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砷化镓晶圆厂

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砷化镓晶圆厂相关的仪器

  • 仪器简介:■ 砷化铟探测器(InAs)&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围:1-3.8&mu m技术参数:主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)推荐使用前置放大器型号:ZAMP主要特点:■ 砷化铟探测器(InAs)&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围:1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号,其中:◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件;◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议:● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制。
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  • 仪器简介:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计,其中: ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图1) ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图2) ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图3)主要特点:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件,光谱响应曲线参考图如下:铟镓砷探测器使用建议: ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度; ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度; ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器; ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;
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  • ICP/RIE-200PA 是一种新型的低成本、高性能、实验性远程射频等离子去胶系统,手动装载晶圆片,应用于单片晶圆光刻胶灰化、残胶去除及表面清洗工艺,可满足小型晶圆厂、大学实验室、初创公司的使用需求。设备采用触摸屏+PLC全自动控制,凭借其时尚、紧凑的设计,只需占用很小的洁净室空间,使用维护简单方便。 产品特点: 可最大处理8寸晶圆 ø203 mm,也可兼容处理3寸、4寸和6寸晶圆 12寸触摸屏+PLC全自动控制,具有手动和自动两种模式 PID自动真空压力控制,可精确控制过程压力(±1pa),不受气体流量的影响 独特工艺气体分配喷淋结构,使进气更均匀,去胶均匀度≤5% 水冷放电电极,去胶过程工艺可控(可选择加热功能) 产品应用: 光刻胶灰化、剥离和残胶去除 湿法蚀刻前的晶圆清洗、表面预处理 晶圆应力释放 Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Pt、聚酰亚胺等各种材料的蚀刻(可选配)
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  • 砷化镓(GaAs)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/ 5x1017 /~2x1018 5x1018位错密度cm-2:5x105生长方法及最大尺寸: LEC & HB ?3" 常规尺寸:常规晶向:100、常规尺寸:10x10x0.5mm dia2″x0.5mm 抛光情况:单抛或双抛 表面粗糙度Ra:15A 注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋相关产品:Other GaAsInSbInP InAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉
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  • MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器,在不到一秒的时间内,就可以“动态”测量出晶圆图。该仪器可为每个晶圆片提供完整的拓扑结构,极大提高了生产线的成本效益和效率。且其实时质量检测可以提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。 产品优势▼在不到一秒的时间内,可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数:载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。适用于测量晶圆片的材料质量,以及识别晶圆片层面的结晶问题,例如在光伏行业。适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。 Si3N4 and SiC segregates in multi-crystalline siliconMicrocrystalline inclusionsInvestigation of passivation quality...Cz-Si with bulk defects, separation... Multicrystalline silicon wafers技术参数样品厚度100 μm up to 1 mm样品尺寸在125 x 125 和210 x 210 mm2 之间,或 4”到18”电阻率0.2 - 103 Ohm cm传导类型p, n材质硅晶圆,部分或完全加工的晶圆片,化合物半导体等 测量性能少数载流子寿命(稳态或非平衡(μ-PCD)可选择的)测量位置默认2.8 mm, 其它可选检测时间获得完整的一张晶圆图时间小于1秒尺寸400 x 400 x 450 mm,重量:29 kg电源24 V DC, 4 A
