半导体测试仪电流测量原理

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面，提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描，光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑，实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试，丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源，例如超连续白光激光器，皮秒脉冲激光器，半导体激光器，卤素灯，氙灯等，满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能：■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV；■ 不同辐照度IT曲线（分辨率200ms）■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC，Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压（载流 子迁移率）■ 瞬态光电流（载流子扩散长度）光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源，如EQ 光源，氙灯光源，氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点：■ 光谱范围宽：190-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点小，百微米级别；■ 紫外波段亮度高；■ 寿命长，理论寿命可达9000h；■ 体积小，重量轻；散热好；氙灯光源特点：■ 光谱范围宽：250-1700nm宽光谱范围；■ 光源本身发光点较小，mm级别；■ 总功率大，亮度高；适合紫外-可见-近红外光谱测试；■ 灯泡更换简单，成本低；氙灯卤素灯双光源特点：■ 光谱范围：250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外，且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单，成本低。数采选项测试案例

半导体电阻率测试仪一、概述 BD-86A型半导体电阻率测试仪是根据四探针测试原理研制成功的新型半导体电阻率测试器，适合半导体器件厂、材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率、方块电阻（薄层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻、导电薄层电阻，具有测量精度高、范围广、稳定性好、结构紧凑、使用方便、价格低廉等特点。 仪器分为电气箱和测试架两大部分，电气箱由高灵敏度直流数字电压表，高稳定、高精度的恒流源和高性能的电源变换装置组成，测量结果由LED数字显示，零位稳定，输入阻抗极高。在片状材料测试时，具有系数修正功能，使用方便。测试架分为固定式和手持式两种，探头的探针具有宝石导向，测量精度高、游移率小、耐磨和使用寿命长等特点，而且探针压力可调，特别适合薄片材料的测量。二、主要技术指标1.测量范围：电阻率：10-3--103Ω㎝（可扩展到105Ω㎝），分别率10-4Ω㎝。方块电阻：10-2--104Ω/□（可扩展到106Ω/□），分辨率10-3Ω/□。薄层金属电阻：10-4--105Ω，分辨率10-4Ω。2.数字电压表：电压表量程为3档，分别是20mV档（分辨率10μV)；200mV档(分辨率100μV)；2V档（分辨率1mV)。电压表测量误差±0.3%读数±1字，输入阻抗大于109Ω。3.恒流源：恒流源由交流供电，输出直流电流0---100mA连续可调。恒流源量程为5档，分别是10μA、100μA、1mA、10mA、100mA；分辨率对应是10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA。电流误差±0.3%读数±2字。4.测试架：（可选件）测试架分为固定和手持两种，可测半导体材料尺寸为直径Φ15--Φ600㎜。测试探头探针间距S=1㎜，探针机械游移率±0.3%，探针压力可调。5.显示：3?位LED数字显示0-1999，能自动显示单位、小数点、极性、过载。6.电性能：电性能模拟考核误差﹤±0.3%，符合ASTM规定指标。7.电源：220V±10%，50Hz或60Hz,功耗﹤30W。8.电气箱外形尺寸：440×320×120㎜。 三、工作原理直流四探针法测试原理简介如下：（1）体电阻率测量： 如图：当1、2、3、4根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体试样上，在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电压差V。材料的电阻率ρ=（V/I）×C （Ω㎝） .......3-1式3-1中：C为探针系数，由探针几何位置决定，当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时，C=2π÷{1/S1+1/S3-1/(S1+S2)-1/(S2+S3）}=2πFSP......3-2式3-2中：S1、S2、S3分别为探针1与2、2与3、3与4之间的距离。当S1=S2=S3=1mm时，则FSP=1，C=2π。若电流取I=C时，电阻率ρ=V,可由数字电压表直接读出。①、块状和棒状晶体电阻率测量：由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由公式3-1、3-2式求出。②、薄片电阻率测量：由于薄片样品厚度和探针的间距相比，不能忽略。测量时要提供样品的厚度、形状和测量位置的修正系数。电阻率值可由下面公式得出：ρ=V/I×2πS×FSP×G(W/S)×D(d/s)= ρ0×G(W/S)×D(d/s)...3-3式中：ρ0 为块形体电阻率，W为试片厚度，S为探针间距，G（W/S）为样品厚度修正函数，D(d/s)为样品形状和测量位置修正函数。③、方块电阻、薄层电阻测量：当半导体薄层尺寸满足半无限大平面条件时：R□=π/ln2×(V/I)=4.532(V/I) ........3-4若取I1=4.532I,则R□值可由电压表直接读出。注意：以上的测量都在标准温度(230 C)下进行，若在其他温度环境中测量，应乘以该材料的温度修正系数FT。FT=1-CT（T230） ..........3-5式中：CT为材料的温度系数。（请根据不同材料自行查找）（2）金属电阻测试：本仪器也可用作金属电阻的测量，采用四端子电流-电压降法，能方便的测量金属电阻R,测量范围从100μΩ---200K 四、仪器结构 本仪器为台式结构，分为电气箱和测试架两大部分。【1】电气箱为仪器主要电器部分，电气箱前面板如图4-1所示： 图中：1-电源开关 2-显示屏 3-电流量程开 4-电压量程开关 5-工作方式开关 6-测量选择开关 7-信号输入端口 8-调零电位器 9-电流调节电位器 10-电流开关 11-极性转换开关电气箱后面板如图4-2所示： 前面板功能说明：1-(POWER)-电源220V控制开关。2-LED显示屏：3 ?位LED数字显示（0-1999），自动显示小数点、单位和过载，测试方块电阻时，单位mΩcm当作mΩ/□，测量金属电阻时，单位mΩ㎝当作mΩ。3-(I RANGE)-电流量程开关5档（10μA/100μA/1mA/10mA/100mA)；4-(V RANGE)-电压量程开关3档（20mV/200mA/2V)；5-(FUNCTION)-工作方式开关5档，从左到右分别是“4.53”档为输入电压值×4.532，测量方块电阻用；“6.28”档为输入电压值×0.628，测量电阻率用；“I”档为输入电压×1，测量金属电阻用；“I ADJ”电流调节档，和电流调节电位器配合使用，用于调节输出电流；“CAL”自校档，自校值“199X”。6-(MEAS.SEL)-测量选择开关为两档开关，“SHORT”短路档、“MEAS”测量档。7-(INPOT)-信号输入端口为5芯端口，是电压降信号输入和恒流电流输出的端口。8-（ZERO ADJ)-调零电位器，当我们在测试时，如果样品接触良好，在不加电的情况下，数字电压表读数应归零，如有偏差时，可通过调零电位器调节归零。9-(I ADJ)-电流调节电位器，可连续调节电流输出值0---1000（满刻度），与工作方式开关“I ADJ”配合使用，也可作为修正系数输入用。10-（CURRENT)-电流开关为电流加电开关，按入时，电流输出；退出时，电流断开。11-（POLARITY)-极性转换开关，可改变电流输出的正负极性。【2】测试架：测试架分为固定和手持式两种，根据使用环境的不同可自行选择，固定式测试架适合高精度的测量，探头固定在专用的测试架上，在实验室条件下，进一步提高了测量精度（见图4-4）。手持式Z大的优点是携带方便、测量方便，可直接在生产现场使用（见图4-3）。手持式测试探头简图4-3所示： 图中：1-测试导线 2-手柄 3-压力调节环 4-测试支架 5-探头和探针固定式测试架简图（4-4）所示： 图(4-4)固定式测试架图中：1-支杆 2-支架块 3-滑块 4-滑块调节（上下） 5-探头支架 6-探头和探针 7-可移动平台（前后） 8-滑槽 9-底板 10-支架块固定杆 11-探头导线 五、使用和操作（一）、测试准备：1.将仪器和试样放置在温度230C±20C，湿度﹤65%的工作环境中。2. 测试架和电气箱用输入输出连线连接好，仪器接通电源，工作方式开关置于短路位置，电流开关退出，接通220V电源，仪器预热半小时。3.测试架调好位置，放上试样，使探头与试样良好接触。(二)、测试：1.将工作方式开关置于“I调节”，按入电流开关，并调节电流电位器，使数字显示为你需要的电流值。注意：测试块状、棒状晶体和薄层方块电阻试样时，请调节电流电位器到“1000”，当测量薄片电阻率时，请根据试样厚度，查表得到修正系数值（厚度修正系数表见说明书末页），调节电位器到修正值。例如硅片厚度0.23㎜，查表得到0.1659，调节电流电位器，使显示值为166。2.根据被测材料，选择电压和电流量程，使显示值达到我们需要的精度。3.测量选择开关置于“测量”位置，根据不同的试样，工作方式开关置于不同位置，①块状、棒状样品和薄片样品电阻率测试请把开关放到“6.28”档；②薄层电阻测试请放到“4.53”档；③金属电阻测试请放到“I”档。4.检查显示屏显示是否为000，可以通过调零电位器，调整零位，使显示值为“000”。5.现在按入电流开关，应有显示，可配合电压和电流量程开关再一次调整，使显示值为我们需要的精度值。然后极性开关反转，把两次显示值平均后的值，即是我们要测量的值。（三）、注意事项：1.以上电阻率测试是在环境温度23℃下的值，如测试时环境温度有变，请考虑温度修正（温度修正系数Ft请用户根据不同材料自行查找，见公式3-5），输入K值时，K=Ft×K(修正到23℃）。实际测量，在输入电流值时，请乘以Ft值为电流实际输入值。例如：块状样品测试，“I ADJ”输入值为1000，此时我们应输入1000×Ft,测得的电阻率值是23℃时的修正值。2.当工作方式开关置于“6.28”进行测量，测量显示值为电阻率；当开关置于“4.53”时，显示值应读为R/□；在“I”档测量金属电阻，显示值应读为电阻R。3.测试架上的探头为易损件，测量时请小心加压，测试完毕，请及时升起探头。 六、复校和维修1.本仪器有自校功能，仪器内部设有精密电阻，当工作在自校档，按入电流开关后，显示自校值199X±6个字。自校档可作为检查仪器精度使用，为保证仪器测试精度，请定期对仪器进行复校，尤其是仪器进过剧烈震动和环境温度突变后，发现超差请及时送修。2.测试探头为易损件，请定期按照国标JJG508-87中规定，对探头进行复校。如超差，应更换新的探头。3.本仪器也可按照国标或ASTM84-73规定的指标和实验方法进行复校。七、仪器包装及附件1.电气箱一台2.测试架一台（固定、手持可选）3.四探针探头一个（已安装在测试架上）4.使用说明书一份5.电源线一根6.合格证一张7.四端子测试线一根

