简介
PHI Genesis 500是最新一代配置了全自动多功能扫描聚焦X 射线光电子能谱,易操作式多功能选配附件,能够实现全自动样品传送停放,同时还具备高性能大面积和微区XPS 分析,快速精准深度剖析,为电池、半导体、有机器件以及其他各领域提供全面解决方案。
关键技术
易操作式多功能选配附件
全自动样品传送停放
高性能大面积和微区XPS 分析
快速精准深度剖析
为电池、半导体、有机器件以及其他各领域提供全面解决方案
简单易操作
PHI GENESIS 提供了一种全新的用户体验,仪器高性能、全自动化、简单易操作。
操作界面可在同一个屏幕内设置常规和高级的多功能测试参数,同时保留诸如进样照片导航和SXI 二次电子影
像精准定位等功能。
简单友好的用户界面
PHI GENESIS 提供了一个简单、直观且易于操作的用户界面,对于操作人员非常友好,操作人员执行简单的设置操作即可完成包括所有选配附件在内的自动化分析。
多功能选配附件
原位的多功能自动化分析,涵盖了从LEIPS 测试导带到HAXPES 芯能级激发的全范围技术,相比于传统的XPS 而言,PHI GENESIS 体现了前所未有的性能价值。
全面的优良解决方案:
高性能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多种其他选配附件可以满足所有表面分析需求。
多数量样品大面积分析
把制备好样品的样品托放进进样腔室后将自动传送进分析腔室内
可同时使用三个样品托
80mm×80mm 的大样品托可放置多数量样品
可分析粉末、粗糙表面、绝缘体、形状复杂等各种各样的样品
独一无二的可聚焦≤ 5μm 的微区X 射线束斑
在PHI GENESIS 中,聚焦扫描X 射线源可以激发二次电子影像(SXI),利用二次电子影像可以进行导航、精准零误差定位、多点多区域同时分析测试以及深度剖析。
大幅提升的二次电子影像(SXI)
二次电子影像(SXI)精准零误差定位,保证了所见即所得。卓越的5μmX 射线束斑为微区XPS分析应用提供了新的机遇。
快速深度剖析
PHI GENESIS 可实现高性能的深度剖析。聚焦X 射线源、高灵敏度探测器、高性能氩离子枪和高效双束中和系统可实现全自动深度剖析,包括在同一个溅射刻蚀坑内进行多点同时分析。
高性能的深度剖析能力
( 下图左) 全固态电池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地显示了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。
( 下图右) 在LiPON 膜沉积初期,可以看到氧从LiCoO2 层转移到LiPON 层中,使Co 在LoCoO2 层富Li 界面由氧化态还原为金属态。
角分辨XPS 分析
PHI GENESIS XPS 的高灵敏度微区分析和高度可重现的中和性能确保了对样品角分辨分析的卓越性能。另外,样品倾斜和样品旋转相结合,可同时实现角度的高分辨率和能量的高分辨率。
应用领域
主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材
料及器件领域。
用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料,其研发依赖于化学结
构到性能的不断优化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X 射线
光电子能谱仪,具有卓越性能、高自动化和灵活的扩展能力,可以满足客户的所有分析需求。
PHI GENESIS 多功能分析平台在各种研究领域的应用
电池 (AES + Transfer Vessel)
“LiPON/LiCoO2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”
Li 基材料例如LiPON,对电子束辐照敏感。
PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流(300pA)下快速获取AES 化学成像。
有机器件 (UPS / LEIPS + GCIB)
使用UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 测量能带结构
(1)C60 薄膜表面
(2)C60 薄膜表面清洁后
(3)C60 薄膜/Au 界面
(4)Au 表面
通过UPS/LEIPS 分析和Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。
半导体 (XPS + HAXPES)
半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成,它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析。为了从深层界面获取信息,例如栅极氧化膜下的GaN,使用HAXPES 是非常有必要的。
微电子 (HAXPES)
微小焊锡点分析
HAXPES 分析数据显示金属态Sn 的含量高于XPS 分析数据,这是由于Sn 球表面被氧化,随着深度的加深,金属态Sn的含量越高,正好符合HAXPES 分析深度比XPS 深的特点。
用户单位
采购时间
采购数量
华南理工大学
2022/12/23
1
复旦大学
2022/12/30
2
比亚迪中央研究院
2022/11/09
1
山东大学
2023/04/11
1
ULVAC-PHIX光电子能谱PHI GENESIS 500的工作原理介绍
X光电子能谱PHI GENESIS 500的使用方法?
ULVAC-PHIPHI GENESIS 500多少钱一台?
X光电子能谱PHI GENESIS 500可以检测什么?
X光电子能谱PHI GENESIS 500使用的注意事项?
ULVAC-PHIPHI GENESIS 500的说明书有吗?
ULVAC-PHIX光电子能谱PHI GENESIS 500的操作规程有吗?
ULVAC-PHIX光电子能谱PHI GENESIS 500报价含票含运吗?
ULVAC-PHIPHI GENESIS 500有现货吗?
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反光电子能谱IPES专辑之原理篇
固体的电学、光学和化学性质深受其占据态(occupied state)和非占据态(unoccupied state)电子结构的共同影响。在半导体材料中,费米能级两侧的电子结构对杂质掺杂、能带调控以及器件的研发与应用至关重要,尤其是非占据态能级结构,它直接决定了电荷的转移和输运性能。虽然占据态的电子信息可通过光电子能谱,如XPS和UPS来解析,但由于非占据态没有电子填充,传统的光电效应方法无法有效获取其能带信息。
半导体
2024/04/07
薄膜深度分析之角分辨XPS: ARXPS原理
角度分辨X射线光电子能谱(Angle resolved XPS,ARXPS)是通过改变光电子起飞角,能量分析器检测到样品表面不同深度区域激发出来的光电子,进而得到样品化学信息的深度分布。ARXPS常用于对具有不同膜层结构的超薄膜样品进行分析,通常测试的膜层厚度要小于7.5 nm。
半导体
2024/02/27
多层结构器件界面的无损深度分析案例
XPS的探测深度在10nm以内,然而对于实际的器件,研究对象往往会超过10 nm的信息深度,特别是在一些电气设备中,有源层总是被掩埋在较厚的电极之下。因此,利用XPS分析此类样品,需要结合离子刻蚀技术。显然,离子刻蚀存在择优溅射效应,特别是对于金属氧化物,会破坏样品原始的化学态,导致仅凭常规XPS无法直接对埋层区域进行无损深度分析。
半导体
2024/02/19
企业名称
爱发科费恩斯(南京)仪器有限公司
企业信息已认证
企业类型
有限责任公司(外国法人独资)
信用代码
91320115MAD1W8P23K
成立日期
2023-10-31
注册资本
500万人民币
经营范围
一般项目:实验分析仪器销售;仪器仪表销售;普通机械设备安装服务;机械设备销售;机械设备研发;电子、机械设备维护(不含特种设备);机械电气设备销售;货物进出口;电子产品销售;电子专用设备销售;新材料技术研发;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;技术进出口;进出口代理;销售代理;专用设备修理;通用设备修理;仪器仪表修理;电气设备修理;泵及真空设备销售;业务培训(不含教育培训、职业技能培训等需取得许可的培训)(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
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