砷化镓晶圆厂

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砷化镓晶圆厂相关的资讯

  • 半导体晶圆厂自动化设备企业弥费科技获超亿元A轮融资
    9月6日消息,半导体晶圆厂自动化设备企业弥费科技宣布完成超亿元A轮融资,本轮融资由启明创投领投,金浦智能、红晔资本跟投。本轮融资资金将用于扩大公司运营规模、加大研发投入、拓展海外市场等。弥费科技于2014年创办于上海,是一家半导体晶圆厂自动化设备公司,专注于生产、研发、销售适用于半导体晶圆厂的自动物料搬运系统(AMHS, Automated Material Handling System)。在半导体晶圆厂中,AMHS是工厂稼动率及品质一致性的重要保证之一。以工艺节点28nm为例,其平均光刻层数近50层、工艺步骤超过1000步、生产周期90天左右,一个4万片月产能28nm工艺节点的全自动晶圆厂每天的晶圆盒传送量超10万次,而此时AMHS系统“两高”—高效率、高可靠性,“两低”—低尘、低振动的特点就被展现出来。因此无论是满足效率需求、还是减少人员对无尘车间及晶圆品质的影响,AMHS都起到了至关重要的作用,成为先进工艺晶圆厂大规模量产的必备系统。弥费科技拥有丰富全面的产品线,而且掌握核心技术,供应链安全可控。从2016年起,弥费科技陆续为国内外多个8英寸和12英寸晶圆厂提供AMHS产品,包括调度软件、传送及存储设备,并为40/28纳米及以下先进工艺节点提供净化设备,主要客户覆盖国内外知名晶圆代工厂。弥费科技创始人兼CEO缪峰表示:“弥费科技致力于成为一家具有全球影响力的半导体自动化设备公司,伴随过去几年的探索,公司从AMHS外围产品开始,现已步入了核心产品研发阶段,需要更多人才助力加速核心技术突破。A轮融资是弥费科技踏入资本市场的第一步,也是加速公司为晶圆厂客户提供整套AMHS的重要一步,我们希望通过人才、资本与产业资源的汇聚,成为真正具备国际竞争力的半导体设备企业。”对于此次投资,启明创投合伙人叶冠泰表示,“近几年中国的晶圆厂加速扩张速度领先全球,半导体设备投入持续加大。弥费科技的团队具有丰富的半导体产业经验,在自动化物料设备领域提前布局,具备交期和性价比优势,有机会抓住国内晶圆厂客户采购国产设备意愿提高的历史机遇,助力产业升级。同时,我们也期待弥费科技进一步拓展海外市场,成为半导体智慧工厂领域的全球领先企业。”
  • 突发!美再将11家晶圆厂列入“清单”
    6月18日据路透社报道,美国商务部官员正同荷兰、日本协调,以推动收紧半导体制造设备出口管制,进一步打击东方生产先进半导体的能力。图:美国商务部副部长Alan Estevez知情人士表示,1名美国官员在与荷兰政府会面后将前往日本,以推动盟友继续收紧芯片制造设备对东方的出口管制。报道称,美国商务部主管工业和安全(BIS)的副部长艾伦艾斯特韦斯(Alan Estevez)再次试图在美日荷3国于2023年达成的基础上,继续采取行动,阻止芯片制造设备进入东方。关于此人及BIS,芯片大师曾在美副部长:正在等中国的光刻机、刻蚀机坏掉等文章中有详细介绍。关于本次扩大管制的细节内容,知情人士表示,美日荷三方正讨论,将另外11家东方芯片制造工厂列入限制名单。目前名单上有5家晶圆厂,包括规模最大制造商S公司。图:东京电子的设备同时,知情人士补充,美国商务部也希望管制更多的芯片制造设备。对此,美国商务部拒绝置评。美国在2022年首度对英伟达、泛林(Lam Research)等公司出口先进芯片和半导体设备实施全面限制。2023年7月,为了与美国政策保持一致,日本芯片设备制造商尼康(Nikon)、东京电子(TEL)跟进限制了23种设备的出口。随后,荷兰政府也开始对ASML进行监管,限制供应DUV(深紫外光)设备。美国声称对ASML有管辖权,因为这家公司的系统包含美国制造的零部件。图:台积电南京厂美国官员在2024年4月访问荷兰,试图阻止ASML为东方某些晶圆厂设备提供售后服务。