上海伯东代理美国 ATC  Micro-Flow 微流量空气泄漏测试仪.上海伯东代理美国原装进口 ATC Micro-Flow 微流量空气泄漏测试仪, 获得 SAE, 制药 USP (1207), ASTM (F3287-17) 认证, 专利 Micro-Flow 微流空气泄漏试验技术, 无需示踪气体, 利用空气进行无损检漏, 通过加压或抽真空方式, 测试产品的密封性. 适用于制药包装泄漏测试和消费电子产品防水测试.ATC 微流量空气泄漏测试仪 (真空)通过使用 Micro-Flow 传感器技术中的质量流量 Mass Extraction 技术. 为了达到更高的灵敏度, 需要在真空条件下进行泄漏测试, 凭借此技术,可测泄漏率 7X10-7 sccs（? 1 X10-7 mbar l/s) 相当于 0.2um的泄漏孔径, 满足制药行业 1μm 标准!上海伯东美国 ATC 公司运用质量抽取技术精密测试无菌药品密闭容器的密封完整性 CCIT, 防止微生物, 水分, 氧气等侵入.ATC 真空泄漏测试仪型号和参数型号VE2ME3ME2泄漏率 /灵敏度1 X 10-4 sccs ? 1X10-4 mbar l/s相当于 3um 的泄漏孔径在 2 psia（? 138 mbar 绝对压力）下为 1X10-4 sccs? 1X10-4 mbar l/s, 相当于 3um 的泄漏孔径 在 0.02 psia（? 1 mbar 绝对压力）下为 7X10-7 sccs ? 1X10-7 mbar l/s, 相当于 0.2um 的泄漏孔径压力范围2 psia（? 138 mbar 绝对压力）到大气压力0.01 psia（1 mbar 绝对压力）到大气压力ATC 微流量空气泄漏测试仪 (加压)美国 ATC Micro-Flow 微流量技术的核心是智能气体泄漏传感器 IGLS. 传感器测量流量, 压力和温度, 并提供一个能反映出相关泄漏率的数值. 在高于大气压力状态下, 使用 Micro-Flow 传感器, 可测泄漏率 5X10-4 sccs（? 5 X10-4 mbar l/s) 相当于 3um的泄漏孔径.ATC 型号和参数型号E2IPE2, IPE2-HP泄漏率 /灵敏度0.1 cc/min 及更高低至 0.02 cc/min压力范围14.5 psia 至 165 psia / 1 bar – 11 bar（绝对）高达 2100 psia ( ? 145 bar 绝对压力）  Advanced Test Concepts, Inc. 1987 年在美国成立, ATC 提供微流量空气泄漏检测仪, 专利 Micro-Flow 微流空气泄漏试验技术, 通过加压或抽真空方式, 测试产品的密封性. 在汽车, 制药包装和电子产品等行业拥有超过 30 年的泄漏测试经验. ATC 凭借微流量传感器的发明专利, 为泄漏和密封性的测试领域开启了新的一页. 上海伯东是美国 ATC 微流量空气泄漏测试仪代理商.若您需要进一步的了解美国 ATC 空气泄漏测试仪, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                        ec@hakuto.com.tw上海伯东版权所有, 翻拷必究！

考夫曼离子源创始人 dr.harold r.kaufman kaufman 博士 1926年在美国出生, 1951年加入美国 nasa 路易斯研究中心, 60年代考夫曼博士发明了电子轰击离子推进器并以他的名字命名(考夫曼推进器). 1969年美国航空航天学会 aiaa 授予他 james h. wyld 推进奖, 1970年考夫曼推进器赢得了ir 100 (前身研发100奖), 1971年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖.2016年, 美国 nasa 宇航局将 harold kaufman 博士列入格伦研究中心名人堂 1978 年 kaufman & robinson, inc 公司成立1978 年 dr. kaufman 博士在美国科罗拉多州的柯林斯堡创立 kaufman & robinson, inc 公司, 简称 kri, 研发生产商用宽束离子源和电源控制器. 为世界各地的高科技企业,真空系统设备商和研究机构提供先进的解决方案. 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.kri 离子源主要产品 上海伯东美国 kri 离子源是以真空为基础的加工工具, 在原子水平上与材料相互作用, 适用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 等, kri 提供无栅极离子源和栅极离子源, 类型包含考夫曼离子源, 霍尔离子源, 射频离子源和电源控制器, 共计超过 25种规格, 全球累积销售 3500+ 台!射频离子源 rficp 系列技术规格:型号rficp 40rficp 100rficp 140rficp 220rficp 380discharge 阳极rf 射频rf 射频rf 射频rf 射频rf 射频离子束流>100 ma>350 ma>600 ma>800 ma>1500 ma离子动能100-1200 v100-1200 v100-1200 v100-1200 v100-1200 v栅极直径4 cm φ10 cm φ14 cm φ20 cm φ30 cm φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器lfn 2000考夫曼离子源 kdc 系列技术规格:型号kdc 10kdc 40kdc 75kdc 100kdc 160discharge 阳极dc 电流dc 电流dc 电流dc 电流dc 电流离子束流>10 ma>100 ma>250 ma>400 ma>650 ma离子动能100-1200 v100-1200 v100-1200 v100-1200 v100-1200 v栅极直径1 cm φ4 cm φ7.5 cm φ12 cm φ16 cm φ离子束聚焦, 平行, 散射流量1-5 sccm2-10 sccm2-15 sccm2-20 sccm2-30 sccm通气ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他典型压力长度11.5 cm17.1 cm20.1 cm23.5 cm25.2 cm直径4 cm9 cm14 cm19.4 cm23.2 cm中和器灯丝霍尔离子源 eh 系列技术规格:型号eh 400eh 1000eh1000 xo2 eh 2000eh 3000cathode/neutralizer f or hcf or hcf or hcf or hc hc hchc阳极电压50-300v 30-150v50-300v 30-150v 50-300v100-300v50-300v 30-150v 50-250v50-250v 50-300v 50-250v电流5a 10a10a 12a 5a10a10a 15a 15a20a 10a 15a散射角度>45>45>45>45>45气体流量2-25sccm2-50sccm2-50sccm2-75sccm5-100sccm高度3.0“4.0“4.0“4.0“6.0“直径3.7“5.7“5.7“5.7“9.7“水冷可选可选可选是可选kri 离子源主要应用 作为一种新兴的材料加工技术, 上海伯东美国 kri 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助您获得理想的薄膜和材料表面性能. 美国 kri 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.离子清洗和辅助镀膜: 霍尔离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和辅助镀膜离子清洗和溅射镀膜: 射频离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和溅射镀膜在高倍显微镜下检视脱膜测试 测试结果--------- 使用其他品牌离子源---     --------------------- 使用美国考夫曼 kri rficp 325 离子源 ----------------------从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题; 使用上海伯东美国 kri 离子源, 样品无崩边多项专利 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利,在此领域中, kri 离子源是公认的, kri 团队成员撰写了超过 100篇文章, 出版物, 书籍和技术论文,为推进宽波束设备和材料加工领域行业的知识体系做出贡献!上海伯东是美国考夫曼离子源 kaufman & robinson, inc  中国总代理. 美国考夫曼公司离子源已广泛应用于离子溅射镀膜 ibsd. 考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射工艺条件选择 rficp 射频电源式考夫曼离子源或是 kdc 直流电原式考夫曼离子源.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士  

