关注
已关注
已认证
粉丝量 0
400-860-5168转4058
仪器信息网认证电话，请放心拨打
MDP少子寿命测试仪 | 掺杂样品的光导率测量
2023/06/15 15:43
阅读：63
分享：
方案摘要：
产品配置单：
MDPspot少子寿命测试仪
型号： MDPspot少子寿命测试仪
产地： 德国
品牌： Freiberg Instruments
面议
参考报价
联系电话
方案详情：
B（硼）和P（磷）的掺杂被用于微电子工业的许多应用，但是到目前为止，还没有一种方法可以在不接触样品并由于必要的退火步骤而改变其特性的情况下检查这些掺杂的均匀性。到目前为止的困难是，掺杂区域通常只有几微米的深度，而且掺杂的剂量非常低。MDP能够以高的分辨率来描述这些掺杂的样品，并能很好地区分不同的掺杂剂量。
在这种情况下，光导率或信号高度是检测掺杂物中不均匀性的敏感的参数。它在很大程度上取决于电阻率和少数载流子寿命本身。
在MDPmap和MDPingot设备中，可以集成4个不同波长的激光器。此外，还可以用不同的脉冲长度进行测量，从只有100ns的非常短的脉冲，即没有载流子扩散发生，到几个ms的脉冲长度，即载流子扩散到样品的深度。因此，通过改变激光波长和脉冲长度，有可能以不同的渗透深度进行测量。
图1：掺杂深度为2微米的P型掺杂剂
图2：不同P型掺杂浓度下的样品的光导率测量
在这种情况下，我们选择了脉冲长度为100ns的660nm激光器；因此，实现了大约4μm的穿透深度。图1显示了测量的Cz-Si样品中掺杂的P型掺杂剂，图2显示了如何通过光导率测量来区分不同的掺杂浓度。
下载本篇解决方案：
更多
应用分享 | TOF-SIMS在光电器件研究中的应用
光伏发电新能源技术对于实现碳中和目标具有重要意义。近年来，基于有机-无机杂化钙钛矿的光电太阳能电池器件取得了飞速的发展，目前报道的光电转化效率已接近26%。
半导体
2024/07/17
应用分享 | HAXPES∣多层结构器件界面的无损深度分析案例
XPS的探测深度在10nm以内，然而对于实际的器件，研究对象往往会超过10 nm的信息深度，特别是在一些电气设备中，有源层总是被掩埋在较厚的电极之下。因此，利用XPS分析此类样品，需要结合离子刻蚀技术。
半导体
2024/07/17
应用分享 | Bruker D6 PHASER对钨薄膜进行反射率应用分析
XRR是一种方便、快速的分析单层或多层薄膜和表面的方法，是一种纳米尺度上的分析方法，同时可实现无损分析。
材料
2024/07/17
应用分享 | 原位冷冻TOF-SIMS对斑马鱼RPE组织的生物成像
飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS），也叫静态二次离子质谱，是飞行时间和二次离子质谱结合的一种新的表面分析技术。因其免标记、高灵敏、多组分检测和高空间分辨成像等优势，为诸多生命科学问题的研究提供了重要的技术支持。
生物产业
2024/07/10
公司名称： 束蕴仪器（上海）有限公司
公司地址： 上海市松江区新桥镇千帆路288弄3号楼602室-1 联系人： 蒋健林 邮编： 201106 联系电话： 400-860-5168转4058
仪器信息网APP
展位手机站