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爱发科费恩斯(南京)仪器有限公司
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反光电子能谱IPES专辑之原理篇
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无固体的电学、光学和化学性质深受其占据态（occupied state）和非占据态（unoccupied state）电子结构的共同影响。在半导体材料中，费米能级两侧的电子结构对杂质掺杂、能带调控以及器件的研发与应用至关重要，尤其是非占据态能级结构，它直接决定了电荷的转移和输运性能。虽然占据态的电子信息可通过光电子能谱，如XPS和UPS来解析，但由于非占据态没有电子填充，传统的光电效应方法无法有效获取其能带信息。
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薄膜深度分析之角分辨XPS: ARXPS原理
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无角度分辨X射线光电子能谱（Angle resolved XPS，ARXPS）是通过改变光电子起飞角，能量分析器检测到样品表面不同深度区域激发出来的光电子，进而得到样品化学信息的深度分布。ARXPS常用于对具有不同膜层结构的超薄膜样品进行分析，通常测试的膜层厚度要小于7.5 nm。
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AES俄歇电子能谱专辑之原理篇
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无AES主要于分析固体材料表面纳米深度的元素（部分化学态）成分组成，可以对纳米级形貌进行观察和成分表征。AES既可以分析原材料（粉末颗粒，片材等）均匀表面组成，又可以分析材料或特定产品表面缺陷如污染、腐蚀、掺杂、吸附、杂质偏析等，同时还具备深度剖析功能表征钝化层、掺杂深度、纳米级多层膜层结构等。
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UPS和LEIPS表征新型D-A型聚合物半导体的分子轨道能级和能隙
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无关键词：聚合物半导体、OTFTs、IPES(LEIPS)、UPS、HOMO/LUMO
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多层结构器件界面的无损深度分析案例
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无XPS的探测深度在10nm以内，然而对于实际的器件，研究对象往往会超过10 nm的信息深度，特别是在一些电气设备中，有源层总是被掩埋在较厚的电极之下。因此，利用XPS分析此类样品，需要结合离子刻蚀技术。显然，离子刻蚀存在择优溅射效应，特别是对于金属氧化物，会破坏样品原始的化学态，导致仅凭常规XPS无法直接对埋层区域进行无损深度分析。
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公司名称： 爱发科费恩斯(南京)仪器有限公司
公司地址： 江苏省南京市江宁区殷富街402号临港同策同心园1-108 联系人： 张伟 邮编： 211100 联系电话： 400-860-5168转3314
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