国内某制造商在钛合金表面制备一层类金刚石薄膜 DLC, 以期改善钛合金表面摩擦学性能, 为了获得均匀且致密的类金刚石薄膜, 采用伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 制备类金刚石薄膜.伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由:使用 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380可以准确、灵活地对样品选定的区域进行沉积和刻蚀. 运行结果:1. 沉积的类金刚石薄膜厚度约为 1.0 μm, 薄膜均匀且致密, 表面粗糙度Ra为13.23nm2. 类金刚石薄膜与基体结合力的临界载荷达到31.0N3. DLC薄膜具有良好的减摩性, 摩擦系数为0.15, 耐磨性能得到提高 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

机器人五金连接件的铬膜厚度达不到, 表面不致密, 薄膜吸附仪不够, 将影响机器人连接件力学性能, 还有表面耐磨性能, 因此某国内机器人五金连接件制造商为了获得更优质的连接件铬膜, 采用伯东 KRI 聚焦型考夫曼离子源 KDC 100  辅助镀制五金连接件铬膜. 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数： 离子源型号 离子源 KDC 100 DischargeDC 热离子离子束流>400 mA离子动能100-1200 V栅极直径12 cm Φ离子束聚焦流量2-20 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度23.5 cm直径19.4 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 推荐理由:使用 KRI 聚焦型考夫曼离子源 KDC 100可一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染. 在镀制铬膜的过程中, 其镀铬的真空容器要求漏率不超过10-8Pa m3/s, 为了保证客户镀铬真空容器的漏率, 伯东工程师给客户推荐氦质谱测漏仪 ASM 340氦质谱测漏仪 ASM 340 其技术参数特点如下:1. 前级泵  抽速 15 m3/h2. 分子泵 Splitflow 50 对氦抽速 2.5 l/s3. 测漏精度:    真空模式: 5E-13 Pa m3/s    吸枪模式: 5E-10 Pa m3/s4. 移动式操作面板（有线、无线）5. 集成SD卡, 方便数据处理6. 抗破大气、抗震动, 降低由操作失误带来的风险性7. 丰富的可选配件, 如吸枪、遥控器、小推车、旁路装置、标准漏孔等 运行结果:1. 使用KRI 聚焦型考夫曼离子源 KDC 100辅助镀制五金连接件铬膜后, 镀制的铬膜品质更好, 厚度更均匀, 表面更致密, 薄膜吸附仪更强2. 氦质谱测漏仪 ASM 340 有效保证了镀铬真空容器的真空度 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪用于镀铬真空容器检漏国内某精密制造客户采用伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340 对机器人五金连接件镀铬真空容器进行检漏.伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340 其技术参数特点如下:1. 前级泵抽速 15 m3/h2. 分子泵 Splitflow 50 对氦抽速 2.5 l/s3. 检漏精度:    真空模式: 5E-13 Pa m3/s    吸枪模式: 5E-10 Pa m3/s4. 移动式操作面板（有线、无线）5. 集成 SD 卡, 方便资料处理6. 抗破大气、抗震动, 降低由操作失误带来的风险性7. 丰富的可选配件, 如吸枪、遥控器、小推车、旁路装置、标准漏孔等 推荐理由:客户要求漏率不超过10-8Pa m3/s, 如果达不到此要求会导致镀铬厚度达不到, 表面不致密, 影响机器人连接件力学性能, 还有表面耐磨性能, 因此为了保证客户镀铬真空容器的漏率, 伯东工程师给客户推荐氦质谱检漏仪 ASM 340 运行结果:氦质谱检漏仪 ASM 340 极高的检漏精度5E-13 Pa m3/s 有效保证了客户机器人五金连接件镀铬真空容器的真空度稳定, 保证机器人连接件力学性能和表面耐磨性能. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

为了解决飞秒激光加工硬质材料所带来的表面质量差的问题, 国内某制造商用伯东聚焦型射频离子源 RFICP 380 辅助飞秒激光加工技术对碳化硅微纳结构表面进行刻蚀.伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由:使用 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀、减薄. 工艺简介：在碳化硅表面制备微纳结构图形, 然后通过 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度. 运行结果:1. 结构表面粗糙度由约 106nm 降低到 11.8nm2. 碳化硅线条结构周围的毛刺基本消失, 线条结构表面的粗糙度得到显著改善, 降低结构表面的粗糙度实现高平滑度微光学元件的制备3. 通过 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

