PECVD
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NRP4000 NPE4000

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美洲

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核心参数
仪器简介:
美国NANOMASTER公司PECVD(等离子增强化学气相沉积)系统能够沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)等。可选用射频(RF)、空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体(ICP)源。该公司采用先进技术和稳定可靠的设计为您提供多方位的服务。
 
 产品型号:

NPE-3000 桌面型PECVD系统
NPE-4000 立式型PECVD系统

技术参数:
详述说明:

1) 平板尺寸:8”

2) 源直径:5”或8”

3) 气体输入管数量:4(两个反应气,一个载气,一个排空管)

4) 源距平板的距离:2”或者可调

5) 真空:低于E-7Torr,200L/sec涡轮分子泵及3.5cfm机械泵组合

6) 最大平板温度:800℃

7) 射频电源供应:600W,13.5MHz

8) 射频偏压:300W,13.5MHz

主要特点:
可以提供 NRP-4000 反应离子刻蚀(RIE)和PECVD双系统。

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