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伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 辅助离子束溅射镀制 SiO_2薄膜
二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、绝缘性好等优点常作为绝缘层材料在薄膜传感器生产中得到广泛应用. 某光学薄膜制造商为了获得高品质的 SiO_2薄膜引进伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380辅助离子束溅射镀制SiO_2薄膜.
该制造商的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台、真空气路系统以及控制系统等部分组成.
离子源溅射离子源采用进口的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380, 其参数如下:
伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：
射频离子源型号 | RFICP 380 |
Discharge 阳极 | 射频 RFICP |
离子束流 | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦 |
流量 | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 39 cm |
直径 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
推荐理由：
1. 聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率
2. 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
其真空气路系统真空系统需要沉积前本底真空抽到 8×10-4 Pa, 经推荐采用伯东泵组 Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：
分子泵组 Hicube 80 Pro 技术参数:
进气法兰 | 氮气抽速 | 极限真空 hpa | 前级泵 型号 | 前级泵抽速 | 前级真空 |
DN 40 ISO-KF | 35 | < 1X10-7 | Pascal 2021 | 18 | AVC 025 MA |
运行结果：
SiO_2薄膜沉积速率比以前更加快速
薄膜均匀性明显提高
成膜质量高、膜层致密、缺陷少
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
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