推荐厂家
暂无
暂无
940nm 现在市场上使用较多红外发射管的是850nm和940nm 因为850nm发射功率大,照射的距离较远,所以主要用于红外监控器材上;而940nm主要用于家电类的红外遥控器上。 峰值波长:λp (单位:nm) 发光体或物体在分光仪上所量测的能量分布,其峰值位置所对应的波长,称为峰值波长λp 辐射强度:POWER(单位:mW/sr)用以表示红外线发光二极管(IR LED)辐射红外线能量之大小。 辐射强度(POWER)与输入电流(If)成正比,发射距离与辐射强度(POWER)成正比。 mW/sr:表示红外线辐射强度的单位,为发射管发射红外线光之单位立体角(sr)所辐射出的光功率的大小 半功率角:2θ1/2 指发射管其上下或左右两边所辐射出的红外线强度为该组件最大辐射强度的50%时,其上下或左右两边所夹的角度称为半功率角。 人们习惯把红外发射管和红外线接收管称为红外对管。红外对管的外形与普通圆形的发光二极管类似。初接触红外对管者,较难区分发射管和接收管。本文介绍三种简便的识别方法。http://www.dzsc.com/data/uploadfile/20121019105553605.jpg 1. 根据内部结构识别 红外对管的内部结构如左图(a),(b)所示。左图(a)是红外发射管,管芯中央凹陷,类似聚光罩的形状。左图(b)是红外接收管,管芯中央的平台上有红外感光电极。红外对管的两引脚1长1短,长引脚是正极,和普通发光管相同。 2.用三用表测量识别 可用500型或其他型号指针式三用表的1kΩ电阻挡,测量红外对管的极间电阻,以判别红外对管。判据一:在红外对管的端部不受光线照射的条件下调换表笔测量,发射管的正向电阻小,反向电阻大,且黑表笔接正极(长引脚)时,电阻小的(1kΩ~20kΩ)是发射管。正反向电阻都很大的是接收管。判据二:黑表笔接负极(短引脚)时电阻大的是发射管,电阻小并且三用表指针随着光线强弱变化时,指针摆动的是接收管。 注:1)黑表笔接正极,红表笔接负极时测量正向电阻。 2)电阻大是指三用表指针基本不动。 3. 通电试验方法判别 用一只发光二极管和一只电阻与被测的对管串联,如上图2所示。图中电阻起限流作用,阻值取220Ω~510Ω。LED发光二极管用来显示被测红外管的工作状态。用遥控器(电视机遥控器等)对着被测管按下遥控器的任意键,LED亮时,被测管是红外接收管。不亮则是红外发射管。
欢迎大家前来与ppddppdd老师一起就材料红外光谱技术知识的相关问题进行探讨!活动时间:2014年07月16日——2014年07月25日【线上讲座241期】材料红外光谱透射比、反射比、发射率的高精度测量方法 主讲人:ppddppdd--IR版面专家 活动时间:2014年07月16日——2014年07月25日 热烈欢迎ppddppdd老师光临红外光谱版面进行讲座!http://img3.17img.cn/bbs/upfile/2009226105115.gif提要一、透射比绝对测量二、反射比绝对测量三、吸收比绝对测量四、发射率绝对测量五、透射,反射,吸收,发射的相对测量方法http://img3.17img.cn/bbs/upfile/2009226105115.gif欢迎大家前来与ppddppdd老师一起就红外光谱技术相关的内容进行探讨交流!以上资料为ppddppdd老师所著,未经ppddppdd老师和仪器信息网同意任何个人和单位禁止转载!!!提问时间:2014年07月16日--07月25日答疑时间: 2014年07月16日--07月25日特邀佳宾:IR / NIR版面版主、专家以及从事红外光谱分析的同行们参与人员:仪器论坛全体注册用户活动细则:1、请大家就材料红外光谱技术知识的相关问题进行提问,直接回复本帖子即可,自即日起提问截至日期2014年07月25日2、凡积极参与且有自己的观点或言论的都有积分奖励(1-50分不等),提问的也有奖励3、提问格式:为了规范大家的提问格式,请按下面的规则来提问 :ppddppdd老师您好!我有以下问题想请教,请问:……http://img3.17img.cn/bbs/upfile/2009226105115.gif说明:本讲座内容仅用于个人学习,请勿用于商业用途,由此引发的法律纠纷本人概不负责。虽然讲座的内容主要是对知识与经验的讲解、整理和总结,但是也凝聚着笔者大量心血,版权归ppddppdd老师和仪器信息网所有。本讲座是根据笔者对资料的理解写的,理解片面、错误之处肯定是有,欢迎大家指正。http://img3.17img.cn/bbs/upfile/2009226105115.gif
最近试验中遇到一个棘手问题,就是透明样品的法向发射率测量问题。样品其实就是硅片。目前的实现方案: 硅片压在加热器上加热(例如300度),测量其发射光谱,利用该光谱和标准黑体比较计算发射率。问题: 从理论上讲,硅片是透红外光的,因此加热器的背景辐射也透了过来,这就导致了测量得到的发射率偏高。虽然加热器的背景辐射很容易测量出来,但无法知道样品此时的反射率和透射率(似乎目前国内有测量高温反射率的地方,但还没有测量高温透射率的机构)因此,无法进行计算。不知道大家有没有什么高招啊?