砷化镓晶圆厂

9月6日消息，半导体晶圆厂自动化设备企业弥费科技宣布完成超亿元A轮融资，本轮融资由启明创投领投，金浦智能、红晔资本跟投。本轮融资资金将用于扩大公司运营规模、加大研发投入、拓展海外市场等。弥费科技于2014年创办于上海，是一家半导体晶圆厂自动化设备公司，专注于生产、研发、销售适用于半导体晶圆厂的自动物料搬运系统（AMHS, Automated Material Handling System）。在半导体晶圆厂中，AMHS是工厂稼动率及品质一致性的重要保证之一。以工艺节点28nm为例，其平均光刻层数近50层、工艺步骤超过1000步、生产周期90天左右，一个4万片月产能28nm工艺节点的全自动晶圆厂每天的晶圆盒传送量超10万次，而此时AMHS系统“两高”—高效率、高可靠性，“两低”—低尘、低振动的特点就被展现出来。因此无论是满足效率需求、还是减少人员对无尘车间及晶圆品质的影响，AMHS都起到了至关重要的作用，成为先进工艺晶圆厂大规模量产的必备系统。弥费科技拥有丰富全面的产品线，而且掌握核心技术，供应链安全可控。从2016年起，弥费科技陆续为国内外多个8英寸和12英寸晶圆厂提供AMHS产品，包括调度软件、传送及存储设备，并为40/28纳米及以下先进工艺节点提供净化设备，主要客户覆盖国内外知名晶圆代工厂。弥费科技创始人兼CEO缪峰表示：“弥费科技致力于成为一家具有全球影响力的半导体自动化设备公司，伴随过去几年的探索，公司从AMHS外围产品开始，现已步入了核心产品研发阶段，需要更多人才助力加速核心技术突破。A轮融资是弥费科技踏入资本市场的第一步，也是加速公司为晶圆厂客户提供整套AMHS的重要一步，我们希望通过人才、资本与产业资源的汇聚，成为真正具备国际竞争力的半导体设备企业。”对于此次投资，启明创投合伙人叶冠泰表示，“近几年中国的晶圆厂加速扩张速度领先全球，半导体设备投入持续加大。弥费科技的团队具有丰富的半导体产业经验，在自动化物料设备领域提前布局，具备交期和性价比优势，有机会抓住国内晶圆厂客户采购国产设备意愿提高的历史机遇，助力产业升级。同时，我们也期待弥费科技进一步拓展海外市场，成为半导体智慧工厂领域的全球领先企业。”

6月18日据路透社报道，美国商务部官员正同荷兰、日本协调，以推动收紧半导体制造设备出口管制，进一步打击东方生产先进半导体的能力。图：美国商务部副部长Alan Estevez知情人士表示，1名美国官员在与荷兰政府会面后将前往日本，以推动盟友继续收紧芯片制造设备对东方的出口管制。报道称，美国商务部主管工业和安全（BIS）的副部长艾伦艾斯特韦斯（Alan Estevez）再次试图在美日荷3国于2023年达成的基础上，继续采取行动，阻止芯片制造设备进入东方。关于此人及BIS，芯片大师曾在美副部长：正在等中国的光刻机、刻蚀机坏掉等文章中有详细介绍。关于本次扩大管制的细节内容，知情人士表示，美日荷三方正讨论，将另外11家东方芯片制造工厂列入限制名单。目前名单上有5家晶圆厂，包括规模最大制造商S公司。图：东京电子的设备同时，知情人士补充，美国商务部也希望管制更多的芯片制造设备。对此，美国商务部拒绝置评。美国在2022年首度对英伟达、泛林（Lam Research）等公司出口先进芯片和半导体设备实施全面限制。2023年7月，为了与美国政策保持一致，日本芯片设备制造商尼康（Nikon）、东京电子（TEL）跟进限制了23种设备的出口。随后，荷兰政府也开始对ASML进行监管，限制供应DUV（深紫外光）设备。美国声称对ASML有管辖权，因为这家公司的系统包含美国制造的零部件。图：台积电南京厂美国官员在2024年4月访问荷兰，试图阻止ASML为东方某些晶圆厂设备提供售后服务。根据美国的要求，美企此前已不得为东方先进晶圆厂设备进行维修。但知情人士透露，ASML的服务合约仍有效，因为荷兰政府无权中断海外的这些合约。同时，针对市场传言台积电南京工厂已获得美国商务部“无限期豁免授权”的消息，近日，台积电官方回应表示，美国商务部近日已核发“经认证终端用户”（Validated End-User, VEU）授权予台积电（南京）有限公司。此项正式的VEU授权取代了之前商务部自2022年10月以来核发的临时书面授权。此VEU授权并未增加新的权限，而是确认了美国出口管制法规所涉及的物品和服务得以长期持续提供予台积电（南京）公司，供货商并不需要取得个别许可证。

3月17日晚间，中芯国际发布《关于自愿披露签订合作框架协议的公告》，宣布将在深圳扩充12英寸晶圆产能，项目的新投资额估计为23.5亿美元（约合人民币153亿元）。图片来源：中芯国际公告截图公告显示，公司于本公告日期签订由深圳政府于2021年3月12日同意的合作框架协议。根据合作框架协议，公司和深圳政府（透过深圳重投集团）（其中包括）拟以建议出资的方式经由中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司（以下简称“中芯深圳”）进行项目发展和营运。依照计划，中芯深圳将开展项目的发展和营运，重点生产28纳米及以上的集成电路和提供技术服务，旨在实现最终每月约40000片12吋晶圆的产能，预期将于2022年开始生产。待最终协议签订后，项目的新投资额估计为23.5亿美元。各方的实际出资额将根据第三方专业公司对中芯深圳所作评估而定。预期于建议出资完成后，中芯深圳将由中芯国际和深圳重投集团分别拥有约55%和不超过23%的权益。官网介绍，目前中芯国际在上海建有一座12英寸晶圆厂和一座8英寸晶圆厂，以及一座控股的12英寸先进制程合资晶圆厂；在北京建有一座12英寸晶圆厂和一座控股的12英寸合资晶圆厂；在天津和深圳各建有一座8英寸晶圆厂；在江阴有一座控股的12英寸合资凸块加工厂。如今，中芯国际再次“牵手”深圳，也意味着深圳正式迎来第一座12英寸晶圆代工厂。中芯国际表示，通过把握深圳政府发展集成电路行业的机遇，该项目能够满足不断增长的市场和客户需求，推动公司的发展。董事会认为建议于中芯深圳出资将促使公司扩展生产规模和提升纳米技术服务，从而获得更高回报。半年内两投28纳米在中芯国际此轮投资中，工艺技术瞄准28纳米工艺，而这也是中芯国际近半年来第二次宣布投资28纳米工艺。2020年12月4日，中芯国际发布公告，旗下全资子公司中芯控股、大基金二期和亦庄国投订立合资合同以共同成立合资企业。公告显示，合资企业的总投资额为76亿美元，注册资本为50亿美元。12月17日，该合资公司中芯京城集成电路制造（北京）有限公司（以下简称“中芯京城”）正式成立，业务范围包括生产12英寸集成电路晶圆及集成电路封装系列；技术测试；集成电路相关技术开发、技术服务及设计服务；销售自产产品等。根据最初的公告，中芯京城也将从事发展及运营聚焦于生产28纳米及以上集成电路项目。项目将分两期建设，项目首期计划最终达成每月约100000片的12英寸晶圆产能，二期项目将根据客户及市场需求适时启动。2020年2月初，中芯京城项目正式签约北京，落地建设。据北京亦庄此前的消息，目前，中芯京城一期项目正在如火如荼地建设中，一期项目计划于2024年完工。众所周知，近期，中芯国际可谓好消息频出。首先，有消息传出美系主要半导体设备WFE在中芯国际14nm及以上制程的客服、备品与机台等相关出口申请有望获许可；随后，中芯国际宣布了与阿斯麦已经签订12亿美元的设备采购协议，涉及DUV（深紫外）光刻技术。如今，中芯国际又宣布建设12英寸晶圆厂，这一连串的利好消息不仅对中芯国际自身的发展具有重要意义，无疑也将进一步促进中国半导体产业的发展。