普通传统的制样减薄方法存在远端的薄区极易弯曲和薄区厚度不均匀的问题, 因此某机构采用伯东KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 通过交叉减薄的方法制备超薄 TEM 样品. 交叉减薄交叉减薄的过程利用 TEM 样品台的旋转来完成, 如下图.TEM 样品台模型图  伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由:使用 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀、沉积和减薄. 运行结果:1. 通过利用 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 380 和样品台交叉减薄得到的薄区非常均匀, 边缘整齐. 相比较传统减薄方法, 交叉减薄避免了样品在倾斜52°和56°减薄时出现的边缘收缩问题和远端薄区弯曲问题.2. 对于复合材料大大降低了位于两相界面处薄区的厚度, 提高了样品质量, 提高了制样的成功率和效率.  伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

为了获得具备电磁屏蔽能力的 PPS, PEEK等高分子轻量化材料, 但 PPS, PEEK 导电性能差、无电磁波屏蔽能力或者达不到理想的屏蔽效果, 因此, 某机构采用磁控溅射镀膜工艺对 PPS、PEEK 等材料结构件产品表面进行金属化处理. 其工艺主要分为前处理、镀膜、后处理等三个环节.  前处理需要对 PPS/PEEK 待镀衬底面进行 Hall 离子源清洗, 该机构采用伯东 KRI 考夫曼 霍尔离子源 eh 3000 对 PPS/ PEEK 衬底面进行清洗. KRI 考夫曼 霍尔离子源 Gridless eH 3000 主要技术参数:离子源型号霍尔离子源 eH3000Cathode/NeutralizerHC电压50-250V电流20A散射角度>45可充其他Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量5-100sccm高度6.0“直径9.7“水冷可选 其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5 Pa, 经推荐采用伯东经济型分子泵组 HiCube 30 Eco, 其技术参数如下： 泵组型号进气法兰分子泵型号抽速氮气l/s极限真空 hPa前级泵型号前级泵抽速 m3/hHicube 30 EcoDN 40 ISO-KF Hipace 30221X10-7MVP 015-21 运用结果：1. KRI 考夫曼 霍尔离子源 eh 3000 对衬底面良好的清洗, 提高了膜层的附着力2. 经济型分子泵组 HiCube 30 Eco快速将本底真空抽到 1×10-5 Pa, 并稳定保持整个过程的真空度 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某实验室运用直流磁控溅射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 结合正交试验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数, 在普通玻璃衬底上制备得到ZnO: Al（ZAO）透明导电薄膜. 试验设备:伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 进行溅射, 选用 ZAO 陶瓷靶, 基片为普通玻璃, 普发 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3. 工艺要求:靶与基片距离为5cm, 溅射时间为30 min 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 推荐理由:聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 在整个实验工艺中工作气压保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技术参数如下: 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

伯东 KRI 聚焦型射频离子源辅助磁控溅射沉积氧化铟锡 ITO 薄膜氧化铟锡 ITO 薄膜 具有高电导率和可见光透过率、紫外光区强吸收、红外区域高反射等特性, 已经广泛应用于太阳能电池、等离子体液晶显示器以及平板显示器等领域. 某光学薄膜制造商用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 辅助磁控溅射沉积氧化铟锡 ITO 薄膜. 在其磁控溅射沉积工艺中, 沉积薄膜前首先对基片进行离子轰击处理去除基片表面吸附气体和杂质, 然后离子源和磁控溅射靶同时工作沉积薄膜. 其磁控溅射沉积系统工作示意图如下：  伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000 伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:离子源型号 霍尔离子源eH2000Cathode/NeutralizerF or HC电压50-300V电流10A散射角度>45°可充其他Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量2-75sccm高度4.0“直径5.7“水冷是 其溅射室需要沉积前本底真空抽到1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组 Hicube 30 Eco, 其技术参数如下：泵组型号进气法兰分子泵型号抽速氮气l/s极限真空 hPa前级泵型号前级泵抽速 m3/hHicube 30 EcoDN 40 ISO-KF Hipace 30221X10-7MVP 030-31.8 实际运行结果：1. 离子源辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜, 当 Ar、O2辅助离子束能量为 900eV 左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能.2. 离子束能量为 900eV左右时, ITO薄膜处于非晶到多晶的转变过程, 此时薄膜的电阻率最小.3. 采用离子源辅助磁控溅射技术在基片上制备了平均可见光透过率 81%、电阻率5.668x10-4Ω.an、结构致密且附着力良好的 ITO薄膜4. 离子源的离子束轰击能够制造氧空位, 提高自有电子密度和载流子浓度. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

KRI 射频离子源 RFICP 380 和 分子泵组用于溅射沉积 Cu 薄膜薄膜表面粗糙度与机械零件的配合性质、耐磨性、疲劳强度、接触刚度、振动和噪声等有重要关系, 直接决定机械产品的使用寿命和可靠性. 因此, 某薄膜制造商为了获得优质的 Cu 薄膜, 采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 、霍尔离子源 eH 2000 和 分子泵组 Hicube 30 Eco 辅助溅射沉积 Cu 薄膜. 该制造商的镀膜机设备采用双离子束溅射沉积系统, 该设备的本底真空为5x10-5 Pa, 溅射气体使用 Ar+ 粒子, 靶材成分为 99.99% Cu, 衬底为硅片. 其双离子束溅射沉积系统工作示意图如下：  其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗. 用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000 伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000 技术参数:离子源型号 霍尔离子源eH2000Cathode/NeutralizerF or HC电压50-300V电流10A散射角度>45°可充其他Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量2-75sccm高度4.0“直径5.7“水冷是 其溅射室需要沉积前本底真空抽到1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组 Hicube 30 Eco, 其技术参数如下：分子泵组 Hicube 30 Eco 技术参数泵组型号进气法兰分子泵型号抽速氮气l/s极限真空 hPa前级泵型号前级泵抽速 m3/hHicube 30 EcoDN 40 ISO-KF Hipace 30221X10-7MVP 030-31.8 实际运行结果：双离子束溅射制备的薄膜由于其他方法生长的薄膜, 薄膜的表面平整度、厚度均匀性更好绝对沉积角必须要避开 25°附件的位置, 这一位置的粗糙度太大, 生长出的薄膜表面的各方面性质远低于其他位置 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

