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采用热扫描探针光刻和激光直写相结合的方法快速制备点接触量子点硅基晶体管

2019/02/22 13:22

阅读:303

分享:
应用领域:
半导体
发布时间:
2019/02/22
检测样品:
其他
检测项目:
器件制备
浏览次数:
303
下载次数:
参考标准:
N/A

方案摘要:

1、高分辨和高直写精度 (XY: 高可达10nm, Z: 1nm)以及高直写速度(20mm/s 与EBL媲美); 2、实时形貌探测的闭环刻写技术; 3、无需标记拼接与套刻; 4、避免对基底材料的损害; 5、使用和维护成本低,易操作.

产品配置单:

前处理设备

3D纳米结构高速直写机

型号: NanoFrazor Explore

产地: 瑞士

品牌: Swisslitho

¥400万 - 500万

参考报价

联系电话

方案详情:

制造高品质的固态硅基量子器件要求高分辨率的图形书写技术,同时要避免对基底材料的损害。来自IBM实验室的Rawlings等人利用SwissLitho公司生产的3D纳米结构高速直写机NanoFrazor,结合其高分辨热探针扫描技术和高效率的激光直写功能,制备出一种室温下基于点接触隧道结的单电子晶体管(SET)。

利用扫描探针可以确定最佳焦距下的Z向位置,同时确定扫描探针和激光直写的位置补偿,研究人员在兼顾高分辨和高效率书写条件下得到小于100nm的精确度。利用CMOS工艺兼容几何图形氧化流程,研究人员在N型简并掺杂(>1020/cm3)的绝缘硅基底上制备出该SET器件。所研究的三种器件的特性主要由Si纳米晶和嵌入SiO2中的P原子所控制,进而形成量子点(QDs)。量子点上电子尺寸微小且局域性强,保证了SET在室温情况下的稳定运行。温度测量结果显示在100 – 300 K的范围内,电流主要由热激发产生,但在<100K时,主要以隧道电流为主。

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