据TrendForce集邦咨询统计，2021年第四季前十大晶圆代工厂商产值合计达295.5亿美元，连续10个季度创新高。SEMI预计，全球晶圆产能今年将增长8%，2023年将增长6%。不过，业界对于代工产能是否长期存在供需缺口出现分歧，加上近期消费电子市场需求出现疲态，对晶圆产能过剩的担忧也开始浮出水面。全球晶圆厂和部分IDM厂商对于代工有足够的信心吗？晶圆厂公布新一轮扩产计划近半年以来，台积电、三星、联华电子（以下简称联电）、英特尔等主力代工厂商和IDM公布了新一轮扩产计划。台积电与索尼半导体于2021年11月共同设立日本尖端半导体制造公司，将采用12/16纳米FinFet制程工艺，交付55000片12英寸晶圆的月产能。三星于去年11月宣布，将耗资约170亿美元在美国德克萨斯州新建一座芯片工厂，将成为三星在美国有史以来最大的投资。联电于今年2月宣布，董事会通过在新加坡扩建一座崭新的先进晶圆厂计划，提供22/28纳米制程，第一期的月产能规划为30000片晶圆。英特尔于今年3月宣布将在德国建造大型芯片制造厂，作为其在欧洲投资800亿欧元建设半导体价值链的第一阶段工程。博世、铠侠也在今年第一季度分别宣布了在德国、日本的扩产计划。SEMI在最新发布的《世界晶圆厂预测报告》中指出，2022年全球前端晶圆厂设备支出预计将比去年同期增长18%，达到1070亿美元，首次超过1000亿美元大关。其中，晶圆代工厂的产线和产能增加是设备支出的主要来源，代表着代工产业对于增长的稳定预期。供给过剩状况轻微且可控对于建设新厂的动力，联电指出，由于5G、物联网和车用电子大趋势的带动，对联电 22/28纳米制程需求的前景强劲，因此新厂所扩增的产能也签订了长期的供货合约，以确保2024年后对客户产能的供应。新厂生产的特殊制程技术，如嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性内存、RFSOI及混合信号CMOS等，在智能型手机、智能家庭设备和电动车等广泛应用上至为关键。联电期望新厂能在满足这些市场强劲的需求上扮演重要角色，特别是协助纾解22/28纳米晶圆产能结构性的短缺。联电相关发言人向《中国电子报》记者表示，半导体结构性短缺源自三大趋势。一是5G手机出货强劲，每支手机的硅含量与4G手机相较增加三成以上。二是疫情引发在家工作及学习的新生活型态，带动PC出货大幅成长，这会是长期趋势。三是车用电子需求大增，电动车销售持续增加，每辆车采用IC数量大幅增加，导致车用芯片严重缺货。整体晶圆需求成长幅度大于产能增加速度的结构性问题难以解决。“全球大趋势推动而不断增长的晶圆需求，加上半导体产业结构性转变，成熟制程还是供不应求。”联电相关发言人向《中国电子报》记者指出。对于业界担忧的产能过剩问题，联电总经理王石在1月25日的法说会上表示，市场大趋势导致的需求依然强烈, 从供给方面来看, 根据已公开的扩产信息, 确实看到2023后, 有供给过剩的状况, 但这种供给过剩状况是轻微且可控的。“28纳米是许多应用的最佳选择, 而且更多需求会陆续转用28纳米, 因此28纳米需求会持续成长. 我们有扎实的28纳米在线产品, 且已与制程同步, 更基于市场大趋势, 已与世界领导厂商签订长约。我们八成, 我是指28纳米的扩充产能, 已获得订单保障。同时, 我们很乐观, 对于28纳米的成长确实有很高的期望。”王石说。扩产动力来自长期增长预期近期，多家市调机构和券商指出，由于俄乌局势和全球疫情，消费电子品牌的备货动力下降，半导体企业将面临库存修正甚至砍单。据CINNO Research统计，2月中国市场智能手机销量约2348万部，同比下滑了20.5%，环比下滑24.0%。CINNO Research表示，由于受到宏观环境影响，手机厂商开始降低市场预期和着手削减手机供应链订单。群智咨询在研报中表示，俄乌局势持续升级，加剧全球通货膨胀水平，发达国家开启加息周期，种种因素为未来的消费电子市场需求埋下不确定性，影响着终端品牌的市场信心。从彩电市场来看，头部品牌备货信心不足。有企业及分析机构认为，终端市场的缺芯情况将在今明两年有所缓解。有报道称，小米总裁王翔在3月22日的财报问答会上表示，今年芯片供应将恢复正常，全年来看，甚至会出现供大于求的情况，但是第一季度的挑战仍然非常大。摩根大通亚太TMT研究部联合主管Gokul Hariharan曾表示，半导体供需将在2023年重新达到平衡，甚至出现产能过剩。但业界人士认为，仅凭消费端判断半导体市场景气的视角过于单一。据媒体报道，力积电董事长黄崇仁表示，外资（机构）仅用手机、PC等单一产品线看市况，并未纳入车用等不同用途。虽然现在不像去年一样，大家（客户）都来敲门要产能，但晶圆代工厂产能还是满载，价格呈现稳定的态势。他强调，需求面不是只看单一产品来决定，也要综合服务器、车用等多元化市场。同样值得注意的是，数字经济的发展将持续提升电子产品的芯片含量，为半导体带来结构性的增长动力。芯谋研究高级分析师张彬磊向《中国电子报》记者指出，未来几年半导体增长的动力可以归结为两个提升。一方面是数量的提升，生活中各种产品都在电子化并不断提升含硅量；另一方面是质量的提升，各种芯片的性能都在不断提升，价值量也会随之增加。“汽车、市政基础设施、工业设施等IC含量都将大幅提升，尤其是智能化加速了所有产业电子化程度，只有电子化的产品才能与世界互动。”张彬磊说。“5G渗透率的提升，高速运算与传输在资料中心及伺服器的应用，汽车产业転型朝向电动化与智慧化，以及万物相连的互联网发展等等，这些产业长期正面的发展趋势促使头部晶圆厂不惜撒下重金继续扩产，以取得有利的战略位置。” Elvis Hsu表示。设备缺货有可能带来扩产挑战张彬磊也表示，设备产能不足是影响扩产速度的主要原因之一。此外，对国内企业而言，资金到位情况、研发团队稳定性等，也会对扩产进度造成影响。

全球半导体政策支持力度强化，台积电、英特尔、三星、美光等全球头部晶圆厂纷纷宣布扩产计划。2022年12月，台积电宣布在美国亚利桑那州建设二期项目，投资额高达280亿美元，计划制程3纳米。英特尔也宣布在美国俄亥俄州、亚利桑那州等低的晶圆建设项目，合计金额高达400亿美元，计划2024-2025年投产。全球半导体设备基本由美日荷三国垄断，目前国产半导体设备厂商在刻蚀、沉积、热处理、清洗、涂胶显影、量测、CMP、离子注入以及测试机、分选机、探针台等核心工艺环节已取得长足进步。机构指出，集成电路作为我国现代化产业体系的核心枢纽，关系国家安全和中国式现代化进程，我国已形成较完整的集成电路产业链，同时拥有庞大的芯片消费市场和丰富的应用场景，政策端来看，我国对于半导体设备自主化的支持力度有望持续提升，需求端来看，国内晶圆厂扩产带来的需求有望支持国内半导体设备企业持续快速成长，半导体设备作为半导体产业链本土替代焦点大有可为。据财联社主题库显示，相关上市公司中：联动科技半导体分立器件测试系统已大量应用于大功率器件和第三代半导体器件的测试，代表客户包括安森美集团、安靠集团、力特半导体、通富微电等。芯源微首台浸没式高产能涂胶显影机顺利运付客户现场，并完成了各项工艺验证及光刻机联机产能验证，机台与国际主流光刻机联机作业，完成了客户端十余款光阻、多层layer量产验证，数据均达到客户量产指标。

近日，沈阳市拓荆科技股份有限公司申请科创板上市获受理，同时披露了IPO招股说明书。据了解，拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务，其聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。 公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm 及以上制程集成电路制造产线，并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。招股书显示，拓荆科技是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD、SACVD 设备厂商，以前后两任董事长为核心的五名国家级海外高层次专家组建起一支国际化的技术团队，形成了三大类半导体薄膜设备产品系列，先后四次承担国家重大科技专项/课题，被中国半导体行业协会评为2016年度、2017年度、2019年度“中国半导体设备五强企业”。 值得注意的是，拓荆科技在招股书中透露，其产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，凭借长期技术研发和工艺积累，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。报告期内，公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。目前尚不清楚该国际领先晶圆厂是哪一家，我们将持续关注后续证监会的问询情况和披露情况。

据台媒经济日报报道，半导体业界传出，晶圆代工成熟制程指标业者近期陆续通知IC设计客户，短期内不会再调升成熟制程代工价格，终止自2020年底以来报价连六季上扬走势。随着报价出现「冻涨」讯号，晶圆代工成熟制程「史上最长多头行情」恐告歇。目前台湾主要晶圆代工厂当中，联电、世界先进、力积电都以成熟制程为主力，业绩与报价走势连动大。台积电营收获利与产品平均单价成长主要动能来自于先进制程领先，成熟制程则多为先进制程配套服务或是转向特殊应用，因此受成熟制程代工价格波动影响不大。晶圆代工成熟制程先前受惠于面板驱动IC、电源管理芯片、微控制器（MCU）、车用芯片等需求大增，联电、世界先进、力积电等业者价格涨不停，甚至破天荒传出IC设计厂不惜以「竞标」方式向晶圆厂加价要产能，拉出一波「连续六季报价扬升」的史上最长多头行情。业界分析，晶圆代工成熟制程报价传将冻涨，应与大尺寸面板驱动IC（DDI）、驱动暨触控整合芯片（TDDI）、非苹手机用电源管理IC市场需求转弱，导致库存上扬待去化有关。不过，晶圆代工厂不再涨价，不代表就是产能松动，尤其和车用相关的28／40／55／65／90纳米甚至0.13微米、0.18微米等仍非常吃紧。针对晶圆代工成熟制程报价冻涨传闻，联电回应，维持先前在法说会上释出，该公司2022年产品平均单价年增幅达14%至16%的看法不变。台积电一向不评论价格议题，台积电投资的世界先进也对价格议题不评论。数据显示，台积去年第4季营收来自28纳米营收约11%，其他成熟制程约26%，更大营收获利来源为5／7纳米带动产品均价，16纳米则为配合网通WiFi 6相关升级需求。业界研判，一旦晶圆代工成熟制程冻涨，主要反映在世界先进大尺寸驱动IC相关应用订单。力积电强调，先前客户都尚未签长约，但后来为了确保产能，都改签订长约，因此现在的价格以长约价为主。

当地时间11月23日，三星电子举行新闻发布会，宣布将在美国得克萨斯州的泰勒市新建一座晶圆代工厂。　　据国外媒体报道，该生产基地预计投资规模高达170亿美元（约合人民币1085.62亿元），是三星电子在美国的史上最大投资，拟于明年上半年动工建设，并于2024年下半年投入运营。　　业界预计，该生产线将基于5纳米及以下工艺制程，以生产5G、高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和元宇宙等领域的先进系统半导体。　　德克萨斯州州长格雷格阿博特（Greg Abbott）在宣布该计划的新闻发布会上表示，该项目将创造2000多个就业机会。而作为投资的回报，德州地方政府为三星提供了许多激励措施，包括在10年内免除90%的财产税等。2022年全球晶圆代工产能遍地开花　　事实上，自2019年下半年开始，全球半导体市场供需出现结构性转变，晶圆代工产能近两年来也因此呈现严重供不应求的状况。　　为了满足消费性电子产品、服务器、云端、物联网、电动车/自动驾驶、5G基站等带来的巨大需求，各大晶圆厂均宣布了扩产或新建晶圆厂计划。　　尤其是晶圆代工龙头厂商台积电和排名第二的三星电子，更是已经宣布了多项晶圆厂计划。其中，台积电将在台湾地区、日本和美国各建造一座晶圆厂，而三星也不甘落后，宣布了韩国和美国的建厂计划。　　据全球高科技产业研究机构TrendForce集邦咨询最新统计，2022年以后全球将新增12座完整的晶圆代工厂，集邦咨询分析师乔安指出，2022年-2023年，全球每年新增的晶圆代工产能将达100K-200K。

