无尘布

为了保证LCMS-IT-TOF高性能的运行，需要对仪器进行定期的维护工作。 01 更换机械泵泵油 LCMS-IT-TOF需要定期更换机械泵泵油，仪器系统提示更换时间为3000小时。更换泵油时需要将仪器真空停止下来，为避免烫伤，需等机械泵降至室温后再进行更换泵油工作。 更换泵油时机械泵的放油口下方放置好收集泵油的容器，打开放油口螺母将泵油排放干净后，再拧紧放油口螺母。通过加油口将机械泵专用油加入到机械泵中，泵油加注到泵的刻度线的80%左右，拧紧加油口。 在维护工具界面将机械泵油运行时间归零，再进行启动真空。 02 清洗过滤网 过滤网的作用是过滤进入或排出仪器内部空气，起到对仪器内部散热的功能，如过滤网太脏，将会使仪器内部空气流通不顺畅，引起温度过高或将灰尘等带入到仪器内部，引起真空系统或者电路系统故障，对仪器内部高压电源等引起伤害。 先将仪器右侧盖板上4颗螺丝拧下后，取下右侧盖板。取下盖板后可见两片过滤网，每片过滤网各由6颗固定螺丝固定，将固定螺丝拧下，并将固定板取下后，即可将过滤网取下并更换。 脏的过滤网需要进行清洗，晾干后才能使用。更换过滤网的频率由实验室环境决定，当过滤网上有明显脏的物质时，需要进行清洗，一般建议半年清洗一次。 03 清洗离子源 为了仪器有良好的性能建议进行离子源的日常清洗，在进行离子源清洗前，需要将离子源高压电源，加热及气体关闭。等待离子源温度降至室温后再进行维护，日常离子源维护使用无尘纸或无尘布，并使用甲醇水清洗。（注：清洗过程请全程戴好手套） 首先用手拧松两颗离子源固定螺母，将离子源从离子源腔内拿出，然后使用无尘纸沾甲醇水溶液对离子源进行擦拭，为了安全注意不要碰到喷针的尖端。 继续用手拧松离子源腔体固定螺丝，将离子源腔打开，使用甲醇水润湿的无尘纸或无尘布对离子源腔体进行擦拭，擦拭时注意不要擦拭到CDL处。 清洗完离子源及离子腔后，将离子源安装回离子源腔，离子源维护工作完毕。

近日，成都稳正科技有限公司发布环评公示信息，信息显示其将于6~8月在四川成都市新建一微波等离子体设备及金刚石生产项目。当今，金刚石在许多工业领域中起着不可替代的作用。2018被列入了《战略新兴产业分类（2018）》，然而天然金刚石储量少，开采困难，环境污染严重，品质不稳定等缺点，不能满足工业领域甚至消费领域的需要。 目前，人工合成金刚石的方法主要有高温高压法（HTHP）、直流电弧等离子体喷射法（DCAPJ）、热丝化学气相沉积（HFCVD）、微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）。MPCVD合成金刚石是上个世纪80年代发展起来的一种制备高品质金刚石的新型技术，微波放电区域集中不发散，所以避免了电极放电和腔体壁造成对外延金刚石膜的污染。MPCVD 合成金刚石技术的出现，成功解决金刚石生长尺寸等问题。目前 MPCVD 方法制备的金刚石单晶材料几乎实现了天然金刚石的全部特征。因此，MPCVD 法是目前该领域研究者们使用最多的合成高品质金刚石的方法，是一项满足国家高端科技发展新兴技术的项目，迫切需求国内具有自己的高品质金刚石生产技术和产业。本次新建微波等离子体设备及金刚石生产项目租用厂房面积1200平方米。购置金刚石激光切割设备2台，金刚石抛光机4台，螺杆空压机1台等。组装微波等离子体设备20套用于金刚石生产，年产金刚石10000克拉（包括由MPCVD设备生产后未经后续切割、打磨处理的金刚石原材料，约8000克拉；以及根据业主需求，对金刚石原材料进行切割打磨处理后的金刚石产品，约2000克拉），微波等离子体设备年产能400套（包括用于金刚石生产的20套设备）。生产方案据了解，该项目主要生产单元包括两部分，1. 微波等离子体设备（MPCVD 设备）组装线；2.金刚石生产线。其中，微波等离子体设备由建设单位自主研发设计，参照执行以下标准：具有完全自动化控制的功能，长期稳定运行时间大于30天。最大输出功率达到6-15kw（输出功率稳定度达到±1%），并且具有手动/自动调节功能，腔体本底真空度优于10^-6mbar，该设备具有微波源过流过压、缺项断电报警，三相动力电逆相报警，冷却水欠压断电报警，冷却水过温断流报警等安全功能。