俄罗斯将在2030年实现28nm芯片国产

据俄罗斯媒体报道，该国已经制定了庞大的芯片替代计划，希望在 2030 年前投资 3.19 万亿卢布，约合 2464 亿人民币实现 28nm 工艺的芯片设计及制造。

这个计划早在今年 2 月份就有了初步版本，内容非常庞杂，涉及到半导体产业的多个方面，从芯片设计到芯片制造，再到半导体人才无所不包。

在芯片设计上，俄罗斯计划启动重新设计国外开发的芯片，并将生产转移到俄罗斯及中国，预计在 2024 年实现所有领域 100% 的进口替代， 2030 年形成俄罗斯自己的技术产品组合，这个项目耗资大约是 1.14 万亿卢布。

基础性的芯片制造预计投资 4600 亿卢布，预计今年开始生产 90nm 工艺的芯片， 2030 年掌握 28nm 工艺生产——台积电早在 2010 年就量产了 28nm 工艺，不过考虑到俄罗斯的基础， 8 年后掌握 28nm 芯片生产并不算过分的要求，还是有可能实现的。

俄罗斯不仅重视芯片设计和制造，同样也会重点关注市场，预算中的 1.28 万亿卢布就是用于提高市场需求，计划 2030 年将俄罗斯电子产品在家庭中的覆盖率提升到 30% ，公共采购市场则要达到 100% 。

还有一个就是人才培养，这部分的投资预算是 3090 亿卢布，计划创建 400 个电子产品原型，开展 2000 多个研究项目，大学生的转化率从 5% 提升到 35% ，同时还要培育 1000 个以研究中心为基础的项目团队。