磁光克尔显微综合测试平台

磁光克尔显微镜综合测试设备，显微磁畴空间分辨率优于0.5微米，磁光克尔角分辨率优于0.1毫度，支持极向克尔、纵向克尔、横向克尔三种磁光克尔效应测量方式。在追踪平面内数百万点的磁畴动态信息的同时，可搭配探针台实现电学、磁学、光学同步观测。广泛应用于磁学和自旋电子学领域中磁光克尔效应，磁滞回线，磁畴翻转或扩展动态等观测。

相较于传统的单点磁滞回线测量仪，磁光克尔综合测试平台，可以追踪平面内数百万点的实时磁性动态信息。结合该测试平台提供的直流探针，高频探针，样品的测试无比便捷。当下自旋电子学或磁学的研究，已经由磁性驱动的翻转，发展到了直流电流驱动、脉冲电流驱动、微波脉冲驱动、光驱动等一系列的激励源作用下的深度研究。

托托科技（苏州）有限公司提供的标准系统按照性能优先，稳定性优先的设计思路，可以满足实验室研究及工业生产中各种相关材料的测试需求。标准设备中提供了磁场激励、电流激励等多种选项，是客户在自旋特性研究中的得力测试平台。

更多的选项可以根据客户需求选择升级。

【产品特点】

l 智能照明系统

l 光源稳定且均匀

l 适配面内磁各向异性薄膜

l 高亮度（4倍于市场上产品） 

(a)面内磁各向异性样品，纵向-磁光克尔测试装置示意图。

(b)为样品Pt(4 nm)/Co (5 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转，磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。

(c)为样品的磁滞回线，纵坐标为归一化的磁光克尔信号，横坐标为面内扫描磁场。

(a)为样品Ta(4 nm)/CoFeB (0.7 nm)/MgO(2 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转，树枝状磁畴，磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。彩色环带表示磁畴壁，白色小箭头表示的是奈尔畴壁中磁矩方向，表示磁畴运动方向。

(b)为样品CoTb(6 nm)/SiN(4 nm)在零磁场附近出现迷宫畴以及孤立斯格明子磁泡结构(Skyrmions Bubble)，图中单个稳定的Skyrmions Bubble的尺寸为1μm。为研究基于SK-RM赛道存储器提供光学无损伤探测支持。

(a) M-H磁滞回线

(b) VAHE-H 反常霍尔回线

(c) Kerr-H 磁光克尔回线

CoFeB(0.8 nm)/Ta 样品，枝晶状磁畴结构

SiN/CoTb(6 nm)，迷宫畴，斯格明子磁泡结构