快离子导体薄膜

请问各位前辈，大神们，本人做的是半导体薄膜吸收层，为什么XRD检测我的样品和pdf卡片对照的一模一样，没有杂峰。但eds检测原子计量比不符合投料比呢，投料比为1：1.但是出来差别很大，这是什么原因呢？

测固体薄膜得紫外－可见，如何测半导体带隙？公式我也知道，可切线点如何选取呀

[em0709] [img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=67861]陶瓷、半导体材料薄膜样品的制备方法[/url]

请问各位高手，测量薄膜固体电解质的离子导电率，除了交流阻抗法，可以采用什么方法？我的薄膜是沉积在玻璃上的。

富阳精密仪器厂电话:0571-63253615 传真:0571-63259015地址：浙江富阳新登南四葛溪南路26号 邮编：311404联系人：温先生电话：13968165189Email:manbbb@sina.com网址：www.jingmiyiqi.net 石英管式微波等离子体装置是我厂专门为大学和研究机构设计的小型化产品，可用于薄膜材料的制备和等离子体物理等方面的研究工作，并且特别适宜于大中专学校的材料、化学工程与工艺、物理等专业的学生实验。该装置利用微波能激励稀薄气体放电在石英管中产生稳态等离子体，通过通入不同的工作气体，可进行功能薄膜材料的制备、化学合成、表面刻蚀、等离子体诊断等多方面的实验。1 主要配置 1. 2.45GHz，0~500W微波功率连续可调，可满足不同实验的要求； 2. ф50mm的石英管真空室，带有一个观察窗和一个诊断窗口，保证各种实验方便进行； 3. 石英管采用水冷却，可保证装置在高功率条件下安全运行； 4. 配置了3路气体管路，气体流量控制方便； 真空测量系统及控制阀门可保证真空室所需的真空环境。2 典型实验 1. 等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积 A（气）+B（气）→ C（固）+D（气） 反应气体A、B被激发为等离子体状态， 其活性基团发生反应生成所需要的固态物沉积在基片上，可广泛用于薄膜或纳米材料的合成。如金刚石薄膜氮化碳薄膜、碳纳米材料等。 2. 等离子体表面刻蚀 A（气）+B（固）→ C（气） 反应气体A 被激发为等离子体状态与固体B表面原子发生反应生成气态物C，可用于集成电路的刻蚀实验。 3. 等离子体催化反应 利用等离子体中丰富的活性成分，如紫外和可见光子、电子、离子、自由基；高反应性的中性成分，如活性原子，受激原子态，从而引发在常规化学反应中不能或很难实现的化学反应。 4. 等离子体表面改性 A（气）+B（固）→ C（固） 反应气体A 被激发为等离子体状态与固体B表面发生反应生成新的化合物从而达到改变B物质表面性质的目的。可广泛用于高分子材料、金属材料及生物医用材料的表面改性实验。[em28] [em28] [em28] [em28]

大概有十多层，薄的有几十纳米，厚的几百纳米，半导体量子井结构，薄膜之间因掺杂或载流子密度有所不同，载流子振荡可能会产生等离子激元与晶格震动的耦合，这样有没有可能分别测出每一层的拉曼光谱，或在拉曼光谱中找出每一层的特征峰？以前没做过拉曼测量，刚要接触，很多都不懂，谢谢回答！

我想做一下薄膜里面的几个元素的纵向成份分布。请问那位做过薄膜的二次离子质谱？

我想做一下薄膜(100nm左右)里面的几个元素的纵向成份分布。请问那位做过薄膜的二次离子质谱？

我想做一下薄膜里面的几个元素的纵向成份分布。请问那位做过薄膜的二次离子质谱？

请大家帮我分析一下，我想在玻璃或者硅上生长一层或多层金属氧化物薄膜，这些薄膜多数是半透明的，厚度在0.5-2微米之间，我希望能依靠一种光学显微镜对厚度有个大致的测量，然后根据结果改进我的实验参数，这就需要放大倍数在500倍以上，最好能达到1000倍甚至更高，但必须不能使用油镜。我看了江南永新和上海长方的显微镜资料，发现金相显微镜和偏光显微镜似乎对我有用，我对这两种显微镜的用途不甚了解，不知道该买哪一款。请热心的网友们帮我参谋参谋，谢谢了。