KRI 离子源用于离子束溅射镀制 Ge 纳米薄膜的研究在硅衬底上生长 Ge 量子点呗认为是可能实现 Si 基发光的重要途径, 对 Si 基光电子、微电子或单电子器件有重要影响. 某研究所采用伯东 KRI 离子源用于离子束溅射镀制 Ge 纳米薄膜的研究. 该研究采用的是 FJL560 III 型超高真空多靶磁控与离子束联合溅射设备的离子束溅射室内制备样品, 生长室的本底真空度低于 4x10-4Pa. 其系统工作示意图如下：该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、离子源、溅射靶、基片台等部分组成. 用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下: 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度,  提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积,  减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 生长室的本底真空度低于 4x10-4Pa,  经推荐采用伯东泵组  Hicube 80 Pro,  其技术参数如下：分子泵组 Hicube 80 Pro 技术参数:进气法兰氮气抽速 N2, l/s极限真空 hpa前级泵型号前级泵抽速 m3/h前级真空安全阀DN 40 ISO-KF35Pascal 202118AVC 025 MA 运行结果：得到了尺寸较均匀的 Ge 岛,  岛的数量也很多. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2O5薄膜为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O5 薄膜进行研究. 其系统工作示意图如下：  该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成. 其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗. 用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下: 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:离子源型号 霍尔离子源eH3000eH3000LOeH3000MOCathode/NeutralizerHC电压50-250V50-300V50-250V电流20A10A15A散射角度>45可充其他Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量5-100sccm高度6.0“直径9.7“水冷可选 其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：进气法兰氮气抽速 N2,l/s极限真空 hpa前级泵型号前级泵抽速 m3/h前级真空安全阀DN 40 ISO-KF35Pascal 202118AVC 025 MA 运行结果：伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、绝缘性好等优点常作为绝缘层材料在薄膜传感器生产中得到广泛应用. 某光学薄膜制造商为了获得高品质的 SiO_2薄膜引进伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380辅助离子束溅射镀制SiO_2薄膜. 该制造商的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台、真空气路系统以及控制系统等部分组成. 离子源溅射离子源采用进口的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380, 其参数如下: 伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：1. 聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率2. 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染 其真空气路系统真空系统需要沉积前本底真空抽到 8×10-4 Pa, 经推荐采用伯东泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下： 分子泵组 Hicube 80 Pro 技术参数:进气法兰氮气抽速 N2,l/s极限真空 hpa前级泵型号前级泵抽速 m3/h前级真空安全阀DN 40 ISO-KF35Pascal 202118AVC 025 MA 运行结果：SiO_2薄膜沉积速率比以前更加快速薄膜均匀性明显提高成膜质量高、膜层致密、缺陷少 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某国内 3D玻璃制造商采用伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 辅助磁控溅射镀制 3D 玻璃膜, 以获取高品质 3D玻璃膜. 其磁控溅射镀膜工艺流程如下图: 磁控溅射镀膜原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞, 电离出大量的氩离子和电子, 电子飞向基片. 氩离子在电场的作用下加速轰击靶材, 溅射出大量的靶材原子, 呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜.伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000 运行结果:使用伯东KRI  聚焦射频离子源 RFICP 220 辅助磁控溅射镀制 3D 玻璃膜, 保证镀膜的质量, 所生产出的陶瓷手机盖板镀膜无论是环境脱膜测试, 耐刮测试, 膜层应力测试等等… 都优于目前一般业界蒸镀机所搭配的离子源, 提高生产率. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

传统直接蒸发 HfO2块材料, 容易产生节瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光损伤阈值, 因此, 为了获取高质量的 HfO2 薄膜, 某机构采用 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO2 薄膜. 客户的样品基底材料为 K9 玻璃, 靶材为 HfO2块材料, 运行的离子源偏压为 90V.  伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数: 离子源型号 离子源 KDC 160 DischargeDC 热离子离子束流>650 mA离子动能100-1200 V栅极直径16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度25.2 cm直径23.2 cm中和器灯丝* 可选: 可调角度的支架 应用结果：通过使用伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 在偏压为 90V 时, 制造得到的HfO2 薄膜晶粒减小, 膜结构更均匀, 缓解了激光能量的局部聚焦, 因此具有较高的损伤阈值. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

在制备 TiN 薄膜过程中, 离子持续轰击对 TiN 薄膜的结构和性能影响很大, 在离子持续轰击作用下能够获得性能优异的TiN薄膜. 为了获取性能优异的 TiN 薄膜, 国内某制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 对 TiN 薄膜进行持续轰击. 工作系统简单示意如下图:伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 应用结果：通过使用 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 持续轰击 TiN 薄膜, 备的TiN 薄膜具有更致密的结构, 更光滑的表面, 更好的结晶性, 更优异的机械性能和更好的腐蚀性能.其使用前（左）和使用后（右）对比图如下： 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

