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常规尺寸： | dia100;单抛
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技术参数： | Si晶向：<100> Si掺杂类型：本征；不掺杂 Si厚度：0.6um +/- 0.06 um Si电阻率：> 100 ohm.cm Al2O3基片：R plane with single flat Al2O3尺寸：dia100 x 0.53 mm 平面度（flatness）：10um 平行性（Parallelism)：20um 抛光情况：单抛Projected C-Axis: 45 degree +/- 2 degree 备注：可按照客户要求在C plane Al2O3上镀Si
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装 |
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