薄膜抑制器的离子交换膜是什么材料？

现代真空应用技术的发展，涉及的应用范围越来越广泛、真空应用设备对仪器仪表的要求越来越高，特别是对测量精度、稳定性要求、以及自动控制性能要求也越来越高，这直接关系到真空设备的整体性能质量，关系到真空应用技术或应用工艺的应用效果，甚至于成功与否。在精细化工、真空冶炼、真空单晶炉、真空热处理、真空浸渍、真空冷冻干燥、真空绝缘处理、电真空器件、半导体材料生产、高特新材料、新能源设备等等行业中尤其特出。许多新设备、新工艺、新产品的开发之所以老是无法实现预想的技术指标和效果，往往就是因为真空测控仪表选型不当、其实际的测量控制精度无法达到设计要求所造成的。当然，薄膜真空计也不是没有缺点的，首先是价格高，国内一般是4-6千元，量限低的贵些；进口则1.6—2.5万元/只左右；其次，国内老式的薄膜规容易零漂，需要经常校正，要求高的经常校正。主要是技术陈旧，国内材料科学相对落后造成的，温度稳定性不好；还有一个量程跨度小，国内的不超过3个数量级。第三是国产规娇气，容易坏，有油污进去很难清洗，要用丙酮，清洗挽救13往往会报废，小量程的23会坏。所以，我们需要有一种具有国产价格、进口品质的、使用方便、经久耐用薄膜真空计。结合我国国情、学习国际先进的真空测量新技术，我们能够做得到的。分析国外的薄膜真空计与我们旧式国产产品的有什么不同呢？简单说一说，其核心技术一是陶瓷薄膜电容真空压力测量技术、二是现代智能仪表技术。首先是通过大规模厚膜电路（国内有些厂家还是20年前的007运放），将薄膜电容测量机构和传感器调理电路微型化，做在陶瓷基片上，另外，将智能仪表电路微型化，一次仪表和二次仪表合二为一，所以量程宽、精度高、体积小；（其典型代表如莱宝62x、英福康TCBG等等）。未完待续

请问有人做过这方面的工作吗？就是用等离子磁控溅射设备在硅基片上制备CN薄膜，并利用付里叶红外光谱仪测量该薄膜的红外光谱，利用该光谱可以得到薄膜的消光系数，再根据KK关系可以从消光系数得到红外区域的折射率。我看在国外有著名的John Bertie再做这方面的研究，并在自己的网站上提供了该计算方法的程序及其源代码。但是他这个程序是针对放在液体池中的液体样品来计算的。我的是固体薄膜，很多参数对应不上。比如他要求输入"pathlength"和“windows material refractive indices". 而我们的样品是用两个夹片夹住中间露个孔测量的。请问国内有在这方面的专家吗？或者有人做过吗？