使用 4200A-SCS参数分析仪（参数测试仪）加快各类材料、半导体器件和先进工艺的开发，完成制程控制、可靠性分析和故障分析。4200A-SCS是业内性能领先电学特性参数分析仪，提供同步电流电压曲线测试 (I-V曲线测试)、电容-电压曲线测试 (C-V曲线测试) 和超快脉冲 I-V曲线测量。

产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态参数测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态参数测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件ST-DP_S（2500A） 半导体器件IGBT 短路电流测试仪IGBTs,MOSFETs, Diode短路电流测试仪，短路电流2500A短路电流 Isc 1A~500A（VDS 电压＞600V 条件下）短路耐量 Esc 1uJ~5000mJ（VDS 电压＞600V 条件下）短路时间 Tsc 1us~150us（VDS 电压＞600V 条件下）?产品简述 ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换，可测试各类封装外观的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计，根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT（双脉冲测试 Double Pulse Testing，以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性）栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。 产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃，支持生产线批量化全自动测试。?产品特点? 测试系统电压以1500V为一个模块，电流以2000A为一个模块，可扩展至10KA/10KV? 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)? 另有程控式电感箱可供选择? 针对不同结构的封装外观，通过更换 DUT适配器即可? 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能? 测试软件具有实验模式和生产模式，测试数据可存储为Excel文件? 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH? 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用（24hr 工作）? 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）? 系统具有安全工作保护功能，以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害，设计符合CE认证? 支持半自动和全自动测试? 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点? 自动化：单机测试时只需手动放置DUT，也可连接机械选件实现自动化测试线? 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网? 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。?参数指标

半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 产品介绍：载流子表征的最佳工具本系统针对光电器件 (探测器或光伏器件) 进行光电转换过程的响应行为测量与分析。利用一单色 (单波长) 的光源，对其进行连续脉冲或是周期性的光强调制后，照射到光电器件产生光生电流或是光生电压讯号，并对此进行频域或时域的测量与分析，得到光电器件光电转换过程的重要参数。包含频率响应、爬升/下降时间、LDR线型动态范围、瞬态光电压 (TPV) 、瞬态光电流 (TPC) 等光电转换能力评价参数。用以了解光电器件内部结构与载流子动力学、内部材料组成、器件结构与载流子动力学之关系。作为光电器件特性评价与性能改进的参考。半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 特色：光强线性度测量与分析频率响应测量 0~40MHz可选雷射模块系统波长雷射光调变控制频率响应测量与分析截止频率 (Cut Frequency) 计算分析Rise/ Fall time 测量与分析TPC/TPV 测量与分析高动态光强变化光学调变模块，可自动调变强度 6 个数量级半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 规格TPC/TPV 量测功能雷射波长：半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 应用：有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证Cs2Pb(SCN)2Br2 单晶光电器件性能表征2021 年 Advanced Materials 期刊报导了第一种无机阳离子拟卤化物二维相钙钛矿单晶 Cs2Pb(SCN)2Br2。作者使用 PD-RS 系统对单晶光电器件进行多种的光电转换响应行为进行测量与分析。其中包含：变光强 IV 曲线测试。变光强光电流与响应度变化测试。定电压下光电转换爬升与下降时间测试。恒定光强脉冲光的时间相关光电流响应测试。TPC/TPV 瞬态光电流/光电压测试。 恒定光强脉冲光的光电流时间响应PD-RS 系统具备高速调制能力的激光器 (爬升/下降时间 5ns)，在恒定光强脉冲光条件下，可以对器件进行光电流时间响应测试，并且分析光电器件的爬升/下降时间的分析。以了解光电器件最快的时间响应极限特征。变光强光电流与响应度变化测试 (LDR) PD-RS 具备 120 dB 光强动态范围测试能力。在软件自动化的测试光电流的变化，绘制出待测器件的线性动态范围响应图 (LDR, Linearity Dynamic Range)。LDR 试评估光电器件特性的一项重要指标。由光电流与光强的测试可以得到响应度 (mA/W) 变化，是常用于表征光电器件优劣的参数。

道可道，非常道；名可名，非常名。无名，天地之始，有名，万物之母。故常无欲，以观其妙，常有欲，以观其徼。此两者，同出而异名，同谓之玄，玄之又玄，众妙之门。日本神荣半导体气体原理气味检测仪特点： 适合测定各种工厂、垃圾焚烧、污水处理厂、卫生间、宠物等产生的味道。 操作简单方便 只需打开电源就能开始测定 到可保存32,732组数据（每5秒自动测量一次，可记录45小时的数据） 配有专用绘图软件 公司主营产品：油烟检测仪、恒温恒湿称重系统、自动烟尘烟气测试仪、大气采样器、烟气采样器、粉尘采样器、氟化物采样器、水质采样器、水质检测仪、气体检测仪、烟气分析仪、酒精检测仪、甲醛检测仪、辐射检测仪、汽车尾气分析仪等代理品牌：德国德国、德国菲索、英国离子、美国华瑞、日本新宇宙、美国英思科、加拿大BW、英国凯恩、美国梅思安等。 QDLBJYSBY

半导体材料能带测试,亚带隙测量系统 该系统采用恒定光电流法分析半导体薄膜和各种光导材料的带隙结构，是评价非晶硅和各种非晶半导体的理想方法。规格：原理:恒流法(CPM)光源:氙灯或卤素灯工作范围:约4小时，13 - 0.59 ev (300 - 2100 nm)辐照面积:6 x6mm辐照强度:2 nw-2mw