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  • MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器,在不到一秒的时间内,就可以“动态”测量出晶圆图。 优势介绍:一秒一片!可集成在生产线上的高速晶圆载流子寿命的面扫测试,在不到一秒内就能形成单个硅片的二维图像。 该仪器本身不使用机械运动部件,因此在连续操作下也非常可靠。它为每个晶圆片提供完整的拓扑结构,这为提高生产线的成本效益和效率提供了新的途径,而这些都是迄今为止无可比拟的。例如,在不到3个小时的时间内,对10000个晶圆片的拓扑结构进行自动统计评估,结果可以显示出晶体生长炉的性能和材料质量的各种细节。 实时的质量检测可以帮助提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。在运行的生产过程中,MDPinline可以立即检测到某个处理步骤的任何故障,从而使产品达到的性能。 优势介绍◆ 在不到一秒的时间内,可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数:载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。◆在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。◆适用于测量晶圆片的材料质量,以及识别晶圆片层面的结晶问题,例如在光伏行业。◆适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。技术参数样品厚度100 μm up to 1 mm样品尺寸在125 x 125 和210 x 210 mm2 之间,或 4”到18”电阻率0.2 - 103 Ohm cm传导类型p, n材质硅晶圆,部分或完全加工的晶圆片,复合半导体等 测量性能少数载流子寿命(稳态或非平衡(μ-PCD)可选择的)测量位置默认2.8 mm, 其它可选检测时间获得完整的一张晶圆图时间小于1秒尺寸400 x 400 x 450 mm,重量:29 kg电源24 V DC, 4 A其它细节 允许单片控制 参数自动设置,预定义的排序菜单 多达15个质量等级的晶圆片自动分拣 监控材料质量、工艺的完整性和稳定性 快速提升工艺和生产线
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  • MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器,在不到一秒的时间内,就可以“动态”测量出晶圆图。 该仪器本身不使用机械运动部件,因此在连续操作下也非常可靠。它为每个晶圆片提供完整的拓扑结构,这为提高生产线的成本效益和效率提供了新的途径,而这些都是迄今为止无可比拟的。例如,在不到3个小时的时间内,对10000个晶圆片的拓扑结构进行自动统计评估,结果可以显示出晶体生长炉的性能和材料质量的各种细节。 实时的质量检测可以帮助提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。在运行的生产过程中,MDPinline可以立即检测到某个处理步骤的任何故障,从而使产品达到最高的性能。 Si3N4 and SiC segregates in multi-crystalline silicon Microcrystalline inclusions Investigation of passivation quality... Cz-Si with bulk defects, separation... 优势在不到一秒的时间内,可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数:载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。适用于测量晶圆片的材料质量,以及识别晶圆片层面的结晶问题,例如在光伏行业。适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。Multicrystalline silicon wafers 其它细节允许单片控制参数自动设置,预定义的排序菜单多达15个质量等级的晶圆片自动分拣监控材料质量、工艺的完整性和稳定性快速提升工艺和生产线
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  • MDPinline ingot系统是世界上最快的多晶硅晶锭电学参数特性测量工具。它是专为高通量工厂的单块晶锭测试而研发的。每块晶锭可以在不到一分钟时间里测量其四面。所有的图谱(寿命,光电导率,电阻率)都是同时测量的。 该系统包括一个数据库和统计数据评估,可用于自动确定精确的切割位置,以提高成品率。用于材料质量监控,炉选择和工艺改进。性能无接触破坏的半导体特性少数载流子寿命的检测能力 先进的灵敏度让所有隐形缺陷可视化自动切割标准定义获取体材料性质的稳态测量完全自动化的内联集成对太阳能级硅錠进行扫描,1mm分辨率测量时间:1分钟内完成晶锭的面扫描,可自动测量所有4个面 Automated determination of cut off criteria 优势先进光伏晶圆厂多晶硅晶锭在线特性快速检测的世界记录。在1分钟内完成分辨率大于1mm成像扫描测试,同时可完成电导类型转变的空间分布扫描和电阻率的线扫描测试。客户定义的切割标准可以传输到晶圆厂数据库,该数据库允许对下一代光伏晶圆厂进行完全自动化的材料监控。对炉料进行质量控制和炉况监测,并进行失效分析。特殊的“underneath the surface”测量技术大大减少了表面重组造成的数据失真。 Recognition of cracks, chunks etc. Automated cut criteria definition, lifetime map