美国 KRI 霍尔离子源 EH 3000用于蒸镀天文望远镜镜片全反射膜上海伯东代理美国考夫曼博士创立的考夫曼公司 KRI 大尺寸霍尔离子源 EH 3000 HC成功应用于直径 2.2m 蒸镀机, 用于蒸镀 1.5m 天文望远镜镜片.  客户项目使用图:  美国 KRI 霍尔离子源 EH 3000 HC 主要技术参数:尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”放电电压 / 电流: 50-300V / 20A可通气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2,离子束发散角度：> 45° (hwhm)水冷 应用结果：1. 通过使用上海伯东 KRI 霍尔离子源EH 3000 HC辅助镀全反射膜, 高均匀性及高致密性的膜层可以保障光源有效反射, 尽可能减少吸收. 2. 直径 2.2m 镀膜腔, 仅需安装1台霍尔离子源 EH 3000 HC, 即可完成镀膜, 直接降低企业成本! 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

不断变化的温度环境会造成PCB板 ( 印刷电路板) 的功能、性能、质量及寿命等受到影响，会加速产品的老化，缩短产品的使用寿命。因此需要对PCB板 (印刷电路板) 进行环境的高低温测试. 某制造商采用伯东美国 inTEST 高低温测试机 ATS-710-M 对PCB板 ( 印刷电路板)进行温度环境测试. 伯东美国 inTEST 高低温测试机 ATS-710-M技术参数:型号: ATS-710-M温度范围°C: -75至+225 (50Hz), -80至+225 (60Hz)输出气流量: 4 至18 scfm, 1.8至 8.5l/s变温速率: -55至 +125°C 约 10 s, +125至 -55°C 约 10 s温度精度: ±1℃温度显示分辨率: ±0.1℃温度传感器: K型热电偶远程控制: IEEE 488, RS232 上海伯东美国 inTEST 高低温测试机 ATS-710-M 尺寸及重量:尺寸: 宽61.0 cm, 深 72.4 cm, 高 108 cm重量：净重 236 kg, 毛重 365 kg inTEST 高低温测试机 ATS-710-M用于PCB板 (印刷电路板) 高低温测试测试结果:1. 通过精确控制, 将热气流或冷气流传送到测试环境中.2. 精确控制干燥空气的温度, 以执行指定的温度测试.3. 可以实现更精确的均匀温度测试环境.4. 通过inTEST 高低温测试机  ATS-710-M 对PCB板 (印刷电路板)高低温测试, 及时对PCB板 (印刷电路板)存在的缺陷进行修改改进完善, 保障了PCB板 (印刷电路板)的良好功能、性能、质量及寿命, 产品投放市场后赢得非常好的口碑. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

上海伯东是美国考夫曼博士创立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源中国总代理. 某光学镜片制造商为了使光学镜片的抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 获得均匀性更高的薄膜表面, 而采用伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 10 用于 IBF 离子束抛光工艺. KRI 离子源 KDC 10 客户实际安装图如下：客户基材: 100 mm 光学镜片离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ). 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数：Discharge: DC 热离子离子束流: >10 mA离子动能:100-1200 V栅极直径:1 cm Φ离子束:聚焦, 平行, 散射流量:1-5 sccm通气:Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力:长度:11.5 cm直径:4 cm中和器:灯丝 KRI 离子源 KDC 10 客户使用结果:离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

当前, 光通讯和化合物半导体相关行业中, Gel Pak 的 AD 系列凝胶盒和 VR 系列真空释放盒得到了越来越多用户的认可. 对于胶盒产品, 胶的稳定性是最关键的指标, 稳定性表现在以下几个方面:1. 无残留, 当器件或芯片从胶盒中取出时, 在器件或芯片上不留残胶, 影响下一步的工艺2. 零释放, 胶是一种高分子聚合物, 其中会含有一些小分子, 需要杜绝这些小分子释放后与芯片、器件发生化学反应而损伤客户的产品.3.长期稳定性, 胶膜需要经受住长时间存放的考验, 在较长的时间内胶的化学性质无变化 Gel Pak 的产品完美的实现了以上三点, 并通过长期老化试验来验证了胶膜的长期稳定性. 胶膜长期稳定性测试方法: ASTM D3330 方法胶膜的长期稳定性测试结果:       测试结论：经过超过 12年的测试, Gel Pak 胶膜的剥离强度 5.0-6.0g/ 0.75英寸的范围内波动, 这个完全符合胶膜的生产标准, 从而可以得出以下结论, Gel Pak 产品的凝胶在较长的时间内, 性质稳定. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