产品概要：FS-Pro 半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV) 测试、电容电压(CV)测试、脉冲式 IV 测试、高速时域信号采集以及低频噪声测试能力。一套设备可完成半导体器件的全部低频特性表征，其强大而全面的测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发评估进程，可无缝地与 9812 噪声测试系统集成，其快速 DC 测试能力进一步提升了 9812 系列产品的噪声测试效率。基本信息：软件功能：FS-Pro 系列内置 LabExpress 测量软件具有强大的测试和分析功能，该软件提供友好的图形化用户使用界面和灵活的设定，具有下列主要功能 :1、完整支持直流，脉冲，瞬态，电容和噪声测试功能2、内置的常见器件测试预设可大大提高测试设置效率，帮助新手操作者快速完成测试3、强大的自定义设定功能可以灵活编辑电信号4、内置强大数据处理能力可测试后直接展开器件特性分析5、多种数据保存方式，导出数据可供用户后续分析研究也可直接导入建模软件 BSIMProPlus 和 MeQLab 进行模型提取和特性分析6、LabExpress 专业版支持对主流半自动探针台和矩阵开关设备的控制，支持晶圆映射、并行测试实现自动测试功能，进一步提升测试效率IV电流电压测试CV电容电压测试1/f噪声测试 IVT测试采用工业通用的 PXI 模块化硬件结构，配合自主开发的测试软件 LabExpress，FS-Pro 在半导体工业产线测试与科研应用方面都具有优秀的性能表现，可广泛应用于各种半导体器件、 LED 材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。LabExpress 为用户提供了丰富的测试预设和强大的测试功能，可实现非常友好的用户即插即用体验； 该系统还可支持多通道并行测试，进一步提升测试效率。技术优势：1、同时具备高速高精度直流测试和脉冲测试能力2、量程范围宽、测试速度快3、支持小于1us采样时间的高速时域信号采集4、高达10万点的数据量可以精细描绘信号随时间变化特性5、低频噪声(1/f noise,flicker noise)测试能力特别是RTN(随机电报噪声)测试能力与对准能力6、使用方式简单灵活，无需编程即可实现自由的波形发生或电压同步与跟随7、支持并行测试，内置功能强大的测试软件和算法，支持多通道并行测试成倍提升测试效率8、系统架构，PXI标准机箱，可扩展架构,支持通过多机箱扩展SMU卡数量应用方向：被半导体工业界和众多知名大学及科研机构采用作为标准测试仪器。

粉末电阻率测试仪 粉末半导体电阻其它物性测试仪GEST-126d产品型号：GEST-126参考标准：YS T 587.6-2006 炭阳极用煅后石油焦检测方法第6 部分：粉末电阻率的测定.pdfGB/T 24525-2009 炭素材料电阻率测定方法GBT 24521-2009 焦炭电阻率测定方法GB/T 3782-2016 乙炔炭黑-电阻率测试仪产品概述：粉末电阻率试验仪主要用于测量粉末材料电阻率试验的专用仪器.由于粉末材料的密实度不同,在松装和振实密度条件下,所测试得到的数据是不同的,所以测试粉末电阻,要求在规定的压力条件下进行测试.便于进行有效数据的测试及对比.仪器由主机、测试架两大部分组成。主机包括高灵敏的直流数字电压表和高稳定的直流恒流源测量试验设置通过触摸屏进行操作和设置，页面布局合理，人性化设计，可对测试结果进行打印。仪器具有测量精度高、稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点，完全符合国际和国家标准的要求。仪器适用于导体粉末、半导体粉末、炭素材料等行业，进行检测必备测试设备。 仪器主要技术指标： 一、测量范围：测量半导电电阻率时： 电阻率10-6—105Ω-cm；分辩率10-8Ω-cm测量其他（电线电缆）电阻时： 电阻10-4--2X105Ω，分辨率0.01uΩ二、 电压测量：1． 量程 2 mV、20 mV、200 mV、2V2． 测量误差 2mA档±(0.5%读数+8字)；20mV—2V挡±(0.5%读数+2字)3． 显示4 1/2 位数字显示0—19999具有极性和过载自动显示，小数点、单位自动显示。三、 恒流源：1． 电流输出： 10μA、100μA、1mA、10mA、100mA、0.5A、1A、10A2. 电流误差：±(0.5%读数+2字)四、 数据打印：可对测试结果进行打印，显示结果为：体积电阻率、电阻值五、测量电极：1、电极材质：铜2、测量距离：10MM六、粉末套筒：1、内径：16mm2、行程：50 mm 七、粉末测试专用恒加载装置及测试电极：1、电极是双柱型、立式结构2、加载机构：步进电极3、加载方式：自动加载4、负荷传感器：10KN5、负荷显示方式：力值、压强6、负荷加载:设定好指定的负荷后,自动加载并恒负荷保持7、试验流程：把被测试样安装并固定好后，设定好要加载的负荷和保持时间，点击开始后，自动加载，到达设定的负荷后自动停止，到达设定的时间后，自动返回初始位。8、样品量和电极尺寸，依据客户要求协商确定。9、套筒内经:16MM/30MM\

ST-SP 2002_5半导体管测试仪可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极输出 2000V / 50~1250A，分辨率高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能 ? 产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） ? 产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?测试范围广（19大类，27分类）?升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）?系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能，无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS03J-FET / J型场效应管IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04晶体管（NPN/PNP）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF05DIODE / 二极管IR；BVR ；VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR；BVZ；VF；ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-11SCR / 可控硅IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH12STS / 硅触发可控硅IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout；Iin；15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+； ID-；VC+ ；VC-

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

半导体TEC温控仪产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到好的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1℃、0.01℃、0.005℃、0.001℃ 工作温度可任意设置(常规在-40℃～100℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝450×300×133mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTP-TEC0510 TLTP-TEC1210 TLTP-TEC2410 TLTP-TEC2420 TLTP-TEC3610 TLTP-TEC4810输入电压（VAC） AC220V±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 3.6~12V(可调节) 7.2~24V(可调节) 7.2~24V(可调节) 10.8~32V(可调节) 15~45V(可调节)输出电流（A） -10A~10A -10A~10A -10A~10A -20A~20A -10A~10A -10A~10A通道数 1到60通道可选控温精度 ±0.1℃或±0.01℃或±0.005℃或±0.001℃控温范围 -40℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 450×300×133mm或450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

全自动半导体粉末电阻率其测试仪GEST-126.产品型号：GEST-126参考标准：YS T 587.6-2006 炭阳极用煅后石油焦检测方法第6 部分：粉末电阻率的测定.pdfGB/T 24525-2009 炭素材料电阻率测定方法GBT 24521-2009 焦炭电阻率测定方法GB/T 3782-2016 乙炔炭黑-电阻率测试仪产品概述：粉末电阻率试验仪主要用于测量粉末材料电阻率试验的专用仪器.由于粉末材料的密实度不同,在松装和振实密度条件下,所测试得到的数据是不同的,所以测试粉末电阻,要求在规定的压力条件下进行测试.便于进行有效数据的测试及对比.仪器由主机、测试架两大部分组成。主机包括高灵敏的直流数字电压表和高稳定的直流恒流源测量试验设置通过触摸屏进行操作和设置，页面布局合理，人性化设计，可对测试结果进行打印。仪器具有测量精度高、稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点，完全符合国际和国家标准的要求。仪器适用于导体粉末、半导体粉末、炭素材料等行业，进行检测必备测试设备。 仪器主要技术指标： 一、测量范围：测量半导电电阻率时： 电阻率10-6—105Ω-cm；分辩率10-8Ω-cm测量其他（电线电缆）电阻时： 电阻10-4--2X105Ω，分辨率0.01uΩ二、 电压测量：1． 量程 2 mV、20 mV、200 mV、2V2． 测量误差 2mA档±(0.5%读数+8字)；20mV—2V挡±(0.5%读数+2字)3． 显示4 1/2 位数字显示0—19999具有极性和过载自动显示，小数点、单位自动显示。三、 恒流源：1． 电流输出： 10μA、100μA、1mA、10mA、100mA、0.5A、1A、10A2. 电流误差：±(0.5%读数+2字)四、 数据打印：可对测试结果进行打印，显示结果为：体积电阻率、电阻值五、测量电极：1、电极材质：铜2、测量距离：10MM六、粉末套筒：1、内径：16mm2、行程：50 mm 七、粉末测试专用恒加载装置及测试电极：1、电极是双柱型、立式结构2、加载机构：步进电极3、加载方式：自动加载4、负荷传感器：10KN5、负荷显示方式：力值、压强6、负荷加载:设定好指定的负荷后,自动加载并恒负荷保持7、试验流程：把被测试样安装并固定好后，设定好要加载的负荷和保持时间，点击开始后，自动加载，到达设定的负荷后自动停止，到达设定的时间后，自动返回初始位。8、样品量和电极尺寸，依据客户要求协商确定。9、套筒内经:16MM/30MM\