话说这个压电薄膜传感器是具有一种很独特的特性的，它是一种动态模式的应变性传感器，一般通过在人体的皮肤表层进行植入或者植入到人体内部，用来监测人体的一些生命迹象以及特征。其中压电薄膜传感器里面的一些薄膜元件是非常灵敏的，可以隔着外套探测出人体的脉搏。OFweek Mall传感器商城网说一下压电薄膜传感器在医疗行业的应用。1、压电薄膜传感器工作原理当你拉伸或弯曲一片压电聚偏氟乙烯PVDF高分子膜（压电薄膜），薄膜上下电极表面之间就会产生一个电信号（电荷或电压），并且同拉伸或弯曲的形变成比例。一般的压电材料都对压力敏感，但对于压电薄膜传感器来说，在纵向施加一个很小的力时，横向上会产生很大的应力，而如果对薄膜大面积施加同样的力时，产生的应力会小很多。因此，压电薄膜传感器对动态应力非常敏感，28μm厚的PVDF的灵敏度典型值为10~15mV/微应变（长度的百万分率变化）。使用'动态应力'这个术语是因为形变产生的电荷会从与薄膜连接的电路流失，所以压电薄膜传感器并不能探测静态应力。当需要探测不同水平的预应力时，这反而成为压电薄膜传感器的优势所在。薄膜只感受到应力的变化量，最低响应频率可达0.1Hz。2、压电薄膜传感器特点压电薄膜很薄，质轻，非常柔软，可以无源工作，因此可以广泛应用于医用传感器，尤其是需要探测细微的信号时。显然，该材料的特点在供电受限的情况下尤为突出（在某些结构中，甚至还可以产生少量的能量）。而且压电薄膜传感器极其耐用，可以经受数百万次的弯曲和振动。3、压电薄膜传感器医疗应用利用压电薄膜传感器的动态应变片特性，可以轻松的将压电薄膜直接固定在人体皮肤上（例如手腕内侧）。精量电子—美国MEAS传感器的产品型号1001777是一款通用传感器，传感器的一侧涂有压力敏感胶。但这款胶未经生物兼容性认证，在短期试验中可以将3M9842（聚亚安酯胶带）固定在皮肤上，再将压电薄膜传感器粘贴在3M胶带上。压电薄膜之所以即能探测非常微小的物理信号又能感受到大幅度的活动，是因为PVDF膜的压电响应在相当大的动态范围内都是线性的（大约14个数量级）。多数情况下，只要能明显区分目标信号和噪声的带宽，细小的目标信号都可以通过过滤器采集到。类似的压电薄膜传感器已在睡眠紊乱研究中用于探测胸部，腿部，眼部肌肉和皮肤的运动。另外，传感器可以通过探测肌肉（例如拇指和食指之间的肌肉）对电击的反应作为检验麻醉效果的指示器（神经肌肉传导）。压电薄膜传感器包含范围：[color=#333333]气体流量传感器丨微型压力传感器丨绝对压力变送器丨微量氧传感器丨[/color][color=#333333]数字温湿度[/color][color=#333333]传感器丨煤气检测传感器丨气压感应器丨一氧化碳传感器丨h2传感器丨压阻式压力变送器丨硫化氢传感器丨co2气体传感器丨光离子传感器丨ph3传感器丨百分氧传感器丨bm传感器[/color][color=#333333]丨[/color][color=#333333]风速传感器丨voc传感器丨[/color][color=#333333]光纤应变传感器[/color][color=#333333]丨位置传感器丨[/color][color=#333333]meas压力[/color][color=#333333]传感器丨[/color][color=#333333]称重传感[/color][color=#333333]器丨甲烷传感器丨微流量传感器丨光纤应变传感器丨称重传感器丨三合一传感器丨sst传感器丨gss传感器丨ch4传感器丨氟利昂传感器丨硫化物传感器丨o3传感器丨双气传感器丨[url=http://mall.ofweek.com/1877.html]压电薄膜传感器[/url]丨一氧化氮传感器丨透明度传感器丨二氧化硫传感器丨氰化氢传感器丨煤气检测传感器丨燃气检测传感器丨电流氧传感器[/color]

要测的薄膜是不是一定要从模板上揭下来？用什么仪器测？CHi830可以测么？具体怎么操作？我的目的是测薄膜的离子电导率。多谢高手指点

从开始学电镜，一直做得是薄膜对粘样品，偶尔做粉末，陶瓷块体的，但是对粘样品到现在也没做出来几个满意的样品，先说下我的过程，对粘后两面磨到30um以下，以前钉薄过，但是总是不小心钉碎，就直接磨薄上PIPS了，PIPS先是4kev 6°打一段时间，后来改成4°，出洞后低能清损伤。我的经验是：（1）薄膜对粘时，涂的G2胶尽量少且均匀，最后电镜下看到中间胶的厚度为500nm左右，否则胶太多，PIPS时胶都把薄膜粘掉了。（2）样品对粘后磨第二面一定要小心，不能出现大的划痕，否则PIPS很容易碎掉。（3）用内孔径小一点的铜环或钼环支撑时不容易磨碎。（4）PIPS时有的样品加液氮会好一些目前想起来也就这些，大家能不能分享下各自的经验啥的，PIPS时用的能量大小，角度大小啥的，这个对粘样品太纠结了，总是出现各种状况，我做的样品，磨得时候还好，PIPS后，要么碎掉一块，就没有薄区，要么洞周围薄区很少，完美的样品没有几块。

请问有谁做过薄膜太阳能电池的荧光光谱的 通过荧光光谱我们可以知道半导体中的缺陷 通过荧光强度的淬灭我们可以得到施主和受主的活化能1、我不知道怎么得到活化能2、怎么标定半导体杂质能级的位置

