塑封机

三创园中科宏博半导体环氧塑封料生产项目正式投产近日，北部新城三创园迎来的中科宏博年产8000吨半导体环氧塑封料生产项目的正式投产。作为三创园第13个正式投产项目，中科宏博项目投产标志着龙岩投资集团的园区招商工作取得了显著成效。该项目位于三创园的智能制造产业园内，由中科宏博（福建）新材料科技有限公司投资建设，总投资1亿元，建设有半导体环氧塑封料生产线及相关配套设施。项目投产达效后，预计每年可生产8000吨半导体环氧塑封料，年产值1.9亿元，年缴纳税收1543万元。龙岩投资集团作为市属国企，今年以来持续深化拓展“深学争优、敢为争先、实干争效”行动，立足龙岩“2+4”工业产业，采取“产业基金+资本招商”等多种方式，全力推进招商引资工作，成功吸引了凯福新能源、秒享科技、中科宏博等一批重点企业入驻三创园。截至目前，园区已入驻企业24家，其中生产型项目15个，总投资20.1亿元，项目全部达产达效后，预计实现年产值15.5亿元，年税收7970万元，创造就业岗位超500个，为龙岩产业高质量发展注入澎湃新动能。附国内外EMC生产企业名单

9月28日，大族激光旗下子公司深圳市大族封测科技股份有限公司（以下简称“大族封测”）向深交所提交了《首次公开发行股票并在创业板上市招股说明书 （申报稿）》。这是继大族数控完成独立上市后，又一家提交招股书的大族激光子公司。原名大族光电 引入宁德时代等战略投资者大族封测原名大族光电，于2007年由大族数控和国冶星共同出资成立。成立之初，大族光电主要产品集中于 LED 封装环节的固晶机、焊线机、 分光机及编带机，经过15年的发展，已经开启国产焊线机在半导体和泛半导体市场的品类全替代和全面布局，设备保有量已过万台。今年3月，在大族数控上市后一周，大族激光就宣布计划将子公司大族光电分拆至创业板上市。3月10日，大族光电正式更名为大族封测。而在宣布分拆上市之前，尚未更名的大族光电已在推动员工持股计划并引入了外部战略投资。为增强公司凝聚力，维护公司长期稳定发展，大族激光及大族光电投资1.41亿元，为公司核心员工成立了“族电聚贤”和“合鑫咨询”两大员工持股平台。同时，大族光电通过增资扩股方式引进五方战略投资人，投资总额不超过1.41亿元。值得一提的是，宁德时代旗下的投资基金高瓴裕润本次增资的出资占比达45％，增资完成后持有大族光电5％的股份。封测市场依赖进口 从LED封装开始实现国产替代大族封测是国内领先的半导体及泛半导体封测专用设备制造商，主要为半导体及泛半导体封测制程提供核心设备及解决方案（泛半导体设备指主要应用于LED领域的焊线设备）。众所周知，半导体封装包括较多步骤和制程，其中核心环节为固晶、焊线、塑封、切筋等四大工序，分别对应固晶机、焊线机、塑封机和切筋机等半导体设备。然而，我国目前在封装核心设备研发制造上总体仍与国外企业具有差距，研发生产的设备在精度、技术含量方面与国外主流机型相比仍有不小的差距，整个半导体集成电路封装设备产业处在从产业价值链底端向上爬升的过程。