Agilent 4155C HP 4155C半导体测试仪含探针，探台洗个头涨价洗个车涨价做个美甲涨价只剩下我不涨价，还想尽一切办法给你们优惠 HP 4155C半导体测试仪含探针，探台品牌：安捷伦/Agilent型号：4155C类型：参数分析仪结构：台式TB店铺：东莞市天兴电子科技 Agilent 4155C 半导体测试仪含探针 探台Agilent 4155C半导体参数分析仪是一款经济高效、适用于先进器件表征的实验室用台式解决方案。41501B Expander 可将仪器的测量范围扩展至 1A/200V，并为 4155C 添加低噪声接地单元和双脉冲发生器。您还可以通过 PC 使用 Desktop EasyEXPERT 软件控制 4155B/C 或 4156B/C 参数分析仪。随 4155C/4156C 一起提供的新版 Keysight Desktop EasyEXPERT 软件也可控制 Keysight 4155B/C 和 4156B/C 参数分析仪。 Agilent 4155C 半导体测试仪含探针 探台主要特性经济高效、精确的实验室用台式参数分析仪4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 软件，可在 PC 上通过 GUI 对仪器进行控制测量能力10 fA 和 0.2 mV 测量分辨率QSCV、强化测试模式、旋钮扫描和待机功能可选的 41501B 可提供 +/- 200 V 和 +/- 1 A 大功率 SMU、脉冲发生器功能 41501BDesktop EasyEXPERT 软件提供直观、面向任务的参数测试方法配有 80 多个预定义、用户可修改的应用测试自动将数据保存到硬盘或任何网络硬盘通过 Desktop EasyEXPERT 软件进行离线数据分析和应用测试开发 东莞市天兴电子科技有限公司，型号齐全货源充足、库存雄厚，15年实体经营，保障品质，本公司产品原装进口，购买的产品均享有原厂质保，终身售后服务。天兴还经营二手仪器仪表。针对客户的生产计划可以提供销售、租赁、租赁转销售等灵活的业务；支持以旧换新、以租代购。回收闲置、库存、二手仪器。每月的第三周举行zui红一周优惠促销活动。不定时低价出售库存产品。

设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300 半导体参数测试仪主要应用选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

产品概要：4200A-SCS 是一种可以量身定制、全面集成的半导体参数分析仪，可以同步查看电流电压 (I-V)、电容电压 (C-V) 和超快速脉冲式 I-V 特性。作为性能很高的参数分析仪，4200A-SCS加快了半导体、材料和工艺开发速度。基本信息：使用强大的 Clarius 软件，可以更加快速的完成 I-V, C-V 和脉冲 I-V 测试，结果清晰。 I-V 源测量单元 (SMU) ● ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块● 100 fA 测量分辨率● 选配前端放大器提供了 0.1 fA 测量分辨率● 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量● 四象限操作● 2 线或 4 线连接C-V 多频率电容单元 (CVU)● AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)● 1 kHz - 10 MHz 频率范围● ± 30 V (60V差分)内置 DC 偏置源，可以扩展到 ± 210 V(420 V 差分 )● 选配 CVIV 多功能开关，在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换脉冲式 I-V 超快速脉冲测量单元 (PMU)● 两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道● 200 MSa/s，5 ns 采样率● ±40 V (80 V p-p)，±800 mA● 瞬态波形捕获模式● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率高压脉冲发生器单元 (PGU)● 两个高速脉冲电压源通道● ±40 V (80 V p-p)，± 800 mA● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率-V/C-V 多开关模块 (CVIV)I● 在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换，无需重新布线或 抬起探针● 把 C-V 测量移动到任意端子，无需重新布线或抬起探针远程前端放大器 / 开关模块 (RPM)● 在 I-V 测量、C-V 测量和超快速脉冲 I-V 测量之间自动切换● 把 4225-PMU 的电流灵敏度扩展到数十皮安● 降低电缆电容效应 技术优势：1、随时可以投入使用、可以修改的应用测试、项目和器件，缩短测试开发时间2、内置测量视频的仪器，测试视频由全球应用工程师提供，分为4种语言，缩短学习周期3、pin to pad接触检查，确保测量可靠4、多种测量功能5、数据显示、分析和代数运算功能6、专家视频，降低特性分析复杂度，观看吉时利全球应用工程师制作的内置视频，迅速掌握应用，缩短学习周期。数小时的专家测量专业帮助，在发生意想不到的结果或对怎样设置测试存在疑问时，将为您提供指引。Clarius Software短专家视频支持四种语言(英语、中文、日语和韩语)，可以迅速让你洞察先机。7、大量随时可以使用的应用测试可供选择，通过Clarius库中装备的450多项应用测试，您=可以选择或修改预先定义的应用测试，加快特性分析速度，或从一开始简便地创建自定义测试。只需三步，Clarius Software就可以引导新用户像专家一样完成参数分析。8、实时结果和参数，自动数据显示、算法分析和实时参数提取功能，加快获得所需信息的速度。不必担心数据丢失，因为所有历史数据都会保存下来。9、无需示波器检验脉冲测量，脉冲定时预览模式可以简便地查看脉冲定时参数，确认脉冲式I-V测试按希望的方式执行。使用瞬态I-V或波形捕获模式，进行基于时间的电流或电压测量，而无需使用外部示波器。应用方向：MOSFET, BJT 晶体管；材料特性分析；非易失性存储设备；电阻率系数和霍尔效应测量；NBTI/PBTI；III-V 族器件；失效分析；纳米器件；二极管和 pn 联结；太阳能电池；传感器；MEMS器件；电化学；LED和OLED。

产品概要：瞬态热阻测试仪是一种用于材料科学领域的仪器。基本信息：技术优势：1、温控设备参数：冷媒：硅油；温度范围：-20°C ~ 150°C；温度误差：≤0.1°C；显示分辨率：0.01°C；支持所有工位同时测量2、标定控制：自动温度稳定判断；自动样品电压稳定判断；支持用户设定稳定容判据；支持迟滞消除；支持用户设定标定点数；支持所有测量通道同时标定3、历史数据保存：保存标定过程数据&bull 设定温度VS时间&bull 实际温度VS时间&bull 样品电压VS时间；通过历史数据记录可4、输出结果： K系数标定数据（电压VS温度）；包括NTC/PTC的拟合结果；支持多种数据拟合方式；各个K系数拟合度R2值；支持多个K系数曲线对比5、支持全测量通道同步温度系数标定：可对样品芯片电压温度特性进行标定；可对样品模块中的NTC/PTC进行标定；完整记录测试过程中所有采集参数应用方向：主要应用于半导体器件、LED光电器件等热学分析、测试，具体包括：测试该器件的热阻、结温、同一封装器件不同封装材料的热阻（积分、微分曲线结构函数等）。