薄膜TEM试样比较难制备，而且成功率较低，比较耗费时间。具体制备过程如下：1.切片将试样切成2.5X1.5X1(长X宽X高)的薄片；对于玻璃和Si基的薄膜试样，可以用金刚刀（玻璃刀）切制；对于导电材料可以用线切割；对于不到电的材料用金刚石切片机切削效果要好些。如果切下来的两个小试样片大小相差较大，最好先磨一下，达到尺寸尽可能一致。2.超声波清洗，这个就不用说了；3.配胶一般用AB胶或610胶，后者的效果要好些，但较贵。按说明书上的要求配制，不要太多。4.对粘将薄膜试样放在载薄片上，在有薄膜的面上涂胶（如果有小刷子最好，用大头针也可以，但绝对不能用牙签，会有小木削混入胶内）。要保证涂的完整，涂的均匀，而且胶内不能有气泡，最好是沿着一个方向向另一个方向涂胶，并一次涂成，不要来回涂。将两片小试样对粘，尽可能对齐，减少两个试片之间的相对移动，因为这样会导致局部地方缺胶。之后，将对粘好的试样放在专用的夹样台上，在此过程中两个试片不要错位。如果没有专用的夹样台，就自己动手做一个了，关键要保证试样的受力要均匀，并导热。5.固化将夹好的试样台放在加热台上加热固化，固化温度和时间看说明书，一般在120-130摄氏度之间固化2小时。我个人认为，最好加热固化之后，在室温固化一个晚上，在将试样从夹样台上取下来效果好一些。6.试样的处理如果你的试样粘的不齐，或试样较大，这时可以用切片机切取所需的薄片。这时将试样的四个角进行磨削，使得对角线长小于3mm，为后面的工作做准备。7.试样的打磨我个人的做法是用502胶将试样粘在小块的载薄片上（注意要薄膜的对粘面垂直与载薄片），再将载薄片用双面胶粘到模样台上，用水砂纸从粗到细进行磨削。注意事项：要将砂纸放在玻璃板上，砂纸上要加水，这样磨削效率要好些，磨削过程中要经常用水清洗试样和砂纸，除去磨掉的沙粒，如果条件允许，砂纸磨完一遍就换掉，效率高些。磨削的方向很重要，薄膜的对粘方向与磨削方向一致，而且不要来回磨削，要去时磨削，回来时抬起来，磨削过程中最好经常用体式显微镜观察一下，是否磨偏或试样是否开裂。坚决杜绝横向磨削，因为这样很容易使对粘试样开裂。另外不要一下子磨的很薄，只要磨到一半左右，将其抛光。8.粘Mo环Mo环有几种型号，外圆都是3mm，内圆有1.5mm和1mm的，还有内圆是椭圆的，这个要根据试样的大小和个人的要求选定。将抛光后的试样连同载薄片放在体式显微镜下，观察抛光后试样的平整度和截面的位置。在试样抛光面的四周涂AB胶或610胶，注意不要将整个平面都涂上。要涂的完整、均匀。然后将Mo环粘上（Mo环较薄，很难用镊子夹取，我用医用的胶管，一头套上注射器的针头，将针头危弯，并将针尖磨平，用嘴在另一头吸，就可将Mo环吸起移动了）。此时，试样要保证截面的位置位于Mo环正中间，同时，试样的边缘不能够超过Mo环，在体式显微镜下可以看到。将带有试样和Mo环的载薄片放到加热台上固化，固化十几分钟后，用棉签沾丙酮将Mo环内多于的胶去掉。固化2-3小时后，用丙酮将试样溶下来，翻转试样，将带有Mo环的试样用热溶胶粘在载薄片上（将干净的载薄片放在加热台上，加热一段时间，然后放上热溶胶，热溶胶的加热温度要高一点（60-70摄氏度），时间要长一些，一定要等热溶胶溶解的较好后，在将试样粘上（注意：Mo环在下面），将试样在体式显微镜下观看载薄片一面，看溶胶在Mo环内圆区域是否有气泡，如果气泡较大，只好重新粘了，气泡对后面钉薄有影响）。之后在将载薄片粘到磨样台上，重复过程7的步骤。第二次磨削时要注意随时测量试样的厚度，小于80um，就可以了。测量中要考虑载薄片的厚度、胶的厚度和Mo环的厚度。9.钉薄一般是将试样先溶解下来，在放在钉薄机上钉薄。我是将小块的载薄片直接放在钉薄机钉薄的。这就要求在对中的过程中要尽可能的将截面放在中间，如果稍微偏一点，钉薄的区域要大一些，效果要好一些，但不能偏的太多。钉薄过程中加载要先大后小，抛光膏的力度也是先粗后细，并要经常加水和更换抛光膏，中间要不时的观看，特别是接近需要厚度时，更要勤看。10.等离子减薄一般角度选择小于5度。如果你的试样较厚，那在钉薄的过程中，将试样接近中间的两侧也适当钉薄一下，就不会影响离子减薄的效果了，否则开始减薄的时候可能离子束不会先减薄到试样中部，而是先减薄到试样两边的“肩头”部位。当然，试样做出来了，也不一定能够看到你所想要得到的效果，哪只有从新制样了。其实在开始对粘时，可以多粘几个片子。（来自互联网）