根据美国的要求,美企此前已不得为东方先进晶圆厂设备进行维修。但知情人士透露,ASML的服务合约仍有效,因为荷兰政府无权中断海外的这些合约。同时,针对市场传言台积电南京工厂已获得美国商务部“无限期豁免授权”的消息,近日,台积电官方回应表示,美国商务部近日已核发“经认证终端用户”(Validated End-User, VEU)授权予台积电(南京)有限公司。此项正式的VEU授权取代了之前商务部自2022年10月以来核发的临时书面授权。此VEU授权并未增加新的权限,而是确认了美国出口管制法规所涉及的物品和服务得以长期持续提供予台积电(南京)公司,供货商并不需要取得个别许可证。
  • 约153亿元,中芯国际宣布再建12英寸晶圆厂
    3月17日晚间,中芯国际发布《关于自愿披露签订合作框架协议的公告》,宣布将在深圳扩充12英寸晶圆产能,项目的新投资额估计为23.5亿美元(约合人民币153亿元)。图片来源:中芯国际公告截图公告显示,公司于本公告日期签订由深圳政府于2021年3月12日同意的合作框架协议。根据合作框架协议,公司和深圳政府(透过深圳重投集团)(其中包括)拟以建议出资的方式经由中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司(以下简称“中芯深圳”)进行项目发展和营运。依照计划,中芯深圳将开展项目的发展和营运,重点生产28纳米及以上的集成电路和提供技术服务,旨在实现最终每月约40000片12吋晶圆的产能,预期将于2022年开始生产。待最终协议签订后,项目的新投资额估计为23.5亿美元。各方的实际出资额将根据第三方专业公司对中芯深圳所作评估而定。预期于建议出资完成后,中芯深圳将由中芯国际和深圳重投集团分别拥有约55%和不超过23%的权益。官网介绍,目前中芯国际在上海建有一座12英寸晶圆厂和一座8英寸晶圆厂,以及一座控股的12英寸先进制程合资晶圆厂;在北京建有一座12英寸晶圆厂和一座控股的12英寸合资晶圆厂;在天津和深圳各建有一座8英寸晶圆厂;在江阴有一座控股的12英寸合资凸块加工厂。如今,中芯国际再次“牵手”深圳,也意味着深圳正式迎来第一座12英寸晶圆代工厂。中芯国际表示,通过把握深圳政府发展集成电路行业的机遇,该项目能够满足不断增长的市场和客户需求,推动公司的发展。董事会认为建议于中芯深圳出资将促使公司扩展生产规模和提升纳米技术服务,从而获得更高回报。半年内两投28纳米在中芯国际此轮投资中,工艺技术瞄准28纳米工艺,而这也是中芯国际近半年来第二次宣布投资28纳米工艺。2020年12月4日,中芯国际发布公告,旗下全资子公司中芯控股、大基金二期和亦庄国投订立合资合同以共同成立合资企业。公告显示,合资企业的总投资额为76亿美元,注册资本为50亿美元。12月17日,该合资公司中芯京城集成电路制造(北京)有限公司(以下简称“中芯京城”)正式成立,业务范围包括生产12英寸集成电路晶圆及集成电路封装系列;技术测试;集成电路相关技术开发、技术服务及设计服务;销售自产产品等。根据最初的公告,中芯京城也将从事发展及运营聚焦于生产28纳米及以上集成电路项目。项目将分两期建设,项目首期计划最终达成每月约100000片的12英寸晶圆产能,二期项目将根据客户及市场需求适时启动。2020年2月初,中芯京城项目正式签约北京,落地建设。据北京亦庄此前的消息,目前,中芯京城一期项目正在如火如荼地建设中,一期项目计划于2024年完工。众所周知,近期,中芯国际可谓好消息频出。首先,有消息传出美系主要半导体设备WFE在中芯国际14nm及以上制程的客服、备品与机台等相关出口申请有望获许可;随后,中芯国际宣布了与阿斯麦已经签订12亿美元的设备采购协议,涉及DUV(深紫外)光刻技术。如今,中芯国际又宣布建设12英寸晶圆厂,这一连串的利好消息不仅对中芯国际自身的发展具有重要意义,无疑也将进一步促进中国半导体产业的发展。

