centrotherm   SiC和GaN退火及石墨烯生长
centrotherm   SiC和GaN退火及石墨烯生长

¥99万

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centrotherm Activator150

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欧洲

  • 银牌
  • 第5年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

仪器种类: 高真空快速退火炉

产地类别: 进口

样品尺寸: 6英寸

温度范围: 可在常压或者真空(控压)下工作

最高升温速率: 150 K/s

降温速率: 150 K/s

退火温度准确性: ±1度

退火温度均匀性: 95%

centrotherm   SiCGaN退火及石墨烯生长 Activator150

Activator150.png

centrotherm Activator 150 高温炉生产线专为硅-碳化合物(SiC)或镓-氮化合物(GaN) 设备的后植入烧结而设计开发。Activator 150 可用于多种类型炉体, 如研发炉和批量生产炉, 且处理灵活性高。centrotherm 的无金属加热装置的独特设计允许处理温度高达 1850 °C 同时缩短了工艺循环时间。由于占据空间小、购置成本低,所以 Activator 150 可实现生产具有成本效益。

 

特点:

高活化率

表面粗糙程度最小

温度最高达 1850°C

批量规模高达 50硅片(150mm

加热率最高达 150 K/min

通过SiH4可实现硅“过压

 

 

 

 

 

 

Centrotherm 小批晕生产用垂直炉管CLV200,科研专属

CLV200 小批晕生产用垂直炉管

I 适用于砫衬底的半导体集成电路的生产

 

centrotherm C LV 200 是一个独立的小批量晶圆 生产设备,能实现各项热处理工艺,适用于少量生产及 研发。

cent rot herm 工艺反应 腔体及加热系统有着独特的设计, zui高升温至 11 00 摄氏度。由于一炉尺寸较小(一批至多 50 片晶圆), CLV 200 炉管能提供 非常灵活的常压及低压工艺,降低顾客研发费用。

cent rot herm 的设计在高效, 低耗上非常出色, 同时也具备了生产各种半导体器件的工艺灵活性。

 

常压工艺退火

氧化

扩散LPCVD PECVD

 Zui高温度可达 11 00° C

净化间占用面积小 [1.6 m叮

批量生产 100 mm 至200 mm 晶圆售 一批最高可处理 50 片晶圆

全自动 cassette -to-cassette 传片


售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 技术人员现场培训

免费仪器保养: 2个月1次

保内维修承诺: 软件免费重装,硬件维修

报修承诺: 24小时到达

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退火炉centrotherm Activator150的工作原理介绍

退火炉centrotherm Activator150的使用方法?

centrotherm Activator150多少钱一台?

退火炉centrotherm Activator150可以检测什么?

退火炉centrotherm Activator150使用的注意事项?

centrotherm Activator150的说明书有吗?

退火炉centrotherm Activator150的操作规程有吗?

退火炉centrotherm Activator150报价含票含运吗?

centrotherm Activator150有现货吗?

centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长信息由北京亚科晨旭科技有限公司为您提供,如您想了解更多关于centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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