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核心参数
产地类别： 进口
离子种类： 3He+, 4He+, 20Ne+, 40Ar+, 84Kr+
离子枪能量范围： 1,000 ... 8,000 eV
离子束流： 1 pA... 100 nA
最大离子束扫描范围 ： 4 x 4 mm2
最小束斑尺寸（标准离子源）： < 15 μm (< 20 μm for He)
最小束斑尺寸（高亮离子源）： < 5 μm
灵敏度： (5 keV 20Ne+散射纯Cu样品) > 75,000 counts / nC
质量分辨率 (m/Δm)： on Cu > 35 (FWHM)；on Au > 35 (FWMH) 采用40Ar+
检测限： (for Au) < 100 ppm
低能离子散射谱 Qtac-100
催化反应一般只发生在材料的最表层。低能离子散射谱（Low-Energy In Scattering ,LEIS)利用具有特定能量的惰性气体离子入射到样品表面，与样品表面的原子进行弹性碰撞。根据弹性散射理论，散射离子的能量分布与表面原子的原子量相关。通过对散射离子能量进行分析，就可以得到表面元素组分及表面结构的信息。低能离子散射谱所获得的信息来自样品的最表层，因而是研究表面成分、表面结构以及表面过程的强有力的手段。
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ION-TOF公司的Qtac-100型低能离子散射谱仪采用新型离子收集器。 相比传统LEIS系统，灵敏度提高3000倍! | |
主要特点如下：
1、新型的全方位角离子收集器，可以收集样品表面特定区域的几乎全部反射离子。
2、超高的表面灵敏度，信息深度一般在3个原子层之内。
3、良好的定量特性。
4、离子源可以工作在高束流模式和分析模式之间切换，可以对样品进行清洁和溅射。
5、自动化的真空系统、完善的互锁装置，使操作更简单。
6、最表层原子定量分析。
低能离子散射谱(LEIS)的一个显著特点就是其超高的表面灵敏度和良好的定量性。相对于其他常见的表面分析手段，例如XPS 、 AES ，它最大的特点是可以把信息深度缩小到单原子层厚度。配合上深度剖析， 则可以实现从表面单原子层成分分布成像，到样品深度方向成分变化等多种测量。
应用：
1、可以与多种生长设备和其他分析设备集成；
2、可用于单原子层沉积过程和生长动力学研究；
3、可用于分析粗糙表面和绝缘材料分析；
4、可用于于材料催化性能研究；
5、可用于生物材料、半导体材料等性能研究。
Q-tac 应用实例
Qtac 系统实物
用户单位
采购时间
采购数量
中国科学院山西煤炭化学研究所
2021/04/28
1
厦门大学
2012/04/17
1
复旦大学
2018/04/04
1
清华大学
2021/04/05
1
IONTOF离子散射能谱Qtac的工作原理介绍
离子散射能谱Qtac的使用方法?
IONTOFQtac多少钱一台?
离子散射能谱Qtac可以检测什么？
离子散射能谱Qtac使用的注意事项？
IONTOFQtac的说明书有吗？
IONTOF离子散射能谱Qtac的操作规程有吗？
IONTOF离子散射能谱Qtac报价含票含运吗？
IONTOFQtac有现货吗？
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应用案例——半导体材料行业（4）
在半导体工业中，例如扩散阻挡层和高k栅介质层等超薄膜的制备越来越多地采用原子层沉积（ALD）技术。 通过测量能量损失，可以计算得到亚纳米精度的薄膜最小和最大厚度。通过分析渐增沉积循环次数时的深度信号变化，可以确定薄膜的生长模式。
电子/电气
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