关系效应研究

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关系效应研究相关的耗材

  • 降低荷电效应样品杯
    降低充电效应样品杯包含一限压孔,可将特定量的空气导入样品腔,使得样品附近气压升高,降低样品表面的充电效应,同时保持电子腔内的高真空,使系统稳定运行。降低充电效应样品杯专为不导电样品设计,为用户免去了额外的预处理过程。各种不导电样品,如纸张、聚合物、有机材料、陶瓷、玻璃以及涂层等,均可借助降低充电效应样品杯,得到其原始形貌的图像。适用于高分辨率成像,可用于观测粉末,薄膜,及各种不规则形状的三维样品。降低充电效应样品杯可直接观察不导电的样品,无需喷金样品尺寸:直径25mm;高30mm
  • 降低荷电效应控温样品杯
    控温样品杯应用低真空技术,在控温的同时将样品周围相对湿度控制在高水平,显著降低样品中水分的蒸发、升华,延长敏感样品的观测窗口时间。控温样品杯可以对样品进行冷冻或加热,改变样品周围湿度、气压。同时利用低真空技术,减小电子束轰击造成的荷电效应和样品损伤。优点:阻止样品中水分的丧失,避免因脱水而造成的样品形变;保持样品原始形貌 ; 可以长时间观测生物、有机样品 ;降低电子束损伤。样品尺寸:直径25mm;高5mm控温范围:- 25℃ ~ + 50℃ 降温速率:20℃/min
  • 鲲霆生物溶剂效应消除器 KTSIL10-015500
    鲲霆生物溶剂效应消除器可有效消除,因进样溶剂与初始流动相洗脱能力差异导致的峰分裂,峰变宽,不出峰等问题。因使用药典、国标等方法无法修改的情况时,溶剂效应消除器是您解决进样峰形的理想之选。溶剂效应消除器产品特点:1、长使用寿命-Solvent-Smoother内无填料,通过特殊设计结构消除溶剂效应,以PEEK和不锈钢为材料的耐腐蚀设计,使用寿命长;2、改善峰形- Solvent-Smoother可消除因溶剂效应引起的峰形前延,显著改善峰形对称性,柱效成倍提高;3、溶剂效应消除器兼具过滤功能- Solvent-Smoother内有筛板,可同时兼具在线过滤器的功能,拦截固体颗粒物质堵塞色谱柱筛板,使用后可取下超声清洗。产品应用:货号:产品型号描 述货 号分析型KTSIL-ST Solvent-Smoother HPLCKTSIL10-015500超高压型KTSIL-ST Solvent-Smoother UHPLCKTSIL10-028000ABOUT US 鲲霆生物上海鲲霆生物科技有限公司深耕生物医药行业多年,自创立之初就以为生物医药企业提供从研发分析到工业生产的整体化服务为愿景。不断钻研色谱分析及制备技术,提升服务品质,致力于成为值得信赖的色谱技术服务提供商。鲲霆生物现为Nouryon旗下品牌Kromasil液相色谱柱及制备填料中国区总代理。主营业务为代理销售各类实验室精密仪器、试剂耗材以及相关领域的技术开发与咨询服务。鲲霆生物愿与您携手同行,共同前进,为更健康,更安全的生物医药而不懈努力。

