您好,欢迎访问仪器信息网
注册
北京艾飞拓科技有限公司(IONTOF中国代表处)

关注

已关注

银牌3年 银牌

已认证

粉丝量 0

400-860-5168转5050

仪器信息网认证电话,请放心拨打

当前位置: 艾飞拓 > 资料中心 > Qtac 100 型 低能离子散射能谱(LEIS) 产品彩页 中文

Qtac 100 型 低能离子散射能谱(LEIS) 产品彩页 中文

2022-04-22 16:02

浏览:77

分享:

资料摘要:

催化反应一般只发生在材料的最表层。低能离子散射谱(Low-Energy In Scattering ,LEIS)利用具有特定能量的惰性气体离子入射到样品表面,与样品表面的原子进行弹性碰撞。根据弹性散射理论,散射离子的能量分布与表面原子的原子量相关。通过对散射离子能量进行分析,就可以得到表面元素组分及表面结构的信息。低能离子散射谱所获得的信息来自样品的最表层,因而是研究表面成分、表面结构以及表面过程的强有力的手段。

下载本篇资料:

资料文件名:
资料大小
下载
Qtac彩页中文.pdf
2489KB

相关资料

M6 是 IONTOF 在 TOFSIMS 5 基础上开发的新一代高端飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)仪器,对一次离子源(LMIG)和质量分析器(TOF Analyser)进行了突破性的改进。 此外,在硬件方面还增加了 MS/MS 功能选项,重新设计了加热和冷却系统;在软件方面新增了多元统计分析(MVSA)软件包。其设计保证了 SIMS 应用在所有领域的卓越性能。 新的突破性离子束和质量分析器技术使 M6 成为二次离子质谱(SIMS)仪器中的耀眼光芒、工业和学术研究的理想工具。

北京艾飞拓科技有限公司(IONTOF中国代表处)

查看电话

沟通底价

提交后,商家将派代表为您专人服务

获取验证码

{{maxedution}}s后重新发送

获取多家报价,选型效率提升30%
提交留言
点击提交代表您同意 《用户服务协议》 《隐私政策》 且同意关注厂商展位
联系方式:

公司名称: 北京艾飞拓科技有限公司

公司地址: 西直门金贸大厦B1109 联系人: 高先生 邮编: 100044 联系电话: 400-860-5168转5050

主营产品:
友情链接:

仪器信息网APP

展位手机站