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台式三维原子层沉积系统ALD
原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的“纳米”技术,以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 | |
美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统,在小巧的机身(78 x56 x28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可最多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计, 使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%,而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现对高达1500:1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。 |
GEMStar XT 产品特点: * 300℃ 铝合金热壁,对流式温度控制 * 175℃温控150ml前驱体瓶,200℃温控输运支管 * 可容纳多片4,6,8英寸样品同时沉积 * 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体 * 标准CF-40接口 * 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件 * 等离子体辅助ALD插件 * 多种配件可供选择 | GEMStar XT 产品型号: GEMStar -4 XT: * 最大4英寸/100 mm基片沉积 * 单路前驱体输运支管, 4路前驱体瓶接口 * 不可升级为等离子体增强ALD GEMStar -6/8 XT: * 最大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积 * 双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口 * 可升级为等离子体增强ALD |
| GEMStar -8 XT-P: * 最大8英寸/200mm基片沉积 * 双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口 * 装备高性能ICP等离子发生器 13.56 MHz 的等离子源非常紧凑,只需风冷,最高运行功率达300W。 * 标配3组气流质量控制计(MFC)控制的等离子气源线,和一条MFC控制的运载气体线,使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。 |
丰富配件: | ||
多样品托盘: * 多样品夹具,样品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。 * 多基片夹具,最多同时容纳9片基片。
| 温控热托盘: * 可加热样品托盘,最高温度500℃,可实现热盘-热壁复合加热方式。 | |
尾气处理系统:
| 臭氧发生器:
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粉末旋转沉积罐模块: 配合热壁加热方式,进一步实现对微纳粉末样品全保型薄膜均匀沉积包覆。
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手套箱接口: 可从侧面或背面完美接入手套箱,与从底部接入手套箱不同,不占用手套箱空间。由于主机在手套箱侧面,反应过程中不对手套箱有加热效应,不影响手套箱内温度。
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应用案例
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