核心参数
产地类别: 进口
高温范围(℃): 0 至 + 225(50 HZ)
低温范围(℃): -75 至 + 0(50 HZ)
温度冲击范围(℃): -75 至 + 225(50 HZ)
温度稳定性(℃): 良好
升温速率(℃/min): -55至 +125°C 约10秒
降温速率(℃/min): +125至 -55°C 约10秒
工作室尺寸(W×H×D): 139.7*139.7*10
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伯东 inTEST 高低温冲击测试机 ATS-545用于芯片可靠性测试
功能测试, 是测试芯片的参数、指针、功能, 性能测试, 由于芯片在生产制造过程中, 有无数可能的引入缺陷的步骤, 即使是同一批晶圆和封装成品, 芯片也各有好坏, 所以需要进行筛选, 本文主要介绍上海伯东inTEST ATS-545在芯片可靠性测试上的应用.
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2024/08/21
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inTEST Thermal Platform(热板)测试方案, 非常适用于大型功率器件, 例如IGBT模块, 其测试治具有平整接触面, 测试方法既快速又简单, 能够非常方便的搭配功率器件分析仪 (如Keysight B1506A)支持自动温度测试(可测室温至+250°C).
半导体
2024/08/21
inTEST 热流仪功率器件高低温冲击测试
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半导体
2024/08/21
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光模块是一种比较灵敏的光学器件, 温度过高或者过低都会影响光模块的功能, 工作温度过高, 会引起发射光功率过大、接收信号错误、丢包等问题, 甚至直接烧坏光模块, 温度过低则会导致光纤模块的性能不稳定. 苏州某客户在进行通讯模块生产质检中, 采用上海伯东 inTEST 高低温测试机 ATS-545.
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2024/08/21
inTEST 热流仪用于12寸存储器芯片 MRAM 研发测试
某半导体公司正在合作进行 14纳米先进制程工艺技术的开发, 专注于开发和制造 12寸存储器 MRAM 技术, 目前正在建置完整的12寸芯片产能. 进过上海伯东推荐, 选用美国 inTEST ATS-545-M 热流仪对封装后的器件在 -40 °C 至 125°C 进行快速高低温冲击测试.
半导体
2024/08/21
上海伯东美国 inTEST 热流仪通信芯片高低温冲击测试
上海伯东代理的美国 inTEST-Temptronic ThermoStream 热流仪能够快速提供高低温测试环境, 方便移动, 测试温度范围 -100 °C 至 +225 °C , 广泛应用于网络通信芯片行业.
半导体
2024/08/16
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