某国内 LED 液晶显示屏制造商采用伯东 inTEST 高低温测试机 ATS 545 T 对 LED 液晶显示屏进行一系列的温度环境进行高低温测试, 主要测试项目包含冷热循环 Thermal cycle 与冷热冲击 Thermal shock, 以保障 LED 液晶显示屏的工作状态、寿命以及发光效率. 该制造商将 inTEST 高低温测试机 ATS 545 T 与德国 AUTRONIC DMS 803 液晶显示屏测量系统联用进行 LED 环境温度测试, 如下图:inTEST ATS-545-T 高低温测试机技术参数:1. 温度范围: -75 至 + 225(50 HZ), -80 至 + 225(60 HZ), 不需要LN2或LCO2冷却2. 变温速率: -55至 +125°C 约 10 S 或更少, +125至 -55°C 约 10 S 或更少3. 输出气流量: 4 至 18 scfm, 1.9至 8.5 L/s4. 温度精度: ±1℃5. 温度显示分辨率: ±0.1℃6. 温度传感器: T 型热电偶 对 LED 液晶显示屏温度环境测试方法：1. 采用高低温测试机 ATS-545-T DUT Mode 模式测试2. 通过管路将高低温测试机 ATS-545-T 与 DMS 803 直接相连3. 操作员设置需要测试的温度范围4. 启动高低温测试机 ATS-545-T, 利用空压机将干燥洁净的空气通入制冷机进行低温处理, 然后空气经由外部管路到达加热头进行升温5. 高低温测试机ATS-545-T 显示屏可实时监测当前循环冲击气流温度, 而且自带过热温度保护系统, 出厂设置温度 +230°C, 操作员可根据实际需要设置高低温限制点, 当温度达到设置温度时, 测试机将自动停机. 每个DMS系统都可以扩展一个适当的冷热系统, 以进行光学显示特性和一致性测试的温度相关测量. inTEST 高低温测试机 ATS-545-T 对功率器件进行测试结果:1. 通过精确控制, 将热气流或冷气流传送到测试环境中.2. 精确控制干燥空气的温度, 以执行指定的温度测试.3. 可以实现更精确的均匀温度测试环境.4. 通过inTEST 高低温测试机 ATS 545 T 对LED液晶显示屏高低温测试, 及时对LED液晶显示屏存在的缺陷进行修改改进完善, 保障了 LED 液晶显示屏的良好工作状态、寿命以及发光效率, 产品投放市场后赢得非常好的口碑. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某功率器件制造商为了保证其功率器件能够在不同的温度环境下能正常运行, 采用伯东inTEST 高低温测试机 ATS-545-M 对功率器件进行测试. inTEST ATS-545-M 高低温测试机技术参数：型号: ATS-545-M温度范围 °C： -75 至 + 225(50 HZ), -80 至 + 225(60 HZ), 不需要LN2或LCO2冷却变温速率: -55至 +125°C约 10 S 或更少+125至 -55°C 约 10 S 或更少输出气流量: 4 至 18 scfm, 1.9至 8.5 l/s温度精度: ±1℃温度显示分辨率: ±0.1℃温度传感器: K型热电偶尺寸: 宽61.0 cm, 深 72.4 cm, 高 108 cm重量: 净重 236 kg, 毛重 365 kg手臂延展最大: 160 cm标准最高操作高度: 130.3 cm;(可选188 cm)标准最低操作高度: 69.1 cm;(可选81.3 cm)噪音:  使用 inTEST高低温测试机搭配功率器件分析仪, 整个测试过程使用非常简单, 可以迅速的进行设定温度下的各项测试, 具体测试步骤如下：1.将待测功率器件固定在防护测试腔内.2.选择 IGBT 测试模板, 按照测试要求设置测试条件；3.设置测试曲线的显示范围；4.选择需要测试的参数；5.点击执行测试. inTEST 高低温测试机 ATS-545-M 对功率器件进行测试结果:加快温变速率, 通过精确控制, 将热气流或冷气流传送到测试环境中. 通过加热干燥空气获得所需的空气温度, 也可使用冷却器将干燥空气迅速冷却至-80°C左右.精确控制干燥空气的温度, 以执行指定的温度测试.可以实现更精确的均匀温度测试环境. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                   ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

特斯拉去年推出了自研的FSD车载AI(人工智能)芯片, 性能较使用英伟达GPU芯片的前代产品提升达21倍, 极大增强了在智能化方面的核心竞争力, 是其发展历史上的里程碑. 未来的智能汽车就是一台四个轮子上的超级计算机, 其中最核心的器件就是车载AI芯片, 是智能汽车的数字发动机. 车载AI芯片已经成为决定竞争胜负最重要的筹码. 智能化变革推动汽车行业按照IT行业的逻辑和节奏向前发展, 同时也将掀起一场残酷的淘汰赛, 作为智能化的基石, 车载AI芯片的重要性毋庸置疑. 而芯片的适应温度有严格要求. 工业级芯片的工作温度范围是-40摄氏度至85摄氏度, 而车载芯片工作温度范围是-40摄氏度至125摄氏度. 国内某知名半导体芯片设计公司自主设计及开发国产车载芯片, 要求测试温度范围- 50 ℃~ 150 ℃, 需同时搭配模拟和混合信号测试仪, 检查不同温度下所涉及到的元器件或模块各项功能是否正常. 经过伯东推荐, 合作客户采用美国inTEST高低温测试机ATS-545.在车载芯片可靠性测试方面, ThermoStream ATS系列高低温测试机有着不同于传统温箱的独特优势：1. 变温速率快, 每秒快速升温/降温18°C2. 能实时监测待测元件真实温度, 亦可随时调整冲击气流温度3. 针对PCB电路板上众多元器件中的某一单个IC(模块), 单独进行高低温冲击, 而不影响周边其它器件. inTEST ATS-545-M 高低温测试机技术参数：型号温度范围 °C* 变温速率输出气流量温度精度温度显示分辨率温度传感器ATS-545-M-75 至 + 225(50 HZ)-80 至 + 225(60 HZ)不需要LN2或LCO2冷却-55至 +125°C约 10 S 或更少+125至 -55°C约 10 S 或更少4 至 18 scfm1.9至 8.5 l/s±1℃通过美国NIST 校准±0.1℃T或K型热电偶 * 一般测试环境下；变温速率可调节 高低温测试机 inTEST ATS-545 测试过程:1. 客户根据各自的特定要求, 将被测芯片或模块放置在测试治具上, 将 ATS-545 的玻璃罩压在相应治具上（产品放在治具中）.2. 操作员设置需要测试的温度范围.3. 启动ThermoStream ATS-545, 利用空压机将干燥洁净的空气通入高低温测试机内部制冷机进行低温处理, 然后空气经由管路到达加热头进行升温,气流通过玻璃罩进入测试腔. 玻璃罩中的温度传感器可实时监测当前腔体内温度.4. 在汽车电子芯片测试平台下, ATS-545快速升降温至要求的设定温度, 实时检测芯片在设定温度下的在电工作状态等相关参数, 对于产品分析、工艺改进以及批次的定向品质追溯提供确实的数据依据. 运用结果反馈：inTEST ATS-545-M 高低温测试机能快速进行在电工作的电性能测试、失效分析、可靠性评估等. 通过使用该设备, 大幅提高工作效率, 并能及时评估研发过程中的潜在问题. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

