，每种晶体所产生的衍射花样都反映出该晶体内部的原子分配规律。这就是X射线衍射的基本原理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体制造中的大部分材料是多晶材料，比如互连线和接触孔。XRD能够将多晶材料的一系列特性量化。这其中最重要的特性包括多晶相(镍单硅化物，镍二硅化物)，平均晶粒大小，晶体织构，残余应力。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光光谱/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量E≤Eg（能隙）的特征荧光谱。CL谱是一种无损的分析方法，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体量子肼、量子线、量子点等纳米结构的发光性能的研究。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1016.html" target="_self"轮廓仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "而利用先进的3D轮廓仪可以实现对硅晶圆的粗糙度检测、晶圆IC的轮廓检测、晶圆IC减薄后的粗糙度检测。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em font-size: 16px "AOI （自动光学检测）/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "AOI的中文全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是新兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "运用高速高精度视觉处理技术自动检测PCB板上各种不同贴装错误及焊接缺陷。PCB板的范围可从细间距高密度板到低密度大尺寸板，并可提供在线检测方案，以提高生产效率，及焊接质量。通过使用AOI作为减少缺陷的工具，在装配工艺过程的早期查找和消除错误，以实现良好的过程控制。早期发现缺陷将避免将坏板送到随后的装配阶段，AOI将减少修理成本将避免报废不可修理的电路板。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ATE测试机/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "广义上的IC测试设备我们都称为ATE（AutomaticTest Equipment），一般由大量的测试机能集合在一起，由电脑控制来测试半导体芯片的功能性，这里面包含了软件和硬件的结合。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要考虑的最多的，还是电子部分的参数比如，时间，相位，电压电流，等等基本的物理参数。就是电子学所说的，信号处理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "此外，原子力显微镜、俄歇电子能谱、电感耦合等离子体质谱仪、X光荧光分析、气相色谱等都可以用于半导体检测。而随着半导体制程工艺的进步，工艺过程中微小的沾污、晶格缺陷等都可能导致电路的失效等，半导体的工艺检测也凸显的越来越重要。/p
    时间： 2020-10-23
    作者： KPC
  • 材料变温电阻特性测试仪
    成果名称材料变温电阻特性测试仪(EL RT-800)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介：本仪器专门为材料电阻特性变温测试而设计，采用专用高精度电阻和温度测量仪以及四端测量法减小接触电阻对测量的影响从而提高测量精度，样品采用氮气保护可连续测量-100℃~500 ℃条件下样品电阻随温度的变化。采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，能极大方便用户的使用。主要技术参数:一、信号源模式：大电流模式；小电流模式；脉冲电流模式。二、电阻测量范围: 1&mu &Omega ~3M&Omega 。三、电阻测量精度: ± 0.1％FS。四、变温范围：液氮温度~900 ℃。五、温度测量精度：热电阻0.1%± 0.1℃；热电偶0.5%± 0.5℃。 六、供电电源：220 VAC。七、额定功率：500W。八、数据采集软件在Windows XP、Windows 7操作系统均兼容。应用前景：本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。知识产权及项目获奖情况：本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。
    时间： 2015-04-03
    作者： 秦丽娟
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