半导体测试仪电流测量原理

table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0"tbodytrtd width="83" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="538" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="text-align: center line-height: 1.75em "strongTTE/strongstrong系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪 /strong/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="538" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "北京工业大学新型半导体器件可靠性物理实验室/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="167"p style="line-height: 1.75em "冯士维/p/tdtd width="161"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="187"p style="line-height: 1.75em "shwfeng@bjut.edu.cn/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="535" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "□正在研发 □已有样机 □通过小试 □通过中试 √可以量产/p/td/trtrtd width="91"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="535" colspan="3" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "□技术转让 √技术入股 √合作开发 √其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all " align="center" valign="top"p style="line-height: 1.75em "strong成果简介： /strong/pp style="text-align:center"strongimg src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/017b0e04-691a-4c5a-826e-5879aa1d7a7a.jpg" title="1.jpg.png"//strong/pp style="line-height: 1.75em "TTE-400 LED灯具模组热阻测试仪 br//pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201607/insimg/1a6e4129-15a9-479d-84c9-cb11df28231c.jpg" title="54c453eb-3470-4a19-9f93-e8a1b5170517.jpg" width="400" height="203" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 203px "//pp TTE-500 多通道瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/06a37914-c0ba-48cf-9bb6-d25fdea82661.jpg" title="3.png" width="400" height="146" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 146px "//pp TTE-LD100 激光器用瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/887237ea-942e-46c5-8591-1dea99e6c712.jpg" title="4.png" width="400" height="143" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 143px "//ppTTE-M100 功率器件用瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/aded4b1e-7f39-41c2-9e79-8177484f76d7.jpg" title="5.png" width="400" height="185" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 185px "//pp TTE-H100 HEMT用瞬态热阻分析仪/pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/d45a2e5c-776e-4e71-9412-67d87c17f875.jpg" title="6.png"//ppTTE-S200 LED热特性快速筛选仪/pp style="line-height: 1.75em text-indent: 0em " TTE系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪是用于半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热器、热管等）的先进热特性分析仪，依据国际JEDEC51的瞬态热测试方法，能够实时采集器件瞬态温度响应曲线（包括升温曲线与降温曲线），采样间隔高达1微秒，结温分辨率高达0.01℃。利用结构函数算法能方便快捷地测得器件热传导路径上每层结构的热学性能，构建等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性研究和测试的强大支持工具，具有精确、无损伤、测试便捷、测试成本低等优点。该成果已在公司和科研院所等20多家单位应用，并可定制化生产。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "strong应用前景： /strongbr/ 本产品已投入市场应用五年时间，产品型号在不断丰富以适应庞大的市场需求，技术指标国内领先地位，可替代国外同类产品，拥有独立的自主知识产权。 br/ 应用范围：功率半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热系统、热管等）结温热阻无损测量和流水线快速筛选。 br/ 应用情况：国内已有20多家客户的生产线或实验室使用本产品，包括军工单位、芯片厂商、封装厂商、高等院校、高科技制造企业。成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。 br/ 预计国内市场年需求量在500台，市场规模约5亿元。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4" style="word-break: break-all "p style="line-height: 1.75em "strong知识产权及项目获奖情况： /strongbr/ 拥有核心技术，国家发明专利24项，获中国发明博览会金奖1项。 br/ （1）专利名称：一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置（申请号：201410266126.3）； br/ （2）专利名称：一种LED灯具热阻构成测试装置和方法（申请号：201310000861.5）； br/ （3）专利名称：功率半导体LED热阻快速批量筛选装置（申请号：201120249012.X）。/p/td/tr/tbody/tablepbr//p

p style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。/span/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体工艺检测的项目繁多，内容广泛，方法多种多样，可粗分为两类。第一类是半导体晶片在经历每步工艺加工前后或加工过程中进行的检测，也就是半导体器件和集成电路的半成品或成品的检测。第二类是对半导体单晶片以外的原材料、辅助材料、生产环境、工艺设备、工具、掩模版和其他工艺条件所进行的检测。第一类工艺检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "工艺检测的目的不只是搜集数据，更重要的是要把不断产生的大量检测数据及时整理分析，不断揭示生产过程中存在的问题，向工艺控制反馈，使之不致偏离正常的控制条件。因而对大量检测数据的科学管理，保证其能够得到准确和及时的处理，是半导体工艺检测中的一项重要关键。同时半导体检测也涉及大量的科学仪器，针对于此，对一些半导体检测的仪器进行介绍。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/537.html" target="_self"椭偏仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "目前，椭偏仪是测量透明、半透明薄膜厚度的主流方法，它采用偏振光源发射激光，当光在样本中发生反射时，会产生椭圆的偏振。椭偏仪通过测量反射得到的椭圆偏振，并结合已知的输入值精确计算出薄膜的厚度，是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术。在晶圆加工中的注入、刻蚀和平坦化等一些需要实时测试的加工步骤内，椭偏仪可以直接被集成到工艺设备上，以此确定工艺中膜厚的加工终点。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1677.html" target="_self"span style="text-indent: 2em "四探针测试仪/span/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能很高。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现良好接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻很高，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "薄膜应力测试仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单高效，适合常规Fab制程中进行快速QC，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "热波系统/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "热播系统主要用来测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片上同一点的两束激光在硅片表面反射率的变化量来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统内，一束激光通过氩气激光器产生加热的波使硅片表面温度升高，热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化，这一变化量正比于硅片中由杂质粒子注入而产生的晶体缺陷点的数目。由此，测量杂质粒子浓度的热波信号探测器可以将晶格缺陷的数目与掺杂浓度等注入条件联系起来，描述离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ECV设备/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "少子寿命测试仪/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。少子寿命测试仪可以直接获得长硅的质量参数。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/34.html" target="_self"拉曼光谱/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息并应用于分子结构研究的一种分析方法。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。半导体材料研究中，拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布，可测出半磁半导体的组分，外延层的质量，外延层混品的组分载流子浓度。span style="text-indent: 2em " /span/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/31.html" target="_self"红外光谱仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源，单色器，探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同，分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言，当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱法操作简单，不破坏样品，使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况，直接反映了半导体的许多性质，如确定红外透过率和结晶缺陷，监控外延工艺气体组分分布，测载流子浓度，测半导体薄层厚度和衬底表面质量。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "二次粒子质谱/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能，将样品表面原子溅出，由质谱仪测定二次粒子质量，根据质谱峰位的质量数，可以确定二次离子所属的元素和化合物，从而可精确测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "利用二次离子质谱对掺杂元素的极高灵敏度的特点，对样品的注入条件进行分析，在生产中可以进行离子注入机台的校验，并确定新机台的可以投入生产。同时，二次离子质谱对于CVD沉积工艺的质量监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有不可替代的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助CVD工程师进行生长条件的调节，确定最佳沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解，保证芯片的有源区的洁净生长，对器件的电性质量及可靠性起到至关重要的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的深度分布，来保证器件的电学性能达到设计要求。可以帮助LTD进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪以X射线为激发源。辐射固体表面或气体分子，将原子内壳层电子激发电离成光电子，通过分析样品发射出来的具有特征能量的光电子，进而分析样品的表面元素种类、化学状态和电荷分布等信息，是一种无损表面分析技术。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "这种技术分析范围较宽，原则上可以分析除氢以外的所有元素，但分析深度较浅，大约在25~100 Å 范围，不过其绝对灵敏度高，测量精度可达10 nm左右，主要用于分析表面元素组成和化学状态，原子周围的电子密度，特别是原子价态及表面原子电子云和能级结构。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线衍射/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有X射线衍射分析相同数量级，故由不同原子散射的X射线相互干涉，在某些特殊方向上产生强X射线衍射，衍射线在空间分布的方位和强度，与晶体结构密切相关，每种晶体所产生的衍射花样都反映出该晶体内部的原子分配规律。这就是X射线衍射的基本原理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体制造中的大部分材料是多晶材料，比如互连线和接触孔。XRD能够将多晶材料的一系列特性量化。这其中最重要的特性包括多晶相(镍单硅化物，镍二硅化物)，平均晶粒大小，晶体织构，残余应力。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光光谱/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量E≤Eg（能隙）的特征荧光谱。CL谱是一种无损的分析方法，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体量子肼、量子线、量子点等纳米结构的发光性能的研究。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1016.html" target="_self"轮廓仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "而利用先进的3D轮廓仪可以实现对硅晶圆的粗糙度检测、晶圆IC的轮廓检测、晶圆IC减薄后的粗糙度检测。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em font-size: 16px "AOI （自动光学检测）/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "AOI的中文全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是新兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "运用高速高精度视觉处理技术自动检测PCB板上各种不同贴装错误及焊接缺陷。PCB板的范围可从细间距高密度板到低密度大尺寸板，并可提供在线检测方案，以提高生产效率，及焊接质量。通过使用AOI作为减少缺陷的工具，在装配工艺过程的早期查找和消除错误，以实现良好的过程控制。早期发现缺陷将避免将坏板送到随后的装配阶段，AOI将减少修理成本将避免报废不可修理的电路板。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ATE测试机/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "广义上的IC测试设备我们都称为ATE（AutomaticTest Equipment），一般由大量的测试机能集合在一起，由电脑控制来测试半导体芯片的功能性，这里面包含了软件和硬件的结合。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要考虑的最多的，还是电子部分的参数比如，时间，相位，电压电流，等等基本的物理参数。就是电子学所说的，信号处理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "此外，原子力显微镜、俄歇电子能谱、电感耦合等离子体质谱仪、X光荧光分析、气相色谱等都可以用于半导体检测。而随着半导体制程工艺的进步，工艺过程中微小的沾污、晶格缺陷等都可能导致电路的失效等，半导体的工艺检测也凸显的越来越重要。/p

成果名称材料变温电阻特性测试仪(EL RT-800)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介：本仪器专门为材料电阻特性变温测试而设计，采用专用高精度电阻和温度测量仪以及四端测量法减小接触电阻对测量的影响从而提高测量精度，样品采用氮气保护可连续测量-100℃~500 ℃条件下样品电阻随温度的变化。采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，能极大方便用户的使用。主要技术参数:一、信号源模式：大电流模式；小电流模式；脉冲电流模式。二、电阻测量范围: 1&mu &Omega ~3M&Omega 。三、电阻测量精度: ± 0.1％FS。四、变温范围：液氮温度~900 ℃。五、温度测量精度：热电阻0.1%± 0.1℃；热电偶0.5%± 0.5℃。 六、供电电源：220 VAC。七、额定功率：500W。八、数据采集软件在Windows XP、Windows 7操作系统均兼容。应用前景：本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。知识产权及项目获奖情况：本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

近日，国家标准化管理委员会下达2020年第四批推荐性国家标准计划。本批计划共计524项，其中制定340项、修订184项，推荐性标准517项，指导性技术文件7项。本批524项国家标准计划中，涉及颗粒测试与无损检测仪器，以及试验机等物性测试仪器；色谱、质谱、光谱等多种分析仪器；汽车、半导体与集成电路、增材制造等行业。小编按分类整理如下：颗粒测试序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位3220204663-T-491微细气泡技术 微细气泡使用和测量通则 第1 部分：术语推荐制定ISO 20480-1:201718全国微细气泡技术标准化技术委员会中国科学院过程工程研究所等25220204883-T-469颗粒 激光衍射粒度分析仪 通用技术要求推荐制定24全国颗粒表征与分检及筛网标准化技术委员会中国计量科学研究院等37120205002-Z-469Zeta 电位测量操作指导原则指导制定ISO/TR 19997:201812全国颗粒表征与分检及筛网标准化技术委员会上海第二工业大学、山东理工大学等41520205046-T-606离子交换树脂粒度、有效粒径和均一系数的测定推荐修订GB/T 5758-200118全国塑料标准化技术委员会江苏苏青水处理工程集团有限公司、西安热工研究院有限公司无损检测仪器序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位5220204683-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检测 第3 部分：组合系统推荐制定ISO 18563-3:201518全国试验机标准化技术委员会汕头市超声仪器研究所有限公司、广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司5320204684-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检验 第2 部分：探头推荐制定ISO 18563-2:201718全国试验机标准化技术委员会广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司、汕头市超声仪器研究所有限公司5420204685-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检验 第1 部分：仪器推荐制定ISO 18563-1:201518全国试验机标准化技术委员会广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司、汕头市超声仪器研究所有限公司24820204879-T-469铸钢件 超声检测 第2部分：高承压铸钢件推荐修订GB/T7233.2-2010ISO 4992-2:202018全国铸造标准化技术委员会沈阳铸造研究所有限公司24920204880-T-469铸钢件 超声检测 第1部分：一般用途铸钢件推荐修订GB/T7233.1-2009ISO 4992-1:202018全国铸造标准化技术委员会沈阳铸造研究所有限公司30020204931-Z-469无损检测 自动超声检测总则指导制定ISO/TS 16829:201718全国无损检测标准化技术委员会武汉中科创新技术股份有限公司、上海材料研究所等30220204933-T-469筒形锻件内表面超声波检测方法推荐修订GB/T 22131-200818全国锻压标准化技术委员会北京机电研究所有限公司、二重（德阳）重型装备公司等试验机测试方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位13720204768-T-605金属材料 蠕变及蠕变-疲劳裂纹扩展速率测定方法推荐制定24全国钢标准化技术委员会华东理工大学、钢研纳克检测技术股份有限公司等13820204769-T-605金属材料 疲劳试验 应变控制拉-扭热机械疲劳试验方法推荐制定24全国钢标准化技术委员会北京工业大学等20220204833-T-610铝合金断裂韧度试验方法推荐制定24全国有色金属标准化技术委员会西南铝业（集团）有限责任公司、国标（北京）检验认证有限公司等分析仪器检测方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位3420204665-T-491纳米技术 表面增强拉曼固相基片均匀性测定 拉曼成像法推荐制定24全国纳米技术标准化技术委员会苏州天际创新纳米技术有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州大学等14820204779-T-605石墨材料 当量硼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法推荐制定24全国钢标准化技术委员会中钢集团新型材料（浙江）有限公司、冶金工业信息标准研究院等14920204780-T-605石灰石及白云石化学分析方法 第12部分：氧化钾和氧化钠含量的测定 火焰原子吸收光谱法推荐制定24全国钢标准化技术委员会鞍钢股份有限公司15020204781-T-605钨铁钴、镍、铝含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法推荐制定24全国生铁及铁合金标准化技术委员会江西省钨与稀土产品质量监督检验中心、赣州江钨钨合金有限责任公司等15120204782-T-605锰铁、锰硅合金、氮化锰铁和金属锰 锰、硅、磷和铁含量的测定 波长色散X 射线荧光光谱法(熔铸玻璃片法)推荐制定24全国生铁及铁合金标准化技术委员会广东韶钢松山股份有限公司、武汉科技大学、冶金工业信息标准研究院15420204785-Z-605铁矿石 波长色散X 射线荧光光谱仪 精度的测定指导制定ISO/TR 18231:201618全国铁矿石与直接还原铁标准化技术委员会广州海关技术中心18720204818-T-609玻璃纤维及原料化学元素分析方法 电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）法推荐制定24全国玻璃纤维标准化技术委员会南京玻璃纤维研究设计院有限公司18820204819-T-609玻璃纤维及原料化学元素的测定 X 射线荧光光谱法推荐制定24全国玻璃纤维标准化技术委员会南京玻璃纤维研究设计院有限公司35620204987-T-469金矿石化学分析方法 第15 部分：铜、铅、锌、银、铁、锰、镍、钴、铝、铬、镉、锑、铋、砷、汞、硒、钡和铍含量的测定 电感耦合等离子体质谱法推荐制定24全国黄金标准化技术委员会紫金矿业集团股份有限公司、长春黄金研究院有限公司等37920205010-T-607化妆品中功效组分虾青素的测定 高效液相色谱法推荐制定24全国香料香精化妆品标准化技术委员会北京市产品质量监督检验院39320205024-T-607皮革 化学试验 热老化条件下六价铬含量的测定推荐制定ISO 10195:201818全国皮革工业标准化技术委员会嘉兴市皮毛和制鞋工业研究所、中轻检验认证有限公司41420205045-T-606水处理剂分析方法 第1部分：磷含量的测定推荐制定24全国化学标准化技术委员会中国石油天然气股份有限公司乌鲁木齐石化分公司等47720205108-T-326土壤质量 土壤中22 种元素的测定 酸溶-电感耦合等离子体质谱法推荐制定18全国土壤质量标准化技术委员会中国科学院南京土壤研究所、中国环境科学研究院等48020205111-T-334珠宝玉石鉴定 红外光谱法推荐制定24全国珠宝玉石标准化技术委员会国家黄金钻石制品质量监督检验中心、国家珠宝玉石质量监督检验中心等48120205112-T-334珠宝玉石鉴定 紫外可见吸收光谱法推荐制定全国珠宝玉石标准化技术委员会自然资源部珠宝玉石首饰管理中心（国家珠宝玉石质量监督检验中心）汽车试验方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位48920205120-T-339道路车辆 安全玻璃材料电加热玻璃试验方法推荐制定ISO 17449:201518全国汽车标准化技术委员会中国建材检验认证集团股份有限公司、福耀玻璃工业集团股份有限公司等49120205122-T-339汽车通过性试验方法推荐修订GB/T 12541-199018全国汽车标准化技术委员会中国人民解放军63969 部队、中国汽车研究中心有限公司等49320205124-T-339汽车列车性能要求及试验方法推荐修订GB/T 26778-201118全国汽车标准化技术委员会中国汽车技术研究中心有限公司、交通运输部公路科学研究院等49420205125-T-339乘用车后部交通穿行提示系统性能要求及试验方法推荐制定24全国汽车标准化技术委员会中国第一汽车股份有限公司、中国汽车技术研究中心有限公司等49520205126-T-339乘用车车门开启预警系统性能要求及试验方法推荐制定24全国汽车标准化技术委员会吉利汽车研究院有限公司、中国汽车技术研究中心有限公司半导体与集成电路序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位20620204837-T-610半导体封装用键合金及金合金丝推荐修订GB/T 8750-201418全国有色金属标准化技术委员会北京达博有色金属焊料有限责任公司20820204839-T-339集成电路 电磁抗扰度测量 第4部分：射频功率直接注入法推荐制定IEC 62132-4:200618全国半导体器件标准化技术委员会中国电子技术标准化研究院、北京智芯微电子科技有限公司等20920204840-T-339静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级推荐制定IEC 62615:201018全国半导体器件标准化技术委员会苏州泰思特电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院等21020204841-T-339集成电路 电磁发射测量第4部分：传导发射测量1Ω/150Ω直接耦合法推荐制定IEC 61967-4:200618全国半导体器件标准化技术委员会中国电子技术标准化研究院、北京智芯微电子科技有限公司等21520204846-T-339半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：使用加速度计进行板级跌落试验方法推荐制定IEC 60749-37:200818全国半导体器件标准化技术委员会中国电子科技集团公司第十三研究所等21620204847-T-339半导体器件 机械和气候试验方法 第40部分：采用应变仪的板级跌落试验方法推荐制定IEC 60749-40:201118全国半导体器件标准化技术委员会中国电子科技集团公司第十三研究所等26020204891-T-469硅片表面光泽度的测试方法推荐制定24全国半导体设备和材料标准化技术委员会浙江金瑞泓科技股份有限公司、天津中环领先材料技术有限公司等26120204892-T-469半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法推荐制定24全国半导体设备和材料标准化技术委员会中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等34020204971-T-469半导体器件 微机电器件第20部分：陀螺仪推荐制定IEC 62047-20:201418全国微机电技术标准化技术委员会苏州市质量和标准化院等34120204972-T-469硅基MEMS制造技术 微结构弯曲强度检测方法推荐制定24全国微机电技术标准化技术委员会北京大学等34220204973-T-469硅基MEMS制造技术 纳米厚度膜抗拉强度检测方法推荐制定24全国微机电技术标准化技术委员会北京大学等34320204974-T-469硅基MEMS制造技术 纳尺度结构冲击实验方法推荐制定24全国微机电技术标准化技术委员会北京大学等34420204975-T-469半导体器件 微机电器件第26部分：微沟槽和针结构的描述和测量方法推荐制定IEC 62047-26:201618全国微机电技术标准化技术委员会苏州市质量和标准化院等增材制造序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位7520204706-T-604增材制造 工艺参数库构建规范推荐制定24全国增材制造标准化技术委员会南京理工大学、中机生产力促进中心等7620204707-T-604增材制造 定向能量沉积-铣削复合增材制造工艺规范推荐制定24全国增材制造标准化技术委员会华南理工大学、中机生产力促进中心等7720204708-T-604增材制造 材料挤出成形用丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（ABS）丝材推荐制定24全国增材制造标准化技术委员会华中科技大学、中机生产力促进中心等7820204709-T-604增材制造 激光定向能量沉积用钛及钛合金粉末推荐制定24全国增材制造标准化技术委员会上海材料研究所、国合通用测试评价认证股份有限公司等20420204835-T-610增材制造用高熵合金粉推荐制定24全国有色金属标准化技术委员会江苏威拉里新材料科技有限公司、中国科学院兰州化学物理研究所