最高温度 1650°c测量范围 0.1mΩ-100MΩ温度精度 ±0.25°c最快测量 6.4ms更多功能 高温四探针、退火高温I-V特性测试高温真空测量高温气氛测量高温烧结/退火高温四探针测量 消除电网谐波对采集精度的影响高温四探针测试仪采用直排四探针法设计原理测量。主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，参考美国 A.S.T.M 标准设计。重复性与稳定性更好，采用双屏蔽高频测试线缆，提高测试参数的精确度，同时抗干扰能力更强。本设备也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 搭配Labview系统开发的Huacepro软件，具备弹性的自定义功能，可进行介电温谱、频谱、升温速度、测量参数等设置，符合功能材料测试多样化的需求。电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制，当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数据，设备重新启动后可恢复原有试验数据。 源测量仪器的精密耦合特点相对分立仪器具有许多优点。例如，它具有更短的测试时间，通过减少GPIB的流量并简化了远程编程接口。它还保护被测设备在偶尔过载、热失控等情况下不被损坏。电流源和电压源都可设置回读使器件测量完整性最大化。如果回读达到可编程容限的极限，那么该源就被钳位在此极限，从而提供错误保护。 华测系列阻抗分析仪是华测仪器电子事业部采用当前先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器，为国产阻抗测试仪器的最新高度。也彻底超越了国外同类仪器，在测量10Hz-50MHz的频率瓶颈；解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷；采用单测和分析两种界面，让测试更简单。得益于先进的自动平衡电桥技术，在10Hz-50MHz的频率范围可以保证0.05%的基本精度。 快达5ms的测试速度及高达50M的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求，特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响，将低阻抗测试能力的下限比常规端配置的仪器向下扩展了十倍。 消除不规则输入的自动平均值功能 更强数据处理及内部屏蔽华测近红外高温炉配合吉时利数字源表进行四探针电阻测量，让测试更加稳定可靠，吉时利数字源表系列专用于要求紧密结合源和测量 的测试应用。全部数字源表型号都提供精密电压源和电 流源以及测量功能。每款数字源表既是高度稳定的直流 电源也是真仪器级的6位半万用表。此电源的特性包括 低噪声、精密和回读。此万用表的功能包括可重复性高和低噪声。最终形成了紧凑、单通道、直流参数测试仪。 在工作时，这些仪器能用作电压源、电流源、电压表、电流表和欧姆表。源和阱（4象限）工作，0.012%基础测量精度（6位半分辨率）。 2线、4线电压源和测量感测1700读数/秒（4位半分辨率），通过GPIB通过/失效比较器用于快速提供高速感测线接触检查功能，在半导体、功能材料行业吉时利数字源表是适于特性析和生产测试等广泛应用的重要源表。目前国内高温加热大都为管式炉或马弗炉，主要原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温过程速度慢，效率低下。也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热及高速冷却时，具有良好的温度分布。 可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却 ，用石英管保护加热试样，无气氛污染。可在高真空，高纯度气体中加热 。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力。 同电阻炉和其他炉相比，红外线反射炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省试验时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现全新的温度控制操作！高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 1、高速加热与冷却方式高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。2、温度高精度控制近红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以精确控制样品的温度(远比普通加温方式)。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。3、不同环境下的加热与冷却加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体 静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 更强的扩展能力，实现一机多用█ 多功能真空加热 炉，可实现高温、真空、气氛环境下电学测试 █ 采用铂金材料作为测量导线、以减少信号衰减、提高测试精度 █ 设备配置水冷装置，降温速度更快、效率更高█ 可实现高温下四探针电阻谱等测量功能█ 进口温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更精准█ 近红外加热，样品受热更均匀，不存在感应电流，达到精准测量█ 10寸进口触摸屏设计，一体化设计机械结构，更加稳定、可靠 █ 采用进口高频测试线，抗干扰能力更强，采集精度更高█ 99氧化铝陶瓷绝缘，配和铂金电极夹具█ huace pro 强大的控制分析软件与功能测试平台系统相互兼容温度范围： RT-800 (最高1650)°C 控温精度：±0.25°C 升温斜率：10°C/min（可设定） 测试范围 : 0.1mΩ-100MΩ 加热方式：近红外加热 冷却方式：水冷 输入电压：110~220V 样品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm 电极材料：碳化钨针 夹具辅助材料：99氧化铝陶瓷 测量方式：直接四探针 测试功能：I-V、R-T等 数据传输：4个USB接口 设备尺寸：600x500x350mm动态测量范围：电流：10pA to 10A 电压：1µ V to 200V四象限工作 0.012%的精确度，5&half 的分辨率 可程控电流驱动和电压测量钳位的 6位线电阻测量 在4&half 数位时通过GPIB达1700读数/秒 可选式接触检查功能

F-200A型半导体器件通用测试机一、 概述 F-200A半导体器件通用测试机是专为测量包括二极管、MOS管、IGBT、毫欧电阻等电子器件正向压降而设计，正向电流分为0.01-0.1A、0.1~1A、1~10A、10~200A四个档位，测量范围更广。0.01~0.1A：小电流硅堆、（高压二极管：定制60V）、0.1A内的小电流MOS管和二极管、LED、10~100Ω电阻等测试；0.1~10A：中小功率二极管、MOS管、0.1~1Ω电阻；10~200A：大功率二极管、MOS管、IGBT管、0~0.1Ω电阻、开关触点压降稳定性测试二、技术参数1. 正向脉冲电流调节范围：0.01A~200A，四个档位，每个档位步进为档位满量程的0.01%（10-200A为10mA步进）2. 脉冲宽度：300us-600us 固定3. 开路输出电压:≥65V4. 正向压降测量范围：10mA-10A：60V；10A-200A：20V5. 正向压降测量电流电压的分辨率：测量范围测试电流分辨率测试电压分辨率压降测量范围10~100mA0.01mA1mV60V100~1000mA0.1mA1mV60V1~10A1mA1mV60V10~200A10mA1mV20V6. 供电电压：AC220V±10％，50Hz7. 消耗功率：≤100W8. 工作温度：25℃±10℃9. 串口RS485通信接口10. 配电脑软件,输出特性曲线、导出图像和excel数据点11. 测试仪器可脱机独立运行12. 选配栅极测量选件，可测量栅极端口电容、栅极正反向漏电、测量IG/VGE、IC(ID)/VGE 选配极性自动切换选件，可自动切换电压电流正负极性；选配耐压测试盒选件，可测试最gao5kV的器件耐压。有关选件具体信息，请咨询销售经理。

高电压大电流功率半导体器件测试系统解决方案 为应对各行各业对功率器件的测试需求，武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的功率半导体器件测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。系统采用模块化集成的设计结构，为用户后续灵活添加或升级测量模块提供了极大便捷和优性价比，提高测试效率以及产线UPH。 功率半导体器件测试系统支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在从测量设置和执行到结果分析和数据管理的整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。 功率半导体器件测试系统主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA漏电流；集电极-发射极，Z大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；Z高支持 3500V(可扩展至10kV)电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率Z高支持1MHz，可灵活选配。 系统优势/Feature PART 01 IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量，施加应力时间长，温度迅速上升，严重时会使器件损坏，且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms，在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热。 PART 02 高压下漏电流的测试能力，测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示，小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA，而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例：3300V，125℃测试条件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以W美应对所有类型器件的漏电流测试需求。PART 03 此外，VCE(sat)测试是表征 IGBT 导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源，脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热，同时设备需要有同步采样电压功能。 IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确。下图为 1000A 波形： PART 04 快速灵活的客制化夹具解决方案：强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何，普赛斯均可以快速响应用户需求，提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试。 结束语 功率半导体器件测试系统作为J端产品，以往在国际市场上只被少数企业掌握。全球半导体产业的发展以及先进半导体制造设备保有国出口管制的升级，对国产设备厂家来说既是挑战也是机遇。未来，武汉普赛斯将充分发挥自身的技术和创新优势，持续推动J端产品落地应用，真正做到以技术创造更多价值

