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中国对锑相关物项实施出口管制,将带来这些影响

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分享: 2024/08/16 14:28:54
导读: 中国宣布对锑、超硬材料相关物项实施出口管制,旨在维护国家安全,符合国际通行做法。政策自2024年9月15日起实施。锑作为半导体领域的重要材料,我国实施出口管制具有重大意义。

继去年7月中国商务部决定对镓、锗相关物项实施出口管制之后,8月15日,商务部、海关总署联合发布公告,决定对部分锑、超硬材料相关物项实施出口管制。上述政策将于2024年9月15日起正式施行。

商务部新闻发言人表示,对锑、超硬材料相关物项实施出口管制系国际通行做法。中国借鉴国际做法,并根据自身需要,对有关物项实施出口管制,旨在更好维护国家安全、履行防扩散等国际义务。相关政策不针对任何特定国家和地区。出口符合相关规定的,将予以许可。中国政府坚定维护世界和平和周边地区稳定,保障全球产业链供应链安全,促进合规贸易发展。同时,反对任何国家和地区利用来自中国的管制物项,从事损害中国国家主权、安全、发展利益的活动。


锑:半导体领域的重要材料

锑(Sb),作为第五周期第ⅤA族的类金属元素,类金属元素,是一种银白色、易碎、易熔的结晶固体,导电性和导热性较差,加热时会升华。锑的主要应用包括制造合金、‌半导体材料、光伏材料、‌阻燃剂、‌化工原料等。

锑在半导体行业的应用,主要被用作化合物半导体材料、合金材料、半导体掺杂材料和热电材料等:

首先,锑可以作为化合物半导体材料。锑化合物半导体属于重要的第四代半导体材料,在开发低体积、轻重量、低功耗和低成本的下一代器件方面具有很大的优势,可以满足极其苛刻的应用要求。如锑化铟(InSb)和锑化镓(GaSb),都属于直接带隙半导体材料,具有禁带宽度较窄、电子迁移率高、量子效率高、响应速度和灵敏的红外响应的特点,在红外探测器、光电器件及高速电子器件中占据重要地位。特别是这些材料在红外光电器件中的应用,使得其在军事领域具备高度的战略价值。例如,锑化镓太阳能电池的高转化效率和低成本,使其备受关注,并推动了光伏材料的发展。

国内企业在锑化合物材料的研发和生产上取得了显著进展,如浩瀚全材、光智科技、有研新材等公司成功量产了高纯度的锑化镓和锑化铟晶圆,展示了中国在锑半导体材料领域的实力。

其次,锑也可以作为合金材料。比如锑铅合金,锑与铅形成的合金在制造半导体器件中用作电气接触材料,特别是在制造印刷电路板(PCB)和焊料合金中起到增强硬度和提高耐腐蚀性的作用。

第三,锑也可以作为半导体掺杂材料。锑可作为掺杂材料引入到硅和锗中,以调节其导电性。掺入锑原子后,硅或锗的导电性将增加,形成n型半导体(富电子半导体),这在制造各种电子器件时非常关键。

第四,锑也可以作为热电材料。锑与碲、铋等元素结合,形成的化合物(如碲化铋 (Bi2Te3))被广泛用作热电材料。这些材料可以在温差下产生电压,被用于热电发电器件和热电制冷器件。

从终端应用来看,锑在半导体行业的应用主要集中在红外光电器件、高速电子器件、热电材料等领域。随着技术的发展,锑及其化合物的应用前景广阔,特别是在高性能器件和新型材料方面。


锑的战略价值与国际地位

从全球储量来看,根据USGS的数据显示,截至2023年,全球已知的锑储量共有217万吨,其中,中国储量为64万吨,占比30%,排名第一,远超其他国家。从全球产量来看,中国同样占据主导地位,2023年全球锑矿产量为8.3万吨,其中中国产量为4万吨,占比为48%,贡献了全球近一半的锑矿产量。显然,中国是全球锑储量和产量最大的国家。鉴于锑在半导体及其军事应用中的重要性,中国政府对锑及相关物项实施出口管制,以维护国家安全和利益,这一举措被视为对欧美对华半导体出口管制的反制措施。

特别需要指出的是,由于锑在红外光电器件方面的应用很多被用于军事领域,因此,从2009年起,‌美国就将锑化物半导体相关的材料和器件实施了严格的出口控制。而‌美国对锑化物半导体技术的封锁和垄断,‌反映了其在高科技领域的重要性和战略价值。


中国对锑出口管制的具体措施与影响

商务部、海关总署联合发布的公告明确了锑相关物项的出口管制细则,包括锑矿及原料、金属锑及制品、锑的氧化物、有机锑化合物、锑的氢化物以及高纯度的锑化铟等。这些物项在未获得许可前,均不得出口。同时,公告还规定了出口许可的申请流程、审查标准及处罚措施,确保管制措施的有效执行。

中国对锑的出口管制,一方面将进一步提升国内锑产业的竞争力,促进相关企业的技术创新和产业升级;另一方面,也将对国际半导体市场产生一定影响,特别是那些依赖中国锑资源的国家和地区,可能需要寻求新的供应渠道或调整生产计划。

总体而言,锑作为半导体领域的重要材料,其战略价值不言而喻。中国作为全球锑储量和产量最大的国家,通过实施出口管制,不仅能够有效维护国家安全和利益,还将在国际半导体市场中发挥更加重要的作用。


[来源:仪器信息网] 未经授权不得转载

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作者:Jansky

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