2024/08/16 15:23
阅读:1
分享:方案摘要:
产品配置单:
伯东离子蚀刻机 IBE
型号: IBE
产地: 日本
品牌: 日本NS
¥150万 - 200万
参考报价
联系电话
方案详情:
深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均匀性 | ±5% | |
硅片刻蚀率 | 20 nm/min | |
样品台 | 直接冷却,水冷 | |
离子源 | Φ20cm 考夫曼离子源 |
v:shapes="_x0000_i1026">
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
离子源型号 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
中和器 | LFN 2000 |
推荐 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 理由:
1. 客户要求规模化生产, Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用
2. 刻蚀均匀性 ±5%, 满足客户要求
3. 工作台冷却方式: 直接水冷
4. 样品装载数: 18片/批(2″)或4片/批(4″)
伯东离子蚀刻机应用领域
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络
上海伯东: 罗女士
上海伯东版权所有, 翻拷必究!
下载本篇解决方案:
更多
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于制作闪耀罗兰光栅
长春某研究所在制作闪耀罗兰光栅的研究中采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE,制造出的闪耀罗兰光栅比其他工艺制造的光栅产品整体衍射效率高25%, 实现高衍射效率闪耀罗兰光栅制作, 且工艺可控、稳定, 所制作的闪耀罗兰光栅衍射效率高于市场同类产品.
材料
2024/08/16
伯东NS 10 IBE离子束刻蚀机用于物理量传感器(MEMS)加工
上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。
半导体
2024/08/16
上海伯东IBE离子束刻蚀用于铌酸锂LiNbO3薄膜刻蚀
随着基于铌酸锂LN的光源、光调制、光探测等重要器件的实现,铌酸锂LN光子集成芯片有望像硅基集成电路一样,成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台,在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。 由于铌酸锂LN的特殊化学性能,IBE离子束刻蚀+EBL电子束曝光是最优的解决方案。
材料
2024/08/16
上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍
在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
机械设备
2024/08/16