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伯东NS 10 IBE离子束刻蚀机用于物理量传感器(MEMS)加工

2024/08/16 15:19

阅读:1

分享:
应用领域:
半导体
发布时间:
2024/08/16
检测样品:
传感器
检测项目:
浏览次数:
1
下载次数:
参考标准:
/

方案摘要:

上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。

产品配置单:

前处理设备

伯东离子蚀刻机 IBE

型号: IBE

产地: 日本

品牌: 日本NS

¥150万 - 200万

参考报价

联系电话

方案详情:

       上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。


伯东研制生产的NS 10 IBE系统可以满足4寸及以下样品的IBE刻蚀,通常应用于以下刻蚀材料:



NS 10 IBE设备技术参数如下:

基板尺寸

4寸

样品台

干式橡胶卡盘+直接冷却(水冷)+0-±90 度旋转

离子源

考夫源Well-2100(栅网φ100mm)

均匀性

≤5%(4寸Si晶圆)

刻蚀速率

20nm/min (Si晶圆)

真空度

1E-3Pa(45min内)

真空系统

日本KASHIYAMA干泵+德国普发分子泵


NS 10 IBE设备刻蚀速率如下:


NS 10 IBE刻蚀数据:



伯东离子蚀刻机主要优点
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.



伯东离子蚀刻机应用领域



上海伯东是德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络

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