关系效应研究相关的仪器

  • 霍尔效应测试系统HET 400-860-5168转3827
    霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括 Si、ZnO、SiGe、Sic,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。产品特点-采用高精密度恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能优越 -自动控制磁场方向的改变,更加便捷准确 -样品装夹快速方便,且使用能够解决欧姆接触的样品芯片 -产品采用一体化、精密化设计,融入人性化的设计理念,不仅测量精确而且操作方便 -用户界面操作简单,功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验,使测试过程更加方便快捷应用功能-载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数,可以确定电流携带者的类型,是正电荷的空穴还是负电荷的电子,从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性 -载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系,因此通过测量霍尔系数,可以估计材料中载流子的浓度 -迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率,即电荷载流子在材料中移动的能力,从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究 -材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息,可以更全面地评估材料的电性能,为电子器件和电路设计提供重要参考
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  • 亚历山大效应光谱高温仪可精确测量1000K到100,000 K的高温到超高温,同时可为研发需要测定辐射体的发射光谱,是迄今为止唯一可以直接测量4000 K以上高温的仪器.一、原理简介  亚历山大宝石效应可被分为四种类型。类型一:变色与黑体温度变化相应,在不同的光源下,色彩与温度变化。类型二:亚历山大宝石效应与两种光源的谱差种类相应。类型三:亚历山大宝石效应与色彩温度的变化及谱差种类均相应。类型四:亚历山大宝石效应与白炽光和荧光之间极大的色彩温度差相应。  用亚历山大宝石效应方法来测量温度是以类型一亚历山大宝石效应的CIELAB色彩空间中温度与色彩角的关系为基础的。图1显示了在CIELAB色彩空间 中亚历山大宝石晶体沿a晶轴的色彩角与温度之间的关系。合成亚历山大宝石晶体的色彩角大约在温度是2856 K时为335度,红紫色;而在温度6500 K时为162度,蓝绿色。2856K与6500 K时的色彩角度差大约为173度。 温度和色彩角之间的关系可用数学方法来测定。温度是色彩角的函数:这里,h是CIELAB色彩空间的色彩角。   当辐射体的辐射光线穿过晶体时,晶体色彩会随着辐射体温度变化而变化。亚历山大宝石效应的色彩角只取决于辐射体的温度,而与该辐射体的光谱功率分布无关。这个特性是利用亚历山大效应测量任何辐射体温度的基础。因此可以准确测量任何辐射体的温度,不管该辐射体的光谱功率分布是何种类型。 二、系统构成  系统由光学观测系统或光探针,频谱仪、计算机及带有数字亚历山大宝石效应滤波器的温度测量软件构成。 图2 系统构成LASP spectropyrometer软件: 图3:LASP spectropyrometer屏幕界面1. 光谱显示:被测波长范围380 -760 nm辐射体的相对光谱功率分布。相对光谱功率分布的标准值为波长560nm时100。2. 温度显示:显示被测辐射体的温度。3. 积分时间:进行每次测量的时间,单位为ms。 4. 采样平均:每次测量的采样平均数。5. 最大信号:在波长范围中测量到的最大信号。注意:最大信号不应超过3000。最大信号超过3000会引起信号饱和。6. 光谱校正:输入校正值校正光谱。7. 光谱校正指令:将输入的校正值应用于相对光谱功率分布。8. 温度监测:监测被测辐射体的温度,不显示辐射体的相对光谱功率分布。9. 温度测量:测量被测辐射体的温度,带有相对光谱功率分布。10. 温标选择:在开氏、摄氏及华氏温度之间选择温标。三、应用领域  1.测量等离子枪温度2.测量电弧及放电超高温度3.测量铝合金中化学元素浓度温度及激光光谱4.为多晶硅设备的温控提供支持5.优化高性能内燃机的混合燃料比例、温度及排放6.测定合金炉的光谱并对其温度进行调控7.对炼钢炉的碳浓度进行控制四、规格LASP 0260 800 - 1200 KLASP 1260 1000 - 2500 KLASP 2260 1800 - 5000 KLASP 3260 3000 - 10000 KLASP 4260 5000 - 50000 KLASP 5260 10000 - 100000 K探测器种类:1. 光学观测系统2. 积分球3. 准直透镜4. 电准直仪光谱波长范围:380 - 760 nm温度测量精度:黑体及灰体: 0.5%非灰体(光谱校正后): 1.0%温度分辨率: 1 K光谱分辨率: 1 nm温标:开氏温度,摄氏温度及华氏温度
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  • 仪器组成: 多功能数字多道、放射源模拟器、相对论效应平台 用户自备电脑一台(Win7以上 64位系统)相对论效应实验: 测量快速电子的动能和动量; 验证快速电子的动量与动能的关系符合相对论效应。相对论平台: 模拟磁场环境、模拟探测器和可移动的模拟放射源放射源移动结构参数: 1)数字式闭环步进驱动器 2)精密滚珠丝杆滑台 3)行程:300mm 4)重复定位精度:0.01mm 5)分辨率:0.02mm 6)扭矩:2N.M
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关系效应研究相关的试剂

