您好,欢迎访问仪器信息网
注册
伯东公司德国普发真空pfeiffer

关注

已关注

金牌17年 金牌

已认证

粉丝量 0

400-860-5168转0727

仪器信息网认证电话,请放心拨打

当前位置: 上海伯东 > 解决方案 > 上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀

上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀

2024/08/16 15:23

阅读:1

分享:
应用领域:
材料
发布时间:
2024/08/16
检测样品:
陶瓷
检测项目:
浏览次数:
1
下载次数:
参考标准:
/

方案摘要:

深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主

产品配置单:

前处理设备

伯东离子蚀刻机 IBE

型号: IBE

产地: 日本

品牌: 日本NS

¥150万 - 200万

参考报价

联系电话

方案详情:

深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 PtAuCr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主


Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数

 

Φ4 inch X 12





基片尺寸

Φ4 inch X 12

Φ5 inch X 10

Φ6 inch X 8

均匀性

±5%

硅片刻蚀率

20 nm/min

样品台

直接冷却,水冷

离子源

Φ20cm 考夫曼离子源

 


v:shapes="_x0000_i1026">

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

离子源型号

RFICP 220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

中和器

LFN 2000

 

推荐  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  理由:

1. 客户要求规模化生产,  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用

2. 刻蚀均匀性 ±5%, 满足客户要求

3. 工作台冷却方式: 直接水冷

4. 样品装载数: 18/批(2″)或4/批(4″)

 


伯东离子蚀刻机应用领域



上海伯东是德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络

上海伯东: 女士


上海伯东版权所有, 翻拷必究!



下载本篇解决方案:

资料文件名:
资料大小
下载
上海伯东Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J用于陶瓷板PtAuCr薄膜刻蚀.docx
611KB
相关仪器

更多

伯东离子蚀刻机 IBE

型号: IBE

¥150万 - 200万

相关方案

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于制作闪耀罗兰光栅

长春某研究所在制作闪耀罗兰光栅的研究中采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE,制造出的闪耀罗兰光栅比其他工艺制造的光栅产品整体衍射效率高25%, 实现高衍射效率闪耀罗兰光栅制作, 且工艺可控、稳定, 所制作的闪耀罗兰光栅衍射效率高于市场同类产品.

材料

2024/08/16

伯东NS 10 IBE离子束刻蚀机用于物理量传感器(MEMS)加工

上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。

半导体

2024/08/16

上海伯东IBE离子束刻蚀用于铌酸锂LiNbO3薄膜刻蚀

随着基于铌酸锂LN的光源、光调制、光探测等重要器件的实现,铌酸锂LN光子集成芯片有望像硅基集成电路一样,成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台,在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。 由于铌酸锂LN的特殊化学性能,IBE离子束刻蚀+EBL电子束曝光是最优的解决方案。

材料

2024/08/16

上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍

在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。

机械设备

2024/08/16

推荐产品
供应产品

伯东公司德国普发真空pfeiffer

查看电话

沟通底价

提交后,商家将派代表为您专人服务

获取验证码

{{maxedution}}s后重新发送

获取多家报价,选型效率提升30%
提交留言
点击提交代表您同意 《用户服务协议》 《隐私政策》 且同意关注厂商展位
联系方式:

公司名称: 伯东企业(上海)有限公司

公司地址: 上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 联系人: 罗小姐 邮编: 200131 联系电话: 400-860-5168转0727

仪器信息网APP

展位手机站