中束流离子注入 法国IBS

一、公司介绍

法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。

创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。

二、IMC 200离子注入机技术指标

应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。

注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。

注入能量范围：20-200KeV;可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev;

注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°

注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2

注入均匀性：片间1o<1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2);

真空度：离子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);

束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);

靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):

离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵;束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。

最大注入束流：11B单价离子:>600μA;

31P单价离子:>1500μA;

75As单价离子:>1500μA。

(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。

气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。

软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。

三、PULSION离子注入机技术指标

优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制;可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低;独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理;能够以较小的占地面积处理大型部件;工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高;可按照用户要求定制;有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺;工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。

原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。

应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳;提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能;改变表面理化性能如表面能、粘附性等;

提高生物相容性;逸出功工程;加氢，吸气;

用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构

加速电压：1 kV-10kV

标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)

标准注入时间：30 min -3 h

可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

注入部件尺寸：<400 mmx400 mmx200 mm

辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值<0.6μSv/h1

注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2

腔室idle气压：<5xE-6 mbar

设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型);2.15x2.15x2.3m(加大型)