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核心参数
产地类别： 进口
衬底尺寸： 见资料
工艺温度： 见资料
前驱体数： 见资料
重量： 见资料
尺寸(W x H x D)： 见资料
均匀性： 见资料
原子层沉积技术可沉积材料：
氧化物: Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, SnO2, RuO2, ZnO, SrTiO3等
氮化物: TiN, NbN, TaN, Ta3N5, MoN, WN, TiSiN, SiN等
单一物质: Si, Ge, Cu, Mo, W, Ta, Ru等
半导体材料: GaAs, Si, InAs, InP, GaP, InGaP等
原子层沉积系统可以广泛应用于:
半导体领域：晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。
纳米技术领域：中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。
技术参数：
1. 腔室专为R&D设计和优化，样品尺寸达直径4’’,支持扩展6‘’；
2. 反应腔温度可控范围：RT-350℃；
3. 前驱体源温度可控范围：RT-150℃；
4. 腔室处理压力可控范围：0.1-1.5 torr；
5. 源扩展多达5个；
6. 快速循环处理功能；
7. 气路最优化设计、腔体小型化设计；
8. 一分钟多达6-10；
9. 成熟的薄膜Recipes内置程序；
10. 触屏PLC控制；
11. 可配套手套箱使用；
12. 可配备臭氧发生器；
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企业名称
深圳市科时达电子科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
440300215081067
成立日期
2020-10-20
注册资本
100
经营范围
电子产品销售;光电子器件销售;半导体器件专用设备销售;第一类医疗器械销售;卫生用品和一次性使用医疗用品销售;国内贸易代理;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动),许可经营项目是:第二类医疗器械销售;货物进出口;技术进出口。
深圳市科时达电子科技有限公司
公司地址
深圳市光明区公明街道上村社区水贝北路大新华达工业园3号厂房203
客服电话
公司名称： 深圳市科时达电子科技有限公司
公司地址： 深圳市光明区公明街道上村社区水贝北路大新华达工业园3号厂房203 联系人： 林建军 邮编： 518127 联系电话： 400-860-5168转4967
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