砷化镓晶圆厂相关的方案

  • 半导体工厂中的氦气泄漏检测
    智能手机、平板电脑、游戏机、导航系统、纯平显示器,这些以及其他很多高科技产品由于半导体产业才得以存在。没有该产业,现代传播媒体中使用的内存芯片和处理器就无法生产出来。它们的生产需要极其洁净的真空条件并精确地进行监测。例如,在半导体生产设施(被称为“晶圆厂”)投入运行后,需要以测量压力上升的方式进行泄漏测试。只有系统的气密性得到了认可,才能批准该工艺流程。如果压力上升大于定义的阈值,则晶圆厂关闭,并启动泄漏检测以找出泄漏并将其修复。普发真空凭借其全面的售后服务体系,提供最佳专家支持(甚至为现场泄漏检测提供支持)。
  • Gel-Pak 真空释放盒砷化镓芯片及 MMIC 器件运输
    上海伯东美国 Gel- Pak VR 真空释放盒, 非常适用于运输以及储存砷化镓芯片和 MMIC 的器件.Gel-Pak 真空释放盒 MMIC 器件储存解决方案: 胶膜 0释放, 无残留 MMIC 的全称是单片微波集成电路, 一般以砷化镓, 磷化铟为衬底的多功能电路, Gel-Pak 与常规的华夫盒等比较, 不易撒料, 芯片和器件在运输过程中损失的概率大大的降低, 并且 Gel-Pak 胶膜 0 释放, 无残留的特性也不会造成对芯片, 器件的污染. 因此国内的主流厂家较多的使用上海伯东美国 Gel- Pak VR 真空释放盒作为 MMIC 器件内部流转和运输时的载具.
  • 阴极发光设备(SEM-CL)在GaN功率电子方面的应用
    由于其与大批量硅晶圆厂的兼容性,GaN-on-Si技术平台可以大规模生产体积大且性能优越的硅晶圆而减小成本,使这项技术真正改变了游戏规则并用于汽车领域。阴极发光是其中半导体物理中使用的关键技术。它能够提供III-V薄膜材料的空间表征分辨率从而开辟出广阔的研究领域。

砷化镓晶圆厂相关的论坛

  • 引领全球半导体产业增长,2024年中国将新建18座晶圆厂

    [i]SEMI World Fab Forecast [/i]报告预计,2024年产能将增长6.4%,达到每月3000多万片晶圆。在政府的大力资助下,预计中国将在扩大半导体生产方面引领世界,预计2024年将有18家新晶圆厂开始生产。在2023年晶圆处理能力增长 5.5% 至 2960万 WSPM之后,晶圆处理能力大幅增长6.4%。随着针对人工智能(AI)和高性能计算(HPC)应用程序的处理器需求持续快速增长,英特尔、台积电和三星铸造在前沿逻辑方面的发展主要推动了这一扩张。SEMI预计,从2022年到2024年,将有多达82个新的晶圆厂上线,其中包括计划于2023年上线的11个项目和2024年雄心勃勃的42个项目。这些新设施将使用从100毫米到300毫米的一系列晶片尺寸和数十种成熟的前沿工艺技术,这表明整个半导体行业正在进行多样化的扩张。在政府资金和对芯片制造商的各种激励措施的支持下,中国准备引领这一扩张。2023年,中国芯片制造商的产能预计将同比增长12%,达到760万WSPM。这一增长预计将在2024年加速至13%,达到860万WSPM的产能。预计2024年,中国将有18家新晶圆厂开始运营。其他地区也在为全球芯片生产能力的提高做出贡献。台湾仍将是半导体产能第二大地区,预计2023年将增至540万WSPM,2024年将增至570万WSPM。韩国和日本紧随其后,韩国预计在2024年达到510万WSPM。美洲、欧洲、中东和东南亚也在为增长做准备,每个地区都将在2024年推出几个新的晶圆厂。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/77bf543c-ae5b-46dd-89b8-b10b25f2302e.jpg[/img][/align][align=center](图片来源:SEMI)[/align]就半导体行业的特定细分市场而言,预计代工供应商将主导设备采购,2024年其产能将增至创纪录的1020万WSPM。尽管2023年的速度有所放缓,但包括DRAM和3D NAND在内的存储器段预计将逐渐增加容量。在汽车电气化的推动下,离散和模拟细分市场预计也将大幅增长,突显出全球半导体行业扩张的多样性和动态性。[来源:仪器信息网译] 未经授权不得转载[align=right][/align]