前道量检测根据测试目的可以细分为量测和检测。量测主要是对芯片的薄膜厚度、关键尺寸、套准精度等制成尺寸和膜应力、掺杂浓度等材料性质进行测量，以确保其符合参数设计要求；而检测主要用于识别并定位产品表面存在的杂质颗粒沾污、机械划伤、晶圆图案缺陷等问题。广义上的半导体检测设备，分为前道量测（又称半导体量测设备）和后道测试（又称半导体测试设备）。前道量检测主要用于晶圆加工环节，目的是检查每一步制造工艺后晶圆产品的加工参数是否达到设计的要求或者存在影响良率的缺陷，属于物理性的检测。仪器信息网近期特对一年内半导体前道检测用光学显微镜、聚焦离子束、电子显微镜、四探针和椭偏仪的中标讯息整理分析，供广大仪器用户参考。（注：本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台，不完全统计分析仅供读者参考。）各月中标量占比2019年10月至2020年9月，根据统计数据，检测设备的总中标数量为142台。2019年10月至2020年1月，平均中标量约15台每月。2020年2月，由于疫情影响，半导体量测仪器市场低迷。从2020年3月起，随着国内疫情稳定以及企业复产复工和高校复学的逐步推进，光刻设备市场逐渐回暖，其中9月产品中标量高达21台。招标单位地区分布本次盘点，招标单位地区分布共涉及25个省份、自治区及直辖市。其中，广东省采购量最多，达33台，远超其他地区。在广东省的采购中，以光学显微镜和四探针设备为主，采购单位多数为高校。采购单位性质分布从光刻设备的招标采购单位来看，高校是采购的主力军，采购量占比高达63%，企业和科研院所的采购量分别占比17%和20%。值得注意的是，企业和科研院所采购检测设备的平均价格较高。这表明，前道检测设备主要用户集中于研发领域。各类检测设备占比从各类前道检测设备占比来看，根据搜集到的中标数据可知，四探针、椭偏仪、电子显微镜和光学显微镜占比分别为32%、25%、22%和18%。这里的光学显微镜包含了金相显微镜和体视显微镜。值得注意的是，企业采购以电子显微镜为主，而高校采购则以四探针为主，科研院所各类设备采购数量差距不大。本次设备中标盘点，涉及椭偏仪品牌有颐光科技、SEMILAB、J.A.Woollam、海瑞克、HORIBA等；四探针品牌有广州四探针、瑞柯、苏州晶格、海瑞克、品鸿科技、海尔帕、普西工业、Napson Corporation、三菱等。其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有：HORIBA UVISEL 研究 级经典型椭偏仪 这款仪器是HORIBA公司20多年技术积累和发展的结晶，是一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型。即使在透明的基底上也能对超薄膜进行精确的测量。采用PEM相位调制技术，与机械旋转部件技术相比，能提供更好的稳定性和信噪比。同时，这款仪器提供多种光谱范围选择，还针对紫外、可见和近红外提供优化的PMT和IGA探测器。 FT-330 系列四 探针测试 仪 FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪是按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准设计。本机配置232电脑接口及USB两种接口，采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确。FT-341 双电测 电四探针 方阻电阻率测试仪 这款仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。同时，仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。点击此处进入【电子显微镜】【聚焦离子束】【四探针测试仪】和【椭偏仪】等专场，获取更多产品信息。更多资讯请扫描下方二维码，关注【材料说】

R&S LCX系列的LCR表能够用于传统的阻抗测量以及针对特定元件类型的专门测量，并提供研发所需的高精度以及生产测试和质量保证所需的高速度。用于高精度阻抗测量的R&S LCX LCR测量仪。 　　罗德与施瓦茨推出的新款高性能通用阻抗测试仪系列能够覆盖广泛的应用领域。R&S LCX支持的频率范围为4Hz至10 MHz，不仅适用于大多数传统家用电源的50或60 Hz频率以及飞机电源的400 Hz频率，还适用于从低频震动传感器到工作在几兆赫的高功率通信电路的所有设备。 　　对于选择合适的电容、电感、电阻和模拟滤波器来匹配设备应用的工程师来说，R&S LCX提供了市场领先的高精度阻抗测量。与此同时，LCX还支持以生产使用精度进行更高速度的质量控制和监控测量。测试方案包含生产环境所需的所有基本软件和硬件，包括远程控制和结果记录，仪器的机架安装，以及用于全系列测试的夹具。 　　R&S LCX使用的自动平衡电桥技术通过测量被测设备的交流电压和电流(包括相移)来支持传统的阻抗测量。然后用该数据来计算任何给定工作点的复阻抗。作为一种通用LCR测量仪，R&S LCX涵盖了许多应用，如测量电解电容和直流连接电容的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。 　　此外，除了全方位的阻抗测量之外，用户还可以测试变压器及测量直流电阻。为了研究元件的阻抗值在不同频率和电平下的变化，选配装置R&S LCX-K106能支持以频率、电压或电流作为扫描参数，进行动态阻抗测量。 　　R&S LCX系列推出两个型号：R&S LCX100的频率范围为4 Hz至300 kHz，R&S LCX200的基本配置频率范围为4 Hz至500 kHz，可选配覆盖高达 10 MHz 所有频率的选件。两种型号均配备出色的测量速度、精度和多种测量功能。包括：配备大型电容式触摸屏和虚拟键盘，支持所有主要测量工作的点击测试操作。 　　用户也可以使用旋钮设置电压、电流和频率值。不常用的功能则可以使用菜单操作。设置、结果和统计数据可以显示在屏幕上，还能导出以便进行自动后处理。用户最多可选择四个测量值并绘制成时间曲线，将最大值和最小值显示在屏幕上，一目了然地进行通过/失败分析。 　　罗德与施瓦茨的子公司Zurich Instruments AG生产的MFIA阻抗分析仪作为R&S LCX的完美补充，能够支持更多材料的阻抗研究。通过MFIA，研究人员可以表征半导体或进行材料研究，范围包括绝缘体、压电材料、陶瓷和复合材料，组织阻抗分析、细胞生长、食品研究、微流体和可穿戴传感器。

7月16日，厦门大学公示了其8月份的仪器设备采购意向，总预算金额9766万元人民币，主要聚焦于半导体领域，涵盖了化学气相沉积系统、封装设备、原子层沉积系统及刻蚀机等关键设备的采购意向。序号采购项目名称采购品目采购需求概况预算金额(万元)预计采购日期1等离子体增强化学气相沉积系统 A02062002电气物理设备等离子体增强化学气相沉积系统主要用于半导体器件制备过程中，高质量氧化硅、氮化硅薄膜的沉积。计划采购1台等离子体增强化学气相沉积系统，该设备可用于开展相对应半导体工艺原理与实操的教学工作，提高学生对相关工艺知识的认知和设备的操作能力，可满足半导体、新材料等专业的研究人员使用，符合相应学科发展需要。165.002024年08月2近 眼显示 测量系统 A02100803光电测量仪器采购1套，用于近眼显示器件的性能测量，必须能够满足出瞳距离、Eye-box、FOV、图像光色特性等近眼显示光学性能的全参数测量。必须为具有自主知识产权的国产设备。供方必须具备完善的售后服务体系。140.002024年08月3低压 力晶圆键合 机 A02062002电气物理设备该设备主要用于晶圆级键合工艺，包括聚合物胶键合、共晶键合、金属键合以及氧化物键合等。同时兼容4英寸、6英寸和8英寸的多尺寸晶圆键合工艺。现拟购置1台低压力的晶圆键合机，此设备购买后可开展相应的教学工作及半导体工艺开发，满足化合物半导体器件应用领域的相关研究人员使用需求。155.002024年08月4磁场辅助大尺度外延生长超导磁体 A02059900其他机械设备磁场可影响生长过程中的粒子运动轨迹，进而实现对生长过程的精细调控。同时，还改变材料的能级结构、自旋状态以及载流子的运动规律，使材料在磁场尤其是强磁场环境下形成较为一致的晶畴或磁畴结构，从而获得高结晶质量或磁特性。计划搭建1套磁场辅助大尺度外延生长超导磁体。此设备可开设相应半导体物理自旋电子学等原理与操作的教学工作，同时可以提升物理、信息、材料、电子等专业研究人员的实验条件和研究水平，还能推动新技术、新应用的探索与发展，为跨学科研究提供强有力的实验支撑和平台，助力多学科交叉创新。400.002024年08月5化合物半导体原位生长及光谱光电多功能表征测试系统 A02052401真空获得设备化合物半导体原位生长及光谱光电多功能表征测试系统主要用于宽禁带半导体氮化物和氧化物等材料超高真空外延生长和性能表征，搭配多样化的原位监测方式，可原位监控外延组分变化和结构完整性。计划搭建1套化合物半导体原位生长及光谱光电多功能表征测试系统，此设备可开设相应半导体物理、半导体材料外延等原理与操作的教学工作，同时可以提升材料、信息、能源等专业研究人员的实验条件和研究水平，为提高我校在物理和材料领域的影响力和地位提供支撑。1095.002024年08月6高精度三维封装倒装焊机 A02050909金属焊接设备高精度三维封装倒装焊机的可用于三维集成、传感器 、MicroLED 等封装工艺中的精准倒装焊接，适用于复杂电子元件的倒装对准焊接需求。计划购置1套高精度三维封装倒装焊机，此设备购买后可开设相应的电子封装倒装技术原理与操作的教学工作，实现微电子、光电子、射频器件、传感器等各个专业的研究人员使用，符合学科发展需要，也可提高学生对微电子先进封装相关知识的认识和培养学生的操作技术，有利于培养学生的多方面能力。510.002024年08月7全自动热原子层沉积系统 A02052402真空应用设备全自动热原子层沉积系统主要用于8吋衬底上进行高精度介质膜如Al2O3、HfO2等的薄膜沉积，可实现高深宽比孔/槽的介质膜沉积，薄膜沉积精度可达原子级别。购置1台全自动热原子层沉积系统。通过精确的沉积控制和自动化功能，能够满足半导体、光电子和能源存储等领域科研人员对高精度介质薄膜沉积的需求，符合学科发展需要。900.002024年08月8非接触式薄层电阻测试仪 A02062002电气物理设备非接触方块电阻测量仪属于非破环性测量手段，可以对半导体外延片的方块电阻进行快速测量，对材料生长制备和产线制程提供直接的反馈和监控。计划购置1台非接触方块电阻测量，该设备此设备购买后可实现6-8英寸MOCVD氮化物材料样品的方阻测试，也可以用作其他半导体材料的测量，满足相关用户的测量需求。100.002024年08月9辉光放电光谱仪 A02062002电气物理设备射频辉光放电光谱仪用于测量氮化物半导体外延片中的元素深度分布，可以提供快速的材料组分和掺杂信息，该设备的元素测量极限可以达到1019/cm3量级，也可以提供纳米级别的深度分辨。购置1台射频辉光放电光谱仪，此设备购买后可开展相应的教学工作及半导体材料研发，满足化合物半导体材料、器件应用领域的相关研究人员使用和培训需求。250.002024年08月10多腔化合物半导体刻蚀机 A02062002电气物理设备多腔化合物半导体刻蚀机主要用于化合物半导体材料的刻蚀，不同腔室用于刻蚀不同化合物半导体材料，可最大限度保证工艺稳定性。购买1台多腔化合物半导体刻蚀机。该设备购买后可用于开展半导体器件制备相关的教学及科研工作，提高学生对刻蚀工艺知识的认知和设备的操作能力，可服务于化合物半导体先进制程的开发，符合相应学科教学及科研工作的发展需要。700.002024年08月11ITO PVD（6/8兼容） A02062002电气物理设备采购的ITO PVD设备是半导体制造领域常用的薄膜沉积方法。可用于高真空下磁控溅射ITO薄膜，该薄膜具有高质量低损伤特性。计划采购1台ITO PVD，此设备购买后可开设相应的测控溅射原理与操作教学工作，实现Micro LED领域、能源化工、新材料、能源科学、化合物半导体等各专业的研究人员使用，符合学科发展需求，有利于培养学生的多方面能力。400.002024年08月12全自动功率器件封装系统 A02062002电气物理设备全自动功率器件封装系统主要用于功率器件的封装，实现固晶、夹焊和回流焊工艺。采购1台全自动功率器件封装系统，该设备购置后可开设先进封装相关教学工作，实现电子科学、新材料、能源等各个专业的研究人员使用，符合学科发展需要，有利于培养学生多方面能力。440.002024年08月13OPtimax反应器 A02100609实验室高压釜OPtimax反应器是光刻胶合成的重要支撑设备，高端光刻胶的配制需苛刻的反应环境，除了洁净等级和黄光，还需要严格的温控和气氛保护以保证最终产品的性能，尤其是精准温控条件的设备，因此需采购1台能够匹配高端光刻胶配制的反应器。OPtimax反应器的恒温低偏差功能可实现配胶过程的精准温控并提供稳定的反应气氛，可以对光刻胶合成提供稳定合成环境。计划购置1台OPtimax反应器用以进行光刻胶配制。120.002024年08月14非标提纯设备 A02100609实验室高压釜光刻胶配制过程需要使用高纯原料，该设备是原料提纯的的重要支撑设备。设备为精馏塔，通过精馏对原料进行提纯，使配胶所需原料达到电子级纯度，从而保证高纯原料应用于光刻胶的配制。计划购置1台非标提纯设备用以进行原料提纯从从而保证光刻胶配制的开展。148.002024年08月1512英寸原子层沉积设备 A02052402真空应用设备12英寸原子层沉积设备主要用于大尺寸衬底上进行高精度金属如Cu、Ru等的薄膜沉积，可实现高深宽比孔/槽的金属薄膜沉积，薄膜沉积精度可达原子级别。计划购置1台12英寸原子层沉积设备。此设备购买后能够在大尺寸衬底上实现高精度、高效率的金属薄膜沉积，同时可开设相应的原子层沉积技术原理与操作的教学工作，符合电子学院整体与学科发展需要，有利于培养学生多方面能力。530.002024年08月16激光诱导蚀刻玻璃成形机 A02180200玻璃及玻璃制品制造设备激光诱导蚀刻玻璃成形机是采用超快激光对玻璃进行定向改质，再经后续化学蚀刻将玻璃的改质通道进行放大形成通孔。可以实现高效率、高精度、高品质玻璃通孔（TGV）制备，TGV广泛应用于医疗器械、射频模块、光电显示等器件制备。拟采购1台激光诱导蚀刻玻璃成形机，购买此设备后可开展TGV制备的相关课程，同时也开放共享给校内外相关领域的科研工作提供技术服务。280.002024年08月17多层线路电子3D打印设备 A02050904增材制造设备电子3D打印设备是一种先进的增材制造设备，主要应用于显示、半导体、新能源锂电等行业，可打印具有电子功能的微纳米级特征结构，适用于微型电路、柔性电路、天线传感器、三维电子等高精度电子组件的加工制造，被视为增材制造领域的下一个前沿。计划购置1台电子3D打印设备，此设备购买后可提升在微纳制造、3D打印等领域的研究能力，用于对微波天线、多层电路、柔性可拉伸电路、MEMS传感器等领域开展研究工作，同时为学生提供接触和使用先进制造技术的机会，丰富教学内容，提升学生的实践能力和创新能力，实现新能源科学、材料科学、微电子等各个专业的研究人员使用，符合学科发展需要。电子3D打印设备需具有高精度的打印能力（最小特征尺寸 1um）、完善的配套微纳墨水体系、友好的人机操作界面以及防呆、安全报警功能。设备供应商需提供稳定可靠的售后服务（1年质保）、设备安装调试及培训服务以及合同签订后设备交付周期需＜4个月。229.002024年08月18高速显微高光谱系统 A02100304光学测试仪器高速显微高光谱系统主要用于获取样品在不同光谱下的高分辨成像和高速时间响应数据，可实现对样品进行精确的光谱、成像和时间等多维信息采集分析。特别适用于微型发光器件（如microLED，OLED）、光电子材料、薄膜光学器件、量子点、纳米光子学等领域的研究。计划购置一台高速显微高光谱系统，此设备购买后可开设相应的高光谱成像原理与操作的教学工作，实现电子科学与技术、光电工程、微电子学、材料科学与工程等各个专业的研究人员使用，符合学科发展需要，也可提高学生对高光谱成像相关知识的认识和培养学生的操作技术，有利于培养学生的多方面能力。141.002024年08月19微波等离子体化学气相沉积系统 A02052402真空应用设备微波等离子体化学气相沉积系统主要用于晶圆级金刚石的生长、多元素掺杂生长及表面活化，解决芯片散热问题。厦门大学计划购置1台微波等离子体化学气相沉积系统，该设备购买后可开设相应的教学工作，实现电子科学、新材料、能源等各个专业的研究人员使用，符合学科发展需要，也可提高学生对微波等离子体相关知识的认识和培养学生的沉积设备操作技术，加强相关人才培养实力。450.002024年08月20常温晶 圆键合 机 A02052402真空应用设备常温晶圆键合机用于进行芯片三维堆叠、MEMS等的常温下晶圆键合，通过离子束轰击后的材料表面活性极高，在超高真空环境下已成功应用于多种半导体材料、金属之间的室温键合，减小键合热应力提高良率及可靠性，解决常规晶圆键合异质集成存在的显著应力及翘曲瓶颈问题。计划购置1套常温晶圆键合机，此设备购买后可开设相应的常温晶圆键合原理与操作的教学工作，实现电子科学与技术、光电工程、微电子学、材料科学与工程等各个专业的研究人员使用，符合学科发展需要，也可提高学生对三维异质集成相关知识的认识和培养学生的操作技术，有利于培养学生的多方面能力。700.002024年08月21晶圆对准机 A02062002电气物理设备晶圆对准机是实现系统微型化和系统更高集成度的关键工艺设备，主要用于实现 2 片分离晶圆的精确对准、堆叠。应用于微电子半导体器件、MEMS 压力传感器、光电器件等晶圆对准。拟采购1台晶圆对准机，实现2个基片或者3个几片的预对准，同时提高键合对准精度，扩展现有设备键合机应用范围。130.002024年08月22半导体分析仪 A02110204半导体器件参数测量仪半导体分析仪主要用于半导体器件电学特性测试，例如功率 MOSFET、二极管、IGBT 等等。在高低压偏置下进行全自动电容测试，以及准确到皮安级以下的电流测量。购置1台半导体分析仪，此设备购买后可开设相应的半导体器件测试原理与操作的教学工作，实现半导体材料与器件等各个专业的研究人员使用。符合学科发展需要，也可提高学生对半导体材料与器件相关知识的认识和培养学生的半导体器件测试技术，有利于培养学生的多方面能力。132.002024年08月23新工科大楼1楼洁净室系统 B01021300科研用房施工新工科大楼1楼洁净室系统，主要为MOCVD提供可靠的电力供应、洁净稳定的环境、安全的尾气处理，是MOCVD正常平稳安全运行必不可少的条件支撑。包括：洁净空间单元；暖通单元；电力电气单元；给排水单元；消防控制单元等。720.002024年08月24新工科 大楼特气供应 系统 B01021300科研用房施工新工科大楼特气供应系统，主要为MOCVD安全提供氢气、氨气、硅烷混氢、氯气等制程生产或辅助用气，是MOCVD安全稳定生产外延片不可或缺的原料供应保障。包括氮气供应系统、氢气供应系统、氨气供应系统、硅烷混氢供应系统、氯气供应系统等、以及辅助系统、配电系统、特种气体泄漏检测系统、气体设备监视控制系统等安全辅助系统。429.002024年08月25文宣楼 1楼洁净实验室改造工程 B01021300科研用房施工文宣楼1楼洁净实验室改造工程含千级洁净室和干房，工程内容包括装修工程、通风空调工程、强电工程、弱电工程、给排水工程、气体工程、消防系统、修缮工程等。502.002024年08月相关资讯：1.9 亿元！中国科学技术大学公示 7 月 -12 月仪器采购意向 超亿元！华中农业大学农业智能装备创新支撑中心项目仪器采购清单公布近亿元大规模设备更新需求：中国海洋大学公布 9 月设备更新仪器采购意向