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  • 总览InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测,具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围(0.5 μm to 2.6 μm)等特点。铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm,铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm技术参数产品特性截止波长: 2.6μm低成本感光面积: φ3 mm低噪声高灵敏度高可靠性高速响应产品应用光功率计气体分析湿度计近红外光度法详细参数感光面积φ3mm像元个数1封装Metal封装类型TO-5制冷方式Non-cooled光谱响应范围0.9 to 2.6 μm峰值灵敏度波长(典型值)2.3 μm灵敏度 (典型值)1.3 A/W暗电流 (最大值)100000 nA截至频率(典型值)0.8MHz结电容(典型值)4000 pF噪声等效功率 (典型值)3×10-12 W/Hz1/2测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz.光谱响应外形尺寸(单位:mm)
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  • 晶圆划片机 400-860-5168转3855
    晶圆划片机Scribe 系列是一款独特的机器,专为精细芯片( 如砷化镓和硅芯片)的划线和断裂而设计。它非常灵活,采用划线和断线顺序,可保持成品芯片干净无损。在断线模式下,当线性刀升起沿芯线断线时,划线器 100 使用橡胶固定模具。胶片可防止模具受到污染或应力。 所有参数都可通过控制键盘设置,机器坚固耐用,无振动,操作培训要求极低型号:Model S100Model S200
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  • 总览砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的,应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好,硬度高,抗恶劣环境能力很强,它在2-16μm光谱范围有很好的透过率,广泛应用于热红外成像系统,大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差,光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下,砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。砷化镓(GaAs)窗片 2-16μm,砷化镓(GaAs)窗片 2-16μm产品特点● 化学稳定性好● 硬度高● 抗恶劣环境能力很强技术参数传输范围:1-16μm折射率:3.2727 @10.33μm反射损失:44%@10.33μm吸收系数:0.01cm-1吸收峰:n / adn / dT:147×10-6/℃ @ 10μm for derivationdn /dμ= 0:6.3μm密度:5.315g/cm3熔点:1511℃热导率:48 W m-1K-1@273K热膨胀:5.7×10-6/℃@300K硬度:Knoop 750比热容:360 JKg-1K-1介电常数:在低频下为12.91杨氏模量(E):84.8GPa剪切模量(G):n / a体积模量(K):75.5GPa弹性系数:n / a表观弹性极限:71.9 MPa泊松比:0.31溶解性:不溶于水分子量:144.64类/结构:立方ZnS,F43m,(100)裂解折射率(O光)µ mNoµ mNoµ mNo1.0333.4921.5503.37372.0663.3382.4803.3243.1003.31254.1333.30274.9593.29786.1993.29217.2933.28748.2663.28319.5373.276910.333.272711.273.267112.403.259713.783.249315.503.233617.713.208119.073.1866光谱透射曲线产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源窗片● 科学实验室研究● 远红外光学● 高功率CO2激光器● 热红外成像系统● FLIR系统订购信息订购型号规格(D×L)(mm)光谱范围GAASP10-0.310.0×0.3mmIRGAASP25.4-225.4×2.0mmIR
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  • 深圳学校幼儿园滑梯厂家,儿童游乐设施制造厂激发孩子成长路上的美好憧憬,幼儿园滑梯为儿童游乐设备的一种,在幼儿园深受孩子喜爱,适宜于3-6岁的儿童玩乐,也有大型意外幼儿园组合滑梯,都是通过攀爬进行进行滑梯活动。深圳市小童马是一家专业的幼儿园滑梯生产厂家,产品热销全国,受到一致好评。我们始终秉承质量第一、客户至上、诚信经营的宗旨,赢得了国内外新老用户的一致好评和认同 。我们用真城和客户建立关系,用双赢求得共同发展。推陈出新,创造孩子玩乐的新世界。对于孩子们的成长来说,游乐和学习是至关重要的,提供一些好的游乐机会和环境是最直接的方法,可以使他们在生活的第一阶段达到游乐与学习的基本目的。通过游乐,孩子们不仅可以锻炼体能、开发运动技巧、增加平衡和协调感,而且在社会活动过程中还可以学会交往、激发潜能、提高认知能力和语言能力。儿童组合滑梯激发孩子成长路上的美好憧憬。孩子玩幼儿园滑梯需要坚定的意志和信心,可以培养他们的勇敢精神。当孩子从滑梯上面滑下来,能享受到成功的喜悦以及刺激。 滑梯对于孩子们的成长来说,玩乐和学习是至关重要的,提供一些好的玩乐机会和环境是最直接有效的提高孩子学习能力的方法。深圳学校幼儿园滑梯厂家,儿童游乐设施制造厂塑造孩子健康性格,组合滑梯是生活中极其普及的儿童游乐设施,小童马生产的组合滑梯结构坚实耐用,款式设计新颖,色彩悦目,各个塑料部件的链接精巧,为孩子的成长时光带来欢乐、安全和轻松的游乐体验。