PECVD  MVS
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$100万

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MVSystems

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MVS-PECVD

--

美洲

  • 铜牌
  • 第11年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

产地类别: 进口

薄膜沉积设备PECVD  MVS


公司简介

MVSystems, Inc. 由曼登博士(Dr. Arun Madan)创建于1989年。

曼登博士曾在英国丹迪大学从师于斯皮尔(Walter Spear)教授,是1970年代最早从事非晶硅材料和器件研究的人员之一。

曼登博士在非晶硅薄膜晶体管(TFT)方面进行了开创性的研究,这是他的博士论文的主要内容之一。非晶硅薄膜晶体管现已成为平板显示器中必不可缺的重要器件。

公司在薄膜半导体技术和先进的高真空半导体薄膜沉积设备方面拥有14项专利,包括:

多腔室PECVD沉积系统 – 主要产品 ? 用于柔性衬底的Reel-to-reel多室系统 - 主要产品

碳热丝化学气相沉积设备  掺氟纳米硅(微晶硅)材料

P型宽带隙非晶硅材料  掺氟二氧化锡绒面透明导电膜(与日本Asahi公司合作)


公司生产制造的80多台设备已销往全世界23个国家和地区。

公司生产的主要薄膜材料和器件产品包括:

材料

器件

非晶硅(a-Si:H)

薄膜硅太阳电池

纳米(微晶)硅 (nc-Si)

薄膜晶体管

氮化硅(SiNx),氧化硅(SiOx),氮氧化硅(SiON)

成像器件

氧化锌(AZO),铟锡氧化物(ITO), 二氧化锡(SnO2)

X光探测器

MVSystems公司设计,制造和提供各类单腔室和多腔室薄膜沉积设备。另外,根据用户的需求,各种

PECVD,HWCVD,和PVD腔室可以单个制造,也可配备到现有的团簇型(星型)或是直线型沉积系。我们公司的工程设计部门尽可能为用户着想,以使用户们获取他们最需要的且价格合适的设备。


R&D to

Production

可用于研发和生产

?PECVD

等离子化学气相沉积

?HWCVD

热丝化学气相沉积

?Sputter

溅射

?Anneal

退火处理

R&D Cluster tools

Cluster tool w/ 8 port locations

具有8个腔室的团簇型沉积系统

15.6x15.6cm substrates

衬底尺寸为15.6x15.6cm

Computer controlled

可完全由电脑程序控制操作运行

PECVD, HWCVD and Sputter capability

制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射


R&D Cluster tools

Cluster tool w/ 10 port locations

具有10个腔室的团簇型沉积系统

15.6x15.6cm substrate

衬底尺寸为15.6x15.6cm

Computer controlled

可完全由电脑程序控制操作运行

PECVD, HWCVD, Sputter capability and in-vacuum characterization module

制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,以及溅射。另外,该系统还带有一个测试腔, 用于在真空中测试所制备样品的光电子性能。


R&D Cluster tools

Cluster tool w/ 8 port locations

具有8个腔室的团簇型沉积系统

30x40cm substrate

衬底尺寸为30x40cm

Computer controlled

可完全由电脑程序控制操作运行

PECVD, HWCVD and Sputter capability 制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射。


Silicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar Cells

用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备


In-Line PECVD system for HIT junctions

用于制备高效异质结太阳电池的直线型等离子体化学气相沉积系统

Throughput: 18


Reel to Reel Cassette System

Cassette houses flexible material

卷筒用于装载柔性衬底材料

Cassette transported from one process chamber to another via a robotic handler

制备薄膜时,卷筒可由真空机器手从一个腔室输送至另一个腔室

Advantages 此沉积系统的优点

- Eliminates cross-contamination 在制备多层膜器件时消除了交互掺杂影响

- Flexibility to adjust parameters on any part of the process. 制备薄膜时,能灵活控制各种运转沉积参数

- Down time reduced, i.e. each chamber can be serviced independently 因每个腔室可单独维护,减少了停机非运转时


Reel to Reel Cassette Cluster tools

Cluster tool w/ 8 port locations

具有8个腔室的团簇型沉积系统

15cm and 30cm webwidth

柔性衬底的宽度可从15cm至30cm

Computer controlled

可完全由电脑程序控制操作运行

PECVD, HWCVD and Sputter capability

制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射

Amorphous silicon- intrinsic and doped (n+ and p+ type).

非晶硅本征和掺杂(n+ and p+ 型)膜。

Nano (or micro) crystalline silicon (intrinsic and doped)

纳米(或者微晶)硅 (本征和掺杂)膜。

Dielectrics (SiNx, SiOx)

介质薄膜(如SiNx, SiOx)。

Transparent conducting oxides (ITO, AZO)

透明导电薄膜 (如ITO,AZO)。

Solar cells, TFT’s, imaging and memory devices etc. 太阳电池,非晶硅薄膜晶体管,电子成像和存储器件等。

In-house Cluster Tool

Substrate: 30x40cm

DC, RF, pulsed-RF, VHF

 

 



典型用户
用户单位 采购时间
尚德电力 2003-09-09
西安师范大学 2013-04-09
河北大学 2011-06-07
天威薄膜 2009-07-07
  • 电化学ECV,掺杂浓度检测(C-V Profiling)PN结深测试 电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业,是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。 电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发,其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。 电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。 本设备适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上, 例如:Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides. CVP 21 的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率,准确的测量半导体材料(结构,层)中的掺杂浓度分布.选用合适的电解液与材料接触,腐蚀,从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制 CVP21的系统特点 ? 坚固可靠的模块化系统结构 .光学,电子和化学部分相对独立. ? 精确的测量电路模块 ? 强力的控制软件,系统操作,使用简便 ? 完善的售后服务体系

    0MB 2014-07-22
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MVSystems镀膜机MVS-PECVD的工作原理介绍

镀膜机MVS-PECVD的使用方法?

MVSystemsMVS-PECVD多少钱一台?

镀膜机MVS-PECVD可以检测什么?

镀膜机MVS-PECVD使用的注意事项?

MVSystemsMVS-PECVD的说明书有吗?

MVSystems镀膜机MVS-PECVD的操作规程有吗?

MVSystems镀膜机MVS-PECVD报价含票含运吗?

MVSystemsMVS-PECVD有现货吗?

PECVD MVS信息由上海瞬渺光电技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于PECVD MVS报价、型号、参数等信息,瞬渺客服电话:400-860-5168转3181,欢迎来电或留言咨询。
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