HBM、先进封装利好硅晶圆发展

近期，环球晶董事长徐秀兰对外透露，AI所需的HBM内存芯片，比如HBM3以及未来的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆叠，层数从12层到16层增加，同时结构下面还需要有一层基底的晶圆，这增加了硅晶圆的使用量。

此前，媒体报道，AI浪潮之下全球HBM严重供不应求，原厂今明两年HBM产能售罄，正持续增加资本投资，扩产HBM。据业界透露，相较于同容量、同制程的DDR5等内存技术，HBM高带宽存储芯片晶圆的尺寸增大了35%~45%；同时，HBM制造工艺的复杂性导致晶圆的良率比DDR5低20%~30%。良率的降低意味着在相同的晶圆面积上，能够生产出合格芯片的数量减少，以上两个因素也意味着市场需要耗费更多硅晶圆以满足HBM的生产。

除了存储器之外，先进封装技术创新也对硅晶圆带来有利影响。徐秀兰表示，先进封装所需的抛光片也比之前要多，原因是封装变立体，结构制程也发生改变，部分封装需要的晶圆量可能会比过去多一倍。随着明年先进封装的产能开出，需要用到的晶圆数量将更加可观。

CoWoS是当前主流的先进封装技术，目前供不应求。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询数据显示，英伟达B系列包含GB200、B100、B200等将耗费更多CoWoS产能，台积电（TSMC）亦提升2024全年CoWoS产能需求，预估至年底每月产能将逼近40k，相较2023年总产能提升逾150%；2025年规划总产能有机会几近倍增，其中英伟达需求占比将逾半数。

业界指出，过去半导体先进制程发展，die size缩小，减少了晶圆使用量。如今，在AI推动之下，封装立体化，助力晶圆使用量的提升，进而助力硅晶圆产业发展。但要注意的是，硅晶圆迎来利好的同时，HBM、先进封装技术的发展对硅晶圆质量、平整度、纯度等方面提出了更高的要求，这也将促使硅晶圆厂商做出相应的调整，以应对AI大势。