芯恩“晶圆承载装置和半导体检测系统”专利获授权

天眼查显示，芯恩(青岛)集成电路有限公司近日取得一项名为“晶圆承载装置和半导体检测系统”的专利，授权公告号为CN221176194U，授权公告日为2024年6月18日，申请日为2023年11月10日。

背景技术

在半导体制程过程中，需要利用一种量测机台通过电容-电压特性曲线即CV特性曲线来检测晶圆的等效电容厚度(CET)、表面损伤(PDM)、表面势垒电压(VSB)、表面界面态密度(LI)等相关参数，以此来表征晶圆表面膜即介电质层的质量。晶圆检测仪(Semiconductor Diagnostics Inc，SDI)是利用电晕枪将电荷激发在晶圆即介电质层的表面，同时用非接触式振动探针来测量表面电压，并作CV特性曲线进而分析其晶圆表面膜的质量。

在SDI的实际量测过程中，如图1和图2所示，电晕枪10激发出的电荷11会打在放置在承载台12上的晶圆13的表面，但在晶圆边缘14处的部分电荷11会发生偏移，导致电荷11出现在晶圆边缘14外。晶圆边缘14因电荷11丢失容易引起漏电，从而导致量测数据异常。

因此，有必要提供一种新型的晶圆承载装置和半导体检测系统以解决现有技术中存在的上述问题。

现有技术中的电晕枪激发出的电荷在晶圆边缘处发生偏移的侧视示意图

电晕枪激发出的电荷在晶圆边缘处发生偏移的俯视示意图

专利说明

据专利摘要显示，本实用新型提供了一种晶圆承载装置和半导体检测系统，晶圆承载装置包括晶圆承载台和磁性件；晶圆承载台用于承载待检测晶圆；磁性件设有若干个，若干个磁性件间隔围设于晶圆承载台，磁性件由N极和S极相邻设置而成，任意一个磁性件沿顺时针围设方向或逆时针围设方向均为S极到N极排列，以使若干个磁性件形成环形磁场，待检测晶圆位于环形磁场内，磁性件利用环形磁场对电荷的洛伦兹力，使偏移于待检测晶圆的边缘外的至少部分电荷返回于待检测晶圆的表面。本实用新型避免了待检测晶圆的边缘处的电荷丢失，解决了电晕放电单元打到待检测晶圆的边缘处的电荷丢失而引起漏电，导致量测数据异常的问题。

本实用新型第一种实施例中晶圆承载装置的侧视示意图

本实用新型的实施例中电荷在待检测晶圆的边缘的俯视示意图