当地时间10月31日，ATREG宣布，安森美将爱达荷州波卡特洛的200毫米晶圆厂出售给洛杉矶半导体（LA Semiconductor）的交易已经结束。据悉，洛杉矶半导体是Linear ASICs Inc.的子公司，主要运营180mm晶圆厂，用于模拟、混合信号和电源产品。此外，根据外媒消息，由日本开发银行和伊藤忠商事支持的日本基金正在以超过200亿日元（约9.83亿人民币）的价格收购美国制造商安森美半导体（Onsemi）拥有的一家半导体工厂。报道显示，这家位于新泻的工厂将配备最新的生产设施，并于12月开始代工生产用于电动汽车（EV）的半导体。安森美半导体官网显示，其在新泻共有两个晶圆制造厂，为安森美半导体在2011年收购三洋电机集团所得，主要用于5英寸和6英寸的晶圆制造。据悉，该工厂通过了汽车质量认证，并符合IATF 16949(全球质量控制行业标准)的要求。目前，安森美半导体主要在新泻工厂生产BCD，BiCMOS，CMOS和半导体分立器件。早在2020年8月，安森美半导体就宣布，它正考虑出售其位于日本新泻县大谷市的新泻工厂。该公司表示，出售新泻工厂是其重组计划的一部分，该计划旨在优化其制造基础，并将重点更多地放在高度差异化的供电相关的电子元器件和传感器产品上。值得一提的是，此前，安森美已经卖掉了其位于美国缅因州南波特兰和位于比利时Oudenaarde的晶圆厂。近日，安森美半导体公布了其2022年第三季度业绩。财报显示，该公司三季度营收达到创纪录的21.93亿美元，超出市场预期，同比增长26%；归属于公司的净利润为3.119亿美元。

美国加州时间2022年3月22日—SEMI在其最新的季度《世界晶圆厂预测报告》（World Fab Forecast）中指出，2022年全球前端晶圆厂设备支出预计将比去年同期增长18%（YOY），达到1070亿美元的历史新高，这是在2021年激增42%后的连续第三年增长。SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示：“全球晶圆厂设备支出首次突破1000亿美元大关，是半导体行业的一个历史性里程碑。这是对不断增加和升级产能来应对各种市场和新兴应用的不懈努力的肯定，巩固了产业长期增长的预期，使电子产品能够满足数字世界的需求。”SEMI企业营销和市场情报团队的副总裁Sanjay Malhotra表示：“预计2023年全球晶圆厂设备支出将再次保持健康增长，将保持在1000亿美元以上。我们预计全球半导体产能将在今明两年保持稳定增长。”按地区划分的晶圆厂设备支出中国台湾地区预计将在2022年引领晶圆厂设备支出，投资同比增长56%，达到350亿美元，其次是韩国，达到260亿美元，增长9%，中国为175亿美元，比去年的峰值下降30%。预计欧洲/中东地区今年的支出将达到创纪录的96亿美元，虽然总额相对较小，但同比增长248%。中国台湾、韩国和东南亚预计也将在2022年实现创纪录的投资。报告显示，2023年美洲的晶圆厂设备支出达到峰值，达到98亿美元。产能继续扩大SEMI《世界晶圆厂预测报告》（World Fab Forecast）显示，在继2021年增长了7%之后，全球产能今年将增长8%，2023年将增长6%。晶圆厂设备上一次出现8%的年同比增长率是在2010年，当时每月产能为1600万片晶圆（8英寸等效）——大约是2023年预计每月2900万片晶圆（8英寸等效）的一半。2022年超过83%的设备支出将来自150家Fab厂和产线的产能增加，随着已知的122家Fab厂和产线的产能增加，预计明年这一比例将降至81%。正如预期的那样，foundry部分将在2022年和2023年占设备支出的50%左右，其次是memory，占35%。这两块占了产能增长的大部分。

3月24日消息，在当地时间周三前往美国参议院作证之前，芯片巨头英特尔首席执行官帕特基辛格（Pat Gelsinger）在接受采访时将半导体比作石油，并称在美国提高产量可以帮助避免全球性供应短缺危机。基辛格表示：“在过去的五十年里，石油储量决定了地缘政治关系。而在数字化的未来，晶圆厂（Fab）被建在哪里会变得更重要。让我们把它们建在我们想要的地方，在美国和欧洲打造新的制造中心。”晶圆厂是制造半导体的工厂，目前绝大多数芯片都在亚洲制造。在新冠肺炎疫情期间，半导体也始终供不应求，因为生产中断与电子产品(从智能手机到汽车再到洗衣机)所用芯片需求激增发生了冲突。在基辛格的领导下，英特尔积极推动芯片制造的地域多元化。最近几个月，英特尔宣布大规模投资，在美国和欧洲建造新的晶圆厂。英特尔去年还开始在亚利桑那州建设两家芯片工厂。在硅谷兴起早期，英特尔是一家影响力很大的公司，它也一直在敦促美国和欧洲官员支持相关立法，其中包括政府出资帮助提高半导体产量。在发表上述言论之前，基辛格正准备前往美国参议院作证，支持一项520亿美元的半导体行业补贴计划。他在随后的听证会上说：“我们已经把我们的芯片摆在桌面上，帮助美国重新夺回在工艺技术和制造方面的领导地位。我们计划今年在俄亥俄州的晶圆厂能破土动工，但这存在许多挑战，国会需要在那之前就《芯片法案》找到一条前进道路。我希望能够更快取得进展。”除了基辛格，美光首席执行官桑杰梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)、Lam Research Corp.首席执行官蒂姆阿彻(Tim Archer)和PACCAR Inc.首席执行官佩雷斯顿费特(Preston Feight)也都出席了听证会。这些高管与拜登政府一道敦促国会采取行动。几个月来，美国参众两院始终在就如何将各自不同版本的《芯片法案》结合起来而争论不休。该法案旨在增强美国在半导体领域的竞争力，并促进更多在国内生产芯片。不过，最终方案不太可能在5月底之前敲定。参议院多数党领袖查克舒默（Chuck Schumer）已经采取程序性步骤，开始与众议院进行谈判。基辛格并不是第一个将半导体比作石油的人。但他的言论变得更加引人注目，因为原油价格今年大幅上涨。他说：“尽管俄乌冲突并不是任何半导体供应链的核心，但它加强了地缘政治的不稳定性，以及围绕建立地理平衡（美国、欧洲和亚洲）供应链的紧迫性。所有的数码产品都需要半导体支持，我们必须把晶圆厂建在我们想要的地方。”

在全球仍未走出疫情与芯片荒的双重冲击背景下，全球最重要的半导体展会Semicon West北美会场内充分反映半导体业现时的喜乐与辛苦。半导体业的战略价值，如今充分彰显。正因如此，半导体业承受极端压力，要满足各类供料需求，要提供就业机会，还要保卫国家安全。美国半导体协会（SIA）总裁Ajit Manocha坦承，半导体业在非专业大众间的知名度从来没这么高。连他11岁的的邻居都会认出他是在电视上受访谈论芯片荒的专家。而政府也更积极介入芯片业的发展。观察美国现今的国内与国际政治现实，半导体制造能否真正回流美国，已是美国政府执政成绩重要的评判标准。美国政府与半导体业间关系从来没有现在这么紧密过。包括美国商务部与国家标准与技术研究院（NIST）等官方机构都积极与半导体业携手，要确保半导体制造业能重新茁壮。为了走出产能不足窘境，全球业界卯足了劲。根据Ajit Manocha的统计，在2020年到2024年间，总计将有25座8吋与60座12吋晶圆厂建成，投入晶圆制造。其中包括15座12吋厂在中国台湾，15座在中国大陆。届时全球8吋晶圆的产能将提高近两成，而12吋的产能更将会增加将近五成。根据半导体协会公布的最新数字，全球的半导体生产设备采购在2021年首次超过一千亿美元，中国大陆中国、台湾、韩国是三大市场。其中中国大陆延续它在2020年首次成为第一大半导体设备采购国的地位，而中国台湾则将在2022年与2023年重回首大买主的宝座。将目光转向汽车业，密西根大学专门研究汽车产业的机构更估计，由于芯片荒与其他相关供应链问题，整个汽车业少生产了七百七十万辆汽车。在此美国汽车市场处于两年来最低点之际，纯电动车与插电式油电混合车销售逆势分别呈现八成与1.6倍的高成长。这些新的「电力化」车辆大卖，代表半导体业需要持续研发更新的芯片大量满足电动车业需求。全球EUV极紫光刻机设备独家供应商ASML就在先进制造技术论坛议程中分享，新一代的EUV光刻机的光学次系统更为复杂，除了台积电、三星、英特尔三大买主之外，美、韩的记忆体芯片大厂也开始导入EUV设备至生产线。就在技术论坛会场旁不远的会议室，一场美国针对chiplet技术制定国家策略的闭门圆桌讨论随后进行。标示不仅台积电戮力发展相关的封装技术，美国的相关业者也意识到其重要性。半导体设计与半导体制造互为半导体业的左右两只手臂，缺一不可。在Semicon West在此讨论晶圆制造相关主题时，在一街之隔的Moscone Center会展中心西馆同时进行半导体设计自动化DAC展会，包括AWS及Cadence、Synopsis这些美国政府严禁销售其最新工具给中国大陆的厂商，则聚焦在设计相关的重要议题。这些正在兴建或行将兴建的85座晶圆厂是否会全部如期完成、投产，仍待观察。但是半导体制造的产能紧俏必将适度纾解。展望数年后，芯片荒会就此成为过去式？就算晶圆、芯片供货紧张让业界人士这两年备感压力，半导体业更大的挑战并不在产能不足。买来先进的战斗机、客货机后，更要有足够、合格的飞行员操作。举世大幅投资半导体设备后，人才是否足够将成为整个半导体业能否顺利成长的关键。在美国，光是吸引年轻一代修习科技工程数理学科仍没法满足需求，现在还要设法吸引退伍军人接受训练以转入半导体业，满足短程的人才缺口。用全球视野看，过去一直被视为丰沛人才库的亚洲也可能渐现不足。Ajit Manocha就在与分析师见面时说：以前亚洲一对夫妻生两个小孩，现在只有一个半。半导体业能否成长、回流的最终决定要素，可能还是人。或许这才是真正的「芯片荒」。