半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。所谓封装测试其实就是封装后测试,把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求的过程称为封装后测试。对此，仪器信息网特通过公开文件了解到池州华宇电子科技有限公司年产 100 亿只高可靠性集成电路芯片先进封装测试产业化项目情况。据了解，池州华宇电子科技股份有限公司投资 15800 万元在池州市经济技术开发区凤凰大道与前程大道交叉口新建“年产 100 亿只高可靠性集成电路芯片先进封装测试产业化项目”，项目占地面积 65 亩，中心坐标为东经 117.543982°，北纬 30.705040°。建设主体工程1#厂房，配套建设办公楼、科研楼、宿舍楼等辅助工程以及储运工程、公用工程和环保工程等，购置切割机、研磨机、键合机、焊线机、编带机、成型机、镀锡设备、双轨机、塑封压机等半导体自动化设备，建设高性能高可靠性集成电路芯片封装测试生产线，形成年产 100 亿只集成电路线宽小于等于 0.8微米集成电路芯片封测能力。项目分两期建设，一期建设3条镀锡（自动）生产线，形成年产 50 亿只集成电路线宽小于等于 0.8 微米集成电路芯片封测能力；二期建设 3条镀锡（1 条挂镀）生产线，形成年产 50 亿只集成电路线宽小于等于 0.8 微米集成电路芯片封测能力。该项目配置清单和工艺流程详情如下，主要配套设备一览表主要工艺流程及产污环节：本项目主要是将待封装的芯片进行封装、镀锡、测试。本项目一期工程主体工艺流程如下。①主体工艺：项目主体生产工艺流程及产污环节图工艺流程说明：磨划片：通过研磨机将芯片磨至需要的厚度，磨片过程中用纯水冲洗，磨片完成后进行切割，切割完成后用纯水冲洗，磨划过程会产生少量废水 W1 与固废 S4； 粘片：目的是将单个的芯片固定在基材（引线框架/基板）上。该过程采用导电胶进行粘片，导电胶的成分为树脂和银粉。粘片过程会产生少量废引线基材 S1；键合：接线温度 T=120-200℃，接线时间 t=0.5-1 秒。在压力和超声波键合的共同作用下，利用高纯度的金丝或铜丝把芯片上电路的外接点和引线（框架管脚）通过引线键合的方法连接起来。该过程主要产生少量废金属 S2（废铜线等）。塑封：采用环氧树脂塑封材料将部分框架和焊线后的芯片封装，对组装件进行保护，该过程在自动塑封机内完成，主要产生少量废胶渣 S3。塑封过程中树脂熔融状态会产生有机废气 G1。激光打标：采用激光机，在相应部位打上标记。激光机在打标过程会产生有机废气 G2 和粉尘 G1。表面处理：采用电镀流水线进行无铅镀锡处理。切筋：镀锡后的元件通过引线连在一起，因此需要将引线切断，以将整条元件分割成单片。切筋后形成的单片，即为封装完成的集成电路。该过程主要产生边角料 S6。测试、检验：对封装完成的单片进行测试以及抽检。该过程产生的不合格品将返工。包装：对测试、检验合格品进行包装入库。②镀锡工艺：项目镀锡工艺流程及产污环节图工艺流程明：高温软胶（高温蒸煮槽）：电子元器件在塑封时会溢出多余的环氧树脂毛刺、飞边，故需要使用化学去毛刺溶液，在 60-100℃温度下浸泡，使毛刺或飞边溶胀、溶解、软化，以便接下来使用高压水喷射彻底去除。化学去毛刺溶液的主要成分是氢氧化钾、杂环酮类衍生物、聚乙二醇、醚类衍生物，产品浸泡后需要用水清洗，清洗时会有废水 W2-1 产生（碱性废水）。高压水去胶：通过增压系统加压自来水，使自来水压力达到 200-500kgf/cm2，用来去除已软化或松动的毛刺或飞边，产生废水 W2-2 定期处理循环利用。去氧化：去除产品表面的氧化物，使镀层与基材有良好的结合力。使用的化学品是过硫酸钠，浓度 50g/L 左右，常温使用，去氧化后需要用水清洗，清洗时会有废水W2-3 产生（酸性废水）。预浸：主要作用是镀锡前对产品进行活化，并防止污染镀锡液，使用浓度 10%的甲基磺酸，预浸后不需要清洗，没有废水产生。镀锡：通过电化学沉积的方法，在基材上覆盖一层功能性纯锡镀层，使产品具有良好的可焊性。镀锡液主要由 150g/l 的甲基磺酸、60g/L 二价锡和 50mol/L 的表面活性剂组成，温度 30-50℃，电流密度 10-30ASD。镀锡后需要用水清洗，清洗会产生废水 W2-3（酸性废水）。中和：中和镀锡残留的酸性物质，防止镀层变色、腐蚀。中和液使用碳酸钠配置，操作温度常温，中和后需要清洗，清洗会有废水 W2-1 产生（碱性废水）。超声波清洗：采用纯水机制备的纯水，进行最后的超声波清洗，清洗温度为50-70℃。干燥：工序最后对芯片进行干燥处理，干燥主要分为风干和烘干。退镀：镀锡线采用不锈钢钢带和夹子来夹持和传送产品进行镀锡，钢带和夹子上也会镀上一小部分的锡，需要对这部分锡进行剥除和回收。退镀液的主要成分为甲基磺酸（55g/L），使用小于 1.5V 的电压进行电解，使钢带和夹子上的锡剥除并重新沉积在回收钢板上。退镀后用超声波溢流水清洗，不新增清洗废水。项目退镀工艺流程项目需定期对沉锡工序使用的钢带和假片进行退锡。退锡周期约 1 次/月。 ①钢带退锡：采用电化学方法（利用甲基磺酸）在高速退锡线中使钢带上的锡转移到钢板上，与锡化生产线同步进行:钢板退锡是利用电解方法将钢板上的锡电解形成锡渣 S，退锡后利用纯水清洗：此过程将产生一定的酸性气体 G3-2 酸性气体，退锡清洗废水 W2。②夹片退锡：使利用化学方法使用电解液将夹片上的锡溶解到退锡液中，夹片退锡后利用纯水清洗。此过程将产生一定的酸性气体 G3-2 酸性气体，退锡清洗废水 W2。退锡工序产生的锡渣回用于镀锡工序。③其他产污环节本项目其他产污环节主要包括：反渗透法制纯水产生的浓水 W3，废气喷淋塔产生的废水 W4，一般性固态原辅料拆包装过程产生的废包装材料 S11，化学品使用过程产生的沾有化学品的容器 S7，污水处理站产生的污泥 S8，设备及地面定期清洗废水 W5，以及员工日常生活产生的生活污水 W6 和生活垃圾 S9，纯水制备过程会产生废反渗透膜 S10，生产过程中产生的不合格产品 S11。