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IONTOF 低能离子散射谱LEIS Qtac

品牌: IONTOF
产地: 德国
型号: Qtac
样本: 下载
报价: 面议
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核心参数

产地类别: 进口

离子种类: 3He+, 4He+, 20Ne+, 40Ar+, 84Kr+

离子枪能量范围: 1,000 ... 8,000 eV

离子束流: 1 pA... 100 nA

最大离子束扫描范围 : 4 x 4 mm2

最小束斑尺寸(标准离子源): < 15 μm (< 20 μm for He)

最小束斑尺寸(高亮离子源): < 5 μm

灵敏度: (5 keV 20Ne+散射纯Cu样品) > 75,000 counts / nC

质量分辨率 (m/Δm): on Cu > 35 (FWHM);on Au > 35 (FWMH) 采用40Ar+

检测限: (for Au) < 100 ppm

产品介绍

低能离子散射谱 Qtac-100

催化反应一般只发生在材料的最表层。低能离子散射谱(Low-Energy In Scattering ,LEIS)利用具有特定能量的惰性气体离子入射到样品表面,与样品表面的原子进行弹性碰撞。根据弹性散射理论,散射离子的能量分布与表面原子的原子量相关。通过对散射离子能量进行分析,就可以得到表面元素组分及表面结构的信息。低能离子散射谱所获得的信息来自样品的最表层,因而是研究表面成分、表面结构以及表面过程的强有力的手段。

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ION-TOF公司的Qtac-100型低能离子散射谱仪采用新型离子收集器。

相比传统LEIS系统,灵敏度提高3000倍!


主要特点如下:

1、新型的全方位角离子收集器,可以收集样品表面特定区域的几乎全部反射离子。

2、超高的表面灵敏度,信息深度一般在3个原子层之内。

3、良好的定量特性。

4、离子源可以工作在高束流模式和分析模式之间切换,可以对样品进行清洁和溅射。

5、自动化的真空系统、完善的互锁装置,使操作更简单

6最表层原子定量分析。


低能离子散射谱(LEIS)的一个显著特点就是其超高的表面灵敏度和良好的定量性。相对于其他常见的表面分析手段,例如XPS 、 AES ,它最大的特点是可以把信息深度缩小到单原子层厚度。配合上深度剖析, 则可以实现从表面单原子层成分分布成像,到样品深度方向成分变化等多种测量。


应用:

1、可以与多种生长设备和其他分析设备集成;

2、可用于单原子层沉积过程和生长动力学研究;

3、可用于分析粗糙表面和绝缘材料分析;

4、可用于于材料催化性能研究;

5、可用于生物材料、半导体材料等性能研究。


image.pngQ-tac 应用实例


Q-tac 1.png

Qtac 系统实物




售后服务
保修期: 3年
是否可延长保修期:
现场技术咨询:
免费培训: 为实验室操作员免费进行原厂5天安装培训
免费仪器保养: 随巡检安排免费上门检查
保内维修承诺: 免费维修更换零部件(不包含耗材)
报修承诺: 7*24h免费电话,电话不能解决的48h内到达用户现场。
典型用户

用户单位

采购时间

采购数量

中国科学院山西煤炭化学研究所

2021/04/28

1

厦门大学

2012/04/17

1

复旦大学

2018/04/04

1

清华大学

2021/04/05

1

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IONTOF离子散射能谱Qtac的工作原理介绍

离子散射能谱Qtac的使用方法?

IONTOFQtac多少钱一台?

离子散射能谱Qtac可以检测什么?

离子散射能谱Qtac使用的注意事项?

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在半导体工业中,例如扩散阻挡层和高k栅介质层等超薄膜的制备越来越多地采用原子层沉积(ALD)技术。 通过测量能量损失,可以计算得到亚纳米精度的薄膜最小和最大厚度。通过分析渐增沉积循环次数时的深度信号变化,可以确定薄膜的生长模式。

电子/电气

2022/04/24

工商信息

企业名称

北京艾飞拓科技有限公司

企业信息已认证

企业类型

信用代码

91110108599658166Q

成立日期

2012-07-03

注册资本

3000000

经营范围

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北京艾飞拓科技有限公司(IONTOF中国代表处)为您提供IONTOF 低能离子散射谱LEIS Qtac,IONTOFQtac产地为德国,属于进口离子散射能谱,除了IONTOF 低能离子散射谱LEIS Qtac的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多离子散射能谱,艾飞拓客服电话400-860-5168转5050,售前、售后均可联系。

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