小童马的组合滑梯伴随孩子健康成长,是孩子的亲密伙伴。儿童在玩组合滑梯过程中对“速度”的感受和体会触觉的不同,促进儿童的触觉发育,还能锻炼运动协调能力,增强身体控制力。经常玩滑梯的儿童平衡能力会很好。儿童在组合滑梯中玩耍,可以锻炼体能、开发运动技巧。通过攀爬才能进行滑梯活动,可以磨砺孩子们的坚定的意志和信心,塑造孩子的勇敢精神。良好的玩乐体验也能让孩子的创造力从小就得到开发。小童马的组合滑梯秉承寓教于乐的宗旨,致力于促进孩子心身全面健康地成长。深圳学校幼儿园滑梯厂家,儿童游乐设施制造厂设计上严格遵循儿童人体工程学原则,按照ISO9000要求建立质量管理体系,并建立以CCC为标准的产品安全管理体系,小童马产品还通过了一系列国际权威认证,由太平洋保险公司为公司产品承保。欢迎新老客户选购小童马生产的组合滑梯。玩小童马的儿童滑梯放飞孩子的童真,孩子们生性好动,小童马的儿童滑梯是孩子们最喜爱的儿童游乐设施之一,孩子们从爬梯上去,来到滑梯顶端,高高地从滑倒滑下下来,就像小鸟展翅高飞一样,孩子们非常享受这种感觉,玩的非常高兴。现在小编为大家说说儿童滑梯究竟能够给我们的孩子带来哪些收获。孩子们在玩牌儿童滑梯的时候,锻炼了孩子们的手脚协调能力,这这个阶段的孩子应该得到锻炼的基本能力。而孩子们要想玩儿童滑梯就要先从爬梯上爬到滑板那里才能够进行滑动。小孩子们在这个爬爬梯的过程中就需要动手以及动脚,这在一定的程度上就能够进行锻炼孩子的手脚运动协调能力。孩子在玩组合滑梯的过程中间接促进孩子的身体发育,因为小孩子们在玩的时候心情愉悦,运动也消耗非常多的能量,孩子饿了就需要摄入更多的营养,合理地摄入营养能改善营养结构,促进小孩子的身体发育。另外孩子们在玩耍的时候身心放松快乐,那么这对于他们的成长来说也是有很大的帮助的。在玩儿童滑梯的时候,孩子们的肌肉得到很好的锻炼,这也是提高运动协调能力的基础,能够增加孩子做出各种动作的灵活性以及准确性,能够让孩子显得更加的灵动。小孩子们在玩儿童滑梯的时候还能够促进大脑的发育,促进智力发展。同时激发小孩子们对各种新事物的兴趣,增加孩子的生活体验,这些都能让小孩子将来面对社会时有更好适应能力。
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  • 分子束外延MBE 400-860-5168转5919
    1. 产品概述:Veeco 的 GEN20&trade MBE 系统是一种超灵活的工具,其设计可针对 III-V 族和新兴材料进行配置,包括需要集成电子束技术的应用。该系统采用生产设计技术,允许可选的集群工具晶圆传输系统,以实现理想的实验室到晶圆厂迁移。 材料研究和预生产环境的理想选择垂直源到基板方向,具有 12 个 MBE 源端口和添加电子束功能的选项手动或自动晶圆转移选项可配置的低温板、机械手、百叶窗和原位监测设备模块化设计允许多两个增长模块Veeco 的 GEN20&trade MBE 系统是一种超灵活的工具,其设计可针对 III-V 族和新兴材料进行配置,包括需要集成电子束技术的应用。该系统采用生产设计技术,允许可选的集群工具晶圆传输系统,以实现理想的实验室到晶圆厂迁移。
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  • MCK-6RC系列研究级金相显微镜集CAIKON 多项首创于一身,从外观到性能都紧跟国际领先设计风向,致力于拓展工业领域全新格局。MCK-6RC秉承CAIKON不断探索、不断超越的品牌设计理念,为客户提供完善的工业检测解决方案。各项操作根据人机工程学设计,最大限度减轻操作者的使用疲劳。其模块化的部件设计,可对系统功能进行自由组合。涵盖明场、暗场、斜照明、偏光、DIC微分干涉等多种观察功能,可根据实际应用,进行功能选择。● 宽视场铰链式三目观察筒正像铰链三目观察筒,所成像的方位与物体实际方向相同,物体移动的方向跟像面移动的方向相同,便于观察与操作。● 大行程移动平台设计采用6寸平平台设计,行程158×158mm,可适用于对应尺寸的晶圆或FPD检测,也可用于小尺寸样品的阵列检测。● 高精度物镜转换器转换器采用精密轴承设计,转动手感轻巧舒适,重复定位精度高,物镜转换后的同心度也得到较好的控制。● 安全、稳重的机架结构设计工业检测级显微镜镜体,低重心、高刚性、高稳定性金属机架,保证了系统的抗震能力与成像稳定性。其前置低手位粗微调同轴调焦机构,内置100-240V宽电压变压器,可适应不同地区的电网电压。底座内部设计有风循环散热系统,长时间使用也不会使机架过热。二、工业级金相显微镜MCK-6RC功能介绍:MCK-6RC 集成了明场、暗场、偏光、DIC等多种观察功能。 广泛应用于半导体、FPD、电路封装、电路基板、材料、铸件金属陶瓷部件、精密磨具等检测.集成了明场、暗场、斜照明、偏光、等各种观察功能,可根据实际应用,进行功能选择。三、工业级金相显微镜MCK-6RC的主要技术参数:名 称参数规格光学系统无限远色差校正光学系统观察方式明场/暗场/偏光观察筒30°倾斜,正像,无限远铰链三通观察筒,瞳距调节:50mm~76mm,两档分光比双目:三目=100:0或0:100目镜高眼点大视野平场目镜PL10X/22mm,视度可调高眼点大视野平场目镜PL10X25mm,带单刻度十字分划板,视度可调无限远长工作距平常消色差物镜物镜倍率数值孔径工作距离(mm)盖玻片厚度(mm)5X BD 0.159010XBD 0.309020XBD 0.453.4050XBD 0.557.50物镜转换器明暗场5孔转换器,带DIC插槽调焦机构透、反射式机架 , 前置低手位粗微同轴调焦机构。粗调行程 33mm, 微调精度 0.001mm. 带有防止下滑的调节松紧装置和随机上限位装置.载物台6英寸三层机械移动平台,低手位X、Y方向同轴调节;平台面积445mm×240mm,反射照明移动范围:158mm×158mm;透射照明移动范围:100×100mm;带离合器手柄,可用于全行程范围内快速移动;玻璃载物台板(透、反射用)落射照明系统高亮12V100W卤素灯照明,亮度可调带可变视场光阑,中心可调节插板式滤色片,预制中心,光强连续可调透射照明系统单颗大功率5WLED灯泡,白光,长寿命,光强连续可调偏光装置起偏镜:插入式起偏镜,可以移出光路检偏镜:插入式可360°旋转检偏镜,可以移出光路暗场装置推拉式暗场观察拉杆,可快速转换到暗场观察电源内置100-240V宽电压变压器,双路电源输出电脑摄像系统CKC2000CKC2000高清彩色摄像机,采用索尼CMOS芯片,灵敏度可以与CCD芯片为同一量级,图像色彩还原度大大提高。