日本CSC 高温高压光浮区单晶炉（常规）

高温高压光学浮区炉

 日本CSC司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10^-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。

技术规范

模型fz - t - 4000 h -八世(vpo)电脑

卤素灯的类型

灯镜数量:4片

灯:4盏

大气

压力

压力0.95 MPa

真空6.7×10-3 Pa (5×10-5 Torr)

密封轴与石英管采用o型圈密封

生长方法镜像舞台动作

Max。温度2200℃

正常使用温度1850℃

灯功率1200w (300W × 4个灯)

4,000W (1,000W x 4盏灯)

温差<30℃(沿晶体周长)

灯具冷却空气

镜面冷却空气

石英管密封部分进水

Max。生长长度150mm

上轴移动距离150mm

Max。进料杆长度200mm

镜台:缓慢移动0.01~300mm/hr

镜台:快速移动6~ 150mm /min

上轴慢动0.01~ 300mm /hr

上轴快速移动6~ 150mm /min

上/下轴转速5~ 100rpm

监控CCD摄像头和LCD

控制系统计算机LabVIEW / Windows 10(带远程控制功能)

手动Hand-Control-Box

输出电压稳定性:源电压+/-10%时，输出电压小于+/- 0.2%

大气气体流速

(流量计)

a. 5L/min Ar (*1)

b. 500cc/min O2

(* 1)

c. 10L/min带压缩机的空气

公用电力3相200V, 30A

水3 ~ 5 l / min

炉膛尺寸

主体700W×760D×1950H (mm)

控制箱605W×760D×1700H (mm)

备注:

1. 可选灯功率:150W / 500W / 750W

2. (*1)可改变其他类型的气体和流量。

3. 保修;

Crystal Systems Corporation保证自安装之日起一(1)年内有效，但以下情况除外

不正常使用。(1)灯(2)镜(3)石英管等玻璃器皿不在保修期内