化学机械抛光机CMP
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MCF

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  • 银牌
  • 第2年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数
  • 抛光盘直径: ≥20inch(508mm)
  • 转速范围: 30-200rpm
  • 保持环压力控制范围: 70-700g/cm2
  • 抛光头转速范围: 30-200rpm
  • 摆动幅度: ±10mm

该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STISOI等产品的CMP平坦化抛光 通过更换抛光头可兼容468英寸晶圆

系统功能:手动上下片,程序自动进行抛光,配有终点监测装置,配置半自动loading & unloading托盘系统,8寸规格,方便8寸晶圆上下片

抛光数据监测:具有摩擦力监测功能

配备红外温度计实时监测抛光过程中抛光垫表面温度

抛光盘直径20inch(508mm) 转速范围:30-200rpm

抛光头wafer加压方式:气囊加压,带有背压功能

wafer压力控制范围:70-500g/cm2

保持环压力控制范围:70-700g/cm2

抛光头转速范围:30-200rpm 摆动幅度:±10mm

抛光液供应系统:3个可调流量蠕动泵供液,3路独立的抛光液通道,滴液位置可调

配置摩擦力&温度终点监控系统:含专用监测软件,带有End point detection功能

控制系统:PC工控机控制,触摸屏操作,可存储20个加工程序,加工程序最多可设6个不同加工阶段

均匀性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)

片内非均匀性WIWNU≤5% 

片间非均匀性WTWNU≤5%


售后服务承诺

产品货期: 60天

整机质保期: 1年

培训服务: 安装调试现场免费培训

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