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗以及化合物半导体，如砷化镓等 也可以通过掺杂硼、磷、锢和锑制成其它化合物半导体。其中硅是最常用的一种半导体材料。　　半导体广泛应用于集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域。半导体领域的科技竞争对于世界各国而言都具有重要的战略意义。仪器信息网特对半导体领域国家重点实验室仪器配置情况进行盘点。　　半导体领域国家重点实验室有哪些?半导体领域国家重点实验室半导体国家重点实验室依托单位实验室主任半导体照明联合创新国家重点实验室半导体照明产业技术创新战略联盟李晋闽半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所王开友高功率半导体激光国家级重点实验室长春理工大学马晓辉电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学李言荣专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学严晓浪集成光电子学国家重点实验室清华大学、吉林大学、中国科学院半导体研究所罗毅硅材料国家重点实验室浙江大学钱国栋　　半导体照明联合创新国家重点实验室　　为培育战略性新兴产业，整合业内技术、人才、信息等资源，实现投入少、回报高、见效快的技术创新模式，提升我国半导体照明产业自主创新能力和速度，在科技部、财政部等六部门联合发布的《关于推动产业技术创新战略联盟构建的指导意见》指导下，根据科技部要求试点联盟积极探索整合资源，构建产业技术创新平台的精神，在基础司和政策法规司的共同推动下，于2012年1月正式批复依托半导体照明产业技术创新战略联盟建设半导体照明联合创新国家重点实验室。　　这是我国第一个依托联盟建立的国家重点实验室，是一个体制机制完全创新的公共研发平台，始终坚持以产业价值为核心价值的理念，以产业技术创新需求为基础，以完善技术创新链为目标，企业以项目资金投入，科研机构、大学和其他社会组织以研发人员和设备的使用权投入，充分利用和整合现有资源，探索形成多种形式的政产学研用协同创新模式，推动建立基础研究、应用研究、成果转化和产业化、先进技术标准研制紧密结合、协调发展机制探索持续性投入机制，逐步形成可持续发展的开放的、国际化的非营利研究实体，成为半导体照明的技术创新中心、人才培养中心、标准研制中心和产业化辐射中心。2013年1月实验室在荷兰设立其海外研发实体机构—“半导体照明联合创新国家重点实验室代尔夫特研究中心”，成为中国首个在海外建立分中心的国家重点实验室。半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置清单半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置五分类血液分析仪制备液相全自动生化分析仪激光共聚焦显微镜液相色谱/三重串联四极杆质谱联用系统分析液相圆二色谱仪LED照明灯具全部光通量在线加速测试设备部分光通量加速寿命在线测试评估系统高温试验箱LFC(LightFluxColor)光度色度测试系统半导体分立器件测试仪微波式打胶机化学清洗工作台感应耦合等离子刻蚀机ICP电子束蒸发台(金属)电子束蒸发台(ITO)电镀台快速合金炉石墨烯生长系统台阶仪激光晶圆划片设备裂片机激光剥离机键合机水平减薄机单面研磨机数控点胶机喷射式点胶机光学镀膜系统超声波金丝球压焊机LED全光功率测试系统LED自动分选机热特性测试设备半导体参数测试仪低温强磁场物性测试系统(EMMS)LED光电综合测试系统LED抗静电测试仪激光纳米粒度及Zeta电位测试仪LED照明产品光电热综合测试高频小信号测试系统紫外LED光谱功率测试系统手动共晶焊贴片机荧光光谱仪(PI)高速自动固晶机自动扩膜机全自动晶圆植球机倒装机高精度快速光谱辐射计近紫外-可见-红外光谱测试系统热电性能分析仪氢化物气相外延荧光光谱仪(PL)X射线衍射仪(XRD)扫描电子显微镜(SEM)手动共晶焊贴片机(UDB-141)激光晶圆划片设备电子束蒸发台(金属)等离子体增强化学气相沉积PECVD光刻机MOCVD数据定时脉冲发生器频谱分析仪光源光色电综合测试系统超声波扫描显微镜漏电流测试仪智能数字式灯头扭矩仪逻辑分析仪　　半导体超晶格国家重点实验室　　半导体超晶格国家重点实验室于1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建，1990年开始对外开放，1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为王开友研究员。实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。　　实验室以研究和探索半导体体系中的新现象和新效应为主要目标，通过对固体半导体中的电子、自旋和光子的调控，探索其在电子/自旋量子信息技术、光电子及光子器件中的潜在应用，从最基础的层面上提升我国电子、光电子、光子信息技术的创新能力，提升我国在半导体研究领域的国际竞争力。实验室先后有5位成长为中国科学院院士、12位成长为国家杰出青年基金获得者。为我国半导体科学技术的跨跃式发展做出重要贡献。　　实验室现有人员中包括研究员26人、高级工程师1人和管理人员1人，其中4位中国科学院院士、9位国家杰出青年基金获得者、3位优秀青年科学基金获得者、1位北京杰出青年基金获得者。　　自成立以来，实验室承担了近百个科技部、基金委和科学院的重大和重点项目，取得了可喜的科研成果，获得国家自然科学奖二等奖5项 黄昆先生获得2001年度国家最高科学技术奖。2004年半导体超晶格国家重点实验室被授予国家重点实验室计划先进集体称号。实验室具有良好的科研氛围、科研设备和环境条件，拥有雄厚的科研积累和奋发向上的科研团队，并多次获得国家自然基金委员会的创新研究群体科学基金。　　实验室每年可接收40名硕士、博士研究生和博士后。现有研究生和博士后100余人。　　*半导体超晶格国家重点实验室仪器配置情况未公布　　高功率半导体激光国家级重点实验室　　高功率半导体激光国家重点实验室成立于1997年，由原国防科工委和原兵器工业总公司投资建设，经过二十年的发展建设，实验室已经成为我国光电子领域的重要研究基地和人才培养基地之一。现有科研、办公面积3800平方米，超净实验室面积为1500平方米 生产开发平台面积为600平方米，其中超净实验室面积为200平方米。　　现有博士学位授权一级学科2个、硕士学位授权一级学科2个、国防特色学科1个、博士后科研流动站1个。实验室有研究人员36人，其中双聘院士1人、教授9人、副教授10人，博士生导师10人，科技部重点研发计划总体专家1人，国家奖评审专家1人，国防科学技术奖评审专家1人，吉林省长白山学者1人。实验室现有MBE、MOCVD等先进的半导体材料外延生长设备，SEM、XRD、PL等完善的材料分析检测手段，电子束蒸发、磁控溅射、芯片解理、贴片、激光焊接、平行封焊、综合测试等工艺设备，设备资产1.2亿元，为光电子领域的相关研究提供了一流的条件支撑。　　在半导体激光研究方向上，高功率半导体激光国家重点实验室代表着国家水平，研制的半导体激光器单管输出功率大于10瓦、光纤耦合模块大于100瓦、以及高频调制、脉冲输出等半导体激光器组件，技术处于国内领先水平 在基础研究领域，深入开展了GaSb材料的外延生长理论及技术研究，研究成果达到国际先进水平 在半导体激光应用基础技术研究领域，坚持以满足武器装备应用为目标，研制的驾束制导半导体激光发射器成功用于我军现役主战坦克武器系统，实现了驾束制导领域跨越式发展 研制的激光敏感器组件已经用于空军某型号末敏子弹药中，并将在多个武器平台上推广应用。近年来，实验室在国内外重要学术刊物上发表论文600余篇，出版专著7部，获国家、省部级奖励40余项，申请发明专利50余项，鉴定成果40余项，对我国的国防武器装备发展作出了重要贡献。高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置清单高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置感应耦合等离子体刻蚀扫描电子显微镜光刻机磁控溅射镀膜机等离子体增强化学气相沉积系统X射线双晶衍射仪光刻机快速图谱仪电化学C-V分布测试仪,PN4300,英国伯乐光荧光谱仪特种光纤熔接机丹顿电子束镀膜机SVT超高真空解理机光谱分析仪莱宝电子束镀膜机半导体激光器芯片贴片机金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）磁控溅射台　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室是以教育部新型传感器重点实验室、信息产业部电子信息材料重点实验室和功率半导体技术重点实验室为基础于2006年7月建立的。　　目前，实验室紧密围绕国家IT领域的战略目标，立足于电子信息材料与器件的发展前沿，坚持需求与发展并举、理论与实践并重，致力于新型电子薄膜材料与集成电子器件的研究和开发，促进材料—器件—微电子技术的交叉和集成。　　实验室现有研究人员80人，管理人员6人，技术人员3人 客座研究人员18人。在固定研究人员中已形成以陈星弼院士为带头人的一支以45岁左右为核心、35岁左右为主力的骨干研究队伍。队伍中包括了中国科学院院士1人，中国工程院院士1人，国家自然基金委创新团队2个，国防科技创新团队1人，教育部创新团队2人，博导58人。实验室拥有1个国家重点学科、5个博士点以及5个硕士点，已具备每年250名左右硕士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培养规模。　　实验室覆盖了微电子学与固体电子学、电子材料与元器件、材料科学与工程、材料物理化学、材料学5个博士点学科，拥有电子科学与技术、材料科学与工程2个博士后流动站，其中微电子学与固体电子学为国家重点学科。实验室面积近4000m2，拥有仪器设备500余套，价值8000余万人民币。已初步建成具有国际水平的“材料与器件制造工艺平台”、“微细加工平台”、“电磁性能测试与微结构表征平台”和“集成电路设计平台”，具备承担国家重大基础研究项目的能力。　　近5年，实验室科研工作硕果累累。目前，实验室共承担包括国家自然基金、973、863等各类项目在内的民口纵向项目和校企合作项目等科技项目共约200余项，总经费达2亿元，其中，2009年的科研经费超过7000万元。科研成果获国家级奖励7项，省部级奖24项，市级奖5项，申请发明专利150余项，获得包括美国发明专利在内的专利授权40余项，发表学术论文1000余篇，出版学术专著和教材7部。取得了包括“新耐压层与全兼容功率器件”等一系列标志性成果。实验室坚持面向社会，服务社会，致力于科研成果的推广和应用，“半导体陶瓷电容器”、“功率铁氧体及宽频双性复合材料”、“集成电路系列产品”等科研成果的成功转化，企业取得4亿多元的直接经济效益及良好的社会效益。　　*电子薄膜与集成器件国家重点实验室仪器配置情况未公布　　专用集成电路与系统国家重点实验室　　专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学)于1989年经国家计委批准建设，1995年9月正式通过国家验收。实验室依托复旦大学国家重点一级学科“电子科学与技术”，以及“微电子学与固体电子学”与“电路与系统”两个国家重点二级学科。　　实验室面向集成电路国际主流的学术前沿问题和国家集成电路产业发展的重大需求，聚焦高能效系统芯片及其核心IP设计，开展数字、射频与数模混合信号集成电路设计创新研究，同时进行新器件新工艺和纳米尺度集成电路设计方法学的研究。形成国际领先并满足国家战略需求的标志性创新成果，使实验室成为我国在集成电路设计方向上科学研究、技术创新与高层次人才培养具有国际重要影响力的基地，为我国集成电路产业尤其是集成电路设计产业的跨越式发展做出重大贡献。　　瞄准国际集成电路发展前沿，面向国家重大需求，面向国民经济主战场，紧紧围绕主要研究方向，实验室承担了大量国家863计划、973计划、国家科技重大专项、国家自然科学基金、国防预研项目、省部级项目以及各类国际合作项目，在国际重要刊物和国际会议上发表大量高质量学术论文，获得多项授权发明专利，荣获多项国家级二等奖、省部级一等奖、二等奖等奖项。　　实验室现有固定人员68人，其中，教授(研究员)43人，包括中国工程院院士1人，国家千人计划入选者5人，国家青年千人2人，国家杰出基金获得者4人，长江学者特聘教授2人、IEEEFellow1人。在实验室现有固定人员中，有多名国家和部委聘任的科技专家，包括1名国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项专家，2名国家“极大规模集成电路装备和成套工艺”科技重大专项专家，4名科技术“863”计划专家库专家。按照“创新团队+优秀研究小组”的建设思路，打造了实验室年轻化、团队化、国际化的研究队伍。　　实验室拥有器件与工艺子平台环境和集成电路设计环境。器件与工艺子平台现有千级净化面积约600平方米，百级净化面积100平方米，配备了价值近1亿元的设备，具有开展先进纳米CMOS器件和工艺的研发能力。集成电路设计环境已可提供Cadence、MentorGraphics、Synopsys、Altera、Xilinx等著名国际公司软件环境，提供相应的标准化仿真模型，支持教学、科研、产品设计与制造。实验室平台本着“集中、共享、升级、开放”的原则为实验室的科学研究服务。　　实验室积极开展多渠道学术交流，承办ICSICT、ASICON等多个重要国际会议，参加学术会议并做特邀报告，积极开展国际科技合作和交流。依托“重点实验室高级访问学者基金”和设立开放课题，吸引国内外高水平研究人员来实验室开展合作研究，加强了实验室研究的前瞻性和国际化程度。专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置清单专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置热阻蒸发镀膜设备化学气相沉积系统全自动探针台存储器参数测试系统半导体存储器参数测试仪扫描探针显微镜手动探针台电学测试系统台阶分析仪芯片测试系统柔性四件组装加工手套箱大面积柔性三维光刻柔性电子制造设备亚微米级贴片设备无线和微波频段测试系统激光键合设备台式扫描式电子显微镜柔性四件电化学加工测试平台高性能频谱分析仪高性能频谱分析仪等离子刻蚀系统实验室电路板快速系统（激光机）射频探针台原位纳米力学测试系统超低温手动探针台智能型傅立叶红外光谱分析仪显微喇曼/荧光光谱仪数字电视芯片测试系统气相沉积系统薄膜沉积系统化学气相沉积系统超高真空激光分子束系统原子层淀积系统矢量网络分析仪微波退火设备准分子气体激光器高精密电学测试探针台纳米热分析系统信号源分析仪频谱分析仪X射线衍射仪矢量网络分析仪矢量信号源实时示波器椭圆偏振光谱仪硬件加速仿真验证仪频谱分析仪矢量信号发生器矢量信号分析仪铜互连超薄籽晶层集成溅射和测试系统半导体晶片探针台互连铜导线成分分析仪化学气相沉积系统低介电常数介质电容（K值）测试设备微细加工ICP刻蚀机快速热退火系统探针测试台半导体参数分析仪白光干涉仪桌上型化学机械抛光设备纳米压印设备原子层淀积系统高精度探针台探针测试台纳米器件溅射仪存储薄膜溅射仪原子层化学气相沉淀系等离子反应离子刻蚀机物理气相淀积系统等离子体增强介质薄膜化学机械抛光系统铜电镀系统　　集成光电子学国家重点实验室　　集成光电子学国家重点实验室成立于1987年，1991年正式对外开放。现由吉林大学和中国科学院半导体研究所两个实验区联合组成。在1994年、2004年国家重点实验室建立十周年以及二十周年总结表彰大会上，被评为“国家重点实验室先进集体“，并获“金牛奖”。在2002年、2007年、2012年信息领域国家重点实验室评估中，连续三次被评为“优秀实验室”，2017年被评为“良好实验室”。　　研究方向包括有机光电器件、宽禁带半导体材料与器件、超快光电子、纳米光电子、能源光电技术五个研究方向。实验室重点研究基于半导体光电子材料、有机光电子材料、微纳光电子材料的各种新型光电子器件以及光子集成器件和芯片，研究上述器件及芯片在光纤通信系统与网络、信息处理与显示中的应用技术。研究内容为：半导体光电子材料(包括低维量子结构材料)、有机光电子材料、微纳光电子材料 新型光电子器件物理(包括器件结构设计与模拟) 基于上述材料的光电子集成器件的制作工艺及其功能芯片集成技术 光电子器件及芯片在光通信、光互连、光显示、光电传感方面应用技术研究。　　*集成光电子学国家重点实验室仪器配置情况未公布　　浙江大学硅材料国家重点实验室　　1985年，在浙江大学半导体材料研究所的基础上，由原国家计委批准建设硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)，88年正式对外开放。是国内最早建立的国家重点实验室之一。以重点实验室为依托的浙江大学材料物理与化学学科(原半导体材料学科)一直是全国重点学科，1978年获批国内首批硕士点(半导体材料)，1985年获批国内第一个半导体材料工学博士点。　　从上世纪50年代开始，浙江大学在硅烷法制备多晶硅提纯技术、掺氮直拉硅单晶生长技术基础研究等取得系列重大成果，在国际上占有独特的地位 同时，实验室一直坚持“产、学、研”紧密结合，培育出浙江金瑞泓科技股份有限公司等国内硅材料的龙头企业，取得显著经济效益。自上世纪90年代以来，实验室研究方向不断拓宽。目前，实验室以硅为核心的半导体材料为重点，包括半导体硅材料、半导体薄膜材料、复合半导体材料以及微纳结构与材料物理等研究方向。　　2013年至2017年期间，实验室共获得国家自然科学二等奖2项，国家技术发明二等奖2项，浙江省科学技术(发明)一等奖5项，技术发明一等奖1项。江西、湖北省科学技术进步(技术发明)一等奖各1项(合作)，教育部自然科学二等奖1项，浙江省科学技术进步二等奖2项。发表SCI检索论文1996篇，获得授权国家发明专利492项，国际专利5项。已成为国家在本领域的科学研究、人才培养和国际交流的主要基地之一。　　浙江大学硅材料国家重点实验室仪器配置清单　　硅材料国家重点实验室仪器配置扫描探针显微镜周期式脉冲电场激活烧结系统振动样品磁强计针尖增强半导体材料光谱测试系统低维硅材料的原位扫描隧道显微分析系统热常数分析仪超高温井式冷壁气密罐式炉系统角分辨X射线光电子能谱仪原子力显微镜热台偏光显微系统近场光学显微镜光度式椭圆偏振光谱仪高真空热压烧结炉等离子体增强化学气相沉积法磁控溅射镀膜系统深能级瞬态谱仪傅里叶红外光谱仪微波光电导衰减寿命测试仪变温高磁场测试系统同步热分析仪铸造炉扫描电子显微镜高分辨透射电子显微镜　　　除了上述国家重点实验室，还有新型功率半导体国家实验室以及光伏技术国家重点实验室等企业国家重点实验室。　　此外，还有中科院半导体材料科学重点实验室、宽带隙半导体技术国家重点学科实验室、光电材料与技术国家重点实验室、发光材料与器件国家重点实验室、发光学及应用国家重点实验室等半导体领域相关的实验室等。中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置清单中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置1.量子点、量子级联工艺线分子束外延生长系统（MBE）掩膜对准曝光机表面轮廓测量系统双腔室PECVD/电子束蒸发镀膜真空蒸发台等离子体去胶机精密研磨抛光系统快速热处理设备高分辨光学显微镜清洁处理湿法腐蚀金丝球焊机高精度粘片机傅立叶变换远红外光谱仪拉曼光谱仪原子力显微镜数字源表（吉时利2601）电化学CV测试系统2.PIC工艺线仪器设备MOCVDICPPECVD光刻机蒸发台磁控溅射反应离子刻蚀设备台式扫描电子显微镜Maping微区荧光光谱仪X射线双晶衍射高分辨XRD测试系统解理烧结机镀铟管芯测试设备激光加工机PIC测试:探针座+探针变温测试频谱仪矢量网络分析测试自相关仪脉冲宽度测试FROG激光线宽测试Rin测试远场测试PIV测试传输损耗测量光纤光谱仪3.GaN基微电子器件工艺线MOCVD设备变温霍尔测试系统非接触方块电阻测试系统台阶仪表面平整度测试系统光学显微镜高分辨XRD测试系统光电效率测试系统高温恒温箱快速退火炉磁控溅射PECVDICP光刻系统4.材料生长与制备工艺线磁控溅射离子束溅射CVD系统旋涂机、热板、快速退火碳化硅外延设备原子层沉积分子束外延低压液氮灌装石墨烯外延炉分子束外延设备CBE快速热退火炉退火炉MOCVDHVPE快速退火炉真空烘烤MBEMP-CVD阻蒸电子束蒸发联合镀膜机箱式退火炉低维材料生长、器件制备平台分子束外延设备MBE5.材料测试与表征原子力显微镜傅里叶红外光谱量子效率测试电池I-V测试霍尔测试仪探针台四探针测试仪光栅光谱仪变温测试台半导体参数测试仪3000V、500A深能级缺陷测量系统霍尔测试深紫外光致发光光谱阴极荧光光谱近紫外－可见－近红外光致发光光谱变温霍尔半导体发光器件测试紫外可见分光光度计荧光光谱仪太阳能电池I-V测试系统电化学工作站四探针测试台偏振调制光谱测试系统(陈涌海)微区RDS测试系统光电流测试系统红外光栅光谱仪（0.8-5μm）激光参数测试系统傅立叶变换红外光谱仪傅立叶变换中红外光谱仪宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置清单宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置晶片生长系统MOCVD非接触迁移率测量系统霍尔效应测试系统非接触式方块电阻测试仪微波等离子化学气相沉积系统半导体器件分析仪光谱椭偏仪镜像显微镜.金属镀膜系统高分辨X射线衍射仪拉曼光谱仪脉冲激光沉淀系统电子束蒸发台磁控溅射镀膜机高速电子束蒸发台LED显微镜台阶仪快速热退火炉等离子去胶机高温快速退火炉反应离子刻蚀等离子增强原子层沉淀系统等离子增强化学气相淀积感应耦合等离子体刻蚀机研磨抛光机高低温烘胶机光刻机接触式紫外光刻机电子束直写光刻机探针台半导体参数测试仪微波测试探针台DRTS测试仪扫描式电子显微镜微波大功率晶体管老化系统微波功率测试系统分子束外延设备　　综合来看，光刻机、化学气相沉积设备、电镜（尤其是扫描电镜和原子力显微镜）、X射线衍射、磁控溅射仪、半导体参数测试仪、能谱仪、探针测试台、刻蚀设备、光谱测试设备、蒸发镀膜设备、椭偏仪、分子束外延设备等仪器配置频率较高。　　信息统计来源于各国家重点实验室官网，部分实验室罗列仪器设备较全，部分实验室仅罗列了最主要或特色的仪器设备，因此结果仅供参考。另外其中有些仪器类型可能存在并列或包含关系，并未进行详细区分。