与液体润滑剂相比, 固体润滑剂寿命长, 并且可在特殊场合和无油、真空等环境使用, 得到越来越多的应用. 常用的固体润滑剂MoS2涂层蒸气气压低、迁移性弱, 作为固体润滑剂的航空航天领域. 真空环境中得到广泛的应用, 在2000℃真空环境中依然具有很低的摩擦因数. 随着科技发展, 离子源技术引入物理气相沉积技术, 用于工模具涂层材料制备, 一直是 PVD 涂层技术的研究热点. 离子源在涂层制备过程中首先可以清洗衬底获得清洁的表面, 其次高的离子/原子比率有利于获得高性能的涂层. 某大型研究结构采用 KRI 射频离子源用于研究离子源辅助制备MoS2 自润滑涂层. 其系统示意图如下: 其中 KRI 射频离子源安装在右侧，左侧为钼靶, 真空泵安装在真空腔体里侧. 客户采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380, 同时为了获得稳定的合适的真空环境, 伯东工程师为制造商搭配大抽速分子泵组 Hicube 700 Pro, 采用金属密封, 极限真空度可达1x10-7hpa, 抽速可达 685 L/s. 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 运行结果：KRI 射频离子源 RFIC 380成功用于辅助制备MoS2自润滑涂层, 对MoS2涂层有减膜作用,大大提高了MoS2涂层润滑. 上海伯东是美国考夫曼公司 KRI 离子源的国内总代理商, 其中KRI 离子源主要型号有:KRI 射频离子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

铝膜具有电位低, 在基体上附着性好、经济实惠, 同时铝膜与铝合金构建连接的紧固件表面, 防止发生电偶腐蚀破坏铝合金结构件. 除此之外, 铝做到耐腐蚀防护膜层时, 无氢脆现象, 不会影响基体的本身性能, 并解决了与钛合金连接件接触的电偶腐蚀等优点, 是优良的腐蚀防护材料. 因此, 铝膜在蒸发沉积镀膜中广泛使用。 蒸镀是在真空状态下, 将镀料加热蒸发或者升华, 使之在工件或基体表面沉积的工厂, 蒸镀具有简单便利、操作容易、沉积速率快等优点, 但存在膜基结合力不理想, 膜层不致密的缺点. 为了解决蒸镀的缺点, 某国内精密仪器镀膜制造商采用伯东 KRI 离子源进行辅助蒸镀. 该制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380, 同时为了为镀膜工业提供稳定的合适的真空环境, 伯东工程师为制造商搭配大抽速分子泵组 Hicube 700 Pro, 采用金属密封, 极限真空度可达1x10-7hpa, 抽速可达 685 L/s, 很好保证成膜质量. 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 离子源辅助蒸镀运行原理: 在蒸镀时, 通过 KRI 离子源的作用, 使Ar原子离化成Ar+, 产生辉光放点现象, 离子在电场中将蒸发出来的Al原子离化成Ar+, 这些等离子体在电场的作用下对基体进行轰击和镀膜. 运行结果： 蒸镀中由于离子辅助技术的注入, 改善了蒸镀铝膜的组织, 基膜结合力高、耐腐蚀性更好、提高了合金的微动疲劳抗力 上海伯东是美国考夫曼公司 KRI离子源的国内总代理商, 其中KRI 离子源主要型号有:KRI 射频离子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

随着科技发展, 市场需求, 对材料表面进行镀膜已经成为一种常见常用工艺. 镀膜是指用物理或化学的方法在材料表面镀上一层透明的电解质膜, 或镀一层金属膜, 目的是改变材料表面的反射和透射特性. 但在市场上, 镀膜制品有的会出现掉膜现状, 其实产生掉膜的原因很多也很复杂. 处理起来很棘手, 可以考虑从以下几个方面排除:1、表面清洁度产品表面洁净度不够 2、清洗过程中的问题镀前清洗不到位, 或更换了清洗液. 3、工艺的问题工艺参数是否有变动, 在镀膜时间和电流上做适当调整. 4、靶材的问题钛靶是否中毒, 检查和更换. 5、真空腔是否漏气进行次捡漏. 6、产品表面氧化氧化的原因很多, 可以自行判断处理. 通过某知名企业统计数据得知, 其中70%的主要原因是: 表面清洁度和真空腔体漏气. 因此, 伯东工程师推荐用 KRI 离子源进行清洗, 可以保证材料表的高度清洁, 有效提供薄膜的附着力. 上海伯东是美国考夫曼公司 KRI 离子源的国内总代理商, 其中KRI 离子源主要型号有:KRI 射频离子源 RFICP 系列:  RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列:  KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear 为了保证真空腔体的真空度及无漏, 建议用检漏仪进行检漏.上海伯东代理德国普发 Pfeiffer 检漏仪产品, 有多种产品供您选择, 满足您各种检漏需求, 主要检漏仪型号有: Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340、 ASM 390, ASM 392、嗅探器吸枪检漏仪 ASM 306 S、便携式氦质谱检漏仪 ASM 310、控制台式氦质谱检漏仪 ASM 192 T ASM 192 T2D+、伯东 Pfeiffer 模块化氦质谱检漏仪 ASI 35等 与伯东合作的镀膜制造商的反馈, 伯东 KRI 离子源和检漏仪能有效的保证镀膜的品质, 大大减少了掉膜现象! 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                     T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                     F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                  ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

