考夫曼离子源创始人 dr.harold r.kaufman
kaufman 博士 1926年在美国出生, 1951年加入美国 nasa 路易斯研究中心, 60年代考夫曼博士发明了电子轰击离子推进器并以他的名字命名(考夫曼推进器). 1969年美国航空航天学会 aiaa 授予他 james h. wyld 推进奖, 1970年考夫曼推进器赢得了ir 100 (前身研发100奖), 1971年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖.
2016年, 美国 nasa 宇航局将 harold kaufman 博士列入格伦研究中心名人堂
1978 年 kaufman & robinson, inc 公司成立
1978 年 dr. kaufman 博士在美国科罗拉多州的柯林斯堡创立 kaufman & robinson, inc 公司, 简称 kri, 研发生产商用宽束离子源和电源控制器. 为世界各地的高科技企业,真空系统设备商和研究机构提供先进的解决方案. 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.kri 离子源主要产品
上海伯东美国 kri 离子源是以真空为基础的加工工具, 在原子水平上与材料相互作用, 适用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 等, kri 提供无栅极离子源和栅极离子源, 类型包含考夫曼离子源, 霍尔离子源, 射频离子源和电源控制器, 共计超过 25种规格, 全球累积销售 3500+ 台!射频离子源 rficp 系列技术规格:
型号 | |||||
discharge 阳极 | rf 射频 | rf 射频 | rf 射频 | rf 射频 | rf 射频 |
离子束流 | >100 ma | >350 ma | >600 ma | >800 ma | >1500 ma |
离子动能 | 100-1200 v | 100-1200 v | 100-1200 v | 100-1200 v | 100-1200 v |
栅极直径 | 4 cm φ | 10 cm φ | 14 cm φ | 20 cm φ | 30 cm φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通气 | ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m torr | < 0.5m torr | < 0.5m torr | < 0.5m torr | < 0.5m torr |
长度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直径 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | lfn 2000 |
型号 | |||||
discharge 阳极 | dc 电流 | dc 电流 | dc 电流 | dc 电流 | dc 电流 |
离子束流 | >10 ma | >100 ma | >250 ma | >400 ma | >650 ma |
离子动能 | 100-1200 v | 100-1200 v | 100-1200 v | 100-1200 v | 100-1200 v |
栅极直径 | 1 cm φ | 4 cm φ | 7.5 cm φ | 12 cm φ | 16 cm φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通气 | ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m torr | < 0.5m torr | < 0.5m torr | < 0.5m torr | < 0.5m torr |
长度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直径 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 灯丝 |
霍尔离子源 eh 系列技术规格:
型号 | |||||
cathode/neutralizer | f or hc | f or hc | f or hc | f or hc | hc |
阳极电压 | 50-300v | 50-300v | 100-300v | 50-300v | 50-250v |
电流 | 5a | 10a | 10a | 10a | 20a |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
气体流量 | 2-25sccm | 2-50sccm | 2-50sccm | 2-75sccm | 5-100sccm |
高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ |
直径 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ |
水冷 | 可选 | 可选 | 可选 | 是 | 可选 |
kri 离子源主要应用
作为一种新兴的材料加工技术, 上海伯东美国 kri 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助您获得理想的薄膜和材料表面性能. 美国 kri 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
离子清洗和辅助镀膜: 霍尔离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和辅助镀膜
离子清洗和溅射镀膜: 射频离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和溅射镀膜
在高倍显微镜下检视脱膜测试
测试结果
--------- 使用其他品牌离子源--- --------------------- 使用美国考夫曼 kri rficp 325 离子源 ----------------------
从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题; 使用上海伯东美国 kri 离子源, 样品无崩边
多项专利
美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利,在此领域中, kri 离子源是公认的, kri 团队成员撰写了超过 100篇文章, 出版物, 书籍和技术论文,为推进宽波束设备和材料加工领域行业的知识体系做出贡献!
上海伯东是美国考夫曼离子源 kaufman & robinson, inc 中国总代理. 美国考夫曼公司离子源已广泛应用于离子溅射镀膜 ibsd. 考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射工艺条件选择 rficp 射频电源式考夫曼离子源或是 kdc 直流电原式考夫曼离子源.
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