核心参数
产地类别: 进口
衬底尺寸: S100: 可达100 mm / S200: 可达200 mm / S300: 可达300 mm
工艺温度: S100: RT - 400 °C / S200: RT - 350 °C / S300: RT - 350 °C
前驱体数: 可增加至6个
重量: 0
尺寸(W x H x D): S100: 585 x 560 x 980 mm / S200: 585 x 560 x 980 mm / S300: 686 x 560 x 980 mm
均匀性: Al2O3:<1% (1σ)
Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学,05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止,Veeco在ALD设备已有15年多的经验,全球已安装五百多台ALD设备。
方式: Thermal ALD (plasma option)
优势: 性能强,成本小,易于操作和维护
薄膜: 氧化物Al2O3, HfO2, La2O3, Li2O, Li7La3Zr2O12, LiFePO4, SIO2, TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O5, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS等
反应腔体大小: S100: 可达100 mm / S200: 可达200 mm / S300: 可达300 mm
设备尺寸: S100: 585 x 560 x 980 mm / S200: 585 x 560 x 980 mm / S300: 686 x 560 x 980 mm
操作模式: 连续模式(高速) / 曝光模式(超高深宽比)
功率: 115 VAC / 220 VAC,1900 W (不包含泵) (S300 2000W)
最强温度: S100: RT - 400 °C / S200: RT - 350 °C / S300: RT - 350 °C
沉积均一性: Al2O3:<1% (1σ)
循环时间: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C
兼容: 标准二端口,可增加至六端口。每一个源瓶均可放固态/液态/气态前驱体,可独立加热至200°C
阀门: 高速ALD阀门,10ms响应
前驱体源瓶: 独立可加热50ml不锈钢气瓶,可选择更大容量
载气/排气: N2,100SCCM
原位分析选项: 原位QCM, 原位椭便仪, 残余气体分析, LVPD, 批量生产, 集成手套箱等, 臭氧发生器, 批量生产, 自组装单层膜(SAMs)颗粒镀膜, 等离子体加强
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企业名称
香港电子器材有限公司
企业信息已认证
企业类型
私人股份有限公司
信用代码
09668219-000-05-24-6
成立日期
1985-05-09
注册资本
000000
经营范围
半导体设备代理
香港电子器材有限公司
公司地址
香港中区德辅道中71号永安集团大厦2802室
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