中国台湾业界预测，台积电第二季度的销售额可能会超过目标，因为客户的人工智能（AI）和高性能计算（HPC）相关订单源源不断。今年7月，苹果iPhone 16系列手机芯片和英特尔3nm芯片将开始量产。由于客户的强劲需求，台积电也在加速扩大产能，从而促进其半导体设备商合作伙伴的业务。台积电、英伟达和HBM（高带宽存储）领导者SK海力士，是AI时代的三大受益者。台积电带动众多供应链合作伙伴搭上人工智能的列车。台积电未来产能的爆发，也将带动半导体设备商发展。目前，台积电已宣布在美国亚利桑那州建立3座晶圆厂，其中第一座已于今年4月开始试生产4nm工艺，量产预计将于2025年上半年开始。第二座工厂将采用3nm/2nm工艺，以支持AI相关产品的强劲需求，预计2028年开始量产。至于日本熊本工厂，台积电第一座晶圆厂已完工，将于第四季度开始量产。熊本二厂也将于年内开始动工，计划于2027年量产。这两座工厂将生产40nm、12nm/16nm、6nm/7nm制程工艺。位于中国台湾的新竹Fab20和高雄Fab22厂，将生产2nm芯片，并计划于2025年开始量产；台中的AP5工厂将从事CoWoS封装制造，而嘉义的AP7工厂将致力于CoWoS和SoIC封装。在这一系列建厂计划推动下，台积电正积极采购晶圆厂设备，吸引全球供应链合作伙伴满足其需求。德国卡尔蔡司最近宣布投资3亿元新台币，在新竹科学园区建立首个创新中心，提供电子、光学和3D X射线显微镜技术的半导体测试解决方案。CoWoS设备供应商GPTC（弘塑科技）、Scientech（辛耘企业）和GMM Corp（均华精密工业）报告，他们的设备已全部预订完毕，新订单的出货时间定于2026年。

台积电和伙伴合资的首座欧洲晶圆厂，将于8月20日举办动土典礼。依据规划，台积电欧洲晶圆厂将于德国德勒斯登动土，将成为近年新增半导体大厂在欧洲投资创纪录最神速动土的一家。据了解，台积电董事长魏哲家将率团前往，包括上百名主管与员工与会；台积电协力厂与伙伴博世、英飞凌和恩智浦也将由高阶主管出席；德国官方代表与德国萨克森自由邦代表受邀出席。台积电是在2023年8月8日董事会后和博世、英飞凌、和恩智浦半导体共同宣布合资成立欧洲半导体制造公司（ESMC），预计采用台积电28、22奈米平面互补金属氧化物半导体（CMOS），及16、12奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程技术。依据规划，该德国厂月产能约4万片300mm（12吋）晶圆。藉由先进的FinFET技术，将能进一步强化欧洲半导体制造生态系统，且创造约2,000个直接的高科技专业工作机会。ESMC目标于2024年下半年开始兴建晶圆厂，并于2027年底开始生产。台积电德国厂隶属欧洲半导体制造公司旗下，欧洲半导体制造公司为台积电和客户合资，合资伙伴包括英飞凌、博世及恩智浦半导体等台积电的重要客户，各持有10%股权。该厂预定2027年底前开始营运，目标是满足欧盟希望在地化生产汽车与工业晶片的需求，厂址邻近博世的德勒斯登厂，距离英飞凌正斥资50亿欧元扩张的功率半导体厂不远。另外台积电8月15日公告，以171.4亿元新台币购买群创南科四厂，主要供营运与生产使用。群创同步公告相关资产处分案，估计卖厂收益约147亿元。外界预期，双方最快8月底完成交易相关作业。台积电并未对买下群创南科四厂用途多做说明，仅透过公告指出供营运与生产使用。业界认为，南科空置厂办已不多，台积电主要看准群创厂房离台积厂区车程仅五分钟，可能作为先进封装后续扩产备案、研发新型态封装后续导入量产的备案用地，甚至后续3奈米以下先进制程在南科扩充时的弹性用地等。台积电CoWoS先进封装需求持续强劲，先前在法说会表示持续扩产，期盼2025年供给吃紧缓解，2026年供需平衡，业界认为可能优先用于先进封装扩产规划，或更先进制程的备用后援基地。

台塑集团旗下DRAM大厂南亚科（2408）斥资3,000亿元新建12吋厂取得建照后，敲定6月23日举行动土典礼。这是台塑集团近十年来在科技领域最大手笔投资，也是未来抢搭下世代AI、5G、伺服器和元宇宙商机的重要一步。南亚科已向供应商与媒体发出动土典礼邀请函，仪式由台塑集团总裁王文渊亲自主持，凸显集团对此事的重视。台塑集团半导体事业布局广，除了南亚科之外，还有上游矽晶圆厂台胜科、载板厂南电、后段封测厂福懋科，发挥上下游垂直整合综效。南亚科在全球记忆体市占率约3%，规模是龙头三星的16分之1，在韩厂独大的状况下，南亚科以专注利基型记忆体为方向，并自行研发技术。根据南亚科规划，12吋新厂落脚新北市泰山南林科学园区，总投资额高达3,000亿元，目标2025年开始装机量产，采用10奈米制程技术生产DRAM，月产能约4.5万片，代表台塑集团正式迈向DRAM技术自主。南亚科积极投入自主技术研发，2020年初开发出10纳米级DRAM新型记忆体技术，同时确立下世代10纳米DRAM将采用自主研发技术，不再走授权模式。业界强调，DRAM技术自主化的开端，不仅是南亚科的重要里程碑，也是台塑集团在半导体布局上的另一个高峰。南亚科总经理吴嘉昭曾说，DRAM是所有电子产品智能化的关键元件，是半导体产业极为重要的一环，所以投资兴建先进晶圆厂，让南亚科不仅成为台湾的DRAM领导者，更是全球关键记忆体供应商。高度垄断的DRAM，美韩三大供应商供应了94%据icinsights报道，在过去的 30 年中，DRAM 市场的特点是经历了惊人的增长时期和多年的毁灭性崩溃（图 1）。最近几年，DRAM 市场在 2019 年下降了 37%，但在 2021 年飙升了 42%。在繁荣-萧条周期等多种原因的影响下，市场已将主要 DRAM 供应商的数量从 1990 年代中期的 20 家减少到只有 6 家今天。当中，三星、SK 海力士和美光这三大供应商在 2021 年共同占据了 94% 的 DRAM 市场份额（图 2）。去年，总部位于韩国的三星和 SK 海力士占全球 DRAM 销售额的 71.3%。凭借 44% 的市场份额，三星在 2021年仍然是全球最大的 DRAM 供应商，销售额达到近 419 亿美元。三星去年在多个方面推进了其 DRAM 业务。在 2020 年 3 月率先使用极紫外 (EUV) 光刻技术后，三星于 2021 年 10 月开始量产基于 EUV 的 14nm DRAM。在此过程中，三星将其最先进的 14nm DDR5 上的 EUV 层数从两层增加到了五层DRAM工艺。2021 年 11 月，三星表示已应用其 EUV 技术开发 14nm 16Gb 低功耗双倍数据速率 5X (LPDDR5X) DRAM，专门用于 5G、人工智能 (AI)、机器学习 (ML) 等高速应用大数据最终用途。该公司声称 LPDDR5X DRAM 提供高达 8.5Gbps 的数据处理速度（比现有的 6.4Gbps LPDDR5 设备快 1.3 倍），并且它的功耗比 LPDDR5 内存低 20% 左右。该公司还推出了其首款支持新的 Compute Express Link (CXL) 互连标准的 DRAM 内存模块，并推出了专为自动驾驶电动汽车和高性能信息娱乐系统设计的 2GB GDDR6 和 2GB DDR4 汽车 DRAM。排名第二且在 2021 年占据 28% DRAM 市场份额的是 SK 海力士，其 DRAM 销售额增长 39% 至 266 亿美元。DRAM 约占公司 2021 年半导体总销售额的 71%。其 DRAM 总销售额分成：服务器 DRAM，40%；移动 DRAM，35%；15% 来自 PC DRAM；消费和图形DRAM各占5%。2021 年，SK 海力士发布了据称是业界性能最高的 DDR5 DRAM，其数据速度能够每秒传输 163 部全高清电影。该芯片被称为 HBM3，因为它是海力士的第三代高带宽内存。与三星一样，SK 海力士也开始使用 EUV 光刻技术量产 8Gb LPDDR4 DRAM，其基于其第四代 10nm 级工艺，称为 1-alpha (1a nm) 工艺。美光是 2021 年第三大 DRAM 供应商，销售额为 219 亿美元。美光的 DRAM 销售额增长 41%，占全球市场份额的 23%。总体而言，DRAM 约占美光 300 亿美元日历年 IC 总销售额的 73%。2021 年，美光推出了其 1a nm 内存节点，该节点的设计部分是为了支持数据中心向 DDR5 DRAM 的过渡，受新 CPU 平台的推动，这些平台预计将在今年晚些时候开始爬坡，并在 2023 年获得发展势头。美光的 1a nm DRAM还应用于低功耗通信应用，包括 5G 智能手机。美光使用不需要 EUV 光刻的技术制造其 1a nm DRAM。然而，该公司已经订购了 EUV 设备，并计划从 2024 年开始使用其 1-gamma (1g) nm 节点过渡到 EUV 技术来制造其 DRAM。

SEMI World Fab Forecast 报告预计，2024年产能将增长6.4%，达到每月3000多万片晶圆。在政府的大力资助下，预计中国将在扩大半导体生产方面引领世界，预计2024年将有18家新晶圆厂开始生产。在2023年晶圆处理能力增长 5.5% 至 2960万 WSPM之后，晶圆处理能力大幅增长6.4%。随着针对人工智能（AI）和高性能计算（HPC）应用程序的处理器需求持续快速增长，英特尔、台积电和三星铸造在前沿逻辑方面的发展主要推动了这一扩张。SEMI预计，从2022年到2024年，将有多达82个新的晶圆厂上线，其中包括计划于2023年上线的11个项目和2024年雄心勃勃的42个项目。这些新设施将使用从100毫米到300毫米的一系列晶片尺寸和数十种成熟的前沿工艺技术，这表明整个半导体行业正在进行多样化的扩张。在政府资金和对芯片制造商的各种激励措施的支持下，中国准备引领这一扩张。2023年，中国芯片制造商的产能预计将同比增长12%，达到760万WSPM。这一增长预计将在2024年加速至13%，达到860万WSPM的产能。预计2024年，中国将有18家新晶圆厂开始运营。其他地区也在为全球芯片生产能力的提高做出贡献。台湾仍将是半导体产能第二大地区，预计2023年将增至540万WSPM，2024年将增至570万WSPM。韩国和日本紧随其后，韩国预计在2024年达到510万WSPM。美洲、欧洲、中东和东南亚也在为增长做准备，每个地区都将在2024年推出几个新的晶圆厂。（图片来源：SEMI）就半导体行业的特定细分市场而言，预计代工供应商将主导设备采购，2024年其产能将增至创纪录的1020万WSPM。尽管2023年的速度有所放缓，但包括DRAM和3D NAND在内的存储器段预计将逐渐增加容量。在汽车电气化的推动下，离散和模拟细分市场预计也将大幅增长，突显出全球半导体行业扩张的多样性和动态性。