  • 职业规划探讨:化验员的职业转型路径

    作为化验员,面对职业的长远发展,我们自然不希望仅仅局限于化验室的日常操作,尤其是当年龄渐长,寻找新的职业方向和挑战成为必然。通过近两年的行业观察,我发现了几条可能的转型路径,包括但不限于化验室的技术负责人、质量负责人、认证机构的专家以及外审员等。 首先,技术负责人这一角色虽然与化验员工作紧密相关,但更多侧重于技术管理和指导,对于寻求变化的人来说,可能感觉变化不大。而质量负责人则是一个进阶的选择,它要求更高的专业素养和管理能力,重要的是,这一职位能减少直接操作仪器的需求,更多地转向质量体系的建立和维护。 再进一步,认证机构的专家和外审员则代表了更高的职业层次。特别是外审员,这一职位不仅需要深厚的专业知识,还涉及广泛的行业认知和严格的认证标准理解。我最初对外审员的兴趣源自单位CMA认证过程中的专家访问,他们专业且权威的形象让我印象深刻,也激发了我考取外审员资格的想法,希望未来能以专家的身份参与各种机构的认证工作。 然而,准备过程中我遇到了不少挑战。外审员所需的知识体系庞大且复杂,CMA、CNAS、CNCA、CCAA等机构和认证认可体系之间的区别与联系,以及ISO/IEC、GB/T等国际国内标准的选择与理解,都让我感到困惑。加之资料分散、体系文件繁多,自学之路显得尤为艰难。尽管尝试过购买资料自学,但效果并不理想,缺乏系统性的指导和清晰的学习路径。 此外,我还了解到外审员工作并非仅凭证书就能轻松胜任,人脉关系也是不可或缺的一部分。这进一步增加了我的顾虑,担心即使通过了考试,也可能因缺乏资源而无法获得实际的工作机会。 面对这些挑战和不确定性,我开始重新思考自己的职业规划。化验室的工作固然重要,但长远来看,拓宽职业视野、提升综合能力才是关键。每个人的职业规划都应基于个人兴趣、能力、市场需求等多方面因素综合考量。或许,我们不必局限于某一特定岗位,而是应保持开放的心态,不断学习和探索,为自己创造更多的可能性。 最后,我想邀请大家共同探讨,如何在化验员的基础上规划更加多元和长远的职业生涯。每个人的经历和思考都是宝贵的财富,期待我们能从中汲取灵感,共同前行。

  • 【分享】ECHA重新对砷化镓的致癌性展开公众咨询

    ECHA重新对砷化镓的致癌性展开公众咨询 来源: WTO检验检疫信息网 时间: 2011-03-22 近日,欧洲化学品管理局(ECHA)重新开放了对砷化镓(gallium arsenide)及其代谢物分类为1A的致癌物的公众咨询。 2009年, 在法国提出将砷化镓归类为2类致癌物后, ECHA就对其展开了意见征询。然而,在从国际癌症研究机构(IARC)获得了新的信息之后,ECHA风险评估委员会认为应该对砷化镓的致癌性进行更为严格的分类。 此次由欧盟委员会要求的公众咨询截至日期为2011年4月25日。 ECHA寻求近期关于砷化镓及其代谢物的致癌性的新的研究和信息,包括未在第一次征询中使用以及其他类似的评论信息。

