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原子层刻蚀 & 区域选择原子层沉积系统
近期向三星电子供货原子层刻蚀（ALE(Atomic layer etch)）和区域选择原子层沉积（ASD(area selective deposition)）设备.
设备由2个工艺模组和传送模组构成的 Cluster type ，工艺整合一体化程序.
拥有500℃以上高温及臭氧和等离子工艺能力,Z为开发半导体元件的次世代的设备.
ALE(原子层刻蚀)设备区别ALD(原子层沉积)设备是一款可利用原子层单位刻蚀沉积膜的设备,ASD(区域选择沉积)区别ALD(原子层沉积)则是选择性指定区域原子层沉积的设备.
目前很多学校,研究所以及企业采用ALE和ASD工艺积极研发未来前端集成元件.
期待ALE/ASD设备对未来半导体前端技术发展有较多的贡献.
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