关系效应研究相关的方案

  • 高性能低温恒温器在磁光克尔效应研究中的应用
    科研中MOKE常用来表征材料的电子和磁学特征,例如磁畴结构、自旋态密度、磁相变动力学。在高质量纳米结构和2D材料中新的实验进展表明,有望在集成的光子或自旋电子器件中利用磁光效应在纳米尺度上加强对光的控制。MOKE实验需要灵活的光路与电学通道以及磁场环境。样品需要一个超稳定的低温环境并且能够调整配置以适应实验需求的多种几何光路。Cryostation基础系统与成熟的选件库可为MOKE提供多种解决方案。通过不同的搭配组合我们可以轻松实现磁光克尔效应、光磁测量、光致发光、偏振分辨测量、自旋输运与动力学、磁畴壁移动、磁阻研究、电学和高频测量、输运性质等方面的研究。以下是部分低温磁光克尔效应实验举例:
  • 铝合金高速加工中产生的残余应力和温度与刀具参数的关系效应研究
    The need throughout the machining industry for cost reduction and increasesin productivity have contributed to new interest in high-speed machining. Eventhough, many model for machining exist, most of them are for low-speed machining,where momentum is negligible and material behavior is well approximated bythe quasi-static laws. In machining at high speeds momentum could be large and thestrain rate can be exceedingly high. For these reasons a uid mechanics approachto understanding high-speed, very high-speed and ultra-high-speed machining is attemptedhere.
  • 采用光学热膨胀仪研究石墨环氧复合材料压阻效应
    压敏电阻效应的测试评价技术关键是同时测量压电材料在一定重量、温度等参数下的尺寸和电阻变化。采用一般的顶杆法膨胀仪很难实现重量加载和电阻信号的测量。而采用光学投影法热膨胀仪则能很好的解决此问题。本文介绍了对石墨环氧复合材料压敏电阻效应的研究工作。将一个厚膜电阻形式的惠斯登电桥采用丝网印方式沉积在横梁试样上,并在横梁试样端头加载一重量,采用光学膨胀仪同时记录下相应的变形位移信号,并计算出量规因数。整个测试过程在室温、65℃和100℃三个温度下进行,并对不同的基材(具有不同玻璃化转变温度的树脂基)、不同衬底材料(氧化铝和铝)和不同大小颗粒(4um和15um)进行测试,同时观测信号随时间和温度的渐变过程。试验结果表明玻璃化转变温度对压电电阻效应有巨大的影响,树脂高的玻璃化转变温度无论在时间还是温度方面都对压电电阻效应的稳定器起到最主要的作用。