最高分辨率:5496×3672, 芯片尺寸:1",USB3.0连接,图像稳定,有多种图像处理方式(详细参数见CKC2000摄像机介绍)显微软件专业图像处理及拍摄软件,实时图像拼接及实时景深熔合,可对图像中的点、线、圆、圆弧、角度、矩形及任何图形几何参数的测量。测量工具使用方便直观,可在图像上添加文字、放置比例尺,是显微图像测量与分析的有效工具。六、仪器装箱单:序号名称数量单位附注1正置金相显微镜主机1台MCK-6RC2三目观察筒1套310X目镜1对4反射光路组1套5反射灯箱1套6无限远平场消色差物镜 5X、10X、20X、50X各 1个7快速移动手柄1个8滤色片1片9玻璃板1块10起偏镜1个11检偏镜1个12备用灯泡2个12V100W13高清数字摄像机CKC20001个14USB3.0数据传输线1根15摄像机接口1个16U盘1个17测微尺1块0.01mm18仪器防尘罩1个19电源线1根20使用说明书1份21出厂合格证1份23保修卡1份
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  • 深圳幼儿园滑梯厂家,小区户外儿童滑滑梯厂家,深圳组合滑梯厂家,儿童组合滑梯玩具厂家。品名:组合滑梯、儿童滑梯 幼儿园滑梯 游乐场滑梯品牌:浩康材质:镀锌管、工程塑料适用范围:花园、别墅、小区、幼儿园、游乐场、商场、超市。适用年龄:3-16岁现在的文旅地产项目成为人们休闲娱乐的好去处,孩子们在游乐场喜欢玩的儿童游乐设施,就是像浩康这样的儿童游乐设备厂家生产的,各种款式的幼儿滑梯。对于各种不同造型的组合幼儿滑梯的安装,有一套流程,安装人员业需要有资质,浩康为了保证孩子的游乐安全,为每一个游乐场设备提供配套安装服务。安装让儿童游乐设备运作正常,是游乐安全的前提。在开始安装之前,浩康的安装师傅都会仔细核对现场货物清单,确保不会缺失零部件而影响设施安全。尤其是关系幼儿滑梯主体结构稳固性的钢管支架部件,其核对更是尤为关键。深圳幼儿园滑梯厂家,小区户外儿童滑滑梯厂家。 儿童滑梯是游乐设施非常受儿童和家长们欢迎的设备,对于孩子们来说,滑梯的可玩性很强,一个滑梯就是孩子的小小乐园,是他们有趣的玩乐场所,现在,人们可以发现几乎所有的游乐场都配置了滑梯设备。滑梯厂家在设备的创新上也力求创造性,面对这个市场的竞争,儿童滑梯设备厂家哪一家好?怎么选择好的设备?下面就和经营者来简单谈一谈。儿童滑梯设备本文包含以下几点内容:1,滑梯设备的优点2,精选优质厂家3,玩具滑梯4,大型滑梯一,滑梯设备的优点儿童滑梯设备深受经营者喜爱,主要就是因为它的可玩性强,趣味性十足。儿童滑梯在材质上有很多种类,有木制的,有铁质的,有塑料的。也有玻璃类的,经营者可以根据需要,选用不同材质的滑梯配置,非常灵活。在主题上滑梯项目也有很多不同的选择,森林主题的滑梯项目,很容易拉近和孩子们的距离,丛林穿越类滑梯又能充分调动孩子们的探险兴趣,此外,海洋主题的滑梯,更具特色,经营者不妨一试!二,选优质厂家儿童滑梯在购置的时候,选择优质的厂家合作。毕竟滑梯设备都是直接和孩子们接触的,无论是用材,还是外形上的打磨,都要充分考虑到孩子的安全是否受到影响。优质的厂家,才能提供质量可靠的设备,才能保障设备的安全。三,玩具滑梯玩具滑梯主要针对室内儿童游乐场所。在主题的设计上,玩具滑梯很灵活,可以选用卡通动画类的,也可以选择森林海洋类,装修时尽量突出主题,以吸引儿童的兴趣。当然对于经营者来说,在装修方面,千万要谨慎和仔细一些,切不可偷工减料,要保障所用的材料是符合健康标准,必须安全无害才行。第四,大型滑梯 儿童滑梯设备中,海盗船这类大型滑梯是很好的选择。不同于玩具滑梯,大型滑梯在规模上自然就比较庞大,适合的场地一般是室外。其实,大型滑梯也可以灵活配置,经营者可以有针对性的定制,根据场景的不同,去专门定制适合场地环境的滑梯样式和滑梯大小。此外,大型滑梯在使用上要保证安全,日常维护要做到位。深圳组合滑梯厂家,儿童组合滑梯玩具厂家,深圳幼儿园滑梯厂家,小区户外儿童滑滑梯厂家。
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  • 砷化铟(InAs)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:砷化铟(InAs)晶体产品简介:技术参数:晶体结构:立方 a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型:N型掺杂类型:不掺杂载流子浓度:2 ~ 5E16 / cm3 迁移率:18500cm2/V.S 常规尺寸:常规晶向:100、111;常规尺寸:10x10x0.5mm dia2″x0.5mm 抛光情况:单抛或双抛 表面粗糙度Ra:15A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋 Other InAsInSbInP GaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉
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  • 1.产品概述:MA300 Gen3 掩模对准器是用于 300 mm 和 200 mm 晶圆的高度自动化掩模对准平台。SUSS MicroTec 的 MA300 Gen3 是一款高度自动化的掩模对准平台,适用于 300 毫米和 200 毫米晶圆。它为 3D 封装、晶圆封装和倒装芯片应用而设计,但也可用于必须暴露 4 微米和 100 微米几何形状范围的其他技术。2.产品优势:MA300 Gen3 代表了 SUSS MicroTec 的新一代掩模对准器,旨在满足大批量制造环境中现代晶圆厂的要求。除了精度低至 0.5 μm (DirectAlign) 的标准顶部对准外,新的 3D 用对准平台还支持基于 300 mm 的三维 (3D) 封装光刻应用的底部和红外对准,例如用于 TSV 和切割街道的蚀刻掩模、背面再分布层 (RDL) 或凸块应用。虽然底部对准使 SUSS MicroTec 300 mm 掩模对准器能够处理双面结构化晶圆,但红外对准选项允许处理不透明但红外透明的材料,例如粘合剂,特别是对于薄晶圆处理或封装应用。与步进式对准器不同,接近掩模对准器在暴露非常厚的层时非常有效。掩模对准器提供较大的处理窗口,因为它们没有投影系统已知的焦深限制。