7月1日，苏州苏试试验集团股份有限公司发布“创业板向特定对象发行证券募集说明书（申报稿）”。募集说明书显示，苏试试验本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过6亿元，主要用于扩建集成电路全产业链失效分析、宇航产品检测实验室、高端制造中小企业产品可靠性综合检测平台三个检测实验室。其中用于仪器设备购置和安装的投资金额预算近4亿元。投募项目苏试试验于2019年12月收购苏试宜特（上海）检测技术有限公司将公司可靠性试验服务的检测范围拓宽至集成电路领域，“面向集成电路全产业链的全方位可靠度验证与失效分析工程技术服务平台建设项目”的实施主体为发行人的全资子公司苏州苏试广博环境可靠性实验室有限公司。随着半导体投资金额越来越巨大、对设计失误的容忍度几乎为 0，因此必须在芯片进入量产之前、量产中，需要进行严格的验证测试，主要包括功能测试和物理验证等，通常又称为实验室测试或特性测试，这部分通常由第三方检测实验室为芯片设计公司提供服务，具体服务范围涵盖晶圆制造、集成电路（IC）设计、集成电路封装、终端产品等等。第三方半导体检测市场巨大近年来，越来越多的集成电路设计、晶圆制造企业放弃测试环节的产能扩充，而将其测试需求委托给第三方集成电路测试企业，独立的第三方集成电路测试企业正逐步成为集成电路产业链中不可或缺的一部分：一方面，第三方测试企业可以减少测试设备的重复投资，通过规模效应降低测试费用，缩减产品生产成本；另一方面，专业化分工下的第三方测试企业能够更加快速地跟进集成电路测试技术的更新，及时为集成电路设计、晶圆制造及封装企业提供多样化的测试服务。目前第三提供的检测服务通常包括可靠性分析（RA）、失效分析（FA）、晶圆材料分析（MA）、信号测试、芯片线路修改等，其中比较重要的包括可靠性分析、失效分析等。根据不同的分类标准，失效形式有多种类型，如根据电测结果，失效模式有开路、短路或漏电、参数漂移、功能失效等；根据失效原因可以分为电力过应、静电放电导致的失效、制造工艺不良导致的失效等。根据中国赛宝实验室的数据，在分立器件使用过程中的失效模式，开路、参数漂移、壳体破碎、短路、漏气的占比分别约为35%、28%、17%、15%、4%，集成电路使用过程中的失效模式，短路、开路、功能失效、参数漂移占比分别约为38%、27%、 19%、10%。失效分析主要为集成电路设计企业服务，而集成电路设计产业已成为引领中国半导体产业发展的重要环节。根据2019年中国半导体产业产值分布来看，IC设计业占比将达40.6%、IC制造占比约28.7%、IC封测占比约30.7%。根据中国集成电路设计业2019年会上发布的数据，2015-2019年中国集成电路设计企业分别为736、1362、1380、1698、1780家，年均复合增速达到24.7%，未来随着国内半导体产业的不断崛起，预计国内半导体设计企业数量仍将保持较快速增长。2019年IC设计销售收入达到3084.9亿元，同比2018年的2576.9亿元增长19.7%，在全球集成电路设计市场的比重首次超过10%。随着中国大陆半导体产业的迅猛发展，国内涌现出越来越多的上下游半导体企业，形成了一个强大的产业链，这些企业对实验室分析存在切实需求，但众多企业的需求量不足以投入百万或千万美元级的资金设立实验室和采购扫描电子显微镜等高端设备。另外，人员成本和技术门槛日益提高，在这种背景下第三方采购相关分析设备建立商业实验室应运而生。根据苏试宜特的预测，国内半导体第三方实验室检测行业未来3-5年的市场规模将达到 50亿元人民币，同时加上工业用、车用、医疗、军工电子产业上游晶圆制造到中下游终端产品验证分析的需求，估计2030年市场至少达150-200亿。相关仪器市场将爆发随着第三方半导体检测机构的兴起，IC企业的研发门槛和成本将大幅度降低，整个集成电路市场将持续发展，第三方半导体检测机构将采购大量的相关仪器设备以应对日益增长的半导体检测需求。与此同时，芯片制造生产技术快速发展迭代，新的技术对检测仪器设备提出了多样化需求，第三方检测机构需要不断进行仪器设备的更新换代，这将进一步促成相关仪器市场爆发。相关的检测项目如下：广义检测设计前道：晶圆生产中道：晶圆制造后道：晶圆封测切磨抛离子注入扩散镀膜抛光刻蚀曝光清洗第三方检测验证测试（可靠性分析、失效分析、电性测试、电路修改）WAT测试CP测试FT测试缺陷检测surface scan无图形缺陷检测有图形缺陷检测review SEME-Beam掩模版检测残留/沾污检测量测wafer-sites膜厚四探针电阻膜应力掺杂浓度关键尺寸套准精度几何尺寸测量测试有效性验证：对晶圆样品、封装样品有效性验证WAT测试：硅片完成所有制程工艺后的电性测试功能和电参数性能测试：CP测试（封装前）、FT测试（封装后）本次苏试试验集成电路检测的采购清单如下：序号设备/软件名称数量（台/套）总价（万元）1聚焦离子束11,4002双束聚焦离子束11,1003穿透式电子显微镜12,8004双束电浆离子束11,5005X 射线光电子能谱11,1006飞行时间二次离子质谱仪11,1007俄歇电子能谱仪17708傅立叶红外光谱仪12409超声波扫描显微镜246010超声波切割系统120011扫描电子显微镜21,60012粒子研磨系统115013立体显微镜428014阻抗测试仪115015奈米探针测试11,20016原子力显微镜1280173D 断层扫瞄11,00018多管脚集成电路耐静电测试22,60019集成电路耐静电测试21,40020多管脚集成电路自身充放电测试228021电压/电流检测仪228022雷射打标机12023离子蚀刻机18024老化系统超大功率21,68025老化系统中大功率21,20026低温老化系统中大功率132027老化系统多电源中大功率240028高加速应力测试系统中小功耗18029快速温变试验箱214030导通电阻评估系统15031老化系统中低功耗130032潮湿敏感度模拟设备回流焊14033高温反偏老练检测系统26034高温反偏老练检测系统25035高温高湿反偏老练检测系统210036间隙寿命老练检测系统216037高温反偏老练检测系统12038分离器件综合老练检测系统12039DC/DC 电源高温老练检测系统15040三端稳压器高温老练检测系统13041电容器高温电老练检测系统12542集成电路高温动态老练检测系统12543继电器都通测试仪11044颗粒碰撞噪声检测仪13545氦质谱检漏仪15046氦气氟油加压检漏装置19047数字电桥1248绝缘电阻测试仪1249漏电流测试仪1250耐电压绝缘测试仪1251温湿度偏压测试系统210052高加速温湿度偏压测试系统222053高低温实验/湿度循环/储存测试系统324054液态高低温冲击测试系统216055翘曲实验系统126056物理尺寸量测设备17057半导体分立器件测试系统（含自检模块）13258继电器综合参数测试仪14559混合信号测试仪112060超大规模集成电路测试系统15561电源模块测试系统15062Tester Handler113463数位模拟混合信号 IC 测试系统15064大规模数字集成电路 ATE 测试机140065冷却水塔16066空压机14067制水机14068空调系统120069环保设备23070环保设备12071设计软件19072信息管理软件190

前言芯片是科技领域核心技术，是电子产品的“心脏”，是“工业粮食”。在新一轮科技革命与产业变革背景下，大力推动高科技产业的创新发展对于抢占全球高科技领域制高点、增强产业发展优势和提高国际竞争力的战略作用更加凸显。 而如何解决芯片/半导体器件有机异物污染问题，成为众多科研工作者的研究难题。虽然元素和无机分析存在高空间分辨率技术，如SEM-EDX，但在微米和亚微米尺度上识别有机污染物一直是巨大挑战。在过去的几十年里，传统的傅里叶变换红外光谱FTIR/ QCL显微技术虽然得到了广泛的应用，但在关键问题上存在一些局限性，例如相对较差的空间分辨率(5-20 μm)和对 10 μm的样品测试灵敏度较低、坚硬的金属界面可能会在接触样品表面时损坏ATR探针，以及污染可能在凹凸的区域，甚至在狭窄的缝隙内，使得ATR接触式测量难以实现。所以，如何在亚微米分辨率别和非接触条件下，实现芯片/半导体器件的有机缺陷和污染物的识别和表征是非常重要以及创新的一种手段。此外，许多样品的厚度小于100 nm，这在传统的FTIR测量中也是不可能实现的。 仪器介绍图1. 设备及原理图 基于光学-光热技术(O-PTIR)的亚微米分辨率红外拉曼同步测量系统mIRage可实现远场红外+拉曼显微镜的同步测量，该技术具有非接触、免样品制备、亚微米分析等优点，已广泛应用于硬盘和显示器等器件的成分分析。mIRage扩展集成的同步拉曼显微镜，主要用于目标物的应变/应力、掺杂浓度、DLC等测试。获取的高质量反射模式光谱可以通过亚微米红外拉曼同步测量系统mIRage在商业数据库中进行光谱比对检索，终确定亚微米到微米的污染物成分。mIRage光谱的显著优势：1. 亚微米红外空间分辨率，比传统FTIR/QCL显微镜提高30倍，达到500 nm；2. 非接触式测量，非破坏性，反射(远场)模式测量，无须制备样品；3. 高质量光谱(测试可兼容粒子形状/尺寸和表面粗糙度)，没有色散/散射伪影问题；4. 可直接在商业数据库中匹配搜索 的污染识别和控制对于把控制造过程以及高科技产品开发至关重要，随着愈发严格的标准和产品尺寸的缩小，识别较小的污染物变得越来越重要和困难。mIRage的先进光学光热红外(O-PTIR)技术的出现彻底改变了微电子器件微小缺陷的红外化学分析方法。mIRage的工作原理是用宽可调谐的脉冲红外激光源激发样品，在样品中产生调制光热效应。通过光热效应提取并计算红外吸收, 通过检测反射探头光束强度的变化作为红外波数调谐的函数，从而提供红外吸收光谱。这种短波长脉冲探测光束(通常是532 nm)决定了红外测试空间分辨率，而不是传统FTIR/QCL显微镜中依赖的红外波长。由于其特的系统架构，短波长探测光束同样也能作为一个拉曼激光源，集成拉曼光谱仪后，mIRage系统可提供同一地点，同一时间，同一空间分辨率的亚微米红外+拉曼显微镜的检测结果。 精彩案例分享 在本文中，我们将介绍通过亚微米红外+拉曼同步测量技术对只有几微米尺寸的缺陷进行电子器件失效分析的研究，案例中的硬盘组件和显示组件由希捷技术提供。 图2为微电子器件免制样，原位测量数据。该案例展示了互补的、验证性的mIRage红外光谱和拉曼光谱的信息。尽管mIRage红外光谱是在反射模式下采集的，但它完全可以与FTIR/ATR数据库中的光谱相媲美。通过与KnowItAll(Wiley)红外光谱和拉曼光谱数据库进行比对，确定这种特殊的污染物可能是一种聚醚(缩醛)材料。污染可能源于研发过程中的异物，包括聚合物、润滑剂等。在此次测试中，mIRage获取的谱图与标准谱峰位重合度超过95%。图2. 左：可见图像显示6 µm缺损位置，右上：与标准数据库比对未知物质的红外光谱；右下：与数据库比对未知物质的拉曼光谱 在许多情况下，传统红外仪器可能会收到一些物质的影响无法直接接触到污染物。图3显示了金属薄膜下20 μm的黑色污染，从金属薄膜的白色圆形分层中可以看到，这是由于有缺陷的薄膜晶体管显示器突出造成的。传统的ATR显微镜的使用将受到薄膜存在的限制，阻碍直接接触污染粒子。此类样品可以通过mIRage进行光谱焦平面定位实现光谱检查，无需额外的样品制备或对粒子进行物理提取。特别是在1706 cm−1波段有强宽红外吸收带的存在，表明污染粒子可能是硫化的苯乙烯-丁二烯橡胶(SBR)，已氧化形成羧酸。图3. 左上角：样品和测量的示意图；左下：光学图像缺陷；右：缺陷区域不同位置的mIRage红外光谱。颜色对应于光学图像上的标记。 结论综上所述，我们引进的革命性红外拉曼同步测量系统mIRage在显微红外方面取得了重大进展，如亚微米分辨率测量（~500 nm）、非接触模式测量(非ATR)、非破坏性和免样品制备、点线/面多模式分析、无任何色散/散射伪影以及提供数据库检索等。希捷科技选择mIRage系统是为了研究制造工艺和产品早期开发的污染改善问题。本文介绍的基本原理和实例表明mIRage在识别硬盘和相关精细电子行业的缺陷和污染方面有诸多优势。在红外显微光谱的重要发展领域中，mIRage技术具有颠覆性的潜力。而拉曼光谱仪的联用进一步拓展了它的能力，实现亚微米红外+拉曼显微镜同步测量(同一时间、同一点、同一空间分辨率)，以提供互相印证的补充和确认信息。亚微米分辨红外拉曼同步测量系统mIRage的应用领域正在不断扩大，涵盖了聚合物、药学、司法鉴定、半导体器件缺陷分析、生命科学、环境地质、古生物等众多传统领域。

当今时代，科技迅猛发展、芯片量呈几何倍数增长，芯片已经进入融合的时代。从无人驾驶到虚拟现实、从人工智能到云计算、从5G到物联网，一颗芯片上承载的功能越来越多，芯片工艺越来越复杂，新器件类型层出不穷，众多驱动因素的推动对半导体测试技术不断提出新的要求。行业需要更加面向未来需求的测试系统和方案，来打破传统仪器固有的不足和局限。以半导体器件测试来看，在先进器件研究过程中，新材料、新结构与新工艺的应用都可能带来未知的变化。研究者不但要关注精确的静态电流电压特性，更希望观察到细微快速的动态行为。同时随着半导体尺寸不断减小，一些现象需要在极短的时间内才能观察到，例如MOS器件的BTI效应，因此，对包括短脉冲测试(PIV)在内的新技术提出了要求。前不久，概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK正式发布，填补了其半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试的空缺，同时也填补了国内短脉冲测试技术的空缺。高端测试仪器FS-Pro“如虎添翼”据了解，此次发布的最新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK由黄如院士在北京大学和上海交通大学的团队与概伦电子联合研发。作为短脉冲测试技术的先行者，黄如院士团队经过了十余年的努力，在实践过程中掌握了一整套短脉冲产生、测量以及分析技术。概伦电子基于其提供的包括测试方法、电路原型、方案框架、版图设计及PIV应用在内的指导意见继续精细开发，满足高增益与高带宽的同时，有效抑制放大电路的非线性失真，最终实现了最小脉宽130ns的高精度测量。概伦电子FS-Pro半导体参数测试系统（图源：概伦电子）概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV)测试、电容电压(CV)测试、脉冲式IV测试、任意线性波形发生与测量、高速时域信号釆集以及低频噪声测试能力。此次增加短脉冲IV(PIV)技术后，FS-Pro更是如虎添翼，几乎所有半导体器件的低频特性表征都可以在FS-Pro测试系统中完成，可广泛应用于各种半导体器件、LED材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。其全面而强大的参数测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发和评估进程，并可无缝的与概伦电子低频噪声测试系统9812系列集成。据了解，概伦电子噪声测试系统9812系列是全球半导体行业业内低频噪声测试的“ 黄金标准”，为半导体行业先进工艺研发、器件建模和高端电路设计提供了更加完整而又高效的低频噪声测试及分析解决方案，可以满足各种不同工艺平台下半导体器件和集成电路低频噪声测试的需求。FS-Pro快速的DC测试能力进一步提升了9812系列产品的噪声测试效率和吞吐量，性能相较同类型产品获得大幅度提升，并将在噪声测试的业内领先技术扩展到通用半导体参数测试。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro全面的测试能力在科研学术界受到了广泛关注和认可，已被数十所国内外高校及科研机构所选用，同时也被众多芯片设计公司、代工厂和IDM公司所釆用。国产高端测试仪器新突破纵观行业现状，测试测量仪器属于高端科研仪器设备，需要长时间积累，特别考验一个国家基础技术的厚度。由于国内本土测量仪器行业起步较晚，主营电子测试测量仪器的企业数量少，发展情况也不尽相同，目前我国的产品结构主要集中在中低端，大部分企业仍处于仿制研发的阶段，仅有小部分企业走向应用研发的转型之路。根据数据显示，中国电子测量仪器的市场规模由2016年的28.72亿美元增至2021年的50.39亿美元，预计2022年将进一步达到53.14亿美元。面对国内如此巨大的市场需求，以及受国外隐形技术壁垒等因素制约，国内市场仍被掌握在国外仪器仪表厂商手中，高端产品依赖进口，行业类第一梯队公司主要为是德科技（(Keysight）、泰克（Tektronix）、罗德与施瓦茨(R&S)等欧美企业。国内测量仪器与国际水平相比，在产品结构、高端产品的技术水平、市场占有率等方面存在较大差距，亟待国内本土企业填补高端仪器的技术和市场空白。在这种情况下，提高企业的研发力度成为了电子测量仪器行业发展的关键点之一。同时伴随着强烈的自主可控需求，国产高端测试测量仪器市场在近几年迎来高速增长。概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro作为高端测试仪器的代表之一，在先进器件和材料等领域的测试表现非常出色，集 IV、CV、1/f noise及PIV测试等于一体，高精度、低成本、综合的半导体器件表征分析能力灵活满足各种用户的不同测试需求，大大节省了测试设备采购开支。同时，工业标准的PXI模块化硬件结构，通用的软件平台，内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验，使FS-Pro成为了半导体器件与先进材料研究方面的得力助手，产品性能直接对标是德科技等行业巨头的高端测试仪器。近年来，随着半导体行业的快速发展，对测试测量仪器的需求在逐渐扩大。当前中国的半导体测试测量行业在飞速发展中，可以预见的是，复杂的国际关系背景和市场需求的双重驱动下，关键领域的国产化成为竞争焦点，自上而下的产业政策和企业突围将加速自主可控产业链的成长，国产半导体测量仪器迎风口。随着概伦电子在中高端产品领域取得突破，将会使其成为国内该行业的领头羊，有望引领该领域的国产化替代浪潮。概伦电子产品布局日臻完善半导体器件特性测试是对集成电路器件在不同工作状态和工作环境下的电流、电压、电容、电阻、低频噪声、可靠性等特性进行测量、数据采集和分析，以评估其是否达到设计指标。概伦电子半导体参数测试系统FS-Pro能够支持多种类型的半导体器件，具备精度高、测量速度快和可多任务并行处理等特点，能够满足晶圆厂和集成电路设计企业对测试数据多维度和高精度的要求。半导体器件特性测试仪器采集的数据是器件建模及验证EDA工具所需的数据来源，两者具有较强的协同效应。随着下游晶圆厂客户产能扩张，相关测试需求或将进一步释放。在制造类EDA工具方面，概伦电子的器件建模及验证EDA工具已经取得较高市场地位，被全球大部分领先的晶圆厂所采用和验证，主要客户包括台积电、三星电子、联电、格芯、中芯国际等，在其相关标准制造流程中占据重要地位。使用该EDA工具生成的器件模型通过国际领先的晶圆厂提供给其全球范围内的集成电路设计方客户使用，其全面性、精度和质量已得到业界的长期验证和广泛认可。在此基础上，通过半导体器件特性测试仪器与EDA工具的联动，能够打造以数据为驱动的EDA解决方案，紧密结合并形成业务链条，帮助晶圆厂客户有针对性的优化工艺平台的器件设计和制造工艺，不断拓展产品的覆盖面，进一步为概伦电子打造完整的制造EDA流程丰富了现有技术及解决方案。目前概伦电子主要产品及服务包括制造类EDA工具、设计类EDA工具、半导体器件特性测试仪器和半导体工程服务等。从其产品布局和发展历程来看，概伦电子在具备高价值的落地场景和应用需求的前提下，用相对较短的时间、较小的人员规模和投入，打造了全新的设计方法学和流程，逐渐形成了具有技术竞争力的EDA工具、测试产品和工程服务，并在国际主流市场获得产品验证机会，在多环节和维度上实现了对国际EDA巨头全流程垄断的突破。产学研模式新探索上文提到，此次FS-Pro HP-FWGMK套件的发布是概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的产物，在填补了半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试空缺的同时，也代表了国内产学研深度合作的典范。当前，在国产EDA的发展过程中，人才是关键，创新求变正在重塑新的核心竞争力。EDA核心技术的突破没有捷径可走，需要持续吸引各种人才、加强产学研合作和保持高研发投入，长期坚持技术沉淀，通过客户需求引导，才有可能形成新的突破。在当前行业背景和发展现状下，概伦电子正在探索以产教融合方式来培养项目和推动EDA技术和人才发展的新模式，携手各界通力合作，共同应对后摩尔时代技术与市场的双重挑战，构建中国EDA产业命运共同体，致力于突破困局并最终实现超越。

