2024/08/16 13:59
阅读:1
分享:方案摘要:
产品配置单:
inTEST 高低温冲击热流仪 ATS-710E
型号: inTEST ATS-710E
产地: 美国
品牌: inTEST- Temptronic
面议
参考报价
联系电话
方案详情:
功率半导体器件普及到生活中的每一个角落,随着应用环境的复杂多样化,功率半导体器件在使用过程中常常出现失效,较为普遍的一种失效是由温度导致失效,器件工作时,温度过高与失效率呈指数形式不断增长,其对器件的结构及电性参数的损坏不断加剧。
国内某知名企业应用于MOSFETMOS管、场效应管、TO封装等器件的高低温冲击测试,要求温度范围-50℃~150℃,且要求对单独器件进行高低温测试,经上海伯东推荐采用美国inTEST高低温测试机ATS-710E搭配测试机进行系列测试。
inTEST 高低温测试机的主要作用就是为功率半导体器件提供实时的温度环境,通过将功率产品连接接到专用信号检测仪, 设定需测试的温度如 -50℃ 至 150℃ , 在进行高低温冲击测试中,实时监控如电流、运行频率,功耗等特性。另外也通常会持续采用低温、常温及高温循环,检测器件是否会出现短路或断路,从而确保器件允许的高低环境等。
Temptronic ThermoStream ATS-710E-M 高低温测试机,温度测试范围:-80°C 至 +225°C,每秒可快速升温/降温 18°C,与传统高低温试验箱对比,inTEST ThermoStream 高低温测试机主要优势:
1、变温速率更快
2、温控精度:±1℃;
3、实时监测待测元件真实温度,可随时调整冲击气流温度
4、针对PCB电路板上众多元器件中的某一单个IC(模块),可单独进行高低温冲击,而不影响周边其它器件
5、对测试机平台load board上的IC进行温度循环 / 冲击;传统高低温箱无法针对此类测试。
6、对整块集成电路板提供精确且快速的环境温度。
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络
上海伯东: 罗女士
上海伯东版权所有, 翻拷必究!
下载本篇解决方案:
更多
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于制作闪耀罗兰光栅
长春某研究所在制作闪耀罗兰光栅的研究中采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE,制造出的闪耀罗兰光栅比其他工艺制造的光栅产品整体衍射效率高25%, 实现高衍射效率闪耀罗兰光栅制作, 且工艺可控、稳定, 所制作的闪耀罗兰光栅衍射效率高于市场同类产品.
材料
2024/08/16
上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀
深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主
材料
2024/08/16
伯东NS 10 IBE离子束刻蚀机用于物理量传感器(MEMS)加工
上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。
半导体
2024/08/16
上海伯东IBE离子束刻蚀用于铌酸锂LiNbO3薄膜刻蚀
随着基于铌酸锂LN的光源、光调制、光探测等重要器件的实现,铌酸锂LN光子集成芯片有望像硅基集成电路一样,成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台,在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。 由于铌酸锂LN的特殊化学性能,IBE离子束刻蚀+EBL电子束曝光是最优的解决方案。
材料
2024/08/16