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  • 古建筑数字化保护意义中国传统建筑是我国古代文明的重要组成部分,如何让古建筑长久的展示东方文明的魅力,为后人欣赏和学习,是文化领域急需解决的问题。随着时代的变迁,古建筑遭到了不同程度的破坏,一部分是自然因素导致,另一部分来自人为破坏及保护措施不完善,这让古建筑的发扬与传承遭受到了空前的危机。而古建筑的保护,离不开古建筑测绘。三维扫描技术是近几年经专家学者认证的比较推荐技术,在不破坏建筑的基础上,获取建筑的完整三维信息。通过实践经验表明,应用三维激光扫描技术能够极大地提高建筑物立面数据采集效率并节省工程时间,提高了数据精度,降低数据处理的复杂程度,能够快速、精确的获得立面图并为古建筑保护规划提供依据。古建筑三维扫描技术数字化保护项目背景地面上的冰屋历来用于全年储存冰。地下砖砌的圆顶房间和朝北的入口为冰块提供了zui佳隔热效果,可以保持冰冻数月。冰屋深约4米,宽3米,由绝缘土墩覆盖。土墩很可能被美化并被用作花园和观察点,因为它的高点提供了远至怀特岛的景色。激光扫描记录的目的是记录建筑物的当前状态,不仅用作保护工具,而且在接下来的几年中帮助工程师和建筑师进行控制建筑的结构维护。为了创建冰屋状态的详细记录,通过Faro Focus S150使用激光扫描来捕获结构的外部和内部特征。这包含超过50个单独的扫描位置。然后使用生成的3D模型创建建筑物当前状态的非常精确的CAD图纸,您可以在下面的图像中看到样本。外业信息采集选取合适扫描位置布站2.点云数据处理3.点云切片设备使用FOCUSS 150携带极为方便的FocusS 150能够快速、直接和极为精确地测量各种物体或建筑物。它能够记录建筑立面、复杂结构、生产和供应设施、事故现场和大型部件,提供栩栩如生和细节逼真的扫描结果,每次扫描的距离为150m。
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  • 12寸晶圆紫外固化机 400-860-5168转3282
    12寸晶圆紫外固化机品牌:Powatec 型号:U-300 产地:瑞士 关键字:紫外固化机、紫外固化系统POWATEC 固化系统专为固化最大 300 毫米的晶圆和框架而设计。LED 产生的波长为 365 nm,最大输出光功率为 750 mW。 打开盖子,将晶圆放在左侧传送带上。按下启动按钮。晶圆在 LED 单元上方移动到右侧。固化在大约 20-30 秒后完成,产生 130-180 帧/小时的稳定吞吐量。完全可调的固化时间范围在 15 秒到 3 分钟之间。 主要特点: 采购成本低=总拥有成本 (COO) 最低! 没有产生有害臭氧 零预热时间 UV - LED使用寿命长( 10,000小时以上) 低强度下降(10,000小时内下降 5%) 对薄膜没有热影响 紧凑而坚固的桌子设计 安装和实施时间短 维护成本低 符合IEC 204-1安全标准 生产率130-180晶圆/小时。选项: 氮气淋浴 带储物空间的支撑台,适用于洁净室
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  • 8寸晶圆紫外固化机 400-860-5168转3282
    8寸晶圆紫外固化机品牌:Powatec 型号:U-200 产地:瑞士 关键字:紫外固化机、紫外固化系统 POWATEC 固化系统用于固化最大 8" 的晶圆和框架。LED 产生 365 nm 的波长,最大输出光功率为 750 mW。 打开盖子,将晶圆放在左侧传送带上。按下启动按钮。晶圆在 LED 单元上方移动到右侧。固化在大约 20-30 秒后完成,产生 130-180 帧/小时的稳定吞吐量。完全可调的固化时间范围在 15 秒到 3 分钟之间。主要特点: 采购成本低=总拥有成本 (COO) 最低! 没有产生有害臭氧 零预热时间 UV - LED使用寿命长( 10,000小时以上) 低强度下降(10,000小时内下降 5%) 对薄膜没有热影响 紧凑而坚固的桌子设计 安装和实施时间短 维护成本低 符合IEC 204-1安全标准 生产率130-180晶圆/小时。 选项: 氮气淋浴 带储物空间的支撑台,适用于洁净室
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  • 18寸晶圆紫外固化机 400-860-5168转3282
    18寸晶圆紫外固化机品牌:Powatec 型号:U-450 产地:瑞士 关键字:紫外固化机、紫外固化系统 POWATEC 固化系统专为框架最大为 450毫米的晶圆而设计。LED 产生的波长为 365 nm ,最大输出光功率为 800 mW。打开盖子并将晶片插入玻璃窗格。盖上盖子。曝光将立即开始。固化在大约 10-60 秒后完成,产生50 至 180 个晶圆/小时的稳定吞吐量。完全可调的曝光剂量范围在 80 mJ/cm2 到 1000 mJ/cm2 之间。主要特点: 采购成本低=总拥有成本 (COO) 最低! 没有产生有害臭氧 零预热时间 UV - LED使用寿命长( 10,000小时以上) 低强度下降(10,000小时内下降 5%) 对薄膜没有热影响 紧凑而坚固的桌子设计 安装和实施时间短 维护成本低 符合IEC 204-1安全标准 生产率50-180晶圆/小时。 选项: 氮气淋浴
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  • 主要优点吞吐量和每片晶圆拥有成本批量配置中的单片性能,可实现出色的外延层质量兼容硅晶圆厂的自动化技术支持碳化硅电源市场加速增长产品特点带热晶圆转移的行星式反应器在生长室中高效利用气体晶圆级温度控制晶圆盒到晶圆盒处理快速外延处理 8x150 mm 配置,单晶圆旋转AutoSat功能,确保批次内的均匀性SECS-GEM工厂接主要优点吞吐量和每片晶圆拥有成本批量配置中的单片性能,可实现出色的外延层质量兼容硅晶圆厂的自动化技术支持碳化硅电源市场加速增长产品特点带热晶圆转移的行星式反应器在生长室中高效利用气体晶圆级温度控制晶圆盒到晶圆盒处理快速外延处理8x150 mm 配置,单晶圆旋转AutoSat功能,确保批次内的均匀性SECS-GEM工厂接口