成果名称磁电阻特性测试仪(EL MR系列)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介：本仪器专门为材料磁电阻特性测试而设计的，采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，极大地方便了用户的使用。MR-150型采用电磁铁产生强磁场，高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中各类样品的磁电阻特性测试。MR-4型采用亥姆霍兹线圈产生磁场，无剩磁。采用高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中AMR、GMR、TMR各类样品的磁电阻特性测试。MR-2型采用集成化主机和多通道USB接口数据采集卡采集数据，稳定性好适合科研教学中性能较好的磁电阻样品测试。MR-1型采用手动调节磁场和人工读数，适合与大中专院校本科生研究生的专业实验中使用。主要技术参数:一、系统控制主机：内含可1路可调恒流源（0.3mA~50mA）、2路4 1/2数字电压表和1块USB接口24bit数据采集卡；功耗50W。二、自动扫描电源：0~± 5A，扫描周期8~80s。三、亥姆霍兹线圈：0~± 160Gs。四、测量专用检波与放大电路技术参数：输入信号动态范围为± 30 dB；输出电平灵敏度为30mV / dB；,输出电流为8mA；转换速率为25 V /&mu s；相位测量范围为0~180° ；相位输出时转换速率为30MHz；响应时间为40 ns～500 ns；测量夹头间隔10mm。五、计算机为PC兼容机，Windows XP或Windows 7操作系统。 六、数据采集软件在Windows XP和Windows 7操作系统均兼容。应用前景：本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。目前该仪器已经应用在北京科技大学材料学院及哈尔滨工业大学深圳研究生院的研究生实验教学及课题组科研测量中，取得良好的成效。知识产权及项目获奖情况：本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

近日，半导体行业领先的电气测试和测量供应商FormFactor，Inc.和专业高压大电流探针卡的领先供应商T.I.P.S.Messtechnik GmbH（T.I.P.S.）宣布，两家公司已加入MeasureOne合作伙伴关系，为大功率器件提供测试和测量解决方案。MeasureOne是FormFactor和一组选定的合作伙伴之间的承诺，旨在提供经性能验证的集成解决方案，以解决客户的测试和测量应用程序。功率半导体通常用于电动和混合动力电动汽车 （EV/HEV）。为满足市场需求，功率半导体制造商正在迅速采用碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 等材料，这些材料可在更高的电压、温度和频率下工作，同时提高效率和可靠性。据Yole电力＆无线和电池首席分析师米兰罗西纳博士（Milan Rosina）预测，2018-2024年，EV/HEV半导体功率器件市场复合年均增长率为21%，超过37亿美元。FormFactor 系统业务部副总裁兼总经理克劳斯迪特里希（Claus Dietrich）表示："FormFactor 已为业界领先的 200 mm 和 300 mm 大功率探头系统开发了专用应用层，以支持利用 T.I.P.S. 高压抗电探针卡的高功率半导体器件的独特测试要求。"这种优化的解决方案为客户提供了一种简单而安全的方法，用于进行半自动和全自动高功率设备特性测量。与专业高压和高电流探头卡的市场领导者合作，使我们能够优化我们的环境，提供能够解决客户最具挑战性的工程探头系统。Rainer Gaggl博士说：“我们的高压‘LuPo’探针卡采用专利的闪络抑制技术，可提高测试环境的击穿电压，防止在晶圆上进行高压测量时产生电弧和闪络。”，T.I.P.S.董事总经理：“FormFactor的高功率工程探头是我们高电压/高功率探头卡的天然合作伙伴。设备制造商真正受益于我们的合作带来的综合经验。”FormFactorFormFactor，Inc.是一家在整个集成电路生命周期（从计量和检验、特性描述、建模、可靠性和设计调试到鉴定和生产测试）中提供关键测试和测量技术的领先供应商。半导体公司依靠FormFactor的产品和服务，通过优化设备性能和提高产量知识来加速盈利。该公司通过其在亚洲、欧洲和北美的设施网络为客户提供服务。T.I.P.S.T.I.P.S.Messtechnik GmbH总部位于奥地利维拉赫，其专业团队在产品生命周期的各个阶段为全球客户提供支持，从研发和测试概念、工程和设计、生产，到全面的售后维护和支持。凭借成熟的工艺、深入的技术专长和最快的反应时间，该公司是微芯片测试接口硬件领域公认的领导者。

失效分析是芯片测试重要环节，无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品，失效分析可以帮助降低成本，缩短周期。常见的半导体失效都有哪些呢？下面为大家整理一下：显微镜分析OM无损检测金相显微镜OM：可用来进行器件外观及失效部位的表面形状，尺寸，结构，缺陷等观察。金相显微镜系统是将传统的光学显微镜与计算机（数码相机）通过光电转换有机的结合在一起，不仅可以在目镜上作显微观察，还能在计算机（数码相机）显示屏幕上观察实时动态图像，电脑型金相显微镜并能将所需要的图片进行编辑、保存和打印。金相显微镜可供研究单位、冶金、机械制造工厂以及高等工业院校进行金属学与热处理、金属物理学、炼钢与铸造过程等金相试验研究之用，实现样品外观、形貌检测 、制备样片的金相显微分析和各种缺陷的查找等功能。体视显微镜OM无损检测体视显微镜，亦称实体显微镜或解剖镜。是一种具有正像立体感的目视仪器，从不同角度观察物体，使双眼引起立体感觉的双目显微镜。对观察体无需加工制作，直接放入镜头下配合照明即可观察，成像是直立的，便于操作和解剖。视场直径大，但观察物要求放大倍率在200倍以下。体视显微镜可用于电子精密部件装配检修，纺织业的品质控制、文物 、邮票的辅助鉴别及各种物质表面观察等领域，实现样品外观、形貌检测 、制备样片的观察分析、封装开帽后的检查分析和晶体管点焊检查等功能。X－Ray无损检测X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击，在撞击过程中，因电子突然减速，其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置，利用X-Ray穿透不同密度物质后其光强度的变化，产生的对比效果可形成影像，即可显示出待测物的内部结构，进而可在不破坏待测物的情况下观察待测物内部有问题的区域。X-Ray可用于产品研发，样品试制，失效分析，过程监控和大批量产品观测等，实现观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板，观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况，芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装缺陷，以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷等功能。C-SAM（超声波扫描显微镜)无损检测超声扫描显微镜是一种利用超声波为传播媒介的无损检测设备。在工作中采用反射或者透射等扫描方式来检查材料内部的晶格结构，杂质颗粒、夹杂物、沉淀物、内部裂纹、分层缺陷、空洞、气泡、空隙等。I/V Curve量测可用于验证及量测半导体电子组件的电性、参数及特性。比如电压-电流。集成电路失效分析流程中，I/V Curve的量测往往是非破坏分析的第二步（外观检查排在第一步），可见Curve量测的重要性。I/V Curve量测常用于封装测试厂，SMT领域等，实现Open/Short Test、 I/V Curve Analysis、Idd Measuring和Powered Leakage（漏电）Test功能。SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）扫描电镜（SEM）SEM/EDX（形貌观测、成分分析）扫描电镜（SEM）可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的，根据不同元素特征X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过对比不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。通常EDX结合电子显微镜（SEM）使用，可以对样品进行微区成分分析。在军工，航天，半导体，先进材料等领域中，SEM/EDX（形貌观测、成分分析）扫描电镜（SEM）可实现材料表面形貌分析，微区形貌观察，材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析，薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析，纳米尺寸量测及标示和微区成分定性及定量分析等功能EMMI微光显微镜微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言，微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination会放出光子（Photon）。如在P-N结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴（或N端的电子）做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面，微光显微镜可分析P-N接面漏电；P-N接面崩溃；饱和区晶体管的热电子；氧化层漏电流产生的光子激发；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题Probe Station 探针台测试探针台主要应用于半导体行业、光电行业。针对集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本，可用于Wafer，IC测试，IC设计等领域。FIB（Focused Ion beam）线路修改FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam）是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像，此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似，或用强电流离子束对表面原子进行剥离，以完成微、纳米级表面形貌加工。在工业和理论材料研究，半导体，数据存储，自然资源等领域，FIB可以实现芯片电路修改和布局验证、Cross-Section截面分析、Probing Pad、 定点切割、切线连线，切点观测，TEM制样，精密厚度测量等功能。失效分析前还有一些必要的样品处理过程。取die用酸法去掉塑封体，漏出die decap（开封，开帽）利用芯片开封机实现芯片开封验证SAM，XRAY的结果。Decap即开封，也称开盖，开帽，指给完整封装的IC做局部腐蚀，使得IC可以暴露出来，同时保持芯片功能的完整无损，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受损伤，为下一步芯片失效分析实验做准备，方便观察或做其他测试（如FIB，EMMI）， Decap后功能正常。化学开封Acid DecapAcid Decap，又叫化学开封，是用化学的方法，即浓硫酸及发烟硝酸将塑封料去除的设备。通过用酸腐蚀芯片表面覆盖的塑料能够暴露出任何一种塑料IC封装内的芯片。去除塑料的过程又快又安全，并且产生干净无腐蚀的芯片表面。研磨RIERIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。 自动研磨机自动研磨机适用于高精微（光镜，SEM，TEM，AFM，ETC）样品的半自动准备加工研磨抛光，模块化制备研磨，平行抛光，精确角抛光，定址抛光或几种方式结合抛光，主要应用于半导体元器件失效分析，IC反向等领域，实现断面精细研磨及抛光、芯片工艺分析、失效点的查找等功能。 其可以预置程序定位切割不同尺寸的各种材料，可以高速自动切割材料，提高样品生产量。其微处理系统可以根据材料的材质、厚度等调整步进电动机的切割距离、力度、样品输入比率和自动进刀比率等。去金球 De-gold bump,去层,染色等，有些也需要相应的仪器机台，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray观察封装内部情况以及分层失效。除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。芯片失效分析步骤:1、非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等；2、电测：主要工具，万用表，示波器，sony tek370a3、破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析，孔洞气泡失效分析（原作者：北软失效分析赵工）

我司于2017年1月在上海某高校成功安装基于Janis 探针台和Keithley 4200半导体特性仪的测试系统。该探针台配置四个三同轴探针臂和两个光纤探针臂，漏电流优于50fA。该探针台变温范围大（8K-675K）。我司提供Keithley 4200半导体特性仪，并提供集成变温IV、CV和输运和转移特性等测试软件 变温测量IV和VI曲线 变温场效应管（横坐标Vgs，纵坐标Ids， 不同曲线代表不同的Vds和温度） 变温场效应管（横坐标Vds，纵坐标Ids， 变温CV测试（横坐标偏压，纵坐 不同曲线代表不同的Vgs和温度） 标电容，不同曲线代表不同温度）

当今时代，科技迅猛发展、芯片量呈几何倍数增长，芯片已经进入融合的时代。从无人驾驶到虚拟现实、从人工智能到云计算、从5G到物联网，一颗芯片上承载的功能越来越多，芯片工艺越来越复杂，新器件类型层出不穷，众多驱动因素的推动对半导体测试技术不断提出新的要求。行业需要更加面向未来需求的测试系统和方案，来打破传统仪器固有的不足和局限。以半导体器件测试来看，在先进器件研究过程中，新材料、新结构与新工艺的应用都可能带来未知的变化。研究者不但要关注精确的静态电流电压特性，更希望观察到细微快速的动态行为。同时随着半导体尺寸不断减小，一些现象需要在极短的时间内才能观察到，例如MOS器件的BTI效应，因此，对包括短脉冲测试(PIV)在内的新技术提出了要求。前不久，概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK正式发布，填补了其半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试的空缺，同时也填补了国内短脉冲测试技术的空缺。高端测试仪器FS-Pro“如虎添翼”据了解，此次发布的最新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK由黄如院士在北京大学和上海交通大学的团队与概伦电子联合研发。作为短脉冲测试技术的先行者，黄如院士团队经过了十余年的努力，在实践过程中掌握了一整套短脉冲产生、测量以及分析技术。概伦电子基于其提供的包括测试方法、电路原型、方案框架、版图设计及PIV应用在内的指导意见继续精细开发，满足高增益与高带宽的同时，有效抑制放大电路的非线性失真，最终实现了最小脉宽130ns的高精度测量。概伦电子FS-Pro半导体参数测试系统（图源：概伦电子）概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV)测试、电容电压(CV)测试、脉冲式IV测试、任意线性波形发生与测量、高速时域信号釆集以及低频噪声测试能力。此次增加短脉冲IV(PIV)技术后，FS-Pro更是如虎添翼，几乎所有半导体器件的低频特性表征都可以在FS-Pro测试系统中完成，可广泛应用于各种半导体器件、LED材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。其全面而强大的参数测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发和评估进程，并可无缝的与概伦电子低频噪声测试系统9812系列集成。据了解，概伦电子噪声测试系统9812系列是全球半导体行业业内低频噪声测试的“ 黄金标准”，为半导体行业先进工艺研发、器件建模和高端电路设计提供了更加完整而又高效的低频噪声测试及分析解决方案，可以满足各种不同工艺平台下半导体器件和集成电路低频噪声测试的需求。FS-Pro快速的DC测试能力进一步提升了9812系列产品的噪声测试效率和吞吐量，性能相较同类型产品获得大幅度提升，并将在噪声测试的业内领先技术扩展到通用半导体参数测试。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro全面的测试能力在科研学术界受到了广泛关注和认可，已被数十所国内外高校及科研机构所选用，同时也被众多芯片设计公司、代工厂和IDM公司所釆用。国产高端测试仪器新突破纵观行业现状，测试测量仪器属于高端科研仪器设备，需要长时间积累，特别考验一个国家基础技术的厚度。由于国内本土测量仪器行业起步较晚，主营电子测试测量仪器的企业数量少，发展情况也不尽相同，目前我国的产品结构主要集中在中低端，大部分企业仍处于仿制研发的阶段，仅有小部分企业走向应用研发的转型之路。根据数据显示，中国电子测量仪器的市场规模由2016年的28.72亿美元增至2021年的50.39亿美元，预计2022年将进一步达到53.14亿美元。面对国内如此巨大的市场需求，以及受国外隐形技术壁垒等因素制约，国内市场仍被掌握在国外仪器仪表厂商手中，高端产品依赖进口，行业类第一梯队公司主要为是德科技（Keysight）、泰克（Tektronix）、罗德与施瓦茨(R&S)等欧美企业。国内测量仪器与国际水平相比，在产品结构、高端产品的技术水平、市场占有率等方面存在较大差距，亟待国内本土企业填补高端仪器的技术和市场空白。在这种情况下，提高企业的研发力度成为了电子测量仪器行业发展的关键点之一。同时伴随着强烈的自主可控需求，国产高端测试测量仪器市场在近几年迎来高速增长。概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro作为高端测试仪器的代表之一，在先进器件和材料等领域的测试表现非常出色，集 IV、CV、1/f noise及PIV测试等于一体，高精度、低成本、综合的半导体器件表征分析能力灵活满足各种用户的不同测试需求，大大节省了测试设备采购开支。同时，工业标准的PXI模块化硬件结构，通用的软件平台，内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验，使FS-Pro成为了半导体器件与先进材料研究方面的得力助手，产品性能直接对标是德科技等行业巨头的高端测试仪器。近年来，随着半导体行业的快速发展，对测试测量仪器的需求在逐渐扩大。当前中国的半导体测试测量行业在飞速发展中，可以预见的是，复杂的国际关系背景和市场需求的双重驱动下，关键领域的国产化成为竞争焦点，自上而下的产业政策和企业突围将加速自主可控产业链的成长，国产半导体测量仪器迎风口。随着概伦电子在中高端产品领域取得突破，将会使其成为国内该行业的领头羊，有望引领该领域的国产化替代浪潮。概伦电子产品布局日臻完善半导体器件特性测试是对集成电路器件在不同工作状态和工作环境下的电流、电压、电容、电阻、低频噪声、可靠性等特性进行测量、数据采集和分析，以评估其是否达到设计指标。概伦电子半导体参数测试系统FS-Pro能够支持多种类型的半导体器件，具备精度高、测量速度快和可多任务并行处理等特点，能够满足晶圆厂和集成电路设计企业对测试数据多维度和高精度的要求。半导体器件特性测试仪器采集的数据是器件建模及验证EDA工具所需的数据来源，两者具有较强的协同效应。随着下游晶圆厂客户产能扩张，相关测试需求或将进一步释放。在制造类EDA工具方面，概伦电子的器件建模及验证EDA工具已经取得较高市场地位，被全球大部分领先的晶圆厂所采用和验证，主要客户包括台积电、三星电子、联电、格芯、中芯国际等，在其相关标准制造流程中占据重要地位。使用该EDA工具生成的器件模型通过国际领先的晶圆厂提供给其全球范围内的集成电路设计方客户使用，其全面性、精度和质量已得到业界的长期验证和广泛认可。在此基础上，通过半导体器件特性测试仪器与EDA工具的联动，能够打造以数据为驱动的EDA解决方案，紧密结合并形成业务链条，帮助晶圆厂客户有针对性的优化工艺平台的器件设计和制造工艺，不断拓展产品的覆盖面，进一步为概伦电子打造完整的制造EDA流程丰富了现有技术及解决方案。目前概伦电子主要产品及服务包括制造类EDA工具、设计类EDA工具、半导体器件特性测试仪器和半导体工程服务等。从其产品布局和发展历程来看，概伦电子在具备高价值的落地场景和应用需求的前提下，用相对较短的时间、较小的人员规模和投入，打造了全新的设计方法学和流程，逐渐形成了具有技术竞争力的EDA工具、测试产品和工程服务，并在国际主流市场获得产品验证机会，在多环节和维度上实现了对国际EDA巨头全流程垄断的突破。产学研模式新探索上文提到，此次FS-Pro HP-FWGMK套件的发布是概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的产物，在填补了半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试空缺的同时，也代表了国内产学研深度合作的典范。当前，在国产EDA的发展过程中，人才是关键，创新求变正在重塑新的核心竞争力。EDA核心技术的突破没有捷径可走，需要持续吸引各种人才、加强产学研合作和保持高研发投入，长期坚持技术沉淀，通过客户需求引导，才有可能形成新的突破。在当前行业背景和发展现状下，概伦电子正在探索以产教融合方式来培养项目和推动EDA技术和人才发展的新模式，携手各界通力合作，共同应对后摩尔时代技术与市场的双重挑战，构建中国EDA产业命运共同体，致力于突破困局并最终实现超越。