美国加州时间2021年6月22日，SEMI季度《世界晶圆厂预测报告》World Fab Forecast强调，全球半导体制造商将在今年年底前开始建设19座新的高产能晶圆厂，并在2022年再开工建设10座，以满足市场对芯片的加速需求，包括通信、计算、医疗保健、在线服务和汽车。SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示：“随着业界努力解决全球芯片短缺问题，未来几年这29座晶圆厂的设备支出预计将超过1400亿美元。从中长期来看，晶圆厂产能扩张将有助于满足新兴应用（如自动驾驶汽车、人工智能、高性能计算和5G到6G通信）对半导体的预计强劲需求。”中国和中国台湾地区将在新晶圆厂建设方面处于领先地位，各有 8 个，其次是美洲有 6 个，欧洲/中东有 3 个，日本和韩国各有 2 个（图 1）。 2021 年和 2022 年，生产 300 毫米晶圆的晶圆厂将占大部分（15 个），届时将有 7 个晶圆厂开始建设。 计划在两年内建造的其余 7 座将是 100 毫米、150 毫米和 200 毫米晶圆厂。 这 29 座晶圆厂每月可生产多达 260 万片晶圆（8英寸等效）。 Figure 1: Projected fab construction starts按行业和技术划分的新建晶圆厂在2021年和2022年开始建设的29座晶圆厂中，有15座是晶圆代工厂，月产能为30,000至220,000片（8英寸等效）。内存部门将在两年内开始建设四个晶圆厂。这些设施将拥有更高的产能，每月可生产100,000至400,000片晶圆（8英寸等效）。在今年开始建造新晶圆厂的半导体制造商中，许多制造商要到2023年才会开始安装设备，因为在破土动工后需要长达两年的时间才能达到这一阶段，不过有些制造商最早可能会在明年上半年开始安装。SEMI《世界晶圆厂预测报告》中显示明年将有10座高产能晶圆厂开工建设，但随着芯片制造商宣布新设施建设，这一数字可能会攀升。该报告跟踪了2021年至2022年晶圆厂建设和晶圆厂设备的投资，以及产能、产品和技术。除了预计将在2021年和2022年开工建设的29座晶圆厂外，SEMI《世界晶圆厂预测报告》还追踪了8个可能在同一时期开工建设的低概率项目。

自从美国政府将华为列入黑名单以来，这家中国科技巨头在采购几乎所有种类的芯片方面都遇到了困难，因为它们都以某种方式使用美国技术。因此，为了避免美国施加的限制，华为一直在中国建立一个秘密晶圆厂网络，以满足其对商品逻辑、存储器、微控制器甚至功率半导体的需求，根据SIA的介绍（彭博社报道）。目前，华为的网络包括五个晶圆厂：深圳市鹏新旭技术有限公司的28nm/40nm逻辑晶圆厂；前福建晋华（又名福建晋华集成电路有限公司，JHICC）的内存厂，可以制造商品DRAM；深圳市昇维旭技术有限公司的晶圆厂，将生产用于汽车应用，消费电子产品和可穿戴设备的存储芯片；深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司专门生产图像传感器和射频芯片的晶圆厂；以及青岛思恩的晶圆厂，生产微控制器（采用28纳米-180纳米工艺技术）和电力电子器件，如MOSFET、BCD和IGBT。该网络不是台积电及其领先工艺技术的完美替代品——华为将无法在这些晶圆厂为PC、智能手机和服务器生产先进的ASIC、处理器或SoC——但它将使华为更容易采购用于各种应用的商品芯片，而不受美国的任何限制。

半导体硅晶圆大厂合晶7月3日宣布，响应地缘政治布局在两岸扩建的12英寸硅晶圆厂，可望在2025年底完成、2026年量产，迎接下波半导体荣景。合晶董事长焦平海受访时表示，合晶已走过半导体景气谷底，第二季度运营明显回升，虽然未呈现V型反转，却已重回上升轨道。耕耘中国大陆市场20多年的合晶，应地缘政治变化，去年同步在中国台湾彰化二林及河南郑州兴建12英寸晶圆厂，随着全球半导体区域布局陆续底定及进入量产阶段，硅晶圆下单量回升，去年下半年半导体修正期宣告结束。合晶总经理张宪元说，彰化二林厂将于2025年底完工，月产能20万片，主要供应包括台积电、联电、力积电和英飞凌、安森美、意法半导体等国际客户；郑州厂也预计2025年底至2026年完工，月产能20万片，主要供应大陆地区客户。焦平海表示，合晶为加强集团整体运作，配合今年2月上海合晶在中国大陆上市，公司将执行内部竞合分工策略，达成公司加速成长目标。 因应地缘政治，为接轨全球供应链，将朝市场差异化规划 产品技术差异化部分，会在既有8英寸及12英寸优势产品进行技术优化，提升产品质量和良率，降低成本，拉大与竞争者差距。合晶新产品技术资深处长徐文浩表示，合晶在化合物半导体也获得技术重大突破，将主攻应用最广的氮化镓磊晶领域，包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓等，并与策略伙伴共同开发氮化镓应用方案及特殊碳化硅基板技术，抢占新一代半导体新材料商机。此外，合晶转投资硅基氮化镓磊芯片和模组厂鸿镓科技，及瑞典碳化硅基氮化镓磊晶片厂SweGaN，卡位高频、高压电动车逆变器及电源管理芯片。焦平海强调表示，今年运营谷底已过，第二季度运营已明显季增，预期下半年可望稳定成长。

美国加州时间2021年9月14日，SEMI在其世界晶圆厂预测报告（World Fab Forecast report）中强调，继今年全球晶圆厂设备支出预估将达到900亿元之后，随着电子产品需求的飙升，在数字化转型和其他长期技术趋势的推动下，2022年前端晶圆厂的全球半导体设备投资预计将达到近1000亿美元的新高。新的晶圆厂设备支出记录将标志着从 2020 年开始罕见的连续三年增长，与以往一两年扩张，再一两年不温不火的增长或下降的历史周期性趋势完全不同。半导体行业上一次连续两年以上增长是在1990年代中期。到2022年，Foundry将占晶圆厂设备投资的大部分，支出超过440亿美元，其次是存储器部分，超过380亿美元。DRAM和NAND也都在2022年出现大幅增长，支出分别跃升至160亿美元和210亿美元。 明年Micro/MPU投资将超过80亿美元，discrete/power为30亿美元，analog为20亿美元。从地区来看，2022年韩国的晶圆厂设备支出将达到300亿美元，其次是中国台湾的260亿美元和中国大陆的近170亿美元。 日本将以近90亿美元的晶圆厂设备支出位居第四。 虽然欧洲/中东地区将以80亿美元排在第五位，但该地区预计到2022年将实现74%的强劲同比增长。在美洲和东南亚，支出预计将分别超过60亿美元和20亿美元。

世界先进和恩智浦半导体（NXP Semiconductors）6月5日宣布计划于新加坡共同成立VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC）合资公司，以兴建一座12英寸（300mm）晶圆厂。该晶圆厂投资约78亿美元，世界先进将注资24亿美元持有60%股权，恩智浦将注资16亿美元持有40%股权。此外世界先进和恩智浦承诺投入共19亿美元的长期产能保证金及使用费，剩余资金将由其他单位提供。世界先进提到，此合资公司将在获得相关监管机关核准后，于2024年下半年开始兴建首座晶圆厂，并预计于2027年开始量产。2029年，该晶圆厂月产能预计将达55000片12英寸晶圆，创造约1500个工作机会。同时，在首座晶圆厂成功量产后，合作双方将考虑建造第二座晶圆厂。据悉，此晶圆厂将采用130nm至40nm的技术，生产包括混合信号、电源管理和模拟产品，以支持汽车、工业、消费类电子及移动设备等终端市场的需求，相关技术授权及技术转移预计将来自台积电。VSMC首座晶圆厂将由世界先进运营。

步伐稳健迈入2024年下半年，上海凯世通半导体股份有限公司(以下简称：凯世通)持续发力，捷报频传！近日，公司成功斩获三家12英寸晶圆厂客户离子注入机采购订单，包括两家新客户新订单与一家重要客户重复订单。如今，公司的低能大束流离子注入机客户已超过10家以上，超低温离子注入机客户已突破6家。值得一提的是，此次签署订单的2家新客户均为国内工艺先进的12英寸芯片生产企业，客户在离子注入机设备的选择上，对性能、稳定性以及供应商的服务能力均设立了极高的标准。凯世通凭借先进的技术设备、创新的解决方案以及卓越的服务能力，通过了客户严格的技术考察与多重市场比较，最终斩获了客户的选择与青睐，为公司发展再添强劲动力。作为国产低能大束流离子注入机产业化的领军者，凯世通始终专注于为下游晶圆厂客户提供性能卓越、稳定可靠的量产型产品，覆盖逻辑、存储、功率、CIS四大应用领域。公司自主研发生产的低能大束流离子注入机和超低温离子注入机，已经率先通过了国内多家重点12英寸晶圆厂的严苛验证验收，并成功实现了产业化应用。在追求极致性能与效率的半导体赛道上，凯世通凭借其深厚的技术积累和创新能力，持续积累经验曲线，不断优化精进产品，因此持续赢得战略客户的重复订单以及新客户的新订单。目前，公司在12英寸集成电路离子注入机的订单量近60台，订单总金额近14亿，赢得了客户的广泛认可与信赖。在新产品研发方面，凯世通以市场需求和前沿技术为导向，除不断积极推动低能大束流离子机及高能离子注入机的客户应用，公司自去年开始研发投入多款面向细分领域的离子注入机，形成全系列的产品矩阵布局，包括SOI氢离子注入机、6/8吋SiC高温离子注入机、中束流离子注入机、超高能离子注入机等特色工艺设备，持续提升离子注入机重大装备自主可控水平，加速离子注入机在新工艺、新材料等领域的广泛应用。面向未来，凯世通将继续深耕离子注入机研发创新，不断拓宽市场应用，以卓越的产品为核心，以优质的服务为桥梁，不断提升客户满意度，在半导体产业蓬勃发展的浪潮中，以期为每一片晶圆注入强劲动能，助力客户在高端芯片制造的征途上加速前行，携手共创合作共赢的美好“芯”未来。