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  • 半导体晶圆固化烘箱 400-860-5168转0803
    Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试,适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体(4%的氢气,平衡的氮气)。Blue M半导体晶圆固化烘箱IGF7780的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时,向操作者发出警报,并关闭烤箱加热器,以尽量减少不良后果当门打开时,门开关会关闭加热器和鼓风机,以确保操作人员的安全Blue M半导体晶圆固化烘箱IGF7780的特性适用于氩气,二氧化碳,氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度:室温+15℃-593℃(1099°F)均匀度:设定值的±2%控制精度:±0.5°C分辨率:±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高(厘米)20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高(厘米)46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改,恕不另行通知。
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  • 半导体晶圆固化烘箱 400-860-5168转0803
    Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试,适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体(4%的氢气,平衡的氮气)。Blue M半导体晶圆固化烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时,向操作者发出警报,并关闭烤箱加热器,以尽量减少不良后果当门打开时,门开关会关闭加热器和鼓风机,以确保操作人员的安全Blue M半导体晶圆固化烘箱的特性适用于氩气,二氧化碳,氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度:室温+15℃-593℃(1099°F)均匀度:设定值的±2%控制精度:±0.5°C分辨率:±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高(厘米)20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高(厘米)46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改,恕不另行通知。
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  • 晶圓移載自動化 400-860-5168转2459
    晶圆分拣机 (KAR-211)设备特色.2~8 Load Ports;内建Load Port N2 Purge.依制程Recipe需求,按照Wafer ID进行排序、分批、并批、或传到指定晶圆盒位置.5轴双夹爪Robot高速移载无须Track,精度高速度快.FFU风速与微正压可控,内流场经CFD分析设计,确保下沉气流为均匀层流.兼容8吋、12吋、薄化晶圆;双面晶圆刻号读取.对应SECS/GEM.对应SEMI E84 OHT取放交握.SEMI S2 认证性能规格.传片速度:700 WPH以上.传片精度:±0.05mm.ISO Class 3洁净度(FS-209E Class 1)晶圆外观检查设备 (KMM-332)设备特色.晶圆巨观目视检查及微观显微镜检查双重机能.巨观检测:摇杆控制马达驱动翻转机能,双面检查角度45度,并记录缺陷位置.微观检测:1000倍显微镜检查,附CCD取像装置,并记录缺陷位置.多重晶圆载入机制:1站晶圆堆叠盒(Coin Stack Box)/3站前开式出货盒(FOSB).多重检查流程:依Recipe设定流程.内建晶圆缓冲站,连续检查不塞货.双Robot 取放料, 传送速度快性能规格.单片传送时间:30 Seconds.平台定位精度:±2um.ISO Class 4洁净度(FS-209E Class 10)
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  • 用于半导体晶圆厂中成分测量的全自动 SIMSAKONIS SIMS 工具通过直接在半导体生产线中提供对注入分布、成分分析和界面数据的高产量、高精度检测,填补了半导体制造工艺中的重要空白。AKONIS 有非常高的自动化水平,确保了各种工具在晶圆厂工艺控制和工具之间匹配方面的可重复性。除传统的通过表征实验室为半导体行业提供支持的IMS Wf/SC Ultra和 SIMS 4550(四极杆 SIMS)系列外,AKONIS作为其 补充,可实现仪器设置和采集例程的完全自动化,从而可在分析灵敏度不受影响的情况下实现快速的厂内分析。AKONIS 受益于极低冲击能量(EXLIE)离子色谱柱技术( 150 eV)的发展,与带高分辨率平台的整片晶圆处理系统相结合,可在最小 20 μm 的压焊点上进行测量。推动实现 N5 及后继制程的高产量SiGe 和 SiP 多层堆叠的高分辨率成分和快速掺杂物深度剖析无与伦比的最小 20 μm 在压焊点上的检测限将数据反馈到生产线的时间缩短了 97% 以上光片和图案化的整片晶圆测量图案识别引擎与高分辨率干涉测量平台相结合,可实现 2 μm 的位置精度基于独特材料数据库的直观recipe创建SEMI 认证(S2/S8、E4、E5、E39、E84...)低购置成本