硅材料是半导体行业应用最广泛的半导体材料，是集成电路晶圆制造的主要原料。集成电路材料产业技术创新联盟联合分析检测与技术合作服务平台是材料联盟牵头，由多家半导体领域高校、企业及实验室等共建单位积极参与建设的专业化服务平台，目前共发布320多台仪器，涉及硅材料、光刻材料、电子气体、工艺化学品、封装材料、抛光材料、溅射靶材等多个不同领域。仪器信息网特将其中硅材料测试仪器进行整理，看知名半导体企业及实验室都购置了哪些硅材料测试仪器。（所统计仪器，部分仪器可能存在并列或包含关系，未进行区分）硅材料测试用仪器共55台（套），其中电子天平、电感耦合等离子质谱仪数量最多。硅材料测试用仪器数量统计仪器台（套）数量电子天平4电感耦合等离子体质谱仪4微控数显电加热板2数字式硅晶体少子寿命测试仪2磷检区熔炉2激光粒子计数器2等离子聚焦离子束2紫外/可见分光光度计1原子力显微镜1研磨机1硝酸提纯仪1显微红外分析仪1微机控制万能（拉力）试验机1微波消解仪1透视式电子显微镜1透射电子显微镜1少子寿命分析仪1扫描电镜系统1三维光学轮廓仪1能量色散型X射线荧光分析仪1纳米粒度仪1两探针电阻率测试仪1离子色谱仪1离子色谱1扩展电阻测试仪1聚焦离子束1精密研磨机1精密切割机1金相显微镜1激光散射粒径分布分析仪1傅立叶变换红外光谱仪1非金属膜厚仪1飞行时间二次离子质谱仪1多功能颗粒计数仪1电感耦合等离子体发射光谱仪1电感耦合等离子发射光谱仪1低温傅立叶变换红外光谱仪1低温傅里叶变换红外光谱仪1导电型号测试仪1超纯水系统1半导体参数测试仪1α-粒子计数器1CNC视像测量系统(三次元)13D立体显微镜1仪器所属单位中，55台（套）仪器分别来自于9家半导体企业及实验室。仪器所属企业统计单位名称台（套）数量江苏鑫华半导体材料科技有限公司23工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）16上海新安纳电子科技有限公司5南京国盛电子有限公司3洛阳中硅高科技有限公司3无锡华润上华科技有限公司2沁阳国顺硅源光电气体有限公司1纳瑞科技（北京）有限公司1江阴江化微电子材料股份有限公司1以下为硅材料测试用仪器的具体信息：硅材料测试仪器及型号仪器型号所属单位飞行时间二次离子质谱仪TOF.SIMS 5工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）非金属膜厚仪3100江阴江化微电子材料股份有限公司金相显微镜DM8000、DM3 XL等工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）透视式电子显微镜Tecnai F20无锡华润上华科技有限公司透射电子显微镜FEI Tecnai G 2 F20、OXFORD 能谱工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）超纯水系统Milli-Q Advantage A10江苏鑫华半导体材料科技有限公司能量色散型X射线荧光分析仪EDX-720工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）聚焦离子束FEI DB835无锡华润上华科技有限公司纳米粒度仪NiComp 380 ZLS上海新安纳电子科技有限公司紫外/可见分光光度计UV-MINI 1240工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）精密研磨机UNIPOL-802江苏鑫华半导体材料科技有限公司精密切割机SYJ-150江苏鑫华半导体材料科技有限公司等离子聚焦离子束FEI-235/FEI-835/FEI-200/FEI-800纳瑞科技（北京）有限公司等离子聚焦离子束双束FIB Helios G4 CX工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）离子色谱仪ICS-900上海新安纳电子科技有限公司离子色谱882 Compact IC plus江苏鑫华半导体材料科技有限公司磷检区熔炉WJ-FZ30A江苏鑫华半导体材料科技有限公司磷检区熔炉FZ 350/20江苏鑫华半导体材料科技有限公司硝酸提纯仪DST-4000江苏鑫华半导体材料科技有限公司研磨机metaserv250江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子发射光谱仪VARIAN 710-ES上海新安纳电子科技有限公司电感耦合等离子体质谱仪iCAP RQ沁阳国顺硅源光电气体有限公司电感耦合等离子体质谱仪7700S南京国盛电子有限公司电感耦合等离子体质谱仪8900江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子体质谱仪7700S江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子体发射光谱仪5100工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）电子天平XPE504江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平XPE105江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平ME-204E江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平JE1002江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光粒子计数器KC-24江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光粒子计数器HHPC-6+江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光散射粒径分布分析仪LA-960上海新安纳电子科技有限公司显微红外分析仪NicoletIS50+Continuum工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）数字式硅晶体少子寿命测试仪LT-100C洛阳中硅高科技有限公司数字式硅晶体少子寿命测试仪LT-100C江苏鑫华半导体材料科技有限公司扫描电镜系统冷场发射扫描电子显微镜 Regulus8230 热场发射扫描电子显微镜 MIRA3 XMH 离子溅射镀膜仪 Q150TS 能谱仪 Octane Elect Plus 电子背散射衍射仪相机 Hikari Plus X射线能谱仪 Octane Elect Su工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）扩展电阻测试仪SSM2000南京国盛电子有限公司微波消解仪MARS6江苏鑫华半导体材料科技有限公司微机控制万能（拉力）试验机CMT5105、6502工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）微控数显电加热板HP51江苏鑫华半导体材料科技有限公司微控数显电加热板EG20B江苏鑫华半导体材料科技有限公司少子寿命分析仪FAaST210南京国盛电子有限公司导电型号测试仪STY-3江苏鑫华半导体材料科技有限公司多功能颗粒计数仪AccuSizer 780 APS上海新安纳电子科技有限公司原子力显微镜Dimension Icon™ 工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）半导体参数测试仪B1500/B1500A/B15005A工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）傅立叶变换红外光谱仪Nicolet iS50洛阳中硅高科技有限公司低温傅里叶变换红外光谱仪CryoSAS江苏鑫华半导体材料科技有限公司低温傅立叶变换红外光谱仪CryoSAS洛阳中硅高科技有限公司两探针电阻率测试仪KDY-20江苏鑫华半导体材料科技有限公司三维光学轮廓仪VK-X250K工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）α-粒子计数器UltraLo-1800工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）CNC视像测量系统(三次元)O-INSPECT543工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）3D立体显微镜VHX-6000工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）推荐阅读：半导体行业湿电子化学品常用检测仪器及技术盘点

FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述：四点探针法，全自动化运行测量系统，PC软件采集和数据处理；参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻；可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择；真空环境，可显示：方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.FT-3110系列全自动四探针测试仪二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量；选择性发射极扩散片；表面钝化片；交叉指样PN结扩散片；新型电极设计，如电镀铜电阻测量等；半导体材料分析，铁电材料，纳米材料，太阳能电池，LCD，OLED，触摸屏等. FT-3110系列全自动四探针测试仪三.技术参数： 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5～2×10^5Ω10^-6～2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5～2×10^5Ω/□10^-6～2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6～2×10^6Ω-cm10-7～2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA， 10mA，100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面：电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围：探针压力可调范围：软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻：≥1000MΩ；机械游移率：≤0.3%圆头铜镀金材质，探针间距1mm；2mm；3mm选配，其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸：2-12寸（6寸150mm，12寸300mm）；方形片：大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性：重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：100W 16.选购项目电脑和打印机创新点：仪器采用全自动操作，抽真空处理瑞柯全自动四探针测试仪

p style="text-align: justify text-indent: 2em "近日，有消息称，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。这一消息再次将第三代半导体映入人们的视线。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "第一代半导体兴起于20世纪五十年代，以硅（Si）、锗（Ge）半导体材料为代表，广泛应用于集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。20世纪九十年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓、锑化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "近年来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 0em "密集出台第三代半导体发展政策/h3p　　2014 年，美国总统奥巴马宣布成立“下一代功率电子技术国家制造业创新中心” 同期，日本建立了“下一代功率半导体封装技术开发联盟 欧洲启动了产学研项目“LASTP OWER”，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国、法国、瑞典、希腊和波兰等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关SiC和GaN的关键技术。/pp　　我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从 2004 年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013 年中国科技部在 863 计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。2015年，中国建立第三代半导体材料及应用联合创新基地，，国家科技部、工信部、北京市科委牵头成立第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)，推动我国第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展。/pp　　我国在“中国制造2025”计划中明确提出要大力发展第三代半导体产业。国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。/ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none"tbodytr class="firstRow"td width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p政策名称/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p发布时间/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p相关内容/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《科技部关于举办第七届中国创新创业大赛的通知》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2018/3/span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p大赛设立专业赛事，促进创新方法实践、港澳台创业交流、大中小企业协同创新创业、军民融合以及新能源汽车、第三代半导体等专业领域创新创业/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《第三代半导体电力电子技术路线图》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2018/7/span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p style="text-indent:28px"路线图主要从衬底span//span外延span//span器件、封装span//span模块、spanSiC/span应用、spanGaN/span应用等四个方面展开论述，提出了中国发展第三代半导体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《工业和信息化部关于印发重点新材料首批次应用示范指导目录（span2019/span年版）》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2019/11/span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p将spanGaN/span单晶衬底、功率器件用spanGaN/span外延片、spanSiC/span外延片，spanSiC/span单晶衬底等第三代半导体产品纳入目录/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2019/12 /span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p明确要求长三角区域加快培育布局第三代半导体产业，推动制造业高质量发展/p/td/trtrtd width="184" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p《中国（安徽）自由贸易试验区总体方案》/p/tdtd width="80" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "pspan2020/9/21/span/p/tdtd width="289" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px "p将第三代半导体产业列入安徽自由贸易试验区发展重点/p/td/tr/tbody/tablep style="text-indent: 2em text-align: justify "此外，地方政府更是密集出台大量政策来响应国家计划，扶持第三代半导体产业发展。2018年，福建省出台9项政策，北京2项。2019年，福建省出台2项政策，江苏省出台1项，北京2项，广东省1项，山东省2项。据CASA统计，2019年1季度，我国各级政府机构涉及第三代半导体相关的政策条文就多达10条（2018年同期18条），政策内容涉及集群培育、科研奖励、人才培育、项目招商、生产激励等多个方面，地区包括天津、深圳、济南、北京、厦门、南昌、广州、徐州等8个地区。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "今年更是有消息称大力发展第三代半导体将写入“十四五”规划。在国家政策的大力支持下，国内第三代半导体产线陆续开通，产能不断增加。据CASA Research不完全统计，2019年，国内主要企业Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸产能约为20万片/年，Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸产能约为19万片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸产能约为10万片/年，SiC基GaN器件折算4英寸产能约为8万片/年。SiC方面，国内主要企业导电型SiC衬底折合4英寸产能约为50万片/年，半绝缘SiC衬底折合4英寸产能约为寸产能约为20万片/年 SiC外延片折算6英寸产能约为20万片/年。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 0em "分析检测仪器助力第三代半导体发展/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "随着工业、汽车等市场需求的增加，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显了出来。同时，随着第三代半导体材料产业化技术日趋成熟，生产成本不断降低，使得第三代半导体材料突破传统硅基半导体材料的瓶颈，从而引领了新一轮产业革命。未来采用第三代半导体材料器件的产品和企业将会越来越多。但在半导体器件向小型化和集成化方向发展的同时，半导体器件特性测试也越来越重要。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "数字源表源测量单元（SMU）就被视为是可支持第三代半导体材料器件的测试仪器。这种仪器在同一引脚或连接器上结合了源功能和测量功能，它将电源或函数发生器，数字万用表（DMM）或示波器，电流源和电子负载的功能集成到一个紧密同步的仪器中。可以在输出电压或电流的同时，测量电压和/或电流。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "一般说来，SMU测量能力超过类似单台仪器的任意组合。SMU可以进行高精度，高分辨率和高灵活性的测试分析。被广泛应用在 IV 检定、测试半导体及非线性设备和材料等方面的测试方面。这对于吞吐量和准确度尤其如此。源和测量电路的详尽设计知识和工作电路之间的反馈实现补偿技术能实现优秀的仪器特性，包括能针对具体工作条件进行动态调整的近乎完美输入和输出阻抗。这种紧密集成以极高分辨率实现快速源-测量周期。这些优点在半成品晶圆以及成品上进行的半导体测量中最突出。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "SiC、GaN等薄膜外延生长后，需要检测薄膜的表面形貌来表征材料生长效果。通常使用高分辨率的透射电镜（HRTEM）检测，它只是分辨率比较高，一般透射电镜能做的工作它也能做，但高分辨电镜物镜极靴间距比较小，所以双倾台的转角相对于分析型的电镜要小一些。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "高分辨X射线衍射是半导体材料表征的标准装备，可用于半导体材料和器件等的研究和生产质量控制。其适用于各种薄膜样品的测试应用，尤其适合外延薄膜和单晶晶圆的结构分析和表征，例如：摇摆曲线分析、倒易空间图、反射率、薄膜物相分析、掠入射表面分析、残余应力和织构分析等。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "此外，光致发光光谱(PL)、原子力显微镜、二次离子质谱（SIMS）、椭圆偏振仪等是第三代半导体的检测的重要仪器。随着国内第三代半导体的研究热潮和产业大面积落地，第三代半导体检测仪器将迎来巨大的市场机遇。/pp style="text-align: center text-indent: 0em "a href="https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target="_self"img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/3bb43945-c34d-4a4d-b174-450445394cb6.jpg" title="半导体材料与器件.jpg" alt="半导体材料与器件.jpg"//a/p

近日消息，日本芯片测试设备（ATE）大厂Advantest（爱德万测试）将全资收购总部位于荷兰兹沃勒的Salland Engineering以及其旗下的子公司Applicos，但收购金额暂未披露。资料显示，Salland Engineering是一家国际领先的测试技术与工程公司，专门提供解决方案和服务，帮助半导体制造商提高测试效率和质量。Salland Engineering自1992年成立以来一直致力于此，已通过ISO 9001:2015认证，总部位于荷兰兹沃勒，业务遍布全球。据了解，Salland Engineering主要设计并制造高品质仪器，供客户升级其自动测试设备(ATE)和/或测试与测量装置的性能或通道密度。这些仪器可为客户提供了一种经济有效的方式来延长其ATE投资的吞吐量和使用寿命。同时，Salland Engineering还提供广泛的工程服务，包括测试程序开发和转换、测试程序优化、负载板开发和故障分析。除了开发能力外，该公司还拥有内部测试和分析设备，可提供从样品和工艺鉴定到欧洲中型批量生产测试的芯片测试，还提供从原型设计、制造到高级测量解决方案维修服务的供应链服务。Applicos自1993年以来一直致力于设计和制造高性能的混合信号测试解决方案，制造用于混合信号测试的标准仪器。这些仪器可以独立使用，也可以与其他测试系统结合使用，适用于实验室详细分析和生产环境。该公司还提供多种任意波形发生器、数字化仪模块和特殊（模拟）功能模块可供选择。Salland Engineering也发表声明表示，Salland Engineering和Applicos将加入领先的半导体测试设备供应商Advantest Corporation，成为Advantest Europe GmbH的独立全资子公司。Salland Engineering称，“此次收购将Salland在测试仪器和服务方面的专业知识与爱德万测试全面的半导体测试设备相结合，有助于我们更好地满足全球客户群的需求。我们作为爱德万测试集团的独立子公司进行整合，增强了我们的工程能力，扩大了我们的业务范围，并使我们能够在这个充满活力的全球市场中保持竞争力，同时确保为我们的忠实客户群提供不间断的服务。”这次收购不仅扩展了爱德万测试在全球半导体测试市场的业务范围，也可能增强其在高端测试技术领域的竞争力。通过整合Salland Engineering和Applicos的技术和服务，爱德万测试能够为客户提供更加全面和高效的解决方案，从而进一步巩固其市场地位。

项目编号：M4400000707015234001项目名称：手套箱与电流电压测试仪等设备采购(四次)采购方式：公开招标预算金额：2,128,500.00元采购需求：合同包1(金相显微镜探针台等设备采购):合同包预算金额：2,128,500.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他专用仪器仪表金相显微镜探针台1(套)详见采购文件199,000.00-1-2其他专用仪器仪表高温分析探针台1(套)详见采购文件158,000.00-1-3其他专用仪器仪表探针台5(套)详见采购文件245,000.00-1-4其他专用仪器仪表电容电压特性测试仪5(套)详见采购文件180,000.00-1-5其他专用仪器仪表电流电压测试仪10(套)详见采购文件500,000.00-1-6其他专用仪器仪表少子寿命测试仪5(套)详见采购文件150,000.00-1-7其他专用仪器仪表霍尔效应测试仪5(套)详见采购文件27,500.00-1-8其他专用仪器仪表四探针测试仪5(套)详见采购文件115,000.00-1-9其他专用仪器仪表晶体管图示仪5(套)详见采购文件45,000.00-1-10其他专用仪器仪表数字荧光示波器16(套)详见采购文件496,000.00-1-11其他专用仪器仪表万用表10(套)详见采购文件13,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：自合同签订之日起至质保期满之日

2021年9月23日，由芜湖市人民政府和SEMI中国共同主办的“化合物半导体制造技术论坛”在安徽省芜湖市成功举办，晶湛半导体应邀出席并发表题为“用于新型GaN功率器件的外延技术进展”的主旨演讲。在演讲中，晶湛半导体成功展示了一系列用于200V、650V和1200V功率半导体器件的高质量300mm GaN-on-Si HEMT外延片，并且具有优异的厚度均匀性和低晶圆翘曲，这为使用更复杂精密的300mm CMOS兼容工艺线进行氮化镓芯片制备铺平了道路。大尺寸Si衬底上GaN外延技术的突破，将GaN的卓越特性和CMOS兼容加工线的生产优势结合在一起，使GaN-on-Si功率器件具有优异的性能和可靠性。如今，基于GaN-on-Si HEMT技术平台的商用GaN功率器件已获得巨大的发展机遇，，GaN功率器件正在加速进入消费电子、工业电子、数据中心、能源、汽车和交通等广阔的功率芯片应用领域。在进一步降低芯片成本和进行复杂电路设计和集成的驱动下，更大的晶圆尺寸已经成为行业的发展方向。继2014年成功推出商用200mm GaN-on-Si HV HEMT外延片后，晶湛半导体已成功将其AlGaN/GaN HEMT外延工艺转移到300mm Si衬底上，同时保持了优异的厚度均匀性和50µm以内的低晶圆翘曲。垂直电压击穿测量表明，300mm尺寸的晶圆同样适合于200V、650V和1200V功率器件应用（图1）。图1：晶湛半导体300mm GaN-on-Si HEMT外延片系列（200V，650V，1200V击穿电压应用）厚度均匀性分布图和垂直击穿电压分布图（漏电流=1µA/mm2 @ RT）为解决GaN外延中的晶圆开裂/弯曲和高晶体缺陷等关键问题，晶湛半导体此次发布的300mm GaN-on-Si HEMT结构外延片采用了如图2（a）所示的外延结构。外延生长从AlN形核层开始，然后是应力弛豫缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层。如图2（b）所示，窄的XRD AlN（002）峰和良好的半高宽均匀性表明整个300mm晶圆的晶体质量较高。 图2：（a）晶湛半导体300mm GaN-on-Si HEMT外延结构示意图(b)AlN成核层XRD(002) FWHM分布图， Avg=743arcsec（Std=2%） 图3展示了从晶圆中心到晶圆边缘的9个位置处测得的AlGaN势垒层中的铝成分含量及2DEG载流子浓度。测量结果显示AlGaN势垒中铝成分的平均值为19.9%，标准差为0.68%（图3a），表明300mm晶圆具有均匀的2DEG电学特性。CV测试同样证实了这一点，测试结果显示平均电子浓度为7.2E12 cm^-2，标准偏差2%（图3b）。图3：晶湛半导体300mm AlGaN/GaN HEMT外延片中势垒层Al组分含量分布和2DEG浓度分布　晶湛半导体创始人兼CEO，程凯博士评论道：“基于我们优化的AlN成核层技术，我们能够在高达300mm的大尺寸硅衬底上生长无裂纹的GaN HEMT外延片，并且满足相应的漏电流要求。尽管在300mm大晶圆尺寸下，外延工艺、应力管理和缺陷控制方面都存在巨大挑战，我们仍在AlGaN/GaN HEMT外延片中实现了优异的结构质量和电性能。这必将鼓励大功率集成电路的发展，推动片上系统（SoC）的集成并进一步降低GaN功率器件的成本。

