总投资160亿元 湖南三安半导体项目首批厂房投产点亮！

长沙晚报消息，6月23日，总投资160亿元、总占地面积1000亩的湖南三安半导体项目，迎来首批厂房投产点亮仪式。

报道引述业内评价称，作为湖南省的重点项目之一，湖南三安半导体项目将在长沙高新区建设形成集长晶、衬底、外延、芯片、封装测试于一体的全产业链项目，是全球第三条、中国首条碳化硅全产业链生产线，其产品可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等领域，这必将成为推动湖南新一代半导体及集成电路产业链发展的重大动力。

图片来源：长沙晚报

此前资料显示，湖南三安半导体项目总投资160亿元，主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地。具体而言，该项目将建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

据长沙晚报报道，湖南三安半导体项目于2020年5月9日在高新区打下第一根桩基，11个月后，41栋32万平方米的厂房拔地而起到喜封金顶，该项目的建设历程已然刷新“高新速度”甚至“湖南速度”。

报道称，长沙高新区坚持以“三智一芯”产业为主攻方向，全力建设功率芯片产业基地。目前长沙已引进了湖南三安、中电科48所(楚微半导体)、景嘉微、国科微等一批行业领军企业，在麓谷范围内已聚集长沙54%的功率芯片企业，初步构建形成了集芯片设计、材料、装备制造、工艺设计、封装封测等环节于一体的产业链条。

长沙高新区管委会主任郭力夫表示，下一步将重点发展硅基功率半导体和第三代半导体产业，建设国家级功率半导体创新中心，营造最优质的产业生态，将长沙高新区打造成国家功率半导体产业发展高地、第三代半导体材料及器件的全球制高点、国家功率半导体成套国产装备供应基地。