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  • MR200 晶圆划片机手动划线可精确切割结构化硅晶片的制造MR 200的设置可为结构化硅晶片切割提供高精度划线。MR 200是必不可少的工具,特别是对于半导体技术中的REM制备。MR 200还适用于少量芯片的单芯片化,例如在实验室中使用。设备基本设置为划线参数的调整提供了多种选择。高质量的变焦光学元件可将放大倍率从8倍无级调节到40倍。光学和机械学可以通过辅助模块进行扩展,以提高效率和操作舒适性。这包括用于连接相机的扩展套件,具有测量功能的图像处理系统,以及用于工作台位移的数字测量系统。将基板放在托盘上后,将显微镜聚焦在晶圆表面上。通过手动将工作台驱动到x和y方向,可以将划线调整为样本上的参考标记或结构。高质量的变焦显微镜可在样品表面的总览和细节显示之间进行快速切换。使用x / y十字架工作台的微调,可以非常精确地定位晶片。划线钻石的接触点可以调节。目镜的十字准线或监视器上的十字准线定义了划线钻石的接触点。划线钻石由脚踏开关(升高/降低)控制,因此可以用双手控制划线运动。如果定义了划线,则通过脚踏开关降低钻石。为了划片,手动移动整个托盘。相机图像在计算机屏幕上。视频图像可以保存。图片显示了光学元件的不同放大倍率,它们在目镜中显示为8x,16x,32x和40x。 特点:• 挤压型材的基本框架• 尺寸(B×T×H):400×800×600mm• 重量:20kg• 电动划线(咨询:气动划线,以提高划线力)• 通过脚踏开关控制划线钻石(下降,抬起)• 可调节的划线能力(10 g… 120 g,其他可询价)• 划线槽宽度 5 μm… 10 μm(取决于划线力度和材料)• 下降速度可调• 划线钻石高度可调• 划线金刚石工作角度可调• 通过真空提取划线颗粒• 高质量的变焦显微镜,可无级调节放大倍率,范围为8×… 40ו 十字形目镜,用于根据边缘,结构和参考标记等精确调整划线• 在放大10倍时,光学分辨率更好10 μm• 涂有特氟隆涂层的真空晶片托盘,安装在x / y平台上,直径200 mm(可询问100 mm)• 通过千分尺螺丝微调晶片夹头的角度(10 μm,分辨率= 0.006°)• 托盘精确旋转90°,无需关闭真空• 可调节挡块,使卡盘旋转90°• 手动x / y平台,行程(200×200)mm,用于划刻运动和粗略定位• 25毫米测微头螺钉,可横向于划线方向精确定位• 10毫米测微螺钉,可在划线方向上精确定位• 带亮度控制和电源的LED环形灯• 最小样本尺寸约:(10×10)mm• 晶圆厚度:硅晶圆的所有标准厚度• 材料:硅,砷化镓(GaAs)(其他材料如有查询)• 视频系统(也带有图像处理软件)作为附件提供 光学高质量的变焦光学元件可将放大倍率从8倍调整为40倍。显微镜还提供许多附加功能附件。 产品参数:MR200 晶圆划片机管路中的气压75 mbar电源100-220 V交流电,60W晶圆托盘直径100mm200mm最佳范围X:±12,5mm, y:±6,5 mm/0,01mm ?:±2°切割长度200mm重量约16kg划切力度10g – 130g显微镜倍率Γ’=8… 40x设备尺寸高度:550mm,宽度:430mm,深度:700mm
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  • GEMINIFB 自动化集体晶圆对晶圆接合系统GEMINI FB Automated Collective Die-to-Wafer Bonding System 高容量生产系统集体die-to-wafer (Co-D2W)键 特性一个有前途的方法混合D2W结合集体D2W (Co-D2W)。 在Co-D2W结合,多个模具转移到最终的晶片在一个处理步骤。 制造流Co-D2W焊接过程由四个主要部分:载体制备、载体的人口,晶片键合和载体分离。 EVG GEMINI FB配置为D2W Co-D2W集成流中键是一个决定性的元素,使有效的清洁和载体的转移安装模具,焊接和载波分离系统。 GEMINI FB系统行业标准对薄片以及Co-D2W融合和混合成键。 特性灵活的处理晶片和运营商定制的死亡行业标准SmartViewNT面对面债券对准器载波设备晶片对齐六预处理模块:清洁模块LowTemp™ 等离子体活化模块校准验证模块热压键模块XT框架概念与EFEM高吞吐量(设备前端模块)
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  • 原子层沉积ALD 400-860-5168转5919
    1.产品概述:Beneq Prodigy&trade 是 VCSEL、LED 和 MEMS 制造商和代工厂的理想制造解决方案,他们希望通过经济实惠的独立 ALD 批处理工具提高设备性能和可靠性。Beneq Prodigy 为多种晶圆类型和尺寸提供同类佳的钝化和/或封装膜。2.产品优势:价值:以更低的价格提供技术。 Prodigy在经济性、容量和可靠性方面为化合物半导体和MEMS制造市场提供了的突破。单纯:有更多时间思考解决方案。 Prodigy 通过水平晶圆处理的自动装载以及直接的维护和可维护性以及轻松的侧面检修,提供了纯粹的简单性。创新:定义新标准。 该工具为采用ALD的化合物半导体和MEMS器件的经济实惠的大批量制造设定了全新的标准。我们使用 Beneq 超过 15 年积累的简单自动化和可靠的反应器设计,为应用域提供经过验证的结果。晶圆厂就绪:Beneq Prodigy 与 SECS/GEM 通信功能兼容,并符合高的 SEMI S2 标准。
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  • 18寸晶圆紫外固化机品牌:Powatec型号:U-450产地:瑞士关键字:紫外固化机、紫外固化系统POWATEC 固化系统专为框架最大为 450毫米的晶圆而设计。LED 产生的波长为 365 nm ,最大输出光功率为 800 mW。打开盖子并将晶片插入玻璃窗格。盖上盖子。曝光将立即开始。固化在大约 10-60 秒后完成,产生50 至 180 个晶圆/小时的稳定吞吐量。完全可调的曝光剂量范围在 80 mJ/cm2 到 1000 mJ/cm2 之间。主要特点: 采购成本低=总拥有成本 (COO) 最低! 没有产生有害臭氧 零预热时间 UV - LED使用寿命长( 10,000小时以上) 低强度下降(10,000小时内下降 5%) 对薄膜没有热影响 紧凑而坚固的桌子设计 安装和实施时间短 维护成本低 符合IEC 204-1安全标准 生产率50-180晶圆/小时。 选项: 氮气淋浴
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