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

快脉冲、大电流半导体激光器驱动器（LDD100）(德国Artifex公司)LDD100是一款强大的半导体激光器驱动器，适用于实验室以及OEM。LDD100非常适用于半导体激光器测试过程，例如：半导体激光器老化测试以及LIV测试。在1A-400A的电流范围内LDD100可提供各种范围选择。50ns上升时间（电流60A。 快速模式最大电流120A）。LDD100可通过USB接口控制实现自动测量，清晰直观的图形化操作界面。用户还可以通过前置面板和LCD显示屏对其进行所有的参数设置和操作，并可存储9个图形，非常适用于实验室环境。性 能：输出脉冲形状（120A 脉冲，5µ s脉宽） 图形化操作界面：技 术 规 格：参 数条 件单 位最 小均 值最 大输 出电 流LDD100-40LDD100-120LDD100-2000.010.020.0540120200A连接器控制单元-连接头LEMO(雷莫)连接头-激光器Strip line（带状传输线）上升时间长脉冲模式快速上升模式50050ns下降时间长脉冲模式快速上升模式45080600100ns脉冲宽度50ns3s脉宽分辨率50ns-1.5ms50ns1.5ms-3s0.01%重复率100kHz脉冲间隔10μs10s脉冲间隔分辨率10μs-100ms10μs100ms-1s100μs1s-10s1ms兼容电压420V占空比without activecoolingL-VersionF-Versionwith active cooling 31.270%精度+2%重复性+1%线性+1%PC 接口类型USB触 发类型内触发外触发：顺序触发外触发：单脉冲控制电源88-264VAC47-63Hz功率因子0.95尺寸控制单元250 x 235 x 150 mm (W x L x H)mm电流接头105 x 190 x 55 mm (W x L x H)mm 安全操作范围：

四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。能便携全自动测量导线、棒材电阻率、电导率等参数。应用电流–电压降四端子测量法、单片机技术及自动检测技术。其性能完全符合GB/T3048.2及GB/T3048.4中的相关技术要求。广泛应用于冶金、电力电工、电线电缆、电机电器、高等院校、科研单位等行业。硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C方阻计算和测试原理如下：　　直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：　　当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：　　四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C工作原理图　　四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C步骤及流程　　1. 开启电源，预热5分钟.　　2. 装配好探头和测试平台.　　3. 设定所需参数.　　4. 测量样品　　5. 导出数据.　　优点描述：　　1. 自动量程　　2. 准确稳定性.　　3. 双电组合测试方法　　4. 标准电阻校准仪器　　5. PC软件运行　　6. 同时显示电阻、电阻率、电导率数据.　　7. 可显示5位数字.　　8. 中、英文界面四探针半导体电阻率测量仪HRDZ-300C性能特点1. 体积小巧、重量轻。2. 全中文菜单操作，操作简单方便。3. 测量速度快，数据精确稳定。4. 具有自动放电和放电指示功能，减少误操作，保证设备及人员安全。

一、概述　　BD-86A型半导体电阻率测试仪是根据四探针测试原理研制成功的新型半导体电阻率测试器，适合半导体器件厂、材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率、方块电阻（薄层电阻），也可以用作测量金属薄层电阻、导电薄层电阻，具有测量精度高、范围广、稳定性好、结构紧凑、使用方便、价格低等特点。　　仪器分为电气箱和测试架两大部分，电气箱由高灵敏度直流数字电压表，高稳定、高精度的恒流源和高性能的电源变换装置组成，测量结果由LED数字显示，零位稳定，输入阻抗极高。在片状材料测试时，具有系数修正功能，使用方便。测试架分为固定式和手持式两种，探头的探针具有宝石导向，测量精度高、游移率小、耐磨和使用寿命长等特点，而且探针压力可调，特别适合薄片材料的测量。　　二、主要技术指标　　1.测量范围：　　电阻率：10-3--103Ω㎝（可扩展到105Ω㎝），分别率10-4Ω㎝。　　方块电阻：10-2--104Ω/□（可扩展到106Ω/□），分辨率10-3Ω/□。　　薄层金属电阻：10-4--105Ω，分辨率10-4Ω。　　2.数字电压表：　　电压表量程为3档，分别是20mV档（分辨率10μV)；200mV档(分辨率100μV)；2V档（分辨率1mV)。电压表测量误差±0.3%读数±1字，输入阻抗大于109Ω。　　3.恒流源：　　恒流源由交流供电，输出直流电流0---100mA连续可调。恒流源量程为5档，分别是10μA、100μA、1mA、10mA、100mA；分辨率对应是10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA。电流误差±0.3%读数±2字。　　4.测试架：（可选件）　　测试架分为固定和手持两种，可测半导体材料尺寸为直径Φ15--Φ600㎜。测试探头探针间距S=1㎜，探针机械游移率±0.3%，探针压力可调。　　5.显示：3?位LED数字显示0-1999，能自动显示单位、小数点、极性、过载。　　6.电性能：电性能模拟考核误差﹤±0.3%，符合ASTM规定指标。　　7.电源：220V±10%，50Hz或60Hz,功耗﹤30W。　　8.电气箱外形尺寸：440×320×120㎜。　　三、工作原理　　直流四探针法测试原理简介如下：　　（1）体电阻率测量：　　如图：当1、2、3、4根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体试样上，在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电压差V。　　材料的电阻率ρ=（V/I）×C （Ω㎝） 3-1　　式3-1中：C为探针系数，由探针几何位置决定，当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时，　　C=2π÷{1/S1+1/S3-1/(S1+S2)-1/(S2+S3）}=2πFSP 3-2　　式3-2中：S1、S2、S3分别为探针1与2、2与3、3与4之间的距离。当S1=S2=S3=1mm时，则FSP=1，C=2π。若电流取I=C时，　　电阻率ρ=V,可由数字电压表直接读出。　　①、块状和棒状晶体电阻率测量：由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由公式3-1、3-2式求出。　　②、薄片电阻率测量：由于薄片样品厚度和探针的间距相比，不能忽略。测量时要提供样品的厚度、形状和测量位置的修正系数。　　电阻率值可由下面公式得出：　　ρ=V/I×2πS×FSP×G(W/S)×D(d/s)= ρ0×G(W/S)×D(d/s) 3-3　　式中：ρ0 为块形体电阻率，W为试片厚度，S为探针间距，G（W/S）为样品厚度修正函数，D(d/s)为样品形状和测量位置修正函数。　　③、方块电阻、薄层电阻测量：当半导体薄层尺寸满足半无限大平面条件时：　　R□=π/ln2×(V/I)=4.532(V/I) 3-4　　若取I1=4.532I,则R□值可由电压表直接读出。　　注意：以上的测量都在标准温度(230 C)下进行，若在其他温度环境中测量，应乘以该材料的温度修正系数FT。　　FT=1-CT（T230） 3-5　　式中：CT为材料的温度系数。（请根据不同材料自行查找）　　（2）金属电阻测试：本仪器也可用作金属电阻的测量，采用四端子电流-电压降法，能方便的测量金属电阻R,测量范围从100μΩ---200K　　四、仪器结构　　本仪器为台式结构，分为电气箱和测试架两大部分。　　【1】电气箱为仪器主要电器部分，电气箱前面板如图4-1所示：

该测试方案可适用于多数半导体器件的测试，以五种器件为例：场效应晶体管式传感器、电阻型二极管式传感器、电阻式存储器、生物器件脉冲式和电容测试。其他要求为系统漏电小于10-13（100fA）。测试需求整体可以归纳为微纳传感器件的IV、脉冲IV 和CV测试，漏电需求为100fA。整体系统组成为微纳器件测试探针台和半导体参数分析仪。可测器件器件1：场效应晶体管式传感器器件2：电阻型二极管式传感器器件3：电阻式存储器器件4：脉冲式（输入脉冲电压，测量电流值）器件5：电容测试欢迎与我司联系了解详情，可按需定制系统。

1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可(1)量程： 20.00mV～2000mV (2)误差：±0.1%读数±2 字数控恒流源 (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µ A，1mA，10mA，100mA，1A (2)误差：±0.1%读数±2 字所给出的某一合适值，测量并记录所得数据，所有测试数据至少应取三位有效数字。改变电流方向，测量、记录数据。关断电流，抢起探针装置，对仲裁测量，探针间距为1.59