我用离子束溅射沉积的纳米薄膜，由于在试样切割和测试时表面不小心印上了手印，还有其他的一些类似尘土之类的东西，不知道用什么试剂擦洗一下可以不破坏和污染薄膜表面？薄膜厚度在100nm以内，实在不敢做传统的金相处理，请大家帮忙！

最近做的块体薄膜样品，用G2胶对粘之后，要么用切割机切成小块时开了，要么是磨样品磨着磨着开了，觉得很奇怪，胶水是好的，别人用都是正常的，样品清洗也比较干净，以前从未遇到过这种情况，样品薄膜很薄，大概十几纳米把，求助一下有谁遇见过类似情况吗？

大家好，群中有没有人做过 用 ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）测试 CIGS（铜铟镓硒太阳能电池）薄膜的组分。我想要做这方面的测试，我用10%的硝酸 溶解 CIGS 薄膜，但是CIGS薄膜好像不溶解， 只是呈片状 悬浮于溶液中。对于 用 ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）测试 CIGS薄膜的组分， 大家有没有什么建议，希望大家 踊跃发言！

大家好，群中有没有人做过 用 ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）测试 CIGS（铜铟镓硒太阳能电池）薄膜的组分。我想要做这方面的测试，我用10%的硝酸 溶解 CIGS 薄膜，但是CIGS薄膜好像不溶解， 只是呈片状 悬浮于溶液中。对于 用 ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）测试 CIGS薄膜的组分， 大家有没有什么建议，希望大家 踊跃发言！CIGS薄膜 分别有 铜Cu 铟In 镓Ga 硒Se 四种元素

2022年9月13日，中国-意法半导体发布两款内置1200V碳化硅的主流配置＆＃40。SiC＆＃41。STPOWER MOSFET功率模块。两个模块均采用意法半导体的ACEPACK2封装技术，实现高功率密度和易于安装。意法半导体发布两款敏捷功率模块，简化SiC逆变器设计。逻辑门和逆变器第一个模块，A2F12M12W2-F1，是一个四组模块，提供了一个便于和轻巧的全桥电源转换解决方案，如DC/DC转换器电路。FIFO存储器第二个模块A2U12M12W2-F2采用三电平T型逆变器拓扑结构，开通和[url=https://www.szcxwdz.com/]开关[/url]效率出色，输出电压质量平稳。锁存器两个模块之中的MOSFET均采用意法半导体的第二代SiC技术RDS＆＃40。关于＆41。芯片面积质量指标出色，确保开关能处理小电流，功率损耗降至极高。。每个芯片RDS＆＃40的典型导通电阻。关于＆41。13mΩ、全桥拓扑和T拓扑模块都可用于设计高功率应用，而低散热则确保了优异的能效和直观的冷管理设计。ACEPACK2封装尺寸轻巧，功率密度低，采用高效氧化铝基板和间接覆铜箔＆＃40。DBC＆＃41。芯片贴装技术。内部连接为压接插脚，可巧妙安装在可能严峻的环境之中，例如，电动汽车＆＃40。EV＆41型。和充电桩、储能和太阳能发电转换的场景。封装具有2.5 kV均方根的绝缘耐压和内置NTC温度传感器，可用于装置保护诊断。[url=https://www.szcxwdz.com/]创芯为电?[/url]主要从事各类电?元器件的销售。提供[url=https://www.szcxwdz.com/]BOM配单[/url]服务，减少采购物料的时间成本，在售商品超60万种，原?或代理货源直供，绝对保证原装正品，并满?客??站式采购要求，当天订单，当天发货，免费供样！

薄膜断面样品制备时,用离子减薄穿孔后,再小角度减,一般要减到什么程度为止

在同样的条件下，使用TG/DTA测试聚丙烯粒子及薄膜的氧化诱导期。粒子原料的OIT很短，几乎没有；成品薄膜的OIT却有八分钟。一般是原料的OIT比成品的长。请问为什么？-----------------------------------------------------