得益于远程办公、5G、物联网、汽车电动电子化对芯片的旺盛需求，2021年半导体产业得到快速发展，也带动了半导体设备市场的增长。测试设备尽管不如光刻机那么瞩目，却是每一道工艺都不可缺少的，其中既有面向前道工艺、先进制程的量检测设备，也有用于晶圆加工后封测环节的测试机、分选机、探针台等。高速增长的市场，以及日趋复杂化的需求也为本土测试设备的发展提供了难得的契机。投资大幅增长，市场规模将超80亿美元半导体量检测设备主要用于半导体制造过程中检测芯片的性能与缺陷，从设计验证、工艺控制检测，到晶圆测试、成品测试，贯穿整个半导体制造过程，以确保产品质量的可控性。上海精测半导体光学事业部总经理李仲禹表示，在IC制造行业，检测覆盖从硅锭到拉晶的基材制造，再到硅片切割、研磨的厚度、平整度、粗糙度、电子率量测等。在光刻工艺中，要检测层厚度、宽度和结晶度，以及图形位置准确性、图形缺陷、清洁度等。注入工艺中，要做浓度、氧化层、CVD检测。他指出，前道芯片制造有上千道工艺，每道工艺良率损失0.1个百分点，最终良率就只有36.8%，因此每个工艺环节的良率控制非常关键，这也是先进节点IC制造中检测所占比重越来越高的原因。2021年受新冠肺炎疫情影响，全球数字化浪潮加速，对芯片产品的需求快速提升，也带动了半导体设备市场的增长。以台积电为例，近两年不断在全球范围投资扩产。2020年5月，台积电宣布投资120亿美元在美国建设12英寸晶圆厂。2021年，台积电陆续宣布在中国大陆南京和日本九州熊本县的28nm扩产、投资计划，德国新厂的建设计划也在推进中。此外，台积电还在积极推进3nm及以下的晶圆厂建设，为先进工艺量产计划做准备。台积电总裁魏哲家表示，台积电将在未来三年投资1000亿美元，用于扩大晶圆制造产能和领先技术研发。半导体后道封测方面的产能扩张也很快，包括英特尔计划投资70亿美元扩大其在马来西亚槟城州先进半导体封装工厂的生产能力；Amkor计划在越南投资16亿美元建设封测厂；日月光投控旗下矽品将在中国台湾地区投资约28.9亿美元新建封测厂。国内三大封测龙头长电科技、通富微电、华天科技，也分别募集资金数十亿元投入封测领域项目。作为半导体设备中一个重要门类，测试设备的需求也水涨船高。SEMI数据显示，2020年至2024年，全球将新建或者扩建60座12英寸晶圆厂，同期还将有25座8英寸晶圆厂投入量产。从设备支出来看，2021年全球半导体设备销售总额首次突破1000亿美元，创1030亿美元新高，增长达44.7%。而就测试设备市场来看，2020 年全球半导体测试设备市场规模为60.1 亿美元，到2022 年预计将达80.3亿美元，年复合增长率达到16%。迭代加速，芯片测试进入复杂性时代市场规模增长的同时，半导体测试设备的复杂度也在提升。根据泰瑞达中国区销售副总经理黄飞鸿的介绍，半导体测试设备大致经历了三个阶段。1990年至2000年期间，半导体主流工艺基本处于0.8μm至0.13μm之间。这一阶段CMOS工艺蓬勃发展，SoC芯片功能越来越强。人们不断在芯片上集成模拟功能与数据接口。传统测试平台越来越难以覆盖新增加的高速模拟接口的测试需求。因此，这个时期对测试设备业来说，或可称为“功能时代”，主要体现为企业不断增加测试设备的功能性，以满足日趋复杂的SoC芯片需求。到了2000-2015年，半导体工艺一路从0.13μm、90nm、65nm、28nm进展到14nm，工艺越来越先进，芯片尺寸也越来越小，晶体管的集成度也越来越高。芯片规模变大带来的直接挑战就测试时间的延长，测试成本占比提高。如果说功能时代都是单工位测试，即同一时间只能测一颗芯片，那么进入这个时期人们对并行测试的要求就在不断提高了。测试设备板卡上面集成的通道数越来越多，能够同时做2工位、4工位、8工位的测试。这个时代也是资本最有效的时代，或可称为资本效率时代。进入2020年之后，半导体工艺沿着5nm，2/3nm继续演进，同时的芯片复杂度也在不断增加。随着5G、大数据、人工智能、自动驾驶等新兴市场的崛起，一颗芯片上承载的功能越来越多，产品迭代速度越来越快，甚至很多像AI和AP这样高复杂度芯片也要求进行逐年迭代。这意味着芯片测试的复杂度大幅递增。测试设备进一步分化，需要针对不同领域、不同要求进行调整。所以这个时代或可称之为复杂性时代。利扬芯片董事总经理张亦锋也指出，现在的芯片测试已经不是简单的功能测试，不光要回答芯片能不能用的问题，更要回答好不好用和能用多久的问题，由测试硬件和测试程序共同构建的测试解决方案已经是芯片产品竞争力的体现。同时，客户从测试环境、测试精度、测试监控、测试质量、测试成本等方面提出对系统级测试的更多要求。以射频（RF）和电源管理类模拟芯片为例，芯片测试已经不仅是发现哪些是好的，哪些是不好的芯片，而是首先要对它们进行trim（微调），然后再测试，这样可以大大提高产品良率。微调频率、电压、电流等工作达到整个RF设计时间的40%。随着芯片的工艺尺寸变得越来越小，trim也变得越来越重要和普遍。本土新机会，尤其关注先进封装测试需求市场的快速增长以及用户需求的复杂化为本土测试设备的发展提供了有利时机。张亦峰表示，首先应把握好本地市场的需求。测试设备市场2022年将维持高度景气。因为每一颗芯片都需要100%测试才能交付终端电子产品的使用。前端晶圆设备支出高速增长必将带来产能的扩长。有数据统计2021年中国晶圆产能增长了40%，未来2-3年扩产项目完全达产后将增长3倍，这势必带来晶圆测试和后端封装测试需求的同比增长。与全球市场相比，国内测试设备市场还处于发展初级阶段。在模拟测试机和机械手上有一定市场份额，但在高端测试机和探针台(Prober)设备基本可忽略。但这也意味着未来发展空间巨大。企业应以国内市场为基础，发挥高性价比、服务优质等优势把握机会，同时把产品逐步向全球市场拓展。其次，要抓住技术变革带来的新机会。黄飞鸿表示，随着芯片制造工艺持续演进对测试设备带来新的要求：一是更高的数据率下面怎么样保证测试的精度；二是随着工艺不断演进，芯片里面集成晶体管的密度是呈几何增加。量测设备涵盖从晶圆制造到封装等每道工艺，要求非常快速、准确、非破坏性将潜在缺陷找出来，重在工艺控制和能力管理。而技术的变化与需求的分化为新进入者提供了契机。本土厂商应抓住这样的机会，在多个细分产品领域实现突破，为客户持续的降本增效提供产品基础。此外，特别应关注先进封装市场的测试需求。黄飞鸿指出，未来半导体工艺演进有两个大的方向：一是沿着5 纳米、2 纳米、1 纳米继续往前走，但是这样演进已经越来越困难了。另外一条是走异构集成路线，如Chiplet（芯粒）就是在一颗芯片里面集成不同的模块，不一定每个模块都需要用到2纳米、3纳米的工艺。把不同功能的芯片在片上集成封装就是一条发展路径。这对测试及相关设备也提出了新的要求。张亦峰则强调，中国半导体产业历来重视前道晶圆制造和芯片设计产业的扶持。封装因为历史的原因率先得到长足发展。对测试产业以及测试设备产业则不够重视，已经凸显产业链发展的不平衡。目前情况下，中国测试设备企业应当抓住机遇，对标国际一流，在设备的稳定性、可靠性、一致性上努力专研下狠功夫，而不是仅仅追求成本最低。

美国加州时间2022年1月11日—SEMI在其季度《世界晶圆厂预测报告》（World Fab Forecast）中强调，全球前端晶圆厂设备支出预计将在2022年同比增长10%，达到超过980亿美元的历史新高，这标志着连续第三年的增长。在继2020年的17%增长以及2021年的39%增长之后，晶圆厂设备支出在2022将继续增长。该行业上一次连续三年增长是在2016年至2018年，再上一次的连续三年增长还是在20世纪90年代中期。SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示：“半导体设备行业经历了一段前所未有的增长期，在过去几年中，芯片制造商扩大产能，以满足各种新兴技术的需求，包括人工智能、自主机器和量子计算。”按领域划分的支出预计foundry部分占2022的总支出的46%，同去年相比增长13%，其次memory 占37%，同2021相比略微下降。在memory部分，DRAM的支出预计将下降，而3D NAND的支出将上升。微控制器（含MPU）的支出预计在2022年将大幅增加47%。Power相关设备预计也将强劲增长33%。按地区划分的支出预计韩国的设备支出将排在首位，其次是中国台湾和中国大陆，到2022年，中国台湾和中国大陆的设备支出将占所有晶圆厂设备支出的73%。在2021的大幅增长之后，中国台湾的FAB设备支出预计今年至少会增长14%。韩国的支出在2021年急剧增长，预计在2022将上升14%。预计中国大陆的支出将降低20%。欧洲/中东是2022年第二大消费地区，预计今年将实现145%的显著增长。日本预计将增长29%。