相对于半导体技术迅猛发展，制程工艺不断缩小的迭代周期，与半导体产业一路相伴的测试设备产业似乎“缓慢”得多。在全球半导体测试设备龙头爱德万测试（ADVANTEST）的官网上，其分别推出于1999年、2003年的两款测试设备V93000测试系统和T2000测试系统至今依然有出货记录。根据爱德万测试的官方数据，V93000机型在2017年创下累计出货5000台的记录，在2019年仍有单笔订单超过30台的情况。同样地，另一家测试机龙头泰瑞达的一款推出于2001年的数模混合测试平台至今也仍在该公司的官网销售。作为半导体行业唯一贯穿设计、制造、封装、应用全过程的重要部分，半导体测试设备对于产品良率和品质的提升至关重要。根据美国的半导体行业调查公司VLSI Research发布的按销售额排名的2019年全球前十大半导体设备厂商中，测试设备商占据两个席位，分别是日本的爱德万公司（第6）、美国的泰瑞达公司（第8）。2019年爱德万、泰瑞达销售额（包括服务收入）分别为24.7亿美元、15.5亿美元。随着芯片工艺不断升级，一颗芯片上承载的功能越来越多，对测试的需求也不断增长。而一台20年前上市的半导体测试ATE设备至今依然可以有良好的销售业绩，这种超长“待机”的背后，是哪些核心技术能力的支撑？在摩尔定律快速迭代的技术路线之下，测试设备如何以“以缓慢应对迅疾”，为半导体产业的推进保驾护航？超长“待机”背后看似“缓慢”其实一直在变化。“现在半导体测试机台，都是一个平台的概念。尽管V93000系列现在依然在出货，但是它早已不是20多年前的那台机器了。”爱德万测试（中国）管理有限公司（下称“爱德万测试”）新概念业务VP夏克金博士对集微网指出，以V93000系列为例，其实经历了Single Density、Pin Scale、Smart Scale、EXA Scale四代升级。T2000系列也是一样的，推出了各种针对不同应用的板卡模块。对于动辄百万乃至千万元量级的半导体测试设备，使用期限作为投入成本中考虑的重要因素之一，10到20年几乎是最基本的参考标准。但测试设备的技术进步从未停止，它是跟摩尔定律同步的，这就要在产品平台更新与兼容性两者之间实现最优平衡。这些机型之所以能够维持如此好的销售成绩，是因为ATE设备仅需更换测试模块和板卡就可应对更多种类的测试需求以及提升其测试性能，而不需要更换机器。对于半导体测试设备来说，核心的技术能力在于功能集成、精度与速度，以及可延展性。“在一台测试机的设计之初就要考虑得特别长远。”夏克金说，这其中，需要设计研发人员有非常前瞻的技术眼光以及平台化思维，“你不能说，4G时代的测试机台，到了5G时代，技术更新升级了，就完全不能使用，要全部换新的。”测试的价值体现最主要在上市时间（Time-to-Market）和成品率提升（Yield Improvement）两个方面。半导体检测设备的核心功能是用来检测晶圆制造和芯片成品的质量，辅助降本、提高良率和增强客户的订单获取能力。检测设备自身不会改变晶圆或芯片的质地，但是经过优化的测试方法，可以在具有高测试覆盖率的前提下，控制成本并降低在最终客户那里的DPPM（Defective Parts Per Million），减少退货率。一台测试设备对于半导体制造厂商来讲是重资产投入，其使用周期少说也要长达10至20年，在这样的超长“待机”背后，更考验的是半导体测试设备厂商的工程支持能力。而越是高端的测试设备，工程支持能力越为关键。“你同样用一台测试机验证IC设计，工程能力强的服务团队可能1个月就能帮你找到所有的bug，就可以快速进入量产上市阶段。”夏克金指出。芯片融合时代：测试也要“上天入云”过去简单的电子技术就可以满足的需求，如今可能需要人工智能、机器学习、无人驾驶、医疗仪器、基础设施扩建等多元覆盖实现。终端应用领域对于半导体技术的要求亦呈指数增长。因此，半导体元器件必须具备极高的可靠性，半导体测试设备对于供应链的价值也由此变得更加重要。对应迅速更新迭代的智能世界，先进制程升级要求半导体检测技术快速迭代，因而对于ATE机台来说，平台通用化、模块化、灵活性高、可升级是未来技术发展的大趋势。系统级测试（SLT，system level test）、大数据分析、ATPG编程自动化等，都是测试领域应对未来半导体市场发展面临的挑战，这需要测试设备厂商有超前的技术眼光，随时跟进市场需求。在此前十年，爱德万先后并购了Asia Electronics, Inc.、Credence Systems GmbH、Verigy以及W2BI.COM，进一步完善了公司除存储以外的业务布局，包括SoC、无线、汽车等综合领域。当前芯片已经进入融合的时代 (Age of Convergence)，这对于测试设备提出更多要求。和以往单一驱动力不同，现在的半导体产业有着众多的驱动力，从无人驾驶到虚拟现实，从人工智能到云计算，从5G到IoT，从传感器到SIP，众多驱动力共同推动半导体测试技术不断前行。爱德万扩展的脚步从未停止。今年（2020年）7月，爱德万测试发布了TE-Cloud（Test Engineering Cloud）云平台服务，整合各个合作伙伴测试资源，可以为客户提供完整的测试程序开发环境，以及全方位测试外包服务。9月，爱德万又与半导体软件市场数据分析解决方案PDF Solutions建立合作，拓展AI在测试领域的应用。使用AI和机器学习技术的PDF公司，通过软件平台进行的大数据分析，对于提高精细工艺关键点的良率，确保设备质量以及降低检测和测量成本至关重要。更重要的是，随着半导体制造、测试和装配的独立分工，PDF公司的Exensio平台和连接数据基础的Data Exchange Network（DEX），通过连接半导体供应链，将半导体工程师与半导体测试设备连接起来，为设计和制造提供重要的参考，有助于降低检测成本，提高性能和良率。而通过将PDF公司的Exensio平台和DEX，与高性能检测设备相结合，爱德万可以为客户提供在产业链上任何点位的连接、测试、测量和分析，有助于进一步提高客户的良率和降低检测成本。近年来，集成电路测试需求的热点围绕IOT、5G、AI以及高性能计算（HPC），尤其是射频应用开发增长极快。在这个趋势下，测试设备开始要在整个产业链“上下左右”都多走一步。具体来说，要与IC设计层面结合更多，在产品层面则是更多需要向系统级测试（SLT）发展，往上走则是要接入云端、AI、大数据。夏克金表示，目前爱德万测试的业务已不止专注于后道，而是涵盖了全面的半导体产业链及SSD、手机、平板等系统测试产业，除了传统的SoC和存储测试机台之外，还包括了服务、支持、咨询、SSD测试以及分选机台、纳米电子束扫描电镜等机电业务。中国市场测试需求不断增长根据SEMI统计，目前全球半导体检测类设备市场规模超800亿元，其中前道量测设备市场规模约406亿元，后道测试设备约399亿元。从全球市场格局来看，当前半导体检测设备呈现寡头垄断格局。其中前道检测设备领域，科磊、应用材料、日立合计占比76%。在后道高端测试设备市场，以2011年爱德万收购惠睿捷（VERIGY）为标志，形成了以爱德万、泰瑞达为中心的双寡头格局。目前以爱德万、泰瑞达为代表的后道测试设备厂商形成了SOC测试、存储器测试、模拟信号测试、数模混合信号测试等全面的产品系列，同时对5G、AI、物联网等新兴趋势进行了积极开发布局，代表着行业最前沿的水平。而伴随着中国兴建半导体厂的规划逐渐落地，以及国际半导体公司在中国的不断投入，中国开始引入越来越多的半导体测试设备。同时，在大方向上，随着终端市场需求增加，对于存储的需求格外旺盛，此外包括电源、模拟、逻辑产品的部分品类需求也呈爆发态势，极大地促进了行业对半导体测试设备的需求。夏克金说，多年以前，国内的芯片设计水平和技术指标比较低，与国际甚至可能有一两代的差距。但是现在来看，这种差距总体上越来越小，在某些领域甚至都有可能实现反超。根据国金证券的测算，科磊、爱德万、泰瑞达三家合计中国大陆地区销售收入规模为150亿元。国金证券预估上述三家公司在中国大陆地区的市占率超过70%，由此推测出中国大陆每年对半导体检测设备的需求量在 200亿元以上。机构分析指出，尽管测试设备市场头部效应明显，在芯片制造、封测所涉及到的上千道加工工序中，包括晶圆检测在内的多个细分领域仍存在新玩家入局的机会。目前国内半导体测试设备与国际水平仍有很大差距，但近年来已有一些国内企业崭露头角，并在一些层面打破国外测试机厂商的垄断，未来具备良好成长空间。国内半导体测试设备领先企业包括华峰测控、长川科技、武汉精鸿等，在模拟、存储测试机以及SoC测试机领域，都在积极布局，并取得了一定的突破。

在近日举办的“中国集成电路设计业2022年会暨厦门集成电路产业创新发展高峰论坛”上，专家指出，随着新兴市场的不断发展，半导体ATE（自动测试设备）迎来了千载难逢的发展机会。但是在ATE市场快速增长的同时，新兴市场也给ATE产业带来了新的挑战。新兴半导体产业需求带动ATE市场增长在半导体产业链中，一颗芯片的生命周期始于市场需求，在进行产品的定义、设计、制造、封装后，最终交付到终端消费者手中，在整个流程中需要经过多次测试。其中ATE测试不仅在封装后要进行，在制造环节中也同样需要，是实现从研发到量产至关重要的一环。越高端、功能越复杂的芯片对测试的依赖度越高，同时测试设备的各类先进功能对半导体厂商来说也变得越来越重要。随着新兴产业对半导体的需求越来越多、越来越丰富，ATE市场的增长十分迅猛。GIR调研数据显示，2021年全球半导体ATE设备收入大约为40.7亿美元，预计2028年达到50.01亿美元。数据来源：GIR调研泰瑞达公司中国产品专家于波表示，ATE市场的快速发展，主要是受到三个新兴半导体领域需求激增的带动。其一是数据中心以及先进计算的业务，从2021年到2030年间的复合年均增长率达5%。其二是无线通信业务，随着5G通信和下一代通信基站的不断发展，从2021年到2030年间无线通信业务的年复合增长率达6%。其三是汽车电子，这也是半导体市场里增长最快的细分领域，从2021年到2030年间的年复合率达13%。数据来源：泰瑞达挑战接踵而至而谁能想象，新兴市场的繁荣为ATE设备带来巨大市场增长量的同时，也带来了重重困难。据了解，测试方案的优劣直接影响到良率和测试成本。有资料显示，芯片缺陷相关故障对成本的影响从IC级别的数十美元，增长到模块级别的数百美元，乃至应用端级别的数千美元。此外，目前芯片开发周期缩短，对于流片的成功率要求非常高，任何一次失败，对企业而言都是无法承受的。因此，在芯片设计及开发过程中需要进行充分的验证和测试。然而，由于ATE不属于工艺设备，因此产品迭代速度较慢，单类产品生命周期较长。市场目前主流的ATE多是在同一测试技术平台通过更换不同测试模块来实现多种类别的测试，并提高平台延展性。“如今，很多玩家都很关注新兴市场，这也使得这些市场的竞争开始变得非常激烈，使得市场对芯片迭代的需求越来越多，且产品的生产周期也在逐渐缩短。但是在这样的情况下，还需要保证芯片的质量符合要求，尤其是汽车电子领域，对芯片质量要求可谓是零失误。因此，对于芯片测试的要求也变得更加苛刻。”于波向《中国电子报》记者表示。要获得更快的产品面世时间、更高的测试效率、更低的测试成本、更高的质量，一系列对于ATE的新要求已经接踵而至。“这些要求对ATE而言是比较矛盾的，很难同时兼备。此外，从测试机的开发角度而言，也会遇到很多相互制衡的因素，例如，测试机的通道数量是否够、测试机是否能达到高的测试密度等。”于波说。除了新兴市场为ATE设备带来的挑战外，先进制程工艺芯片的测试也为ATE设备带来了很大挑战。于波表示：“对于测试行业而言，从封装到先进封装，对于测试的方法并没有太大的变化，只是从测试策略上可能有一些区别。但是随着先进制程的发展，会给ATE设备带来一些挑战。先进制程芯片的硅片尺寸比较大，在测试时消耗的功率也比较大，用的资源也比较多，对测试机会有很大的压力。首先，这会导致测试成本提升。其次，对测试机的各方面技术的要求也会提升，需要测试机具备更高的性能。最后，测试方式也需要有变化，需要针对先进制程开发新的测试方法。”新的方法论破解难题如何才能快速且高效地完成新一代ATE方案的开发，以满足市场对大量出货、类型各异的芯片测试需求，成为了业界亟待解决的新难题。对于ATE厂商而言，究竟如何破解？于波表示，对于ATE厂商而言，可以从三步来解决。首先，在开发测试工具时，对于新兴技术要具备一定的技术前瞻性和倾斜性，提前开发技术，从而节约成本。“事实上，对于测试机供应商的厂商来说，无论车载芯片、工业芯片，其实测试的本质并没有发生变化，大部分的研发是随着市场的方向来的。但是由于最近两三年车载市场的年复合增长率确实非常高，因此整个研发方向也会往这个方向去倾斜。对于测试行业而言，也会向这个方向倾斜，例如，提前研发出更多车载产品应用解决方案所对应的测试板卡等。”于波说。其次，通过改善测试机的功能，来提升芯片测试的良率。虽然，芯片的良率大部分是由代工厂来决定，但是通过优化测试方法，也可以提高芯片的良率，从而提升产品的面世时间。于波认为：“通过测试提升芯片良率主要有两个方式：其一，在测试过程中修复一些设计中的缺陷，来提升边界良率，降低报废成本。其二，提升测试规格的精密度，减少‘误伤’情况，把芯片测得更准。”最后，在测试过程中，要对测试单元进行精简，减少不必要的环节，在提升芯片测试效率的同时，还能减少不必要的成本消耗。“在破解难题的过程中，往往也会开发出新的测试方法论甚至更深一层的合作模式。例如，在先进制程芯片的测试中，可以通过提升单位面积产出效率、加大电流及电压等方式，来提升芯片的测试效率。此外，如今各个新兴领域的竞争也进入到了白热化的阶段，各大系统厂商甚至纷纷开始自研芯片，这对于测试行业而言，更是一个很大的挑战，但是也促进了我们与上游设计厂商等进行更深度的合作，提前研制出芯片测试的方式以及标准，提升芯片的生产速度。”于波表示。

6 月 6 日晚，半导体检测设备龙头华峰测控发布《关于公司创始人、实际控制人之一、董事长孙铣先生去世的公告》显示，公司创始人、实际控制人之一、董事长孙铣先生于 2021 年 6 月 5 日因病去世，享年 72 岁。华峰测控 2020 年年报显示，孙铣，男，1949 年生，中国国籍，无境外永久居留权，1969 年毕业于光华无线电学校，1970 年至 1992 年，进入中国航天工业总公司第一研究院国营二〇〇厂担任工程师，成长为电子元器件可靠性专家，享有国务院政府特殊津贴；1993 年 1 月至 2011 年 12 月，担任公司总工程师；2012 年 1 月至今，担任公司技术顾问，2021 年 1 月 5 日至今，担任公司董事长。2020 年，孙铣在华峰测控获得的薪酬为零。华峰测控表示，孙铣先生，是公司创始人、实际控制人之一，为公司董事长兼法定代表人。华峰测控在公告中表示：“孙铣先生在 1993 年创办华峰测控，带领公司从一家小公司发展到每年向国内外半导体企业提供近千台高端测试设备的国家高新技术企业，为公司发展倾注了毕生心血；在担任公司董事长期间更是勤勉尽职、实事求是；作为半导体测试行业内公认的专家，为国内外半导体测试领域的进步和发展做出了卓越贡献。”公司称，孙铣先生去世后，公司现任董事人数由 9 人减少至 8 人，未低于《公司法》规定的董事会最低人数，公司董事会将尽快推荐人选，并召集股东大会进行补选。目前，公司生产经营活动保持稳定并正常进行，董事、监事、高级管理人员及全体员工将继续勤勉尽责，致力于公司的长远发展。公司将根据后续事项的进展及时发布公告。资料显示，华峰测控 20 多年来始终专注于半导体自动化测试系统领域，公司产品主要用于模拟及混合信号类集成电路的测试，公司以其自主研发的产品实现了模拟及混合信号类半导体自动化测试系统的进口替代。目前，公司已成长为国内最大的半导体测试系统本土供应商，也是为数不多进入国际封测市场供应商体系的中国半导体设备厂商。公司产品不但在中国境内批量销售还外销至中国台湾、美国、欧洲、韩国、日本等境外半导体产业发达地区，截至目前，全球累计装机量突破 3000 台。公司目前的主要产品为 STS8200 和 STS8300。其中，STS8200 是国内率先正式投入量产的全浮动测试的模拟混合测试系统，从进入市场到今天已 10 年有余；STS8300 是公司 2018 年推出的全新测试系统，能够测试更高引脚数和更多工位的模拟及混合信号类集成电路。公司测试系统应用贯穿整个集成电路产业链，被用于 IC 设计检测、晶圆制造检测和成品测试。测试设备通过探针台和分选机将设备与芯片链接，通过施加激励信号并收集反馈，测试芯片的电流、电压等主要参数，判断芯片在不同工作环境下的性能有效性是否达到设计要求。2020 年，华峰测控实现营业收入近 4 亿元，同比增长 56.11%；归属于上市公司股东的净利润近 2 亿元，同比增长 95.31%。

半导体快速退火炉（RTP）是一种特殊的加热设备，能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温，并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用，如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。一、快速退火炉的原理半导体快速退火炉通过高功率的电热元件，如加热电阻来产生高温。在快速退火炉中，通常采用氢气或氮气作为气氛保护，以防止半导体材料表面氧化和污染。半导体材料在高温下快速退火后，会重新结晶和再结晶，从而使晶体缺陷减少，改善半导体的电学性能，提高设备的可靠性和使用寿命。1.1快速退火（RTA）与传统退火相比，快速退火具有更高的加热和冷却速度。通过快速加热和冷却，可以缩短退火时间，提高生产效率。1.2快速热处理（RTP）热处理是半导体制造中的一项关键技术，它可以改变材料的微观结构和性能。在热处理过程中，材料被加热到高温，然后进行保温和冷却。这个过程中，材料内部的原子会发生重新排列，从而改变材料的物理、化学和机械性质。二、半导体退火炉的应用领域1.封装工艺在封装工艺中，快速退火炉主要用于引线的切割和组装。引线经过切割和组装后，可能会产生内应力，影响封装的稳定性和可靠性。通过快速退火处理，可以消除引线内的应力，提高封装的稳定性和可靠性，保证产品的使用寿命。2.CMOS器件后端制程在CMOS器件后端制程中，快速退火炉可用于修复制程中产生的损伤和缺陷，增强器件的电学性能。通过快速退火处理，可以减少CMOS器件中的氧化物陷阱电荷和界面态密度，提高器件的可靠性和寿命。3.GaN薄膜制备GaN是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能和稳定性。在GaN薄膜制备过程中，快速退火炉可用于提高薄膜的结晶质量和表面平滑度。通过快速退火处理，可以消除薄膜中的应力，减少缺陷，提高GaN薄膜的光电性能和稳定性。4.SiC材料晶体生长SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中，快速退火炉可用于提高晶体生长的质量和尺寸，减少缺陷和氧化。通过快速退火处理，可以消除晶体中的应力，提高SiC材料的晶体品质和性能。5.抛光后退火在半导体材料抛光后，表面会产生损伤和缺陷，影响设备的性能。快速退火炉可用于抛光后的迅速修复损伤和缺陷，使表面更加平滑，提高设备的性能。通过快速退火处理，可以减少表面粗糙度，消除应力，提高材料的电学性能和可靠性。