1.恒奥德仪器手持式四探针测试仪四探针检测仪 配件型号HAD-3 HAD-3型手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.HAD 标准。仪器成套组成：由HAD-3主机、选配的四探针探头等二分组成，也可加配测试台。仪器所有参数设定、能转换采用轻触按键输入；具有零位、满度自校能；手动/自动转换量程可选；测试结果由数字表头直接显示。本测试仪采用可充电电池供电，适合手持式变动场合操作使用！探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻行测量。配探头，也可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻。详见《四探针探头特点与选型参考》点击入仪器具有测量度、灵敏度、稳定性好、智能化程度、结构紧凑、使用简便等特点。仪器适用于半导体材料厂、器件厂、科研单位、等院校对导体、半导体、类半导体材料的手持式导电性能的测试。 三、基本术参数1. 测量范围、分辨率电 阻： 0.010 ～ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ～ 10 Ω电 阻 率： 0.010～ 20.00kΩ-cHAD， 分辨率0.001 ～ 10 Ω-cHAD方块电阻： 0.050～ 100.00kΩ/□ 分辨率0.001 ～ 10 Ω/□ 2. 可测材料尺寸手持方式不限材料尺寸，但加配测试台则由选配测试台决定如下：直 径：HADT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130HADHAD。HADT-C方测试台直接测试方式180HADHAD×180HADHAD。长()度：测试台直接测试方式 H≤100HADHAD。.测量方位: 轴向、径向均可. 量程划分及误差等 2.声波泥水界面计污泥水界面计声波泥水界面仪 型号DQF-QFWJ-100 测量原理传感器发出声波遇到泥层会反射，测出发射波和反射波之间的时间，就可以得出传感器到泥层的距离H；传感器到池子底面的距离是用户设置的L；这样就可以得到泥层的厚度D=L-H。参数:测量范围：0.5~10m准确度：±1.0%分辨率：1mm标 定：出厂标定，可现场校验 显 示：液晶显示 模拟输出：4～20mA、大负载750W继电器输出：报警继电器输出 继电器容量：AC230V、5A数字接口：可选RS485供电电源：AC220V±10%材 质：PC防护等：IP65作温度：-20~60℃材 质：316不锈钢、PVC连接方式：G1管螺纹 传感器线缆：10米（其他长度可在订货中说明） 防护等：IP68作温度：0~60℃环境湿度：相对湿度≤90%过程压力：0.6MPa 3.红外辐照计/红外辐照度计 型号:HAD-IR850 标 1、波长选择：本仪器有如下两种波长的红外探测器可供选择： （1）中心波长850nm； （2）中心波长940nm；2、测量范围：1uw/cm2~999.9k uw/cm2；3、测量度：5%；4、显示刷新率：1次／秒；5、供电电源：9V叠层电池；6、耗：＜20mW 7、作环境条件：温度0~40℃、湿度：＜90％；8、仪表尺寸：130mm×65mm×25mm 4.多能土壤腐蚀速度测量仪 型号 HAD-ZKW180 术特点】 采用五个相同材质电环组合联结成组合式电化学探头，有效地降低了测量腐蚀电流密度时土壤介质IR降的影响；其中辅助电（CE ）研究电（WE ）和 参比电（RE）的连接方式以（CE-WE-RE）表示，组合式电化学探头连接方式为（1-5，2-4 ，3 ）。研究电（WE ）和参比电（RE） 的面积为5cm2 ； 运用四电探针，采用相对较低的测量电压，准确测定土壤电阻率，避免压测量带来的读数困难和土壤电解成理化性能破坏； 采用标准铂电、硫酸铜电用于测量土壤氧化还原电位； 在探头聚四氟缘棒上固定度测温元件测量土壤温度； 运用预孔器方法，测量时对土壤原有结构的破坏很小且不用开挖； 前端采用锥形设计以保证探头和土壤间有良好的接触； 探头通过打磨可重复利用。 1 土壤腐蚀性评定 多能土壤腐蚀速度测量仪 应用域 Ø 输油、气埋地管线、城市埋地管线外腐蚀评价 Ø 混凝土腐蚀性评定 Ø 水溶液腐蚀介质腐蚀性评定 Ø 等等 多能土壤腐蚀速度测量仪 术标 Ø 仪器正常使用的环境条件： • 温度：0 ℃至40 ℃. • 相对湿度：≤80%RH Ø 土壤温度测量范围：零下10℃至100℃，误差：2 ℃ Ø 土壤氧化还原电位测量范围：±2000mV，误差：≤1% Ø 土壤电阻率测量范围：0至10KΩm，误差：≤2% 土壤化电阻测量范围：40Ω至300KΩ，误差：≤3% 土壤腐蚀速度测量范围：1 ×10-4至2 mm/a 蓄电池充电时间6小时，充电时可正常作。次充电后可持续作24小时 5.初粘性和持粘性测试仪/斜面滚法、胶粘带瞬间粘合力测试仪/初粘性测试仪 型号:CZYG 适用于压敏胶带等相关产品行初粘性测试试验，具A斜面滚法B斜槽滚法两种试验方法，转换方式简单易行。特点: 采用斜面滚法的测试原理，测试试样的瞬间粘附性能 按照家标准设计的测试钢，确保了测试数据的准性 测试倾斜角度可以按照用户的需求行自由调整 应用: 基础应用 胶粘制品 适用于各种胶粘类制品的初粘性测试，如压敏胶带、用贴剂、不干胶标签、保护膜等 作原理：采用A法斜面滚法和B法斜槽滚法 1. A法通过钢和压敏胶粘带试样粘性面之间以微小压力发生短暂接触时，胶粘带对钢的粘附作用来测试试样初粘性。将钢滚过平放在倾斜板上的胶粘带粘性面，根据规定长度的粘性面能够粘住的钢尺寸，评价其初粘性大小。 2. B法将规定大小的钢滚过倾斜槽，测量其在水平板上的胶粘带粘性面上滚动的距离来评价其初粘性的大小。 术参数:可调倾角： 0-60° 台面宽度： 120mm 试区宽度： 80mm 标准钢： 1/32-1英寸 药典46枚钢 外形尺寸： 14（B）×32（L）×18（H）cm 重 量： 13 kg 配置:主要由倾斜板、放器、支架、可调水平底座及钢盒等分构成 6.单体支柱测压仪 测压仪 型号HAD-40Z HAD-40Z单体支柱测压仪也称为外平衡仪表，用以检测单体液压支柱初撑力（作阻力）的增压式。 HAD-40Z单体支柱测压仪术参数： ⑴ 量程： 0 ～ 40MPa ；⑵ 显示方式：微表式；⑶ 度： 2.5%FS ；⑷ 作介质：含 2% 乳化液或乳化油；⑸ 重量： 1.3 ㎏；⑹ 每桶液体充液次数： 90 ～ 100 7.测力环/ 土用测力环 测力装置 应力环 型号:HAD-100KN 测力环与路面材料强度试验仪主机及相应附件配套使用，可做无侧限抗压强度、承载比、马歇尔稳定度、劈裂试验、回弹簧模量等试验。规格：150KN、100KN、60KN、30KN、7.5KN、2KN能简介：测力环结构合理、操作方便，适用于各种型号路面材料强度试验仪、承载比试验仪、电动应变无侧限压力仪、土基试验仪等公路仪器标准力值的试验。术参数：示值重复性相对误差不大于0.3% 示值回程相对误差不大于1.5% 示值长期稳定度（三个月）不大于0.3% 回零偏差不大于0.2个分度 灵敏度所不大于0.2个分度对应的力值8.智能化γ辐射仪/智能化伽玛辐射仪 型号 HAD-2000 仪器特点 灵敏度、能量响应范围宽、耗低、稳定性好、操作方便，中文显示被测石材的A、B、C类别，亦可显示计数率和吸收剂量率。 术标 1.测量模式 常规测量：每3s测量次，显示每秒的平均值； 定时测量：可自行选择10s、30s、60s、300s、600s中的 档测量，仪器显示每秒钟的平均值 2.测量范围：（0.01～100）μGy/h 3.能量阈：40keV 4.测量线性：放射性强度γ与计数率CPS的相关系数≥0.999 5.长期稳定性：≤6%（连续作8h） 6.准确度：＜20％ 7.灵敏度：1μGy/h（103nGy/h）的计数≥350s-1 8.电源：3节1号电池 9.耗：≤100mW 10.使用环境 温度：（0～40）℃ 湿度：≤90%（40℃） 11.外形尺寸及重量（含包装箱）：（350×200×250）㎜；6㎏ 仪器认证 中计量科学研究院检定并出具检定证书 9.活化仪/吸附管老化仪/老化仪 型号:HAD-TH-10 HAD-TH-10 型活化仪是在热解吸的基础上，为提作效率而研制设计的检 测配套件。其特点是具有立控温系统，不需外接其何控温设备，即可 立成 1 — 10 支吸附管的活化过程，自带流量计，显示直观，操作简单。 术参数： ◆ 电源：220VAC 50Hz ◆ 率：300VA ◆ 控温范围：室温~400℃ ◆ 控温度：±1℃ ◆ 定时范围：1分钟~99小时59分钟 ◆ 流量调节范围：0~1000ml/分钟 ◆ 次多活化数量：10支吸附管 ◆ 吸附管长度：110mm以上（却省） ◆ 外型尺寸：x宽x深 225 x 265 x 345 ◆ 净重：约7.5kg 10凝胶化时间测试仪/凝胶化时间检测仪/酚醛树脂凝胶化 型号：HAD-YGT-A 产品说明： 常温HAD-YGT-A型凝胶化时间测试仪术规范： ►温度：室温—230.0℃ 意调节 ►温度度：±0.5℃，四位LED显示 ►热盘尺寸：￠50×2.5 ｍｍ ►温度控制：欧姆龙固态继电器PID控制 ►时钟：0—999.9秒计时，带“启动/停止”和“归零”开关 ►温度和时间控制与热盘是二个并列的组合体（参考照片） ►外形尺寸（W×D×H）：342×170×190mm ►机体重量（㎏）：约18㎏ ►电 源：220V,50HZ,600W 本公司主营 不锈钢采水器，弯曲测量装置，鼓风干燥箱，色度计，化学试剂沸点测试仪，提取仪，线缆探测仪，溶解氧测定仪，活性炭测定仪，磁导率仪，比浊仪，暗适应仪，旋转仪，酸度计，硅酸根测定仪，过氧化值测定仪，腐蚀率仪，电阻率测定仪，耐压测定仪，污泥比组测试仪，粉体密度测试仪，机械杂质测定仪，运动粘度测试仪，过氧化值酸价测定仪，噪声源，土壤腐蚀率仪，直流电阻测试仪，厌氧消化装置，耐压测试仪，甲醛检测仪，硅酸根测试仪，PH酸度计，测振仪，消解仪，读数仪，空气微生物采样器，，双波长扫描仪，涂层测厚仪，土壤粉碎机，钢化玻璃表面平整度测试仪，腐蚀率仪，凝固点测试仪，水质检测仪，涂层测厚仪，土壤粉碎机，气体采样泵，自动结晶点测试仪，凝固点测试仪，干簧管测试仪，恒温水浴箱，汽油根转，气体采样泵，钢化玻璃测试仪，水质检测仪，PM2.5测试仪，牛奶体细胞检测仪，氦气浓度检测仪，土壤水分电导率测试仪，场强仪，采集箱，透色比测定仪，毛细吸水时间测定仪，氧化还原电位计 测振仪，二氧化碳检测仪，CO2分析仪，示波谱仪，黏泥含量测试仪，汽车启动电源，自动电位滴定仪，，干簧管测试仪，电导率仪，TOC水质分析仪，微电脑可塑性测定仪，风向站，自动点样仪，便携式总磷测试仪，腐蚀率仪，恒温水浴箱，余氯检测仪，自由膨胀率仪，离心杯，混凝土饱和蒸汽压装置，颗粒强度测试仪，斯计，自动涂膜机，，气象站，动觉方位仪，，气味采集器，雨量计，四合气体分析仪，乳化液浓度计，溶解氧仪，温度测量仪，薄层铺板器，温度记录仪，老化仪，噪音检测仪，恒温恒湿箱，分体电阻率测试仪，初粘性和持粘性测试仪，红外二氧化碳分析仪，氢灯，动觉方位仪，冷却风机，油脂酸价检测仪，粘数测定仪，菌落计数器，气象站，雨量计，凯氏定氮仪，荧光增白剂，啤酒泡沫检测仪，发气性测试仪，低频信号发生器，油液质量检测仪，计数器，漏电流测试仪，标准测力仪，毛细吸水时间测定仪，大气采样器，流速仪，继电器保护测试仪，体积电阻率测试仪，侧面光检测仪，照度计，体化蒸馏仪，涂布机，恒温加热器，老化仪，烟气分析仪 本产品价格仅为配件价格，由于检测参数不同对仪器的终要求也不同，所展示的价格并非产品终价格，如给您带来不便请谅解请您在购买前联系我们客服人员，我们会给你确认产品信息，术参数以及报价，我们会以优惠的价格，诚恳的态度为您服务，期待您的来电！ 以上参数资料与图片相对应