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关系效应研究相关的资讯

  • 国科大在近场光学邻近效应研究中获进展
    表面等离子体光刻(Plasmonic lithography)作为一种近场成像技术,具有可打破衍射极限的特性,能够为发展高分辨率、低成本、高效、大面积纳米光刻技术提供重要方法和技术途径,是下一代光刻技术的主要候选方案之一。目前,虽然已通过实验验证表面等离子体光刻可以满足微纳制造领域对14 nm及以下技术节点分辨率的要求,但随着集成电路特征尺寸的进一步缩小,严重的近场光学邻近效应(Near-field optical proximity effect,near-field OPE)不仅会降低曝光图形的分辨率,而且会增大曝光图形的失真现象,造成纳米器件物理性能及电学特性的偏差,进而影响到产品的功能和成品率,限制了表面等离子体光刻技术的实际应用性。为满足集成电路中对纳米结构器件的尺寸及质量的高性能要求,有效地解决表面等离子体光刻技术中存在的near-field OPE问题,中国科学院大学集成电路学院教授韦亚一课题组通过对表面等离子体光刻特有的近场增强效应进行定量表征,从物理根源上揭示了near-field OPE的产生机理,以及倏逝波(Evanescent waves)复杂的衰减特性和场分布的不对称性对曝光图形边缘特征尺寸的影响,并从光刻参数与表征光刻图形保真度的指标之间的数学关系出发,通过对曝光剂量和目标图形的联合优化,提出了基于倏逝波场强衰减特性进行空间调制的近场光学邻近效应矫正(Near-field optical proximity correction,OPC)的优化方法。相比于传统的OPC优化方法,该方法能够实现对近场高频倏逝波信息的空间调制,可提高优化自由度,能够更有效地提高表面等离子体光刻系统的成像及曝光图形质量,为批量生产低成本、高分辨率和高保真度的任意二维纳米图形奠定了技术基础,并为微纳米光刻加工技术的发展提供了理论支持。 3月30日,相关研究成果以Enhancement of pattern quality in maskless plasmonic lithography via spatial loss modulationh为题,发表在Microsystems & Nanoengineering上。研究工作得到中科院和中央高校基本科研业务费专项资金资助项目的支持。
  • 韦亚一教授课题组在近场光学邻近效应研究中获进展
    表面等离子体光刻(Plasmonic lithography)作为一种近场成像技术,具有可打破衍射极限的特性,能够为发展高分辨率、低成本、高效、大面积纳米光刻技术提供重要方法和技术途径,是下一代光刻技术的主要候选方案之一。目前,虽然已通过实验验证表面等离子体光刻可以满足微纳制造领域对14 nm及以下技术节点分辨率的要求,但随着集成电路特征尺寸的进一步缩小,严重的近场光学邻近效应(Near-field optical proximity effect,near-field OPE)不仅会降低曝光图形的分辨率,而且会增大曝光图形的失真现象,造成纳米器件物理性能及电学特性的偏差,进而影响到产品的功能和成品率,限制了表面等离子体光刻技术的实际应用性。为满足集成电路中对纳米结构器件的尺寸及质量的高性能要求,有效地解决表面等离子体光刻技术中存在的near-field OPE问题,中国科学院大学集成电路学院教授韦亚一课题组通过对表面等离子体光刻特有的近场增强效应进行定量表征,从物理根源上揭示了near-field OPE的产生机理,以及倏逝波(Evanescent waves)复杂的衰减特性和场分布的不对称性对曝光图形边缘特征尺寸的影响,并从光刻参数与表征光刻图形保真度的指标之间的数学关系出发,通过对曝光剂量和目标图形的联合优化,提出了基于倏逝波场强衰减特性进行空间调制的近场光学邻近效应矫正(Near-field optical proximity correction,OPC)的优化方法。相比于传统的OPC优化方法,该方法能够实现对近场高频倏逝波信息的空间调制,可提高优化自由度,能够更有效地提高表面等离子体光刻系统的成像及曝光图形质量,为批量生产低成本、高分辨率和高保真度的任意二维纳米图形奠定了技术基础,并为微纳米光刻加工技术的发展提供了理论支持。 3月30日,相关研究成果以Enhancement of pattern quality in maskless plasmonic lithography via spatial loss modulationh为题,发表在Microsystems & Nanoengineering上。研究工作得到中科院和中央高校基本科研业务费专项资金资助项目的支持。 论文链接 近场光学邻近效应对表面等离子体光刻曝光结果的影响及基于高频倏逝波信息空间调制式的OPC优化方法
  • 青岛能源所利用质谱技术研究铜纳米团簇配体效应获得进展
    金属纳米团簇是一类由几个到数百个金属原子组成,尺寸一般小于2 nm的新型无机材料。纳米团簇确定的组成和结构、高的比表面以及不饱和配位点,使其成为一种在原子/分子水平研究催化反应构效关系的理想模型。铜团簇(Cu NCs)由于较低的成本和丰富的自然储量,在实际应用中具有广阔的前景。然而,Cu NCs生长机制的不确定性和结晶过程的复杂性阻碍了对其特性的深入理解和开发。特别是,配体效应对Cu NCs的结构和性质具有重要影响,然而其在原子/分子水平上的调控机制仍然不清楚。   前期孙晓岩研究员带领的团簇化学与能源催化研究组利用基于质谱技术的离子-分子反应方法,探究了高价态铁氧物种活化甲烷的本证活性并揭示了其生成甲二醇的微观机理(J. Phys. Chem. Lett. 2023, 14, 1633-1640)。受气相反应的启发,并结合质谱技术的优势,该团队将质谱应用于凝聚相团簇中,来探究配体效应对Cu NCs生长、结构、性质以及反应活性的调控规律。   研究人员通过化学还原法成功合成了三种不同配体(2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑和2-巯基苯并恶唑)保护的相同核数的Cu6 NCs(Cu6-1,Cu6-2和Cu6-3),这三种仅有微小差异的配体结构为精准对比配体效应提供了良好的模型(图1)。团队首先利用实时监测质谱技术探究了配体对Cu6 NCs合成过程的影响,发现团簇的生长过程经历“尺寸聚焦-热力学平衡-氧化刻蚀”三个阶段,由于配体的作用,使得这三个过程在时间维度上出现了显著差异,因此,通过质谱对团簇尺寸聚焦过程的准确监测能够为实现多种Cu NCs的精准合成提供重要思路。针对Cu团簇难以获得晶体结构的问题,团队利用碰撞诱导解离(CID)质谱技术进一步解析和对比了三种配体对团簇结构及稳定性的影响(图2)。基于碎片离子与O2的反应,并结合密度泛函理论计算,推导出Cu团簇催化燃料电池阴极氧还原反应(ORR)的活性位点,并筛选出Cu6-3可能具有较高的ORR活性。这项工作不仅为质谱技术研究团簇的配体效应提供了基本的见解,也为凝聚相中精准设计高活性的Cu基纳米催化剂提供了重要的思路。图1. 三种不同配体Cu6团簇的合成与表征 图2. 三种不同配体Cu6团簇结构和多级质谱分析   相关工作近日发表在Small上。青岛能源所博士生张丽丽为论文第一作者,孙晓岩研究员为通讯作者。该工作得到了山东能源研究院科研创新基金和山东省自然科学基金等项目的支持。
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