近日，第三代半导体龙头厂商科锐（Cree）公布了其最新财报，截至6月27日的2021财年第四季度财报，科锐营收略高于预期，达1.458亿美元，同比增长35%，环比增长6%。展望下一季度，科锐目标收入在1.44亿美元到1.54亿美元之间。同时，Cree首席执行官Gregg Lowe也再次确认，其位于纽约州马西镇的碳化硅（SiC）晶圆厂有望在2022年初投产，该厂于2019年开始建设，为“世界上最大”的碳化硅晶圆厂，将聚焦车规级产品，是科锐10亿美元扩大碳化硅产能计划的一部分，也是该公司有史以来最大手笔的投资。同日，科锐宣布与意法半导体（ST）扩大现有的多年长期碳化硅（SiC）晶圆供应协议。根据新的供应协议，科锐在未来几年将向意法半导体提供150毫米碳化硅裸片和外延片。△Source：科锐官网在工业市场，碳化硅解决方案可实现更小、更轻和更具成本效益的设计，更有效地转换能源以开启新的清洁能源应用。Gregg Lowe表示，我们与设备制造商的长期晶圆供应协议现在总额超过13亿美元，有助于支持我们推动行业从硅向碳化硅转型。市场迎来爆发期，厂商加速扩产碳化硅衬底材料是新的一代半导体材料，属于半导体产业的新兴和前沿发展方向之一，主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域。全球市场上，6英寸SiC衬底已实现商业化，主流大厂也陆续推出8英寸样品。根据公开信息，科锐能够批量供应4英寸至6英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底，且已成功研发并开始建设8英寸产品生产线。此外，今年7月27日，意法半导体就宣布，制造出首批8英寸SiC晶圆片。当前，全球碳化硅半导体产业市场快速发展并已迎来爆发期，国际大厂纷纷加大投入实施扩产计划，如碳化硅国际标杆企业美国科锐公司于2019年宣布投资10亿美元扩产30倍之外，而美国贰陆公司、日本罗姆公司等也陆续公布了相应扩产计划。此外，国内宽禁带半导体产业的政策落地和行业的快速发展吸引了诸多国内企业进入，如露笑科技、三安光电、天通股份等上市公司均已公告进入碳化硅领域；斯达半导3月宣布加码车规级SIC模组产线；而比亚迪半导体、闻泰科技、华润微等也有从事SiC器件，此外，天科合达、山东天岳等国内厂商也都走在扩产路上。

10月12日消息，今天美国针对中国大陆的半导体制造“设施”开发、生产或使用集成电路的限制规则正式生效。这也意味着美系半导体设备厂商将无法继续向中国大陆的半导体制造商供应半导体设备、零部件及技术支持。昨天的消息也显示，美系设备厂商在大陆晶圆厂的驻场人员已经于10日开始陆续撤离。SK海力士等外资厂商在大陆的晶圆厂也接到了相关美系半导体设备厂商的通知。不过，据韩联社今天的中午的报道称，韩国存储芯片大厂SK海力士与三星电子已经于美国当地时间10月11日获得了美国商务部的许可，两家企业可以在未来1年内无需办理任何额外的手续即可获得美系半导体设备的供应。因此，这两家存储芯片厂商位于中国大陆的晶圆厂的生产都将不会受到禁令的影响。根据美国此前于当地时间10月7日出台的新禁令，所有位于中国大陆芯片制造厂商，如果要采购16nm或14nm或以下非平面晶体管结构（即FinFET或GAAFET）的逻辑芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片、以及128层或以上NAND闪存芯片制造所需的美系半导体设备，都将被“直接拒绝”，而在这个“阈值”以下的设备供应仍需要获得美国的许可。对于三星、SK海力士、英特尔等在中国大陆设有晶圆厂的外资厂商，美国则表示“跨国公司拥有的半导体制造设施将根据具体情况决定”。据悉，目前三星和SK海力士正在升级其位于中国大陆的晶圆厂，需要进口众多的设备。资料显示，截止至2020年，SK海力士已累计在中国投资超过200亿美元，在无锡拥有4000多名员工，并于2019年完成第二工厂C2F的建设。随着C2F项目的持续推进，无锡工厂将承担SK海力士DRAM存储半导体生产总量将近一半的份额。此外，在2020年10月20日，SK海力士还以90亿美元收购了包括英特尔大连NAND闪存工厂在内的英特尔NAND闪存业务。但是，英特尔仍将继续保留其特有的傲腾业务。2021年12月22日，在获得中国政府审批后，SK海力士正式完成了对于英特尔NAND闪存业务的收购。不过目前，英特尔大连厂尚未完全交割。根据约定预计，双方将在 2025年3月份最终交割时，SK 海力士将支付剩余的20亿美元从英特尔收购其余相关资产，包括 NAND 闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及中国大连工厂的员工。今年5月16日，爱思开海力士英特尔DMTM半导体（大连）有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式。该项目将建设一座新的晶圆工厂，从事非易失性存储器3D NAND芯片产品的生产。另外，三星也正在持续推进西安高端3D NAND存储芯片项目的建设。该项目分为三期，一期项目总投资108亿美元，2014年5月竣工投产，月产能13万片；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。目前，二期第二阶段项目已于2021年年中建成投产。三星西安一期、二期项目存储芯片月产能各13万片。三星西安NAND存储生产基地产能占三星全球NAND Flash整体产能当中的占比高达40%。根据之前的规划，三星还将投资150亿美元建设西安三期项目，主要制造5G芯片和汽车芯片。正是因为SK海力士和三星的大陆工厂升级所需的设备较多，因此，每个案件的审批程序复杂，需要很长时间，因此，他们在与美国政府沟通后，一次性获得了所需的设备进口综合许可。这也使得此前三星和SK海力士疑虑的，需要根据个案逐案审查，可能造成的程序延迟等不确定性暂时得到了消除。SK hynix官方表示：“为了在中国大陆继续生产半导体产品，我们与美国进行了圆满的协商，今后将与政府一起与美国商务部密切协商，努力在遵守国际秩序的范围内运营中国大陆工厂。”另据芯智讯了解，英特尔位于大连的存储工厂（SK海力士收购后尚未完全交割）也获得了美国商务部的许可。一位美系设备厂商内部人员告诉芯智讯：“我们收到通知，英特尔大连厂已经获得了美国商务部的许可，我们已经可以继续向英特尔大连厂提供支持了。”不过，目前尚不清楚英特尔大连厂所获得的许可是否与SK海力士一样是为期一年的许可。另外据韩联社报道称，美国对SK海力士的许可措施似乎仅限于对现有工厂的升级，至于一年后是否会继续获得许可尚不得而知。据悉，美国政府的立场是，主要针对的不是现在进行中的项目，而更多的是针对未来的项目，后续将继续与韩方协商允许进口设备的程度。一位消息人士表示：“美国并不会无限期地给予许可，而是针对三星和SK海力士在升级中国当地工厂期间，为了避免进行复杂的逐案申请，所以给予了为期1年的许可。”另一位消息人士表示：“据我了解，此次措施是美国政府对三星和SK的具体项目给予全面许可的。”报道称，美国政府在准备出口管制措施的过程中就与韩国共享了内容，韩国政府为了不让三星和SK海力士在中国大陆工厂的运营出现问题，因此与美国方面进行了密切协商。韩方要求美方确保韩国企业在大陆正在进行升级的半导体制造项目不要出现问题。在双方的磋商过程中，美国政府也向韩国政府转达了“不会对跨国公司的半导体生产造成干扰”的立场。从美国的立场来看，如果出口管制要取得效果，自然是需要韩国这个半导体强国的协助，如果韩国企业在美国的制裁当中受到损失，韩国政府与美国政府的合作将会面临巨大压力。值得注意的是，目前美国正在积极推动与韩国、日本、中国台湾组建由美国领导的“芯片四方联盟”（Chip4）。虽然美国之前表示，该联盟旨在联合这几个在全球半导体产业链当中占据优势地位的地区，解决半导体供应链问题。但是，业界认为，美国组建Chip4的背后的意图是利用这一组织将中国大陆排除在全球半导体供应链之外。此前韩国也一直对此存有疑虑，希望避免针对中国大陆。那么为了让韩国、日本、中国台湾能够帮助美国更好的实现其围堵中国大陆的战略目标，美国自然会想办法拉拢他们，并且会避免在围堵中国大陆的过程中误伤到相关的海外企业。所以，美国在出台对华制裁新规之前就已经与韩国政府共享了内容，并第一时间给予了韩国相关企业以豁免。而在美国对华禁令的实施下，中国大陆的存储厂商发展大大受限，三星、SK海力士等存储巨头也将间接受益。

台积电在纳米制程世代技术命名为N系列，为应对未来进入埃米制程时代，技术命名转变为A系列，A16（1.6nm）是台积电第一个揭露的埃米制程节点。业界认为，未来台积电的中国台湾厂与美国晶圆厂将陆续导入埃米制程，将有利于台积电应对地缘政治问题，承接更多来自各地客户的订单，持续冲刺业绩。台积电资深副总暨副共同营运长张晓强（Kevin Zhang）透露，台积电最先进的A16制程预定2026下半年量产，将先在中国台湾投产。张晓强强调，台积电将和客户们一起合作，以晶圆代工模式帮助客户取得成功。张晓强说，台积电正在扩张全球制造足迹，进展非常顺利与快速，其中，美国亚利桑那州第一座厂生产4nm，将于2025年量产，并扩建第二座厂加规划后续第三座厂，持续将领先与先进技术推向台积电客户群最大的所在地北美，包括从4nm到3nm，乃至未来的2nm以下甚至A16（1.6nm）工艺。台积电持续扩张北美技术与产能之余，张晓强表示，台积电也正在日本与欧洲扩展专业制造技术服务，日本熊本晶圆厂进展顺利，预计今年下半年量产，并将最先进的车用微控制单元（MCU）嵌入式相关技术推向欧洲市场。在先进封装方面，台积电正评估多种选项，现在正与伙伴紧密合作以提高美国制造产能，甚至未来或许推向其他市场。张晓强在回应“摩尔定律已死”的议题时表示，他不在乎摩尔定律的存亡，在产业创新突破下，将改变过往狭隘定义的摩尔定律。当被问及台积电在渐进式工艺节点改进方面的成功时，张晓强澄清说，我们的进步远非微不足道。台积电强调，该代工厂从5nm到3nm级工艺节点的过渡导致每代PPA改进幅度超过30%。台积电继续在主要节点之间进行较小但持续的增强，以使客户能够从每一代新技术中获益。