光电流、开路电压的瞬态特性、载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程等是表征新型太阳电池器件的重要参数。由于新型太阳电池器件存在面积小、光电流小等特性，非常难以准确测量出光电流随时间的变化，我们可以利用光焱科技TPC/TPV钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪，对有机太阳能电池OPV、钙钛矿太阳能电池PSC、量子点太阳能电池、染料敏化太阳能电池DSSC、无机太阳能电池等光电器件进行微观机理测试，进而全面分析光电器件中的载流子特性和瞬态过程。光焱科技-钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪（TPC/TPV）钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪原理钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪是研究半导体光生载流子动力学过程和反应历程的强有力手段之一，它可以获得半导体体内光生载流子产生、俘获、复合、分离过程的重要微观信息。钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪实现了对电荷抽取和电荷传输能力的表征，研究光生电子的传输行为，其光电压响应包括上升和衰退两部分，光电压上升部分在物理上对应于导电基底电子浓度增加，此过程由光生电子扩散到达基底引起，光电压下降部分主要对应于电子离开导电基底的复合过程，是光生载流子动力学及光生电子的传输行为的研究利器。钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪范围有机太阳能电池OPV无机半导体光电器件有机半导体光电器件染料敏化太阳能电池DSSC钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪测试数据TPVTPC

ST-11A型导电类型鉴定仪简介 一、结构特征二、概述 ST-11型PN类别鉴定仪是运用整流法原理鉴定半导体导电类型的仪器，同时兼备测试重掺的功能。 本仪器由主机和探头等部件组成。导电类型P或N由数码管显示，是否重掺由发光管和蜂鸣器提示，探头由四种形式，可根据需要选用。探针采用即插式，方便更换。 本仪器关键器件采用专用集成电路，并采用优质贴片工艺，仪器具有鉴定范围宽、灵敏度高、稳定性好、使用方便等特点。适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校等对半导体材料的PN类型鉴定及重掺判别的场合。三、技术参数1. PN鉴定范围：ρ=0.01～1000Ω-cm重掺判别界限:ρ=0.01～0.2Ω-cm 可调 (初始设定为0.1Ω-cm)2.可测半导体材料尺寸：PN鉴定 ：可接触面 Smin= 3mm*5mm重掺判别：可接触面 Smin= 3mm*5mm (三针探头或夹子)Smin= 3mm*3mm (二针探头或夹子)Smin= 2mm*2mm (单针探头)3.探头参数：⑴探针间距： 1.8mm⑵探头类型： 三针式、二针式、单针式、夹子式5)工作电源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W6)外形尺寸：W×H×L=28cm×13cm×23cm净 重：≤1kg