快离子导体薄膜

目前的科创板上市公司中，大都是各自领域的“领跑者”，即将正式登陆科创板的拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”、“公司”）就是典型代表。　　拓荆科技成立于2010年4月，是辽宁省及沈阳市重点培育的上市后备企业和中国半导体设备五强企业，主要从事高端半导体专用薄膜沉积设备的研发、生产以及技术服务，产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，是目前国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。公司产品已广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用。同时已展开10nm及以下制程产品验证测试，在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。　　薄膜沉积设备技术门槛高，研发难度大。拓荆科技立足自主创新，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，并达到国际先进水平。其中，公司先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术，不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线产能，减少客户产线的生产成本。　　拓荆科技的产品已基本全面实现了我国芯片制造产业在介质薄膜沉积设备领域摆脱对海外厂商的依赖，补强了我国在集成电路产业链关键环节的实力，为我国建立芯片体系贡献力量。　　公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。拓荆科技经过十多年的技术积累，已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，一举打破了薄膜沉积设备长时间被欧美和日本厂商垄断的局面。凭借长期技术研发和工艺积累，拓荆科技已经成为可与国际巨头直接竞争的半导体高端设备制造厂商。　　作为注册制改革的“试验田”和定位于支持“硬科技”产业的融资板块，科创板成立近三年以来，基础制度不断完善，上市条件的包容度和适应性不断提升和增强，吸引了一大批硬科技企业选择到科创板发行融资，其中不乏大量尚未盈利、存在特殊股权结构的硬科技企业。在科创板这块“试验田”支持硬科技发展的示范引领作用下，拓荆科技选择到科创板发行股票上市获得融资支持，持续加大研发投入。　　拓荆科技在科创板发行上市主要是为开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发、开发Thermal ALD和大腔室PE ALD，以及升级SACVD设备，研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备募集社会资金，并借助募集资金开发中国台湾市场。在加强产品技术研发的同时，拓荆科技上市后，还将逐步培育和完善国内相关产业链，通过与国内供应商的深度合作与磨合，推动设备关键部件的开发及验证，提高设备零部件的国产化率以及产品品质。同时，公司还将利用国产设备厂商的综合优势，为客户提供定向的技术开发与服务，以此助力半导体产业链发展，保障产业链的技术先进性。

近日，江苏首芯半导体项目生产厂房主体结构封顶仪式举行。中电二公司消息显示，江苏首芯半导体薄膜沉积设备研发及生产项目位于无锡江阴高新区，为集半导体前道制程薄膜沉积高端设备研发、生产、销售为一体的总部基地，总投资5亿元，计划于2024年6月投产。2023年10月12日，江苏首芯半导体薄膜沉积设备项目在江阴高新区举行开工仪式。江苏首芯半导体科技有限公司成立于2023年2月，主营业务为薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务，主要产品为化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积等薄膜沉积设备。该公司产品将被广泛应用于半导体、平板显示、新能源等领域。

2022年3月1-3日，由科技部、中国科学院指导，中国微米纳米技术学会、中国国际科学技术合作协会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主办，苏州纳米科技发展有限公司承办的第十三届中国国际纳米技术产业博览会（CHInano 2023）在苏州国际博览中心举行。本届纳博会为期3天，聚焦第三代半导体、微纳制造、纳米新材料、纳米大健康等热门领域，众多厂商齐聚一堂，新技术、新产品、新成果集中亮相。展会期间，深圳市速普仪器有限公司(SuPro Instruments)展出了他们的薄膜应力仪。速普仪器与薄膜应力仪产品SuPro Instruments成立于2012年，位于深圳市南山高新科技园片区，公司致力于材料表面处理和真空薄膜领域提供敏捷+精益级制备、测量和控制仪器，帮助客户提高产品的研发和生产效率、品质和使用体验。据张小波介绍，本次纳博会速普仪器主推是的薄膜应力测量仪，主要是应用于MEMS、化合物半导体、microled等泛半导体市场。据了解，集成电路领域的薄膜应力产品目前仍以KLA的产品为主，市场规模是泛半导体市场的十倍。早期速普仪器为工业领域提纲应力测量解决方案，机缘巧合之下，下游半导体厂商寻找到速普仪器合作开发相关产品。而速普仪器也不负众望，成功通过了半年的验证期，最后成功进入其中，实现了泛半导体领域薄膜应力仪的国产突破。多年积累之下，速普仪器目前已占据相关市场30%的份额，打破了国外企业的市场垄断。目前相关产品已进入国内科研院所和一些重要的半导体企业。谈到未来的战略规划时候，张小波也表示未来速普仪器也将继续研发新产品，搭配其应力测量仪，为用户提供更完善的解决方案。