半导体&电子测试测量,投稿:kangpc@instrument.com.cn
6月17日消息,在半导体工艺进入7nm节点之后,EUV光刻机是少不了的关键设备,目前只有ASML能制造,单台售价10亿人民币,今年底还会迎来下一代EUV光刻机,价格也会大涨。
光刻机的分辨率越高,越有利于制造更小的晶体管,而分辨率也跟光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系,目前的EUV光刻机是NA=0.33技术的,下代EUV光刻机则是提升到NA=0.55。
根据ASML公司高管日前透露的消息,NA=0.55的EUV光刻机今年底会出货首个商用原型,2025年会正式量产。
他没有公布具体哪家公司会首发NA=0.55光刻机,但之前英特尔公司表示他们会率先使用下代EUV光刻机,已经巨资提前下单。
按照2025年出货的时间点来看,台积电、英特尔、三星的2nm级别工艺是赶不上的,最快也要到1.4nm工艺才能用上NA=0.55光刻机,未来生产1nm工艺则是不可少的设备。
伴随技术提升的还有售价,由于更加复杂、精密,NA=0.55的EUV光刻机价格大幅上涨,具体多少不确定,此前消息称不低于4亿美元,人民币接近30亿元了,是现在的2-3倍。
这还不排除未来正式商用的时候价格进一步上涨,毕竟还要好几年才能上市。
[来源:电子工程专辑]
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