2024/08/16 15:07
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伯东离子蚀刻机 IBE
型号: IBE
产地: 日本
品牌: 日本NS
¥150万 - 200万
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方案详情:
在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
应用 | 器件 | 刻蚀材料 |
磁性器件 | 磁头,磁流变传感器,其他硬碟磁头,磁流变/磁流变传感器,自旋电子器件 | Ni-Fe, Ni-Co, Co-Fe 电极层(Ti/Pt/Au) |
传感器 | Pt薄膜热传感器,红外传感器,燃油质量传感器,空气流量传感器,应变传感器 | NiCr, PZT, W, Ta 电极层(Ti/Pt/Au) |
射频器件 | 射频滤波器,GaAs/GaN HEMT,薄膜金属化衬底 | Ru, Cr, LiTaO3 电极层(Ti/Pt/Au) |
光学器件 | 激光二极管,光电二极管,薄膜组件,LN调制器 | GaN, LiNbO3 电极层(Ti/Pt/Au) |
其他应用 | 探针,氧化物半导体,超导体 | NiCr, Cr, Cu, Pd LuFe2O4, SrTiO4 |
IBE离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击,将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出,从而达到选择刻蚀的目的主要用来金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料的刻蚀。
与PE等离子体刻蚀和RIE反应离子体刻蚀工艺相比,IBE刻蚀具有刻蚀惰性金属和氧化的独特优势,适合以下应用:
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