ASDevices荣幸地宣布，TSMC已选择本公司为其新建的两个12英寸晶圆厂提供数十台气相色谱仪，这批仪器将应用于在线质量控制（CQC）和入料质量控制（IQC），标志着ASDevices近期产品被认证取得了重要成果，并预计将有更多重大项目落地。ASDevices总裁Andre Lamontagne表示：“获得台积电这样的行业领军企业的认可，是对我们团队和合作伙伴的极大鼓励。这一成就彰显了我们产品的质量与性能。”他补充道：“我们的团队不懈努力，开发尖端技术，并向客户展示其价值。我们的增强型等离子体放电（EPD）传感技术与创新的无泄漏专利PLSV阀门的结合，大幅提升了气相色谱仪的性能与可靠性。我们的气相色谱仪平台具备异步（并行）色谱分析等独特功能，使我们在行业中独树一帜。例如，我们在Ar/He中快速分析痕量N2的能力便是显著的技术突破。我们期待与该领域所有关键企业的进一步合作，特别是准备为台积电即将开展的项目提供更多仪器。”ASDevices将继续推进其战略，专注于为半导体行业的CQC提供关键检测技术。公司正加大研发投入，以扩展痕量传感技术的产品线。全球销售副总裁Frank Zhu表示：“我们正在积极开发一种用于超痕量O2和H2O检测的新技术，这将是我们产品的一次重大技术突破，进一步增强市场供给能力。”该新产品预计将在2025年初发布，作为我们到2025年底完成完整CQC检测套件战略的重要组成部分。凭借行业领先的技术，ASDevices正迎来快速发展机遇。这些技术不仅服务于氢气市场，还广泛应用于快速发展的半导体行业。ASDevices已成为行业权威，并成为从上海到英国等全球知名计量机构的首选合作伙伴。ASDevices的成功故事离不开首席执行官Yves Gamache的领导。作为知名的创新者与企业家，Gamache先生拥有180多项专利，并在过去三十多年中致力于气体分析领域的创新，推动ASDevices不断向前发展，为加拿大在这一领域提升了知名度和实力。加拿大素有研发强国之称，而ASDevices则是这一创新精神的又一典范。关于ASDevicesASDevices是一家国际公司，专注于在线和实验室气体分析技术及设备。凭借强大且高质量的解决方案，ASDevices帮助企业克服分析难题。公司的创始人和合作伙伴积累了30多年的气相色谱创新经验，在全球拥有180多项专利。ASDevices拥有所有自主研发的技术，是一家在燃料电池级氢气高难度检测领域具备所有关键在线气相色谱技术的公司，尤其在痕量硫分析技术方面处于领先地位。

近期，半导体晶圆代工市场可谓是“喜事连连”。一方面，英特尔、三星、联电等厂商纷纷公布财报显示，晶圆代工业务迎来利好；另一方面，台积电、世界先进的对外增资案也获得批准。多家厂商代工业绩表现亮眼当地时间8月1日，英特尔公布2024年第二季度财务业绩。数据显示，当季英特尔实现营收128亿美元，同比下降1%，低于市场分析师普遍预期的129.4亿美元。尽管总体营收不尽如人意，但在晶圆代工业务方面的表现却较好，数据显示，2024年第二季度，英特尔晶圆代工业务实现营收43亿美元，较2023年同期增长4%。图片来源：英特尔三星电子方面，三星负责半导体业务的数字解决方案（DS）部门二季度的销售额为28.56万亿韩元，同比增长94%，环比增长了23%。营业利润为6.45万亿韩元，同比扭亏为盈，环比暴涨237.7%。尽管三星并未公布二季度系统LSI业务的业绩数据，但其表示，该业务上半年的销售额创下历史新高。在晶圆代工方面，三星特别指出，由于sub-5nm技术的订单增加，AI和高性能计算（HPC）客户数量比上年同期增长了两倍。三星预测，其晶圆代工业务计划继续扩大AI/HPC应用的订单，目标是到2028年将客户数量比2023年增加四倍，销售额增加9倍。联电方面，受惠于消费性产品市场需求的显著增长，第二季晶圆出货量较前一季成长2.6%，产能利用率提升至68%。在WiFi无线网路和数位电视应用强劲需求的带动下，22/28纳米晶圆营收占比持续上升。世界先进公布的第二季财报显示，当季实现营收约为新台币110.65亿元，同比增长12.3%，环比增长14.9%，税后纯益为新台币17.98亿元，同比增长9.9%，环比增长41.4%。产能方面，受市场需求复苏影响，世界先进第二季晶圆出货量55.8万片，较上季增加约19%。世界先进预期，第三季晶圆出货量将季增约9%至11%。图片来源：世界先进除上述厂商代工业绩表现亮眼外，台积电对海外子公司50亿美元增资案和世界先进24亿美元增资新加坡建厂案亦于近日获得中国台湾地区经济部投审会的批准。同时，台积电德国12英寸晶圆厂开工时程似乎也提上了日程。今年来台积电逾180亿美元增资案获批对外增资方面，台积电以50亿美元的金额增资英属维京群岛TSMC GLOBAL LTD.，主要是从事一般投资业务。据悉，这并非台积电首次对TSMC GLOBAL LTD.增资。今年3月底，台积电对TSMC GLOBAL LTD.的30亿美元增资案被通过。值得一提的是，今年以来，台积电的多宗对外投资案均获得了台湾地区经济部投资审议通过，总金额逾180亿美元。除了80亿美元增资TSMC GLOBAL LTD.外，6月27日，台积电对日本子公司JASM的52.62亿美元以及对美国子公司TSMC ARIZONA CORPORATION的50亿美元增资案获得通过。其中，对美国子公司TSMC ARIZONA CORPORATION的50亿美元增资案将用于建设亚利桑那州12英寸晶圆厂（第二期）生产2纳米及3纳米制程。至于对JASM的增资，台湾地区投审司表示，52.62亿美元的金额将主要用于投资日本熊本二厂，这也是台积电首度对熊本二厂申请增资。据悉，台积电熊本二厂将于今年底开始兴建，预计2027年底开始运营，将生产6/7纳米、12/16纳米及40纳米制程技术产品。图片来源：拍信网此前，台积电熊本一厂已于今年年初正式启用，预计2024年底开始量产。TrendForce集邦咨询表示，该工厂未来总产能将达40~50Kwpm规模，其制程将以22/28nm为主，还有少量的12/16nm，为后续的熊本二厂主力制程作准备。在两座晶圆厂量产后，JASM熊本晶圆厂的总产能预计将超过10万片/月12英寸晶圆，为汽车、工业、消费电子和高效能运算（HPC）相关应用提供40纳米、22/28纳米、12/16纳米和6/7纳米的制程技术。作为全球最大的晶圆代工厂商，台积电目前正在加大产能扩充步伐。据德国《经理人》杂志7月30日报道称，其在德国德累斯顿的12英寸晶圆厂（ESMC）将于8月20日动工。报道称，该晶圆厂由台积电持股70%，合作方英飞凌和恩智浦各持股10%。将聚焦车用和工业用芯片，具体工艺为28/22nm平面CMOS、16/12nm FinFET等成熟制程，预计于2027年实现量产，月产能可达40000片12英寸晶圆。世界先进新加坡12英寸厂超五成产能获客户承诺7月29日，世界先进发布公告称，董事通过了总金额新台币63.53亿元的资本预算，筹得资金将用于转投资海外子公司，其中包含8英寸机器设备和相关厂务设备新台币2.41亿元以及12英寸机器设备新台币61.12亿元；世界先进同时表示，与恩智浦半导体于6月成立的合资公司VSMC董事会还决议向JTC公司取得新加坡Wafer Fab Park土地使用权资产。同时，为应对海外子公司的资金需求，世界先进还决议办理现金增资发行新股不超过2亿股，预计待新加坡12英寸厂投资案开始，再依照市场状况选择适当时机执行。图片来源：拍信网此外，世界先进总经理尉济时在近日在法说会上指出，2024年资本支出约新台币45亿元，较先前的38亿预估增加7亿，主要是反映厂房、建置规划的支出，其中约25%用于新加坡扩厂。据悉，世界先进与恩智浦半导体于今年6月初宣布将在新加坡成立合资公司VSMC，以兴建一座12英寸300mm晶圆厂。据悉，该晶圆厂投资金额约为78亿美元，计划在获得相关监管机关之核准后，于2024年下半年开始兴建首座晶圆厂，并预计于2027年开始量产。预计到2029年，该晶圆厂月产能将达5.5万片12英寸晶圆。同时，在首座晶圆厂成功量产后，合作双方将考虑建造第二座晶圆厂。该晶圆厂将采用130纳米至40纳米的技术，生产包括混合讯号、电源管理和类比产品，以支援汽车、工业、消费性电子及移动设备等终端市场的需求，相关技术授权及技术转移预计将来自台积电。6月底，世界先进发布公告称，VSMC董事会同意斥资1.5亿美元，向世界先进大股东台积电取得40～130纳米BCD等7项技术授权。尽管新加坡12英寸厂试产时间在2027年，但世界先进曾多次表示，目前已有超过5成以上的产能获得客户长期的承诺。市场法人预估，在已有过半产能掌握订单下，世界先进新加坡12英寸厂将在2029年开始贡献获利。

据珠海高新区消息，8月3日上午，格创华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。格创华芯半导体园区总投资33.87亿元，是格力集团为华芯半导体定制化开发建设的5.0产业新空间。此次实现设备进机的格创华芯砷化镓晶圆生产基地主体工程项目——华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线，主要生产化合物半导体微波集成电路（MMIC）及VCSEL 芯片，建成后将成为广东省内首家砷化镓代工厂，预计今年11月竣工验收并工艺通线、2025年上半年实现大规模量产。（来源：珠海高新区）据悉，格创华芯砷化镓晶圆生产基地被认证为广东省重点项目、珠海市产业立柱项目。该项目于2023年7月正式开工，仅用时184天便实现项目主体封顶。该项目以射频晶圆代工技术创新主导，面向通信领域核心市场。据珠海华芯微电子消息，华芯（珠海）半导体有限公司目前主营应用于光通信的VCSEL芯片，是全球第四家、国内首家以IDM模式实现25G&56G PAM4 VCSEL芯片大规模出货的厂商，产品广泛应用于传统数据中心和智能算力中心等新兴产业场景。2023年3月，格力集团出资1.5亿元，联合中芯聚源、深创投、华工瑞源、广发信德、中科创星、惠友资本、珠海高新创投、时代信创等产业投资机构、国有资本、社会资本，助力华芯（珠海）半导体有限公司完成A轮融资，并推动格创华芯砷化镓晶圆生产基地落地珠海高新区。珠海高新区作为珠海集成电路产业发展的主阵地，已聚集半导体与集成电路企业共87家、占全市73%，其中规上企业共52家，产业规模72.03亿元，拥有全志科技、航宇微、炬芯科技、光库科技、英诺赛科、鼎泰芯源、天成先进、华芯半导体、龙图光罩、集创北方、迈为技术、威兆半导体等知名半导体企业，已初步形成“设计-制造-封装测试"全产业链体系。