同时，项目生产的金刚石要求生长厚度大于4mm，颜色G-H色、净度VS2及以上。20倍光学放大镜下无明显杂质。微波等离子体设备示例金刚石产品示例同时，该项目需要大量设备，以下为项目主要设备汇总表：主要设备汇总项目公示信息也披露了微波等离子体设备和单晶金刚石生产工艺，其中金刚石生产工艺如下：金刚石生产工艺流程（1）来料检验、清洗。本项目外购金刚石单晶片为金刚石生长基材（主要成分为金刚石，其生产工艺与本项目相似，不含重金属等杂质），生产前需要通过无尘布蘸取无水乙醇擦拭清洗。该工序会产生有机废气和废弃无尘布。（2）金刚石生长。将金刚石种子（外购金刚石单晶片）置于微波等离子体设备中（以下简称MPCVD设备），设备开启后，腔体处于真空状态，由储气室接入工艺气体气管至设备，流量计按工艺需求量供应氢气、氮气、氧气和甲烷。在高温环境下（800℃），MPCVD设备通过微波电源产生微波，在微波场的作用下将反应气体变为等离子体态（等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质，是一种拥有离子、电子和核心粒子的不带电的离子化物质，其运动主要受电磁力支配，并表现出显著的集体行为），形成悬浮于金刚石衬底上方的等离子体球，并利用等离子体的高温使得衬底加热到一定温度。腔体内产生的多余热量由水冷单元传导出去。在微波作用下，反应气体裂解成H、O、N 原子或CH2、CH3、C2H2、OH等基团。含碳基团( CH2、CH3、C2H2) 将在金刚石种子表面形成气固混合界面，在动态平衡模型或非平衡热力学模型下实现金刚石、非晶碳或石墨的生长。氢等离子体刻蚀非晶碳或石墨的速度比刻蚀金刚石快得多，因此 CVD 金刚石表面的非金刚石相被快速刻蚀，从而实现金刚石生长。利用甲烷气体中的碳原子同质外延出金刚石单晶材料，生长周期为 15-20 天。期间需要循环冷却水对设备进行降温，使温度环境保持在 800℃，冷却水使用纯水，不需外排，定期补充。工艺气体中，加入氮气可提升金刚石生长速率，氮气使用量极少，以原子态附着于金刚石上，氮气不外排；甲烷分解后（氢气），与氢气、氧气一起经排气管道收集后于车间外排放。生长期间设备自动化控制，无需人工另外操作。生长后的金刚石原材料部分可直接外售，部分进入下一步工序。（3）激光加工。金刚石原材料置于激光切割机，利用激光束照射将金刚石原材料加工成所需的形状和尺寸，此工序不使用切削液，会产生边角料和噪声。（4）精密打磨。经过激光切割后的金刚石需进入金刚石抛光机进一步打磨，抛光机使用镀金刚石打磨盘，打磨盘由厂家定期更换，更换频率 1 年 1 次，打磨完成后的金刚石作为金刚石产品外售。此工序不使用研磨液，会产生打磨粉尘和噪声。附件：微波等离子体设备及金刚石生产项目.pdf

近日，苏州通富超威半导体有限公司公示了《苏州通富超威半导体有限公司高性能中央处理器等集成电路封装测试项目》。公示信息显示，苏州通富超威半导体有限公司将在江苏省苏州工业园区苏对高性能中央处理器等集成电路封装测试项目进行扩建，总投资达18.97062亿元。据了解，超威半导体技术（中国）有限公司成立于2004年3月，位于苏州工业园区苏桐路88号，是尖端的微处理器（CPU）制造企业，主要从事微处理器（CPU）、集成电路等的封装、测试，是一家有着世界顶级设备和优秀管理人员的现代化工厂。2016年05月23日，该公司名称变更为苏州通富超威半导体有限公司。苏州通富超威半导体有限公司目前主要进行CPU的生产。项目于2010计划建设13条新型可控坍塌芯片连接技术封装生产线，最终形成年产和测试13000万颗CPU的能力，但实际只建成及验收 5 条封装生产线，实际年产CPU5000万颗。由于市场需求发生变化，为抢占市场份额，企业拟购置新设备，采用倒装封装技术及先进测试技术，在新增封装线的同时对现有封装工艺五条线进行技术改造，调整现有产能，建成后预计最终年产CPU（中高端集成电路封装）1.4 亿颗。同时，本项目还将引进晶圆研磨机，用于加工半导体晶圆，使晶圆的尺寸达到公差范围内，预计年研磨片数4.0万片。