氧化钛(TiO2)是一种具有多元晶格结构的光学镀膜材料, 氧化钛在550nm处的折射率可在2.2～2.7之间变化, 是一种很好的高折射率材料.  因此, 氧化钛(TiO2)是光学镀膜材料中最受欢迎的材料之一. 离子源助镀镀膜可改善膜层致密性、增加折射率、反射率, 提升产品性能指标. 某国内光学镀膜制造商为了制备 TiO2 薄膜并提升高反膜性能, 其采用离子源辅助蒸镀 TiO_2薄膜. 经过与伯东工程师讨论, 该制造商最终采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380, 同时为了为镀膜工业提供稳定的合适的真空环境, 伯东工程师为制造商搭配大抽速分子泵组 Hicube 700 Pro, 采用金属密封, 极限真空度可达1x10-7hpa, 抽速可达 685 L/s, 很好保证成膜质量.  美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 运行结果：与正常蒸镀工艺相比, 基片温度相同条件下, 使用 KRI 射频离子源 RFICP 380 辅助沉积工艺, 可以有效提高的 TiO2 薄膜折射率；离子束助镀工艺激光器峰值功率离散度最小, 且平均峰值功率普遍高于正常蒸镀工艺. 更多详细信息, 欢迎通过下方的联系方式与我们工程师交流》》》 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

在现代光学薄膜制备技术中, 离子束溅射因其污染少, 成膜条件易于精确控制, 离子束能量与束流可以精确调节, 有利于获得高质量的薄膜等优点, 而被广泛应用于镀膜行业. 理想的光学薄膜应该具有光学和化学性质稳定, 无散射和吸收, 机械性能强等特征, 而离子束溅射技术适用于这些要求. 离子束溅射镀膜设备包含两个重要核心, 一.用于提供离子束的离子源, 二.一定的真空环境. 某国内镀膜制造商的镀膜设备中采用双射频离子源, 其简单构造图如下:该设备的工作原理是:在一定真空条件下, 利用溅射的射频离子源引出高速、高能量的离子束, 经中和器产生的负电子中和变成中性离子束后轰击靶材, 将靶材以原子、分子或者原子团的状态溅射出来, 再沉积到基片上形成薄膜. 在镀膜设备中辅助离子源主要作用是成膜前对基片进行预溅射清洗并使衬底表面活化, 改善膜基过渡层的结构和性质, 使制备的薄膜更加致密, 附着力更强. 经过深入了解制造商的工艺要求, 伯东工程师为其推荐美国考夫曼博士的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 380和射频离子源 RFICP 100, 其中用于溅射的离子源为KRI 聚焦型射频离子源 RICP380, 用于清洗辅助的离子源为 KRI 发散型离子源 RICP 100. 推荐理由：1、在氧化物薄膜沉积工艺中需要引入氧气, 对热灯丝离子源而言, 灯丝因被氧化导致使用寿命很短；同时, 由于氧化物进入离子源内部, 使内部电极绝缘, 产生点击穿打火, 导致工作周期短. 而射频离子源采用电磁感应产生离子束, 由于内部无灯丝, 放电室为石英材料, 可解决离子束溅射制备氧化物薄膜的问题. 2、聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率, 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起的污染. 美国 KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:1. 大面积射频离子源2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求4. 离子束流: >1500 mA5. 离子动能: 100-1200 V6. 中和器: LFN 20007. 采用自动控制器, 一键自动匹配8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others 3、用于清洗辅助的离子源使用发散离子源可以增大清洗面积, 提高工作效率. 同时根据制造商的要求, 伯东工程师为其真空系统采用大抽速分子泵组 Hicube 700 Pro, 采用金属密封, 极限真空度可达1x10-7hpa, 抽速可达 685 L/s, 很好保证成膜质量. 运行结果：1、与之前镀膜工艺相比, 薄膜质量得到了较大提高, 致密性高, 附着力更强, 更加稳定, 薄膜机械性能更强2、成膜可以精确控制3、镀膜设备能支持更长的工艺时间, 而且运行稳定, 维护周期更长 更多详细信息，欢迎通过下方的联系方式与我们工程师交流》》》 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！

离子束抛光技术已经成为光学表面超精加工中常用的最后一道工序, 原子量级的材料去除使得离子束抛光加工具有纳米、亚纳米级别的加工精度. 离子束抛光系统中的核心部件是离子源, 离子源的性能直接决定了该离子束机床的修形能力. 去除函数, 是光学面形确定性加工的基础, 去除函数指的是单位时间内材料去除量在空间上的分布函数, 反应材料的去除速率. 影响光学表面抛光加工精度的主要因素之一是去除函数的形状、稳定性以及峰值去除率. 高斯型的去除函数是光学镜面抛光加工最理想的去除函数形状. KRI 射频离子源在光学加工中具有高的去除率和稳定性 在光学加工中, 伯东工程师推荐使用 KRI 射频离子源, 其主要优点有:1. 不使用阴极, 靠射频辐射激发等离子体, 因此, 不受使用气体的限制, 工作寿命也较长.2. 射频离子源是无极放电的离子源, 因此不存在阴极消耗, 使用寿命较长, 对被加工工件的污染可大大减少; 3. 射频感应生产的等离子体中只有单荷离子, 几乎没有双荷离子, 因此, 离子对屏栅的溅射较小, 也增加了束流的均匀性. 伯东代理美国考夫曼公司 KRI 离子源, 可选的射频离子源类型多, 客户可根据自己的工艺选择所对应之型号: 射频离子源 RFICP 380, 射频离子源 RFICP 220, 射频离子源 RFICP 140, 射频离子源 RFICP 100, 射频离子源 RFICP 40结果:通过实际应用表明, 射频离子源去除函数的形状为回转高斯形, 在靶距为30mm, 离子能量为 900eV时, 去除函数的峰值去除率 194nm/min, 体积去除率为19.2x10-3mm3/min, 半峰全宽值为9.2mm; 并且去除函数的峰值去除率与体积去除率的变化均在3%以内, 半峰全宽值的变化在1.7%以内.因此, 射频离子源具有光学镜面抛光加工所需的去除效率, 而且射频离子源具有好的稳定性, 具备光学加工的潜能. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究！