砷化镓晶圆厂相关的资料

砷化镓晶圆厂相关的仪器

  • 仪器简介:■ 砷化铟探测器(InAs)&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围:1-3.8&mu m技术参数:主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)推荐使用前置放大器型号:ZAMP主要特点:■ 砷化铟探测器(InAs)&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围:1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号,其中:◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件;◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议:● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制。
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  • 仪器简介:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计,其中: ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图1) ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图2) ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图3)主要特点:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件,光谱响应曲线参考图如下:铟镓砷探测器使用建议: ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度; ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度; ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器; ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;
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  • ICP/RIE-200PA 是一种新型的低成本、高性能、实验性远程射频等离子去胶系统,手动装载晶圆片,应用于单片晶圆光刻胶灰化、残胶去除及表面清洗工艺,可满足小型晶圆厂、大学实验室、初创公司的使用需求。设备采用触摸屏+PLC全自动控制,凭借其时尚、紧凑的设计,只需占用很小的洁净室空间,使用维护简单方便。 产品特点: 可最大处理8寸晶圆 ø203 mm,也可兼容处理3寸、4寸和6寸晶圆 12寸触摸屏+PLC全自动控制,具有手动和自动两种模式 PID自动真空压力控制,可精确控制过程压力(±1pa),不受气体流量的影响 独特工艺气体分配喷淋结构,使进气更均匀,去胶均匀度≤5% 水冷放电电极,去胶过程工艺可控(可选择加热功能) 产品应用: 光刻胶灰化、剥离和残胶去除 湿法蚀刻前的晶圆清洗、表面预处理 晶圆应力释放 Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Pt、聚酰亚胺等各种材料的蚀刻(可选配)
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砷化镓晶圆厂相关的耗材

  • 砷化镓(GaAs)窗片
    砷化镓(GaAs)窗片GaAs的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的,应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓在远红外光学和透镜系统中具有专门的应用。产品参数:传输范围: 1?16μm(1)折射率: 3.2727 @10.33μm(1)反射损失: 44%@10.33μm 吸收系数: 0.01cm -1吸收峰: n / adn / dT: 147 x 10-6/°C @ 10 μm (4) for derivationdn /dμ= 0: 6.3μm密度: 5.315g / cc熔点: 1511℃热导率: 48 W m-1 K-1 @ 273K (2)热膨胀: 5.7 x 10-6 /°C at 300K (3)硬度: Knoop 750比热容: 360 J Kg-1 K-1介电常数: 在低频下为12.91杨氏模量(E): 84.8GPa剪切模量(G): n / a体积模量(K): 75.5GPa弹性系数: n / a表观弹性极限: 71.9 MPa泊松比: 0.31溶解性: 不溶于水分子量: 144.64类/结构: 立方ZnS,F43m,(100)裂解 折射率:No = Ordinary Rayμm Noμm Noμm No1.033 3.4921.550 3.37372.066 3.3382.480 3.3243.100 3.31254.133 3.30274.959 3.29786.199 3.29217.293 3.28748.266 3.28319.537 3.276910.33 3.272711.27 3.267112.40 3.259713.78 3.249315.50 3.233617.71 3.208119.07 3.1866产品规格:订购型号规格(D×L)(mm)光谱范围GAASP10-0.310.0×0.3mmIRGAASP25.4-225.4×2.0mmIR
  • 北京普析空心阴极灯Ag银Al铝As砷谱线稳定厂家现货供应
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  • 晶片(晶圆)切割工具包
    晶片切割工具包划线和切割是获得晶片最佳横断面的关键步骤,这套工具适合多种材料的基板和晶圆(硅,砷化镓,玻璃)。标配如下:l 笔式钻石刻刀一把l 直头钻石刻刀一把l 30度斜角钻石刻刀一把l 光纤镊一把)l 晶圆切割钳一把.l 钢尺一把l 钨线l 赠送30X45cm操作垫订购信息:货号产品描述规格7642晶片切割工具包套

砷化镓晶圆厂相关的试剂

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