同时购入圆片级测试机，新增晶圆级测试工艺，改造完成后有助于本土集成电路产业链的延伸，实现企业在晶圆制造后的全制程能力，预计可实现年产能5.0万片。根据公示信息透露出的本次扩建涉及到的设备信息，估计变化量达近千台。该项目涉及CPU封装工艺流程、产品测试工艺流程及晶片测试工艺流程等。CPU封装工艺流程晶圆检测：在高倍显微镜下对每叠芯片进行抽检，其余部分用裸眼全检，检测有没有焊球损坏或焊球变形，芯片碎裂或芯片背面损坏情况，同时在晶圆表面贴上晶圆胶带。 激光开槽：使用激光开槽机在激光切割保护液的保护下对晶圆进行开槽，随后使用纯水对晶圆进行冲洗。 机械切割：使用机械切割机对开槽后的晶圆进行进一步切割，同时使用纯水对晶圆进行冲洗、降温。UV固化：UV固化机对晶圆表面进行固化使表面膜跟晶圆更加贴合。抓取分拣：使用晶圆分拣机将晶圆按性能分拣归类。基板烘烤：使用基板烘烤机在125℃（电加热）条件下对基板烘烤约 2.5h，使其拥有更好的绝缘度。锡膏印刷：从干燥箱中取出已经烘烤结束的基板，冷却到室温，喷洒助焊剂，印刷锡膏；使用完成后的钢网需进行清洁，使用沾有异丙醇的擦拭纸进行擦拭。贴电容、贴芯片、回流焊：使用电容贴片机、晶圆贴片机分别将电容、晶圆芯片摆放在焊接位置，采用回流焊接的方式，利用热风和红外高温使焊接处的锡膏融化、回流、冷却使接点焊接牢固，焊接电容、芯片；随后进行检测，若有焊接不牢固产品，则用无尘纸沾取少量异丙醇对焊点处进行人工擦拭，然后进行返工。助焊剂清洗1：将助焊剂清洗剂与纯水按照一定比例进行配比，使用助焊剂清洗机对焊接后的半成品进行冲洗。底封胶填装：利用毛吸现象原理，使用底封胶填充机在晶元和基板间填充粘胶，来填充焊接球与基板间的缝隙，减少热应力的危害。固化：为保护电容，部分产品继续填充紫外线固化剂，后在 165℃（电加热）条件下对半成品烘烤一定时间。锡球植球、回流焊：使用锡球植球将锡球摆放在焊接位置并喷洒助焊剂，采用回流焊接的方式，利用热风和红外高温使焊接处的锡球融化、回流、冷却使接点焊接牢固。 助焊剂清洗2：焊接后送入清洗槽内浸泡 5-10min，清洗槽内为溶有清洗剂的纯水（50℃），将其表面粘附的助焊剂清洗干净。开闭路测试：通过开路和闭路测试，检测封装工艺是否完好，此过程会产生一定量的不良品，其中智能移动终端及图像处理集成电路及高性能中央处理器集成电路测试完成后合格品进行包装入库，CPU 流入下一工序。点胶、加盖子、烘干：使用点胶机在基板的四周点上粘胶，并用热传导贴胶机在芯片背面刷热传树脂，同时用贴盖机对集成电路加上散热盖，在烘干炉里加热烘干。产品测试工艺流程测试工艺流程1：封装后的集成电路经功能性测试、系统测试、激光打标、质量抽检、外观检测、Pin脚测试后包装入库，测试过程均会产生一定量的不良品，外观检测时用无尘纸沾取少量无水乙醇对进行人工擦拭（擦拭灰尘）。测试工艺流程2：对需要测试的产品进行登记记录，使用 X-ray 设备对需要进行检测的产品进行 X 光照射进行分析，使用盐酸进行破坏性测试，根据实验结果对分析的结果进行分析并出具实验报告。晶片测试工艺流程来料接收：根据物流的到料信息，进行晶圆的到料接收，物料收入后，存放于氮气柜中。 备料：根据排料计划进行提前准备。 来料检查：对来料晶圆进行抽检，对抽样品采用裸眼全检，检测晶圆在盒中是否斜插，有无破片划伤变色，再采用高倍显微镜抽检，确认晶圆焊球有无损坏变形缺失等异常。 探测：晶圆探测是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上探针，与晶粒上的接点接触，测试其电性能力和电路机能，不合格晶粒会被标记淘汰，不再进行后端的一些制程，以免增加制造成本。在探针的正常维护和修理过程中，会使用无尘布沾取少量酒精对针处进行人工擦拭。出站检查：对测试后的晶圆进行抽检，对抽样品采用裸眼全检，检测晶圆在盒中是否斜插，有无破片划伤变色，再采用高倍显微镜抽检，确认晶圆焊球有无损坏变形缺失，针痕伤害等异常。存储：将需要出货的晶圆放置在氮气柜中存储。打包：将晶圆、干燥剂、湿度指示卡放入静电袋中，贴上晶圆信息的标签。若铝箔袋破损、标签信息错误，或者湿度指示卡变色，都需要废弃。出货检查：确认打包后的晶圆实物与标签一致，且标签完整，合格品厂内自用。