图1 GaN晶格结构图（图源：滨松中国官网）GaN材料是第三代半导体材料之一，被广泛应用于电子、光电子和通信等领域，因此实现GaN材料质量定量评估显得尤为重要。而IQE又是 GaN 单晶体质量评估所必需的参数。因此，在设计和制造GaN单晶体时，需要对IQE参数进行充分的考虑和评估，以确保其性能符合要求。ODPL测量系统图2 ODPL 测量系统（图源：滨松中国官网） 为了更好地定量评估GaN晶体质量，滨松公司和日本东北大学合作研发了一套基于积分球的全向光致发光系统（简称ODPL）。 ODPL 测量系统使用积分球来测量全向光致发光光谱并确定样品的发射效率，利用独自的计算方法得出GaN 晶体的IQE，对结构缺陷和杂质有无等质量问题进行量化来实现精准评估。图3 基于积分球的测量原理示意图产品应用GaN/SiC晶体性能定量分析半导体晶体杂质有无检测 半导体晶体结构缺陷 钙钛矿材料测量ODPL测量系统新品到货，欢迎预约免费测试利用吸收波长区域重叠的绿色光仅在晶体上方发光的特性,通过ODPL成功地计算IQE。结果表明,IQE至少达到62.5%,并且IQE会随着甲基离子的过量和不足,而大幅波动。 图4 钙钛矿材料的IQE测量免费测试通道长按识别上方二维码，提交预约测试申请等待客服联系寄送样品等待的测试完成，免费获取完整的数据

绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?1 为什么在测量同一物体时用不同的电阻量程有不同的读数？ 这是因为测量电阻时为防止过电压损坏仪器，如果出现过量程时仪器内保护电路开始工作，将测试电压降下来以保护机内放大器。在不同的电压下测量同一物体会有不同的结果。而且当测量电阻时若读数小于199，既只为三位数且di一位数为1 时，其准确度要下降。所以在测量电阻时当di一次读数从1 变为某一读数时，不应再往更高的量程扭开关以防对仪器造成过大的电流冲击。在实际使用时，即读数位数多的比读数位数少的准确度高。2为什么测量完毕时一定要将量程开关再拨到104档后才能关电源？ 这是因为在测量时被测物体及仪器输入端都有一定的电容，这个电容在测量时已被充电到测量电时的电压值，如果仪器不拨到104挡后关电源这个充电后的电容器会对仪器内的放大器放电而造成仪器损坏。当被测量物体电容越大，测试电压越高时，电容器所储藏的电能越大，更容易损坏仪器，特别是在电阻的高量程或电流的低量程时因仪器非常灵敏，仪器过载而损坏的可能性更大。所以一定要将量程开关再拨到104挡后才能关电源。3为什么测量时仪器的读数总是不稳？ 一般的材料其导电性不是严格像标准电阻样在一定的电压下有很稳定的电流，有很多材料特别是防静电材料其导电性不符合欧姆定律，所以在测量时其读数不稳。 这不是仪器的问题，而是被测量物体的性能决定的。有的标准规定以测量1分钟时间的读数为准。通常在测量高电阻或微电流时测量准确度因重复性不好，对测量读数只要求2位或3位。另外在测量大电阻时如果屏蔽不好也会因外界的电磁信号对仪器测量结果造成读数不稳。4为什么测量一些物体的电流时用不同的量程也会出现测出结果相差较大？ 这是因为一般物体输出的电流不是恒定流，而仪器有一定内阻，若在仪器上所选量程的内阻过大以至于在仪器上的电压降影响被测物体的输出电流时会造成测量误差。一般电流越小的量程内阻越高，所以在测量电流时应选用电流大的量程。在实际使用时即只要电流表有读数时，读数位数少的小的比读数位数多的准确度高。 5 为什么测量完毕要将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源？ 这是因为机内的电容器充有很高的电压（zui高电压达1200V以上），这些电容器的所带的电能保持较长的时间，如果将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源，则会将机内的高压电容器很快放电，不会在测量的高压端留有很危险的电压造成电击。如果仅拨电源线而不是将电压调至10V档，虽然断了电源，但机内高压电容器还有会因长时间保持很高的电压，将会对人员或其它物体造成电击或损坏。在仪器有问题时也不要随便打开机箱因机内高压造成电击，要将仪器找专业技术人员或寄回厂家修理。6为什么在测量电阻过程中不要改变对被测物的测试电压？ 在测量电阻过程中如果改变对被测物的测试电压，无论电压变高或变低时都将会产生大脉冲电流，这个大的电流很有可能使仪器过量程甚至更损坏仪器。另一方面如果电压突然变化也会通过被测量物体的（分布）电容放电或反向放电对测量仪器造成冲击而损坏仪器。有的物体的耐压较低，当您改变测量电压时有右能击穿而产生大电流损坏仪器。如果要改变测量电压，在确保被测量物体不会因电压过高击穿时，要先将量程开关拨到104档后关闭电源，再从仪器后面板调整到所要求的电压。有的材料是非线性的，即电压与电流是不符合欧姆定律，有改变电压时由于电流不是线性变化，所以测量的电阻也会变化。

2023年10月18-20日，仪器信息网(www.instrument.com.cn) 与电子工业出版社将联合主办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会。iCSMD 2023会议围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件的材料分析、失效分析、可靠性测试、缺陷检测和量测等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。本次大会分设：半导体材料分析技术新进展、可靠性测试和失效分析技术、可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）、缺陷检测和量测技术4个主题专场，诚邀业界人士报名参会。主办单位：仪器信息网，电子工业出版社参会方式：本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/ 或扫描二维码报名“缺陷检测和量测技术”专场预告（注:最终日程以会议官网为准）时间报告题目演讲嘉宾专场：缺陷检测和量测技术（10月20日上午）9:30半导体芯片量检测技术及装备杨树明（西安交通大学 教授）10:00国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书（中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员）10:30面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓（同济大学 副教授）嘉宾简介及报告摘要（按分享顺序）杨树明 西安交通大学 教授【个人简介】杨树明，西安交通大学教授，博士生导师，国际纳米制造学会（ISNM）会士、国家杰出青年基金获得者、国家重点研发计划项目首席、教育部新世纪优秀人才、陕西省重点科技创新团队带头人等。承担国家及省部级重大重点项目20余项，发表学术论文200余篇，出版专著2部，授权/公开国际国内发明专利100多件，获科技奖励9项。被遴选为亚洲精密工程与纳米技术学会（ASPEN）理事、中国计量测试学会常务理事、中国微米纳米技术学会微纳米测量与仪器分会副理事长、中国计量测试学会几何量专业委员会副主任委员、中国计量测试学会计量仪器专业委员会常务理事、中国仪器仪表学会机械量测试仪器分会常务理事、中国机械工程学会微纳制造技术分会常务理事等。在国际国内学术会议应邀做大会报告和特邀报告50余次，担任JMS、IJPEM-GT、IJRAT、NMME、MST、PE、IJAMT、Photonics等国际期刊编委和客座编委以及多个国内期刊编委等。报告题目：半导体芯片量检测技术及装备【摘要】该报告将介绍半导体晶圆制造过程、图形化过程以及封装后关键尺寸和缺陷检测技术及其装备。施玉书 中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员【个人简介】施玉书，男，工学博士，博士生导师，中国计量科学研究院纳米计量研究室主任与微纳计量创新团队带头人，国际计量委员会长度咨询委员会国际互认与纳米工作组委员、ISO/TC213与ISO/TC201专家委员、SAC/TC240、SAC/TC279/WG11委员、东北亚标准合作会议WG11召集人、全国几何量长度计量技术委员会委员及纳米几何量计量工作组组长、国家重点研发计划项目负责人。致力于我国纳米量值的等效一致与国际互认，以实现我国纳米科技与产业高端精密仪器的量值准确可靠，先后承研了国家级项目/课题10余项，自主研制了多台套国家最高纳米计量标准装置与多结构纳米几何特征参量国家标准物质，建立了全链条国家纳米计量体系。主持和参与国家标准与计量技术规范制定20项，建立社会公用计量标准8项、获批国家标准物质29项，主导/参与国际比对5项，主导国内比对2项，在国内外刊物发表论文80余篇，授权专利20余项。作为第一和主要完成人先后获得省部级科技奖励6项，学会科技奖励3项。报告题目：国家纳米计量体系与半导体产业应用【摘要】国际权威的半导体技术蓝图（ITRS）明确指出，计量是集成电路的关键使能技术之一。我国半导体产业一直从国外溯源，使得关键尺寸量值长期受制于人。随着我国半导体产业能力的发展，迫切需要纳米级甚至亚纳米级准确度国家计量能力的技术支撑。面对溯源方式与测量原理双重极限的挑战，多年来中国计量科学研究院纳米计量团队开展了针对性的计量与应用技术研究，成功研制了用于量值溯源的基于不同测量原理的纳米计量国家标准装置与用于量值传递的多特征结构的国家标准物质，应用于我国半导体产业的纳米计量能力正在逐步的形成。随着研究的深入与产业需求的对接，相关计量能力与标准物质已在国内半导体产业广泛应用。 邓晓 同济大学 副教授【个人简介】邓晓，同济大学物理学院副教授，博士生导师，主要研究方向为纳米长度计量，具体包括原子光刻、光栅干涉仪、MOEMS加速度计与相对重力仪等。2021年入选中国科协“第六届青年人才托举工程”，2023年入选上海市“启明星”人才计划，是全国新材料与纳米计量技术委员会委员。作为项目负责人主持国家重点研发计划项目、基金委面上与青年项目多项。研究成果获批国家一级标准物质2项、国家二级标准物质2项，近五年共发表SCI论文15篇（含一作/通讯共10篇）；申请中国发明专利10项（授权4项）；申请美国发明专利2项；参与起草国家标准与国家计量技术规范各1项。报告：面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系【摘要】 集成电路微纳检测设备产业是把核心的原材料与零部件，结合技术和软件集成后开发微纳检测设备产品为芯片中的晶圆制造工艺服务。纳米长度计量体系是集成电路微纳检测设备量值溯源，误差控制与测量准确性的核心支撑。对自然界常数的物化、量传和复用是提升测量准确性的有效手段。自溯源标准物质是指物质的关键参数可以溯源到自然界常数的标准物质。汇报人将介绍基于铬原子光刻技术研制纳米长度标准物质、自溯源位移传感器及新型计量型AFM的研究思路与成果。系列光栅的准确性水平得到国际权威机构计量认可，并获批多项国家标准物质。系列可以溯源到铬原子跃迁频率的标准物质、位移传感器与计量仪器有望构建新型自溯源纳米长度计量体系。会议联系会议内容仪器信息网康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn

前言芯片封装的主要目的是为了保护芯片，使芯片免受苛刻环境和机械的影响，并让芯片电极和外界电路实现连通，如此才能实现其预先设计的功能。常用的一种封装技术是包封或密封，通常采用低温的聚合物来实现。例如，导电环氧银胶用于芯片和基板的粘接，环氧塑封料用于芯片的模塑封，以及底部填充胶用于倒装焊芯片与基板间的填充等。主要的封装材料、工艺方法及特性如图1所示。包封必须满足一定的机械、热以及化学特性要求，不然直接影响封装效果以及整个器件的可靠性。流动和粘附性是任何包封材料都必须优化实现的两个主要物理特性。在特定温度范围内的热膨胀系数（CTE）、超出可靠性测试范围（-65℃至150℃）的玻璃化转变温度（Tg）对封装的牢固性至关重要。对于包封，以下要求都是必须的：包封材料的CTE和焊料的CTE比较接近以确保两者之间的低应力；在可靠性测试中，玻璃转化温度（Tg）能保证尺寸的稳定性；在热循环中，弹性模量不会导致大的应力；断裂伸长率大于1%；封装材料必须有低的吸湿性。但是，这些特性在某种类型的环氧树脂里并不同时具备。因此，包封用的环氧树脂是多种环氧的混合物。表1列出了倒装焊底部填充胶的一些重要的特性。随着对半导体器件的性能要求越来越高，对封装材料的要求同步提高，尤其是在湿气的环境下，性能评估和热失效分析更是至关重要，而这些都可以通过热分析技术给予准确测量，并可进一步用于工艺的CAE模拟仿真，帮助准确评估封装质量的优劣与否。表1 倒装焊中底部填充胶的性能要求[1]图1. 主要封装材料、工艺方法及特性[2]热性能检测梅特勒托利多全套热分析技术为半导体封装材料的性能评估和热失效分析提供全面、创新的解决方案。差示扫描量热仪DSC可以精准评估封装材料的Tg、固化度、熔点和Cp，并且结合行业内具有优势的动力学模块（非模型动力学MFK）可以高精准评估环氧胶的固化反应速率，从而为Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶的流动特性提供可靠的数据。如图2所示，在非模型动力学的应用下，环氧胶在180℃下所预测的固化速率与实际测试曲线所表现出的固化行为具有非常高的一致性。热重TGA或同步热分析仪TGA/DSC可以准确测量封装材料的热分解温度，如失重1%时的温度，以及应用热分解动力学可以评估焊料在一定温度下的焊接时间。热机械分析仪TMA可以精准测量封装材料的热膨胀、固化时的热收缩、以及CTE和Tg，动态机械分析仪DMA提供封装材料准确的弹性模量、剪切模量、泊松比、断裂伸长率等力学数据，进一步可为Moldex 3D模拟芯片封装材料的翘曲和收缩提供可靠数据来源。图2. DSC结合非模型动力学评估环氧胶的固化反应速率检测难点1、 凝胶时间凝胶时间是Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶流动特性的非常重要的数据来源之一。目前，行业内有多种测试凝胶时间的方法和设备。比如利用拉丝原理的凝胶时间测试仪，另有国家标准GB 12007.7-89环氧树脂凝胶时间测定方法[3]，即利用标准柱塞在环氧树脂固化体系中往复运动受阻达到一个值而指示凝胶时间。但是，其对柱塞的形状和浮力要求较高，测试样品量也很大，仅适用于在试验温度下凝胶时间不小于5 min的环氧树脂固化体系，并且不适用于低于室温的树脂、高粘度树脂和有填料的体系。由此可见，现有测试方法都存在测试误差、硬件缺陷和测试范围有限等问题。梅特勒托利多创新性TMA/SDTA2+的DLTMA（动态载荷TMA）模式结合独家的负力技术可以准确测定凝胶时间。在常规TMA测试中，探针上施加的是恒定力，而在DLTMA模式中，探针上施加的是周期性力。如图3右上角插图所示，探针上施加的力随时间的变化关系，力在0.05N与-0.05N之间周期性变化，这里尤为关键的一点是，测试凝胶时间必须要使用负力，即不仅需要探针往下压，还需要探针能够自动向上抬起。图3所示案例为测试导电环氧银胶的凝胶时间，样品置于40μl铝坩埚内并事先固定在TMA石英支架平台上，采用直径为1.1 mm的平探针在恒定160℃条件下施加正负力交替变换测试。在未发生凝胶固化之前，探针不会被样品粘住，负力技术可使探针自由下压和抬起，测试的位移曲线表现出较大的位移变化。当发生交联固化，所施加的负力不足以将探针从样品中抬起，位移振幅突然减小为0，曲线成为一条直线。通过分析位移突变过程中的外推起始点即可得到凝胶时间。此外，固化后的环氧银胶片，可通过常规的TMA测试获得Tg以及玻璃化转变前后的CTE，如图3下方曲线所示。图3. 上图：TMA/SDTA2+的DLTMA模式结合负力技术准确测定凝胶时间. 下图：固化导电环氧银胶片的CTE和Tg测试.2、 弯曲弹性模量在热循环过程中，弹性模量不会导致过大的应力。封装材料在不同温度下的弹性模量可通过DMA直接测得。日本工业标准JIS C6481 5.17.2里要求使用弯曲模式对厚度小于0.5mm、跨距小于4mm、宽度为10mm的封装基板进行弯曲弹性模量测试。从DMA测试技巧角度来讲，如此小尺寸的样品应首选拉伸模式测试。弯曲模式在DMA中一共有三种，即三点弯曲、单悬臂和双悬臂，从样品的刚度及夹具的刚度和尺寸考虑，三点弯曲和双悬臂并不适合此类样品的测试。因此，单悬臂成为唯一的可能性，但考虑到单悬臂夹具尺寸和跨距小于4mm的要求，市面上大部分DMA难以满足此类测试。梅特勒托利多创新性DMA1另标配了单悬臂扩展夹具，可方便夹持小尺寸样品并能实现最小跨距为1mm的测试。图4为对厚度为40μm的基板分别进行x轴和y轴方向上的单悬臂测试，在跨距3.5mm、20Hz的频率下以10K/min的升温速率从25℃加热至350℃。从tan delta的出峰情况可以判断基板的Tg在241℃左右，以及在室温下的弯曲弹性模量高达12-13GPa。图4. DMA1单悬臂扩展夹具测试封装基板的弯曲弹性模量.3、 湿气对封装材料的影响湿气腐蚀是IC封装失效的主要原因，其降低了器件的性能和可靠性。保存在干燥环境下的封装环氧胶，完全固化后在高温和高湿气环境下也会吸湿发生水解，降低封装体的机械性能，无法有效保护内部的芯片。此外，焊球和底部填充环氧胶之间的粘附强度在湿气环境中放置一段时间后也会遭受破坏。水汽的吸收导致环氧胶的膨胀，并引起湿应力，这是引线连接失效的主要因素。通过湿热试验可以对封装材料的抗湿热老化性能进行系统的评估，进而对其进行改善，提升整体性能。通常是采用湿热老化箱进行处理，然后实施各项性能的评估。因此，亟需提供一种能够提高封装材料湿热老化测试效率的方法。梅特勒托利多TMA/SDTA2+和湿度发生器的联用方案，以及DMA1和湿度发生器的联用方案可以实现双85（85℃、85%RH）和60℃、90%RH的技术参数，这也是行业内此类湿度联用很难达到的技术指标。因此，可以原位在线环测封装材料在湿热条件下的尺寸稳定性和力学性能。图5. TMA/SDTA2+-湿度联用方案测试高填充环氧的尺寸变化.图5显示了TMA-湿度联用方案在不同湿热程序下高填充环氧的尺寸变化。湿热程序分别为20℃、60%RH、约350min，23℃、50%RH、约350min，30℃、30%RH、约350min，40℃、20%RH、约350min，60℃、10%RH、约350min，80℃、5%RH、约350min。可以看出，在60%的高湿环境下高填充环氧在350min内膨胀约0.016%，后续再降低湿度并升高温度，样品主要在温度的作用下发生较大的热膨胀。图6为DMA-湿度联用方案在双85的条件下评估PCB的机械性能的稳定性，测试时间为7天。可以看出，PCB在高湿热的环境下弹性模量有近似6%的变化，这与PCB的树脂材料发生吸湿后膨胀并引起湿应力是密不可分的，并且存在导致器件失效的风险。图6. DMA1-湿度联用方案测试PCB的弹性模量.4、 化学品质量对于封装结果的影响封装过程中会使用到各类的湿电子化学品，尤其是晶圆级封装等先进封装的工艺流程，对于清洗液、蚀刻液等材料的质量管控可以类比晶圆制造过程中的要求，同时针对不同工艺段的化学品浓度等配比都有所不同，因此如何控制使用的电子化学品质量对于封装工艺的效能有着重要的意义。下表展示了部分涉及到的化学品浓度检测的滴定检测方案，常规的酸碱滴定、氧化还原滴定可以基本满足对于单一品类化学品浓度的检测需求。指标电极滴定剂样品量85%H3PO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g96%H2SO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g70%HNO3酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g36%HCl酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g49%HF特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH0.3~0.4gDHF（100：1）特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH20-30g29%氨水酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.9~1.2gECP（acidity）酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈8g29%NH4OH酸碱玻璃电极1mol/L HCl0.5~1gCTS-100清洗液酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈1g表1. 部分化学品检测方法列表另一方面，对于刻蚀液等品类，常常会用到混酸等多种物质混配而成的化学品，以起到综合的反应效果，如何对于此类复杂的体系浓度进行检测，成为实际生产过程中比较大的挑战。梅特勒托利多自动电位滴定仪，针对不同的混合液制订不同的检测方案，如铝刻蚀液的硝酸/磷酸/醋酸混合液，在乙醇和丙二醇混合溶剂的作用下，采用非水酸碱电极针对不同酸液pKa的不同进行检测，得到以下图谱，一次滴定即可测定三种组分的含量。图7. 一种铝刻蚀液滴定曲线结论梅特勒托利多一直致力于帮助用户提高研发效率和质量控制，我们为半导体封装整个产业链提供完整专业的产品、应用解决方案和可靠服务。梅特勒托利多在半导体封装行业积累了大量经验和数据，希望我们的解决方案给半导体封装材料性能评估的工作者带来帮助。参考文献[1] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 15. 密封与包封基础 page 544-545.[2] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 18. 封装材料与工艺基础 page 641.[3] GB12007.7-89：环氧树脂凝胶时间测定方法.（梅特勒-托利多 供稿）