AT-410 原子层沉积

Anric Technologies是由哈佛大学的研究人员创立的，旨在解决台式ALD工具市场的空白，专门致力于为小样品和低预算设计和优化的。

Anric 已经开发了几种新的薄膜工艺，包括最近获得专利的用于生长二氧化硅薄膜的混合ALD工艺。AT-410 设计灵感来自哈佛大学从事各种沉积工艺和设备应用时的观察。

技术参数：

基片尺寸：4英寸；

加热温度：25℃~350℃；

温度均匀性：±1℃；

前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；

前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；

PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏控制；

模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测

样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；

压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr

两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；

在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现;

氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟

高纵横比沉积，具有良好的共形性

曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；

预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；

简单便捷的系统维护及安全联锁；

目前市面上占地小，可兼容各类洁净室要求的系统；

可以为非标准样品而订制的夹具，如 SEM / TEM 短截线

原子层沉积ALD的应用包括：

1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；

2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；

3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；

4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；

5)纳米结构 (All ALD Material)；

6)生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；

7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；

8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；

9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO);

10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2);

11) OLED钝化层 (Al2O3);

12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；

14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2);

16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);

17)传感器 (SnO2, Ta2O5);

18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；